Laboratorio de Electrónica II – Instructor: Freek Figueroa – Sec. Clase 1600 – Ing.

Humberto Amador 1

Lección II: Fundamentos de Transistores BJT,

JFET y MOSFET
Brayan Lara – 20161004390, Juan Escobar – 20171000312, Christopher Velásquez – 20161005644,
Thomas Zepeda – 20172500216, Pedro Flores – 20152500042 (Sec. 1700, Ing. Santos)
Estas impurezas son llamadas materiales de tipo P (Galio) y
Resumen—En este informe de laboratorio, hablaremos sobre material de tipo N (Arsénico) los cuales proporcionan huecos y
los tres principales objetos de estudio en el laboratorio, como son electrones respectivamente a las bases de silicio. Estos huevos
los transistores BJT, JFET y MOSFET. Así mismo tratamos sobre y electrones reaccionan y se mueven dependiendo de la
su información general, sus partes e incluso sus construcciones y, magnitud de diferentes voltajes aplicados en las terminales
por último, pero no menos importante conoceremos sus curvas
conectadas a las bases de los transistores. Así podemos realizar
características y sus parámetros principales.
mediciones para determinar el estado del transistor, el tipo, sus
Palabras Clave—Diodo, Ganancia, BJT, MOSFET, JFET,
terminales, parámetros y características.
Transistor, Unión polar. A. Transistor BJT
El transistor de unión bipolar o del inglés bipolar junction
transistor o sus siglas BJT, es un dispositivo electrónico de
I. INTRODUCIÓN
estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre

E
l uso de los transistores a lo largo del avance sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje,
tecnológico, ha ido aumentando debido al amplio uso y además de controlar el paso de la corriente a través de sus
aplicaciones que estos tienen. Cada tipo de transistor terminales.
tiene su uso como ser el BJT que se utiliza para poder manipular La denominación de bipolar se debe a que la conducción
la corriente aumentándola, pero disminuyendo el voltaje. Luego tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
tenemos los JFET y MOSFET que se diferencian por los polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de
materiales de construcción, así como las aplicaciones que tienen gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen
cada uno de estos. ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
bastante baja.

II. OBJETIVOS
1. Realizar varios tipos de transistores para implementar
lo comprendido sobre ellos.
2. Conocer en la familia de curvas características de
salida las zonas de funcionamiento del transistor.
3. Desarrollar mejor manejo sobre las distintas
herramientas que nos ofrece Multisim.

III. MARCO TEÓRICO

Fig. 3.1: Transistor BJT
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor
utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una
señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El termino transistor proviene del
inglés transfer resistor que significa resistor de transferencia.

Los transistores BJT, JFET y MOSFET son construidos

principalmente con bases de silicio. Cada una de las bases son
combinadas con impurezas o materiales intrínsecos para Fig. 3.2: Transistores BJT de tipo NPN y PNP
proporcionarle el funcionamiento característico y su tipo (NPN/ B. Transistor JFET
PNP para los BJT y Canal N/P para los FET).
El transistor de efecto de campo de juntura o unión, o JFET,
es un tipo de dispositivo electrónico de tres terminales que
puede ser usado como interruptor electrónicamente controlado,
amplificador o resistencia controlada por voltaje. Posee tres

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terminales, comúnmente llamados drenaje (D), puerta o

compuerta (G) y fuente (S).
A diferencia del transistor de unión bipolar el JFET, al ser
un dispositivo controlado por un voltaje de entrada, no necesita
de corriente de polarización.

Fig. 3.4: Transistores MOSFET de canal N y P

IV. MATERIALES Y EQUIPO

Fig. 3.3: Transistor JFET 1. Guía de laboratorio.

2. Computadora con el programa NI Multisim.
3. NI multisim 14.0 o superior.
4. Computadora con S.O. Windows.
5. Puntas de prueba
6. Multímetro
7. Osciloscopio
8. Microsoft Word.

