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    Este documento presenta una guía de práctica para demostrar experimentalmente la curva característica del transistor FET, midiendo la corriente de drenador para diferentes valores de voltaje de drenador-surtidor y voltaje de gate. Se implementa el circuito en un protoboard y se toman mediciones para un transistor K30S y K170, dibujando las curvas correspondientes. Finalmente se determina el punto de operación y la recta de carga estática para cada caso.

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    Este documento presenta una guía de práctica para demostrar experimentalmente la curva característica del transistor FET, midiendo la corriente de drenador para diferentes valores de voltaje de drenador-surtidor y voltaje de gate. Se implementa el circuito en un protoboard y se toman mediciones para un transistor K30S y K170, dibujando las curvas correspondientes. Finalmente se determina el punto de operación y la recta de carga estática para cada caso.

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    Este documento presenta una guía de práctica para demostrar experimentalmente la curva característica del transistor FET, midiendo la corriente de drenador para diferentes valores de voltaje de drenador-surtidor y voltaje de gate. Se implementa el circuito en un protoboard y se toman mediciones para un transistor K30S y K170, dibujando las curvas correspondientes. Finalmente se determina el punto de operación y la recta de carga estática para cada caso.

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    Este documento presenta una guía de práctica para demostrar experimentalmente la curva característica del transistor FET, midiendo la corriente de drenador para diferentes valores de voltaje de drenador-surtidor y voltaje de gate. Se implementa el circuito en un protoboard y se toman mediciones para un transistor K30S y K170, dibujando las curvas correspondientes. Finalmente se determina el punto de operación y la recta de carga estática para cada caso.

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    Gestión Curricular

    Guía de práctica N° 6
    Curva característica del transistor FET

    Sección : ………………………..……………….. Docente: Jaime Huaytalla Pariona

    Fecha : .…../……/2020 Duración: 45 minutos

    Instrucciones: Lea detenidamente cada una de las instrucciones y enunciados, aplique el criterio
    personal para la realización de los experimentos.

    Tome en cuenta las normas de seguridad del laboratorio y las reglas de usuario, utilice los instrumentos de
    forma adecuada evitando el deterioro o avería de los instrumentos.

    1. Propósito /Objetivo (de la práctica):


    Demuestra experimentalmente la forma de la curva característica del transistor FET, mostrando sus
    parámetros principales.
    2. Fundamento Teórico
    Curva característica del transistor FET

    Punto de operación y recta d carga estática

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    3. Equipos, Materiales y Reactivos


    3.1. Equipos

    Ítem Equipo Característica Cantidad


    1 Protoboard Estándar 1
    2 Multímetro Estándar 3
    3 Alicate de corte 1
    4 Alicate de pinza 1
    3.2. Materiales

    Ítem Material Característica Cantidad


    1 Transistor FET K30S o 2SK30 1
    2 Transistor FET K170 o 2SK170 1
    3 Pila 9 voltios con conector 1
    1.5 voltios con 1
    4 Pila 2
    portapilas
    5 TRIMPOT MULTIVUELTA 10K 2
    6 Alambre para protoboard 2 metros 1

    4. Indicaciones/instrucciones:
    4.1 El alumno debe traer los materiales, pudiendo hacerlo en grupos de máximo 3 integrantes.
    4.2 Un representante de grupo solicitará al encargado de laboratorio los equipos necesarios para realizar
    la práctica.
    4.3 Ejecutar el procedimiento según la secuencia establecida, cada alumno debe tomar una actividad,
    mientras otro los graba en video.

    5. Procedimientos:
    Primero
    Implemente el siguiente circuito en el protoboard para tomar datos de corriente, y voltaje, según las
    condiciones requeridas. Dibujar las curvas de cada tabla en papel milimetrado, sobre un mismo eje de
    operación cartesiano en donde el eje de las abscisas es el voltaje surtidor drenador y el eje de las
    ordenadas es la corriente en drenador, colocar la leyenda de para cada voltaje de gate. Dibuje
    además la curva de corriente versus el voltaje Gate Surtidor.

