POLARIZACION DE TRANSISTORES BIPOLARES

A,1) POLARIZACION FIJA EN BC

DATOS DATOS TEORICOS
RECTA CA
VCE= 6.5 [v] CON FORMULAS
IC= 4 [mA] IC= 4 [mA] 10
VCC= 12 [v] IE= 4.01818 [mA] 9
VCC
TRANSISTOR BC548 NPN IB= 18.1818 [μA] 8
DATOS DEL TRANSISTOR VCE= 6.5 [v] 7
RC β= 220 RE= 298.643 [Ω] 6
1k

R1
VBE= 0.7 [v] RC= 1075 [Ω]
560k 5
FORMULAS R1= 555500 [Ω]
4
+88.8

VRE  1.2v  01
. VCC
mA

DATOS
3
VRE NORMALIZANDO RESISTENCIAS
+88.8
µA

RE  RE= 330 [Ω] 2

Q1 IE
BC548 +88.8 RC= 1 [kΩ] 1
Volts
VCC  VCE  I E RE
RC  R1= 560 [kΩ] 0
IC CON ESTAS RESISTENCIAS "Q" 0 2 4 6
V  VBE  I E RE
R1  CC VCE[v] IC[mA] IB[μA] TEORIC
I1 6.77018 3.92776 17.8535 Con Re
R3
330

DATOS DE LABORATORIO
R1= VALORES MEDIDOS

RE= VCE= [v]

RC= IC= [mA]
TRANSISTOR IB= [μA]
simulacion con ISIS proteus
β=

RECTA CA
A,2) POLARIZACION COLECTOR A BASE EN EC 10
VCC
DATOS DATOS TEORICOS 9
VCE= 6.5 [v] CON FORMULAS 8
RC
1k
IC= 4 [mA] IC= 4 [mA] 7
VCC= 12 [v] IE= 4.01818 [mA]
6
TRANSISTOR BC558 PNP IB= 18.1818 [μA]
+88.8

5
mA

DATOS DEL TRANSISTOR VCE= 6.5 [v]

β= 220 RE= 298.643 [Ω] 4
RB
319k
VBE= 0.7 [v] RC= 1075 [Ω] 3
Q1
BC558 +88.8
Volts FORMULAS R1= 319000 [Ω] 2
VRE  1.2v  0.1 VCC DATOS 1
V RE NORMALIZANDO RESISTENCIAS 0
RE
330 RE  RE= 330 [Ω] 0 2 4 6
IE
RC= 1 [kΩ] TEORICO
V  VCE  I E RE
RC  CC R1= 330 [kΩ] Con Resis
IC CON ESTAS RESISTENCIAS "Q"
VCE  VBE VCE[v] IC[mA] IB[μA]
R1 
IB 5.96389 3.99082 28.0446

DATOS DE LABORATORIO
R1= VALORES MEDIDOS

RE= VCE= [v]

RC= IC= [mA]
TRANSISTOR IB= [μA]
RECTA CA
10

8
 RECTA CA
simulacion con ISIS proteus
β= 10

9
A,3) AUTOPOLARIZACION EN CC
DATOS DATOS TEORICOS 8
VCE= 6.5 [v] CON FORMULAS 7
IC= 4 [mA] IC= 4 [mA]
6
VCC= 12 [v] IE= 4.01818 [mA]
TRANSISTOR BC548 NPN IB= 18.1818 [μA] 5
DATOS DEL TRANSISTOR VCE= 6.5 [v] 4
β= 220 RE= 298.643 [Ω]
3
VBE= 0.7 [v] RC= 1075 [Ω]
FORMULAS R1= 34719 [Ω] 2
VRE  1.2v  0.1VCC R2= 6966.67 [Ω] 1
DATOS
VR E 0
RE  NORMALIZANDO RESISTENCIAS 0 2 4 6
IE RE= 330 [Ω]
TEORICO
VBE  VRE RC= 1 [kΩ]
Con Resis
R2  R1= 33 [kΩ]
15  I B R2= 6.8 [kΩ]
VCC  VBE  VRE CON ESTAS RESISTENCIAS "Q"
R1 
16  I B VCE[v] IC[mA] IB[μA]
6.97146 3.78086 17.1857
DATOS DE LABORATORIO
R1= VALORES MEDIDOS

R2= VCE= [v]

RE= IC= [mA]
RC= IB= [μA] RECTA CA

simulacion con ISIS proteus

TRANSISTOR -16 -14 -12 -10
VDD

RD
β=
1.2k
+88.8
mA

POLARIZACION DE TRANSISTORES UNIIPOLARES (FET)