Fig. 3.4: Transistores JFET de canal N y P V. PROCEDIMIENTO

A. Transistores BJT
C. Transistor MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
Identificación del BJT y sus terminales
o MOSFET es un transistor utilizado para amplificar o
1. Conectar adecuadamente un transistor BJT en el
conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en
protoboard.
la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o
digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más
2. Mediante el uso de puntas de voltaje y corriente, haga
popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los
mediciones de continuidad entre dos patas del transistor
microprocesadores comerciales están basados en transistores
BJT. Cuando exista continuidad entre dos terminales,
MOSFET.
entonces la terminal conectada a la punta positiva del
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados
tester es tipo P y la terminal conectada a la punta
fuente (S), drenado (D), puerta (G) y sustrato (B). Sin embargo,
negativa del tester es tipo N. Con la punta positiva en la
el sustrato generalmente está conectado internamente al
terminal identificada de tipo P, conecte la punta negativa
terminal de fuente y por este motivo se pueden encontrar
a la otra terminal restante. Al existir continuidad, el tipo
dispositivos MOSFET de tres terminales.
de transistor es NPN y la punta positiva del tester está
conectada a la base (tipo P). Si no existe conectividad en
esta segunda prueba, mantenga conectada la punta
positiva en la terminal restante y conecte la punta
negativa a la terminal tipo N determinada anteriormente.
Al existir continuidad, el transistor es PNP y la punta
negativa del tester está conectada a la base del transistor
(Tipo N).

3. Para identificar las terminales colector y emisor se debe

medir la resistencia (en polarización directa) que hay
entre las dos uniones (base-emisor y base-colector). La
resistencia mayor indica el emisor y la resistencia menor
Fig. 3.5: Estructura del MOSFET
el colector. Utilice la Fig. 2.1 para escribir el modelo y
las terminales del transistor.

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B. Ganancia de Corriente y Curvas Características.

1. Se construyó en Multisim el circuito de la Fig. 2.2.

Fig. 2.2: Calculo de la ganancia de corriente.

Fig. 2.4: características del transistor BJT con β sin modificar.
2. Con el multímetro se midieron la corriente de base y la
5. Haciendo doble clic en el transistor modificamos el valor
corriente de colector de la Fig. 2.2.
del parámetro BF=1000, guardamos el valor y repetimos el
paso anterior

Fig. 2.3: Medición de la corriente de base y colector.

Fig. 2.5: Características del transistor BJT con β modificado.

3. Se calculó la ganancia de corriente. C. Transistores JFET.

𝐼𝐶 505.488 𝑚𝐴
𝛽= = ≈ 123.773 𝐴.
𝐼𝐵 4.084 𝑚𝐴

4. Mediante el análisis DC Sweep (Barrido en DC), se elige

como Source 1 la fuente VCE y hace que varié de 0 a 12V
con incrementos de 1V. Para Source 2, elije la fuente VB y
se hace que varié de 0 a 5V con incrementos de 1V. En la
ventana Output se hace doble clic en IC) y se hace clic en
run. Cada incremento de VB es una nueva curva
característica debido a que IB varía. Se grafica las Fig. 3.1: Circuito para obtener las características del JFET
características del transistor BJT en la Fig. 2.4.

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D. Estado del JFET y Parámetros Principales

1. Coloque el JFET en el protoboard adecuadamente.

E. Curvas Características y de Transferencia.
2. Busque en el datasheet el diagrama de las terminales del
JFET y mida la resistencia del canal entre el drenador y la
fuente. Valores altos indican un mal funcionamiento del 1. En Multisim, se construyó el circuito de la Fig. 3.1.
JFET.
2. Mediante el análisis DC Sweep (Barrido en DC) de
Multisim, en la ventana Analysis Parameters, elija como
Source 1 la fuente VDS y haga que varíe de 0 a 12V con
incrementos de 1V. Para Source 2, elija a la fuente VGS y
haga que varíe de -3V a 0V con incrementos de 0.5V. En la
ventana Output haga doble clic en I(VDS) y haga clic en
run. Si la curva resulta invertida, añada la expresión -
I(VDS) en DC Sweep > Output > Add expresión y elimine
I(VDS). Cada variación de VGS es una nueva curva
característica. Grafique las características del JFET en la
Fig. 3.2.

