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    Exposiciones Dispositivos Semiconductores de Potencia

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    Samuel Villalba
    El documento asigna grupos de estudiantes para presentar sobre diferentes dispositivos semiconductores de potencia, incluyendo su funcionamiento, estructura, características eléctricas y circuitos de disparo. Los estudiantes deben subir las diapositivas a Teams antes del 1 de marzo y la bibliografía sugerida incluye libros sobre conceptos como GTOs, BJTs, MOSFETs, IGBTs y circuitos de disparo.

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    El documento asigna grupos de estudiantes para presentar sobre diferentes dispositivos semiconductores de potencia, incluyendo su funcionamiento, estructura, características eléctricas y circuitos de disparo. Los estudiantes deben subir las diapositivas a Teams antes del 1 de marzo y la bibliografía sugerida incluye libros sobre conceptos como GTOs, BJTs, MOSFETs, IGBTs y circuitos de disparo.

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    EXPOSICIONES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

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    El documento asigna grupos de estudiantes para presentar sobre diferentes dispositivos semiconductores de potencia, incluyendo su funcionamiento, estructura, características eléctricas y circuitos de disparo. Los estudiantes deben subir las diapositivas a Teams antes del 1 de marzo y la bibliografía sugerida incluye libros sobre conceptos como GTOs, BJTs, MOSFETs, IGBTs y circuitos de disparo.

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    El documento asigna grupos de estudiantes para presentar sobre diferentes dispositivos semiconductores de potencia, incluyendo su funcionamiento, estructura, características eléctricas y circuitos de disparo. Los estudiantes deben subir las diapositivas a Teams antes del 1 de marzo y la bibliografía sugerida incluye libros sobre conceptos como GTOs, BJTs, MOSFETs, IGBTs y circuitos de disparo.

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    EXPOSICIONES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

    1. Por grupos de trabajo preparar una presentación donde se explique por cada dispositivo de
    potencia los siguientes aspectos:
    • Funcionamiento y Estructura.
    • Características eléctricas de encendido y apagado del dispositivo.
    • Característica V Vs I y Circuitos de disparo.
    Grupo Tema exposición
    1 Miguel Ángel Garrido Fajardo GTO (Gate Turn Off thyristor)
    Jensul Villalba Gaitán
    Eyiber Steven Hernández
    2 Jonnathan Jair Moreno DIAC, OPTODIAC, SIDAC; SUS
    Oscar Daniel Pérez Vargas
    Carlos Fernando Bustos Quevedo
    3 Nicolai Velandia Tinoco QUADRAC , P.U.T (transistor de unión programable)
    Willin Rodríguez Suarez
    Daniel Herrera León
    4 Catalina Hernández BJT de potencia
    Eduardo Puerta
    José Daniel Rodríguez
    5 Diego Andrés Pérez Mosfet de potencia
    Juan Pablo Cristancho
    Brayan Sánchez Cruz
    6 Zulma Astrid Lautero IGBT
    Hugo Reinel Beltrán Rodríguez
    Juan David Carrillo
    Nota: Las diapositivas deben subirse a la plataforma Teams el día Lunes 01 de marzo del 2021 antes del
    medio día para su respectiva retroalimentación.

    Bibliografía sugerida:

    • Rashid M, Power Electronics Handbook. Disponible en:


    https://www.academia.edu/11821684/RASHID_Power_Electronics_Handbook.
    En este libro está la teoría de GTO, BJT, MOSFET, IGBT, y circuitos de disparo en el capitulo
    “Gate Drivers Circuits)
    • Timothy Maloney, Electrónica Industrial Moderna. (UJT, PUT, SUS). Disponible en:
    https://www.academia.edu/20840582/Maloney_Timothy_Electronica_Industrial_Moderna_5_Ed.
    • Hard Daniel. Electrónica de potencia. (El capitulo 10 de este libro trabaja circuitos de disparo
    para BJT y MOSFET). Disponible en:
    https://www.academia.edu/34744439/Electr%C3%B3nica_de_Potencia_Daniel_W_Hart
    • Tema 6. Gobierno de tiristores y triacs. Este capitulo habla en detalle de los circuitos de disparo
    para DIACS. Disponible en:
    https://www.academia.edu/12096363/Gobierno_de_tiristores_y_triac

    • Henry Lilen, Triacs y tiristores (Quadracs, SIDAC, DIACS, OPTODIACS)


    Disponible en:
    https://books.google.com.co/books?id=7Yelfs7uItYC&printsec=frontcover&hl=es&source=gbs_g
    e_summary_r&cad=0#v=onepage&q&f=false

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