B,1) POLARIZACION FIJA EN COMMON GATE "CG" Q1
2N5018 +88.8
Volts

DATOS DATOS TEORICOS

VDS= -7.2 [v] CON FORMULAS
RS
390 ID= -5 [mA] ID= -5 [mA]
VDD= -15 [v] VDS= -7.2 [mA]
TRANSISTOR 2N5018 CANAL P VGS= 1.75736 [v]
DATOS DEL TRANSISTOR RD= 1208.53 [v] Con Re
IDSS= -10 [mA] RS= 351.472 [Ω]
VPO= 6 [v]
FORMULAS
VDD  I D ( RD  RS )  VDS DATOS
NORMALIZANDO RESISTENCIAS
0  VGS  I D RS RD= 1.2 [KΩ]
2
 V  RS= 390 [Ω]
I D  I DSS  1  GS 
 VPo 
CON ESTAS RESISTENCIAS "Q"
 ID 
VGS  VPo  1   VDS[v] ID[mA]
 I DSS  RECTA CA
-7.8354 -4.506
12
DATOS DE LABORATORIO

VDD
RD= VALORES MEDIDOS
10

RD
RS= VDS= [v]
1k

TRANSISTOR 8
+88.8
mA

6
R1
10M
Q1:A
2N3922 +88.8 4
Volts

2
 VDD 10

RD
1k
8

+88.8
ID= [mA]

mA
IDSS= 6
simulacion
R1 con ISIS proteus VDSS=
10M
Q1:A
2N3922 +88.8 4
Volts

B,2) POLARIZACION DRENADOR COMPUERTA EN COMMON SOURCE "CS" 2

RS
300 DATOS DATOS TEORICOS
VDS= 7.2 [v] CON FORMULAS 0
0 2 4 6
ID= 5 [mA] ID= 5 [mA]
VDD= 15 [v] VDS= 7.2 [mA] Con Re
TRANSISTOR 2N3922 CANAL N VGS= -1.7574 [v]
DATOS DEL TRANSISTOR RD= 1260 [v]
IDSS= 10 [mA] RS= 300 [Ω]
VPO= -6 [v]
FORMULAS
VDD  I D ( RD  RS )  VDS DATOS
I D  RS  01
. VDD NORMALIZANDO RESISTENCIAS
2 RD= 1.2 [KΩ]
 V 
I D  I DSS  1  GS  RS= 330 [Ω]
 VPo 
 ID  CON ESTAS RESISTENCIAS "Q"
VGS  VPo  1   RECTA CA
 I DSS  VDS[v] ID[mA]
7.35 5 -16 -14 -12 -10
RG  R1    10 M
VDD

DATOS DE LABORATORIO
RD= VALORES MEDIDOS
R1
+88.8
mA

150k

RS= VDS= [v]

Q1
2N5018 +88.8
Volts
R1=
simulacion con ISIS proteus
R2
100k RS
TRANSISTOR ID= [mA]
1.5k

IDSS=

VDSS=

Con Re

B,3) AUTOPOLARIZACION EN COMMON DRENATOR "CD"

DATOS DATOS TEORICOS
VDS= -7.2 [v] CON FORMULAS
ID= -5 [mA] ID= -5 [mA]
VDD= -15 [v] VDS= -7.2 [v]
TRANSISTOR 2N5018 CANAL P VGS= 1.75736 [v]
DATOS DEL TRANSISTOR VG= -6.0426 [v]
IDSS= -10 [mA] RS= 1560 [Ω]
VPO= 6 [v] R1= 148236 [Ω]
FORMULAS R2= 100000 [Ω]
VDD  I D RS  VDS DATOS
2 NORMALIZANDO RESISTENCIAS
 V 
I D  I DSS  1  GS  RS= 1.5 [kΩ]
 VPo  R1= 150 [kΩ]
 ID  R2= 100 [kΩ]
VGS  VPo  1  
 I DSS  CON ESTAS RESISTENCIAS "Q"
VDS[v] ID[mA] VG[v]
VG  VGS  I D RS
-7.2426 -5.1716 -6
V R
VG  DD 2
R1  R2
DATOS DE LABORATORIO
simulacion con ISIS proteus
R1= VALORES MEDIDOS
simulacion con ISIS proteus
R2= VDS= [v]
 RS=
TRANSISTOR ID= [mA]
IDSS=

VDSS=
 V I
RECTA CARACTERISTICA
6.5 4
10 12 0
9 0 8.735897
8
7 6.770182 3.927765
6
12 0
0 9.022556
5
4
3
2
1
0
0 2 4 6 8 10 12 14

TEORICO
Con Resistencias Normalizadas

RECTA CARACTERISTICA
10
9 V I
8 6.5 4
7 12 0
0 8.735897
6
5
4
3 12 0
2 5.963892 3.990818
1 0 9.022556
0
0 2 4 6 8 10 12 14

TEORICO
Con Resistencias Normalizadas

RECTA CARACTERISTICA
10

8
 RECTA CARACTERISTICA
10

8 V I
7 6.5 4
12 0
6
0 8.735897
5

3
12 0
2 6.971457 3.780859
1 0 9.022556

0
0 2 4 6 8 10 12 14

TEORICO
Con Resistencias Normalizadas

VB RB
2.050251 5638.191

RECTA CARACTERISTICA
0
-16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10