3. Mediante el análisis DC Sweep (Barrido en DC) de

Multisim, en la ventana Analysis Parameters, elijimos como
Source 1 la fuente VGS y hicimos que varíe de -3V a 0V
con incrementos de 0.5V. Quitamos el checkmark de la
casilla de Source 2 para deshabilitar la variación de la fuente
VDS (Debe ser 15V en el circuito). En la ventana Output
haga doble clic en I(VDS) y haga clic en run. Si la curva
Fig. 3.1.2: Circuito para obtener RDs resulta invertida, añada la expresión -I(VDS) en DC Sweep
> Output > Add expresión y elimine I(VDS). Grafique la
RDS = V/I=2.043kΩ
curva de transferencia del JFET en la Fig. 2.3.
3. Construya el circuito de la Fig. 3.1 en un protoboard.
4. Realizamos doble clic el transistor y entre a la opción
4. Varié el voltaje VDS desde 0 con incrementos pequeños y
Value > Edit Model. Modifique los valores de los
mida la corriente de drenador ID como lo indica la Tabla
parámetros, VTO = -3 y LAMBDA = 5E-002 Guardamos
3.1.
estos valores haciendo clic en Change Component. Repita
Tabla 3.1: Parámetros del JFET (no modificado)
los pasos 2 y 3 y grafique las características del transistor
JFET en la Fig. 3.2 y la curva de transferencia en la Fig.
VDS(V) ID(mA) 3.3.
0 0
1 4.02
2 5.95
3 6.16
4 6.26
VGS(off)(V) IDSS (mA)
-4 6.26

Tabla3.2: Parámetros del JFET (modificado)

VDS(V) ID(mA)
0 0
1 5.72
2 9.66
3 11.5
4 12.0
5 12.4
VGS(off)(V) IDSS (mA) (a) . VGS(off) e IDSS sin modificar
-5 12.4

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modificar, compare estos valores con los datos

proporcionados del datasheet

Tabla 3.2: Parámetros del JFET 2N5485 en Multisim

Parámetros sin modificar Parámetros modificados
VGS (off)(v) IDSS (mA) VGS (off)(v) IDSS (mA)
-4 3 -5 12.4

F. Transistor MOSFET tipo Enriquecimiento

Estado y Parámetros Principales

1. Coloque el MOSFET en el protoboard adecuadamente.

2. Busque en el datasheet el diagrama de las terminales del

MOSFET y mida la resistencia RSD(of f) entre el las
(b) VDS(off) e IDSS modificado terminales drenador (punta positiva) y fuente (punta
Fig. 3.2: Características de drenaje para el JFET
negativa) con la terminal compuerta sin conectar. Valores
altos (alrededor de 1M Ω) indican un mal funcionamiento
del MOSFET. Anote este valor en la Tabla 4.1.
15 𝑣
𝑅𝑆𝐷(𝑜𝑓𝑓) = = 120𝑀 Ω
125 𝑛𝐴
Para RDs (on) cambiamos VGS a 5 voltios
15 𝑣
𝑅𝑆𝐷(𝑜𝑛) = = 37.5 Ω
400 𝑚𝐴

Tabla4.1: Resistencia del Canal del MOSFET tipo Enriquecimiento.

RSD(off) (MΩ) RSD(on) (Ω)

120 37.5

3. Midiendo la resistencia drenador-fuente, suministre 5

voltios a la terminal compuerta en un breve periodo de
tiempo (conecte por 1 segundo la compuerta a 5 volts y
luego desconecte). Anote el valor el valor de la resistencia
(a) VGS(off) e IDSS sin modificar
del canal creado Rds(on) en la Tabla 5.1.
4. Construya el circuito de la Fig. 4.1 en un protoboard.
5. Varíe el voltaje VGS desde 0 y mida la corriente de drenador
como lo indica la Tabla 4.2. Cuando ID comienza a
aumentar drásticamente VGS = VGS(th) .

