Informe 4

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II
PRÁCTICA Nº 4. ANÁLISIS EN A.C DE CIRCUITOS CON FET’S
Alejandro José Vergara Ávila

e-mail: [email protected]
Leoner José Genes Gordon
e-mail: [email protected]
RESUMEN: En este laboratorio se realizaron los análisis 2 MARCO TEORICO

teóricos y prácticos de los Fet en pequeña señal. Se
hicieron los cálculos teóricos y luego se procedió a montar
el circuito en el laboratorio para medir los diferentes
parámetros en AC de un transistor de efecto de campo Análisis a pequeña señal para FET
(Fet), para así hacer la comparación con los datos
teóricos, y el respectivo análisis que se presentará en este
Los amplificadores con transistores de efecto de campo
informe.
proporcionan una ganancia de voltaje excelente con la
característica adicional de una alta impedancia de entrada.
ABSTRACT: In this laboratory there were realized the Además, son considerados como configuraciones de bajo
theoretical and practical analyses of the Fet in small consumo de potencia con un adecuado rango de frecuencia
signal. The theoretical calculations were made and then y un tamaño y peso mínimos.
the circuit was set up in the laboratory to measure the Todos los dispositivos JFET como los MOSFET de tipo
different AC parameters of a field effect transistor (Fet), in decremental pueden emplearse para diseñar amplificadores
order to make a comparison with the theoretical data, and que cuenten con ganancias similares de voltaje sin embargo
the respective analysis presented in this report. el circuito MOSFET decremental tiene una impedancia de
entrada mucho mayor que la de una configuración JFET
similar.
KEY WORDS: JFET, Impedance, Gain, Id, Vds, Vgs.
Gracias a las características de impedancia de entrada alta
de los FET’s el modelo equivalente de AC para de alguna
1 INTRODUCCIÓN forma más simple que el utilizado por los BJT’s. mientras
que el BJT cuenta con factor de amplificación β(beta), el
FET cuenta con un factor de transconductancia gm.
En este informe se presentan los resultados, El FET puede emplearse como un amplificador lineal o
diagramas esquemáticos, análisis de resultados y como un dispositivo digital en circuitos lógicos. De hecho, el
simulaciones de la práctica realizada acerca del análisis MOSFET incremental es muy popular en los circuitos
en AC de los Fet´s, con el fin de verificar de manera digitales, especialmente en los circuitos CMOS que
experimental lo visto teóricamente. requieren un consumo de potencia muy bajo. Los
dispositivos FET también se utilizan ampliamente en
aplicaciones de alta frecuencia y en aplicaciones de
circuitos de interfaz para computadoras.
La AV en los FET´s con frecuencia menor que la obtenida
para un BJT, pero la Zi es mucho mayor que los del BJT, en
cambio la Z0 de salida son equivalente para ambos. La Ai
será una cantidad indeterminada debido a que la corriente
de entrada en los FET’s es 0μA.
Modelo de pequeña señal para el FET
Recuerde que en DC, el voltaje de compuerta-fuente contra

el nivel de la corriente de drenaje mediante la ecuación de
SHOCKLEY.
2
V GS
I D=I DSS 1−
[ ] VP
1
El cambio en la corriente del drenador que se ocasiona por 4 ANALISIS DE RESULTADOS
el cambio en el voltaje compuerta-fuente puede
determinarse mediante el uso del factor de
transconductancia gm de la siguiente forma:  Parámetros del transistor K161
ΔI D=gm ΔV
gm=transconductancia
3 DIAGRAMA ESQUEMATICO FINAL
DISEÑO 1
Para la práctica se diseña un circuito que cumpla con los

parámetros establecidos de:
Dichos cálculos se presentan en el preinforme, el circuito

diseñado se presenta en la figura 1.
 Para la primera parte de la práctica de laboratorio, se

Figura 1. Diagrama esquemático del circuito implementa el circuito y se miden los valores de voltaje
y corriente en DC.
(práctico) (teórico) %Error