Con Resistencias Normalizadas

V I
0 -9.433962
RECTA CARACTERISTICA
-7.835381 -4.50605
12
-15 0

10

2
10

0
0 2 4 6 8 10 12 14 16

Con Resistencias Normalizadas

V I
RECTA CARACTERISTICA
0 9.803922
0
-16 -14 -12 -10 7.35
-8 -6 -45 -2 0
15 0
-2

-4

-6

-8

-10

-12

Con Resistencias Normalizadas

V I
0 -10
-7.242641 -5.171573
-15 0
ANALISIS RECTAS DC
DATOS
VCE= 6.5 [v]
IC= 4 [mA]
VCC= 12 [v]
VCC
TRANSISTOR BC548 NPN
RC
DATOS DEL TRANSISTOR
1k

R1
β= 220
560k
VBE= 0.7 [v]
+88.8
mA

FORMULAS ANALISIS DC
VRE  12
. v  01
. VCC
+88.8
µA

Q1 V RE
RE 
BC548 +88.8
Volts

IE
V  VCE  I E RE
RC  CC
IC
R3
330
V  VBE  I E RE
R1  CC
I1
FORMULAS ANALISIS AC

A,2) POLARIZACION COLECTOR A BASE EN EC

DATOS
VCE= 6.5 [v]
VCC
IC= 4 [mA]
VCC= 12 [v]
RC
1k TRANSISTOR BC558 PNP
DATOS DEL TRANSISTOR
β= 220
+88.8
mA

VBE= 0.7 [v]

RB
319k
FORMULAS
Q1
BC558 +88.8
VRE  12
. v  01
. VCC
Volts

VRE
RE 
RE
IE
V  VCE  I E RE
330

RC  CC
IC
V  VBE
R1  CE
IB
 Q1
BC558 +88.8
VRE  12
. v  01
. VCC
Volts

VRE
RE 
RE
IE
V  VCE  I E RE
330

RC  CC
IC
VCE  VBE
R1 
IB

DATOS DE LABORATORIO
R1=
RE=
RC=
TRANSISTOR
simulacion con ISIS proteus β=
AUTOPOLARIZACION
ANALISIS DC CON ALGUNOS DATOS SOLO PARA POLARIZA
VCC DATOS
12V VCE= 6.5 [v]
VCC IC= 4 [mA]
VCC= 12 [v]
TRANSISTOR BC548 NPN
R1 RC
33kΩ 1kΩ DATOS DEL TRANSISTOR
CC β= 220
2 3
VBE= 0.7 [v]
Q1 1uF
CS R5
4 5 1.0kΩ
V1 0
1uF
BJT_NPN_VIRTUAL
1 Vrms 1 ANALISIS AC CON ALGUNOS DATOS PARA MA
1.5kHz DATOS
R2 RE CE
0° 6.8kΩ 330Ω 1uF
0 Av= -10
0 0 0
RL= 1 [kΩ]
CON RE SI
TRANSISTOR BC548 NPN
DATOS DEL TRANSISTOR
β= 220
VBE= 0.7 [v]
hie= 5 [kΩ]
algunos criterios o datos si los hay
RC= 1 [kΩ]
 DATOS TEORICOS
RECTA CARACTERISTICA
CON FORMULAS
IC= 4 [mA] 10
IE= 4.01818182 [mA] 9
IB= 18.1818182 [μA] 8
VCE= 6.5 [v]
7
RE= 298.642534 [Ω]
6
RC= 1075 [Ω]
R1= 555500 [Ω] 5
4
3
2
1
0
0 2 4 6 8 10 12 14

TEORICO

DATOS TEORICOS
RECTA CARACTERISTICA
CON FORMULAS
IC= 4 [mA] 10
IE= 4.01818182 [mA] 9
IB= 18.1818182 [μA] 8
VCE= 6.5 [v] 7
RE= 298.642534 [Ω] 6
RC= 1075 [Ω]
5
R1= 319000 [Ω]
4
DATOS
NORMALIZANDO RESISTENCIAS
3
RE= 330 [Ω] 2
RC= 1 [kΩ] 1
0
0 2 4 6 8 10 12 14

TEORICO
Con Resistencias Normalizadas
 3
2
1
R1= 330 [kΩ] 0
0 2 4 6 8 10 12 14
CON ESTAS RESISTENCIAS "Q"
VCE[v] IC[mA] IB[μA] TEORICO
5.96389167 3.99081759 28.0445735 Con Resistencias Normalizadas

VALORES MEDIDOS

VCE= [v]
IC= [mA]
IB= [μA]

DATOS SOLO PARA POLARIZAR EL TRANSISTOR

DATOS TEORICOS
CON FORMULAS
IC= 4 [mA]
IE= 4.01818182 [mA]
IB= 18.1818182 [μA]
VCE= 6.5 [v]
RE= 299 [Ω]
RC= 1075 [Ω]
R1= 34719 [Ω]
R2= 6967 [Ω]

ALGUNOS DATOS PARA MAXIMA EXCURSION

datos obtenidos con formulas
Rca= 0.5 [kΩ]
Rcd=
ICq=
VCC'=
VCE=
RE=
RC=
R1=
R2=