(b) VGS(off) e IDSS modificados

Fig. 3.3: Curva de transferencia del JFET

5. De las Fig. 3.2 y 3.3, identifique los valores de VGS(of f) e Fig. 4.1: Circuito para medir las Características del MOSFET tipo
IDSS y complete la Tabla 3.2. Para los parámetros sin Enriquecimiento

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de la casilla de Source 2 para deshabilitar la fuente (en

el circuito VDS debe ser 12V). En la ventana Output

haga doble clic en I(VDS) y haga clic en run. Si la curva

sale invertida, añada la expresión -I(VDS) en DC Sweep >
Output > Add expresión y elimine I(VDS). El
comportamiento de esta curva se rige de acuerdo a la
ecuaci´on de transferencia (2). Grafique la curva de
transferencia del MOSFET en la Fig. 4.3

4. Haga doble clic el transistor y entre a la opción Value > Edit

Model. Modifique los valores de los parámetros VTO = 3 y
KP = 2 (variable directamente relacionada con la constante
de construcción). Guarde estos valores haciendo clic en
Change Component. Repita los pasos 2 y 3 y grafique las
características del MOSFET en la Fig. 4.2 y la curva de
Fig. 4.1.1: Circuito para encontrar RSD(off) transferencia en la Fig. 4.3.

(a ) VGS(th) y k sin modificar

VGS (V) ID (mA)

0 0.000125
0.5 0.000125
1 0.000125
1.3 0.000125
1.6 0.000125
1.8 0.000125
2 1.85
Tabla 4.2: Parámetros del MOSFET Tipo Enriquecimiento

VGS(th) (V)
2

G. Curvas Características y de Transferencia

1. En Multisim, construya el circuito de la Fig. 4.1.

2. Mediante el análisis DC Sweep (Barrido en DC) de

Multisim, en la ventana Analysis Parameters, elija
como Source 1 la fuente VDS y haga que varíe de 0 a
12V con incrementos de 1V. Para Source 2, elija a la
fuente VGS y haga que varíe de 0V a 6V con
incrementos de 0.5V. En la ventana Output haga doble
clic en I(VDS) y haga clic en run. Si la curva sale
invertida, añada la expresión -I(VDS) en DC Sweep >
Output > Add expresión y elimine I(VDS). Cada
incremento de VGS es una nueva curva característica
debido a que VGS varía de acuerdo a la ecuación de
transferencia (2). Grafique las características del (c) VGS(th) y k modificados
transistor MOSFET en la Fig. 4.1. Fig. 4.2: Características de drenaje para el MOSFET tipo enriquecimiento

3. Mediante el análisis DC Sweep (Barrido en DC) de

Multisim, en la ventana Analysis Parameters, elija
como Source 1 la fuente VGS y haga que varíe de 0V
a 10V con incrementos de 0.5V. Quite el checkmark

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Tabla 4.3: Parámetros del MOSFET en Multisim.

Parámetros sin modificar Parámetros modificados

𝑨 𝑨
VGS(th) (V) K ( 𝟐) VGS(th) (V) K ( 𝟐)
𝑽 𝑽
2 0.046 3 0.0925

VI. ANALISIS DE RESULTADO.

En el análisis la ganancia de corriente en el transistor 2N2222

podemos medir las corrientes del colector y la base utilizando
el multímetro, si comparamos este cálculo y utilizamos el valor
de 𝛽=153.58 obtenido en las especificaciones del transistor, si
le calculamos el porcentaje de error, con el valor practico
obtenido 𝛽=123.773.

Se obtiene un %ER= 24%, siendo un porcentaje de error

bastante alto, con lo cual se podría concluir que las mediciones
(a): VGS(th) y k sin modificar
obtenidas tienen una margen de error alto.

Al momento de cambiar el voltaje VDs notamos que la

corriente va aumentando hasta un punto donde los valores de
IDs van hacer cercanos a un solo valor donde no va ser casi
siempre la misma si no que por decimales de diferencia a pesar
que aumentemos el voltaje como podemos ver en la figura 3.2
el aumento de lacorriente ya será menor apartir de ahí y ese
punto lo llamamos VGs(off) por la simetría y la saturación en
un transistor tipo JFET.