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    Calibrar el potenciómetro de la base hasta que marque aproximadamente -100mV, debiendo


    comenzar en cero al momento de encender el sistema, lo mismo en el caso del potenciómetro del
    drenador-surtidor, aumentar el valor del potenciómetro de drenador-surtidor aproximadamente
    siguiendo los valores de la tabla siguiente:

    Tabla 1: tabla de valores para una corriente aproximada de -100mV

    V drenador-surtidor (voltios) I corriente de drenador (mA)


    0.5
    1.0
    1.5
    2.0
    2.5
    3.0
    3.5
    4.0
    4.5
    5.0
    5.5
    6.0
    6.5
    7.0
    7.5
    8.0
    8.5

    Calibrar el potenciómetro de la base hasta que marque aproximadamente -200mV, también,


    calibre el potenciómetro del drenador-surtidor en cero voltios para comenzar a capturar los datos,
    aumentar el valor del potenciómetro de drenador-surtidor aproximadamente siguiendo los valores
    de la tabla siguiente:

    Tabla 2: tabla de valores para una corriente aproximada de -200mV

    V drenador-surtidor (voltios) I corriente de drenador (mA)


    0.5
    1.0
    1.5
    2.0
    2.5
    3.0
    3.5
    4.0
    4.5
    5.0
    5.5
    6.0
    6.5
    7.0
    7.5
    8.0
    8.5

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    Repetir el paso anterior para las siguientes tablas

    Tabla 3: tabla de valores para una corriente aproximada de -300mV

    V drenador-surtidor (voltios) I corriente de drenador (mA)


    0.5
    1.0
    1.5
    2.0
    2.5
    3.0
    3.5
    4.0
    4.5
    5.0
    5.5
    6.0
    6.5
    7.0
    7.5
    8.0
    8.5

    Tabla 4: tabla de valores para una corriente aproximada de -400mV

    V drenador-surtidor (voltios) I corriente de drenador (mA)


    0.5
    1.0
    1.5
    2.0
    2.5
    3.0
    3.5
    4.0
    4.5
    5.0
    5.5
    6.0
    6.5
    7.0
    7.5
    8.0
    8.5

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    Tabla 5: tabla de valores para una corriente aproximada de -500mV

    V drenador-surtidor (voltios) I corriente de drenador (mA)


    0.5
    1.0
    1.5
    2.0
    2.5
    3.0
    3.5
    4.0
    4.5
    5.0
    5.5
    6.0
    6.5
    7.0
    7.5
    8.0
    8.5

    Segundo
    Repetir el mismo experimento anterior, pero ahora utilice el transistor K170, complete sus propias tablas
    bajo las mismas condiciones. Dibuje en papel milimetrado superponiendo las curvas en un mismo
    diagrama cartesiano, además de la corriente con respecto al voltaje de gate surtidor según se muestra
    en la parte teórica.
    Tercero
    Determine el punto de operación y la recta de carga para cada uno de los casos.

    6. Resultados
    6.1 …………………………………………………………………………………………………………………………………
    6.2 …………………………………………………………………………………………………………………………………
    6.3 …………………………………………………………………………………………………………………………………
    6.4 …………………………………………………………………………………………………………………………………
    7. Conclusiones
    7.1.…………………...………………………………………………………………………………………………………………
    7.2………………………...…………………………………………………………………………………………………………
    7.3……………………………...……………………………………………………………………………………………………
    8. Sugerencias y /o recomendaciones
    ………………………………………………………………………………………………………………………………………......
    …………………………………………………………………………………………………………………………...………………
    ………………………………………………………………………………………………………………………………...…………
    ………………………………………………………………………………………………………………………………………...…

    Referencias bibliográficas consultadas y/o enlaces recomendados


    Malvino, A., & Bates. (2006). Principios de electrónica. Mc Graw - Hill.
    Ruiz Robredo, G. A. (2009). Electrónica básica para ingenieros. Cantabria.
    Ryder, J. (1962). Electrónica. Madrid.

    https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2728/mod_resource/content/1/electro_gen/teoria/tema-7-teoria.pdf

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