VDS 6,55 V 6V 9,16%
VGS -0,42 V -0,85 V 102,3%
VR2 1,71 V 1,55 V 10,32%
VR1 10,29 V 10,44 V 1,43%
VRS 2,15 V 2,64 V 18,56%
ID 3,29 mA 3,35 mA 1,79%
IG 0 mA 0mA 0%
Tabla 1. Datos del voltaje y corriente DC
En la tabla 1 se observan los valores de voltaje y corriente

presentes en el circuito cuando este se polariza en DC.
A continuación, se grafica el punto de operación del circuito

con los valores de Vgs e Id.
2
Practica Teórica Error
Punto de trabajo Zi 957Ω 870Ω 10%
8 Zo 822.37Ω 1KΩ 17,67%
Tabla 4. Datos de impedancia de salida y entrada del
7
circuito
Curva de 6
transferencia
5
Punto de trabajo
6 CONCLUSIONES
Id(mA)
3.29 4
3
2 Se obtuvo el punto de operación de un transistor de efecto
de campo mediante métodos experimentales, notando que,
1
a mayor resistencia en la fuente (‘source’), obtendremos un
0 punto de operación más alejado del punto cero, pero más
-1.8 -1.6 -1.4 -1.2 -1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 cercano al valor de voltaje Vp, sin embargo, el punto de
Vgs(V) operación no se corta con la curva de transferencia, esto se
puede deber a los valores de resistencias que se usaron
fueron aproximaciones a los valores calculados.
Figura 2. Grafica del punto de trabajo para el circuito
Se comprobó el funcionamiento de la polarización en Ac
 La segunda parte de la práctica consistió en polarizar para el Fet; algunos errores fueron bastante grandes, esto
el circuito con una señal en AC y encontrar los valores se debe a la aproximación de los valores de resistencias
de las ganancias de corriente y voltaje y los valores que se trabajaron en el laboratorio, afectando así a los
de las impedancias de entrada y salida. valores esperados.
Los fet tienen una buena ganancia de voltaje, además de la
alta impedancia de entrada que poseen.
La ganancia en el circuito está dada por:
La impedancia de salida está dada por la relación que existe
Vsalida entre el voltaje y la corriente medida.
Avd=
Ventrada
Vsalida Ventrada
7,68 V 1,24 V
7 REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
Tabla 2. Datos del voltaje de entrada y salida para el [1] Millman J., Halkias C., (2001). Dispositivos y Circuitos
circuito. Electrónicos, Madrid: Pirámide.
[3] Tocci R., (1987). Dispositivos y Circutos electrónicos,
México: INTERAMERICANA.
7,68V [4] Robert L Boylestad (1992) Electrónica: teoría de
Avd= =6,19 circuitos y dispositivos electrónicos, décima edición,
1,24 V
paginas 114-215
[5] Albert Paul Malvino (1989).Principios de electrónica
Practica Teorica Error
Avd 6,19 5,57 11,13%
Tabla 3. Datos teóricos y prácticos de la ganancia del
circuito
La tabla 2 muestran los valores obtenidos para el voltaje

de entrada y salida en el circuito. Dichos valores se usan
para hallar la ganancia, la cual se muestra en la tabla 3.
También se halló la impedancia de entrada para la

configuración en AC del FET. La Zo se calcula midiendo la
resistencia de RD, debido a una característica del FET que
la aproxima a esta resistencia. El error en las impedancias
se puede explicar debido a que se utilizaron
combinaciones de resistencias para obtener el valor
requerido práctica, y dichos valores pudo ser afectado por
la tolerancia de estas.
3
Hoja de datos

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PRÁCTICA Nº 4. ANÁLISIS EN A.C DE CIRCUITOS CON FET’S

Alejandro José Vergara Ávila

RESUMEN: En este laboratorio se realizaron los análisis 2 MARCO TEORICO

Modelo de pequeña señal para el FET

Recuerde que en DC, el voltaje de compuerta-fuente contra

3 DIAGRAMA ESQUEMATICO FINAL

Para la práctica se diseña un circuito que cumpla con los

Dichos cálculos se presentan en el preinforme, el circuito

 Para la primera parte de la práctica de laboratorio, se

(práctico) (teórico) %Error

En la tabla 1 se observan los valores de voltaje y corriente

A continuación, se grafica el punto de operación del circuito

La tabla 2 muestran los valores obtenidos para el voltaje

También se halló la impedancia de entrada para la

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