Para el transistor MOSFERT tipo enriquecimiento están tiene

efecto de campo, se encuentra lo que es la RDs(off) y RDs(on)
se en la tabla 4.1 que la resistencia RDs(off) es mayor que la de
y RDs(on) esto se debe a que y RDs(on) esta cargada y
RDs(off) esta prácticamente aterrizada gracias que al aplicar el
voltaje se abre el canal del MOSFET, además se ver un
comportamiento en VGS que cuando variamos la tención la
corriente va ser pequeña hasta un punto en donde se aumenta la
corriente mas del doble que tenia anterior mente y se observa
en la figura 4.3 donde va en aumento como si fuera un diodo y
(b) VGS(th) y k modificado.
ese voltaje en donde la corriente aumenta el doble es nuestro
VGS(th) y si hacemos la comparacion de las características de
Fig. 4.3: Curva de transferencia del MOSFET
transferencia se nota que tienen el mismo comportamiento tanto
para la modificada y la no modificada.
5. De las Fig. 5.2 y 5.3, identifique el valor de VGS(th) y
calcule la constante de construcción k y complete la Tabla VII. CUESTIONARIO
5.3. Para los parámetros sin modificar, compare VGS(th) 1) ¿Cuál es el objetico principal o para qué sirve el DC
con el rango valores proporcionados en el datasheet. Sweep (barrido en DC) de Multisim como análisis de
circuitos?
Para los que no. Resp// El modo DC Sweep es empleado para obtener la
respuesta de un circuito cuando se hace variar los valores de
1.85𝑚𝐴 ciertos elementos del mismo, como ser valores de tensión, de
𝑘1 =
(1.8𝑣 − 2𝑣)2
= 0.046 corriente e incluso de parámetros más complejos como la
ganancia del transistor. Haciendo variar las fuentes de DC
3.7 𝑚𝐴 adecuadas, es posible obtener en un circuito las curvas
𝑘2 = (2.8− 3𝑣)2 = 2.8 características de un transistor BJT, JFET, MOSFET, así
como también la curva de transferencia de los JFET y
MOSFET. Este a su vez se utiliza para calcular el punto de
polarización de un circuito sobre un rango de valores.

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condiciones? ¿Tomaría usted un valor aleatorio de este rango

2) Usted realiza pruebas de diodos en un transistor BJT o haría las mediciones correspondientes? Explique.
para determinar su estado y tipo y obtiene los resultados Resp// Se establece un rango de valores en los parámetros del
mostrados en la Tabla 6.1. Las puntas positivas y negativas transistor para garantizar que, en la región de operación, las
son del tester y se conectan a las 3 terminales del BJT. ¿Cuál características de este no excedan las capacidades nominales
es el estado y tipo del transistor? Mencione el tipo de cada una máximas para las cuales fue diseñado el dispositivo y que la
de las terminales (tipo N o tipo P) señal de saluda obtenida exhiba una distorsión mínima.
TABLA VI . PRUEBA DE DIODOS EN UN BJT CON TESTER Siempre y cuando se cumpla cada una de las condiciones
Prueba Punta Positiva Punta Negativa Resultado establecidas para un determinado rango de valores, se
1 Terminal 2 Terminal 1 Continuidad
2 Terminal 2 Terminal 3 No hay continuidad
puede hacer uso de cualquier valor dentro del intervalo.
1 Terminal 3 Terminal 1 Continuidad Evitando utilizar los valores extremos ya sea mínimo o
máximo o aquellos que estén próximos a ellos, para
proporcionar un pequeño margen de seguridad ante los
TABLA VII. TIPO DE TRANSISTOR Y TIPO DE TERMINALES posibles factores que puedan intervenir en el buen
Tipo de Transistor Terminal Tipo funcionamiento del dispositivo en la región de operación
2 P predeterminada en sus características.
PNP 1 N
3 P
Resp// Los resultados obtenidos en la Tabla VII están 6) En los datasheet se especifica un 𝑰𝑫𝒔𝒔 tanto en los
basados en el hecho de que cuando un tester marca JFET como en los MOSFET. ¿Por qué en el JFET es del
continuidad, se dice que la terminal positiva está conectada a orden de miliamperios y en los MOSFET es del orden de
un material de tipo P y la terminal negativa está conectada a microamperios (mucho menor que en el JFET)? Explique.
un material de tipo N. Por lo que de la primera prueba Resp// La corriente máxima de operación 𝐼𝐷𝑠𝑠 , en el JFET es
obtenemos que la terminal 2 es de tipo P y la terminal 1 de mayor que la del MOSFET debido a las características y
tipo N. De la prueba 3 tenemos como resultado que la aplicaciones que presenta cada uno de estos transistores. En los
terminal 3 es de tipo P y se confirma que la terminal 1 es de MOSFET las transición entre el estado de corte y el de
tipo N. y por estos resultados podemos concluir que el conducción es casi instantáneo, ya que la corriente máxima 𝐼𝐷𝑠𝑠
transistor es de tipo PNP. es pequeña, siendo del orden de microamperios.

3) ¿Qué sucede con 𝑰𝑫 cuando se le suministra un 𝑽𝑮𝑺 VIII. CONCLUSIONES

positivo a un JFET de canal N? ¿Y con el JFET de canal P 1. El comportamiento de los transistores de efecto de
suministrándole un 𝑽𝑮𝑺 negativo? Explique. campo se caracteriza por sus curvas características en la
Resp// De la teoría sabemos que en un JFET de canal N, que representa la corriente que entra 0 sale por el
conforme 𝑉𝐺𝑆 se vuelve más negativa, las corriente 𝐼𝐷 va drenador en función de la remoción aplicada entre este
disminuyendo, tomando un valor de cero cuando 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑝 . y la fuente. (Brayan Lara)
Por lo que cuando 𝑉𝐺𝑆 empieza a tomar valores positivos se
puede obtener una corriente 𝐼𝐷 un poco mayor a la establecida 2. Los mosfet se emplean para tratar señales de muy baja
como máxima para el buen funcionamiento del transistor. potencia esto es una gran ventaja ya que pueden ser
Ahora cuando se tiene un JFET canal P sucede algo parecido, utilizados en una gran gama de aplicaciones. (Thomas
para este tipo de canal se necesita que 𝑉𝐺𝑆 vaya aumentando Zepeda)
de manera positiva para que 𝐼𝐷 tienda a cero. Cuando 𝑉𝐺𝑆 =
0 𝑉 se obtiene un valor máximo para 𝐼𝐷 . En este caso, para
obtener una corriente un poco mayor a la máxima establecida 3. Logramos observar cómo es su transferencia en Dc
para la buena operación del transistor, se necesitan valores cambiando las características del transistor viendo que
negativos de 𝑉𝐺𝑆 , igual este incremento por encima de 𝐼𝐷 con los parámetros sin modificar encontramos más
tendrá sus límites. rápido la corriente IDS en donde busca a ser estable a
cómo lo es el en el modificado que se necesitó una
4) ¿Qué son los JFET simétricos? ¿Son simétricos todos medición más para poder ver este cambien en un
los JFET? transistor JFET. (Christopher Velásquez)
Resp// El JFET puede considerarse un dispositivo simétrico
ya que a diferencia de los transistores BJT, los terminales 4. La característica principal del transistor JFET es de
drenador y surtidor del JFET pueden intercambiar sus papeles amplificador de corriente o tención, debido a su alta
sin que se altere apreciablemente la característica V-I. impedancia. (Pedro Flores)
En principio el JFET es un dispositivo simétrico, es decir
bidireccional, no hay distribución entre drenaje y fuente salvo
por el sentido de circulación de corriente. 5. hemos realizado la forma de utilizar, medir y conocer
las aplicaciones de los transistores así como sus
5) ¿Por qué en los datasheet de los transistores (y materiales de composición y los instrumentos para
componentes electrónicos en general) proveen un rango tomas lecturas. Las pruebas a cabo sobre los transistores
mínimo-máximo de valores de sus parámetros con ciertas nos dan referencias fidedignas de tres parámetros La

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polaridad del transistor NPN (o PNP en su caso), De lo

que se deduce y podemos afirmar a qué electrodo
corresponde cada patilla, bien sea: BASE, COLECTOR
o EMISOR, y no menos significativo, nos da una idea
bastante aproximada de la ganancia del transistor en
términos relativos ( Juan Escobar)

REFERENCIAS
[1] ElectronicaFacil: www.electronicafacil.net

[2] “Guia de Practica 2- Simulaciones Multisim”, Freek

Figueroa, año 2021.

[3] R.L Boylestad, Electronica: Teoria de Circuitos y

Dispositivos Electronics, Naucalpan de Juarez: Prentice Hall,
Inc, 2009.

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