Práctica 11 Final.....

Universidad Tecnolgica Israel
Carrera de Electrnica - Laboratorio de Electrnica II
Prctica 11
1. TEMA: REDES COMBINADAS

2. TTULO: Redes Combinadas - BJT y JFET
3. NOMBRE: Israel Chal
4. OBJETIVO GENERAL
Analizar el comportamiento de polarizacin de una red combinada con dos tipos de

transistores.
5. RESULTADOS DE APRENDIZAJE
Comprobar resultados para la configuracin de polarizacin con divisor de
voltaje para emisor y fuente comn.
6. MARCO TERICO
Redes combinadas
Con el anlisis de CC de varias configuraciones de BJT y JFET establecido, se presenta la
oportunidad de analizar redes con ambos tipos de dispositivos. Fundamentalmente, para el
anlisis slo se requiere que primero abordemos el dispositivo que proporcionar el nivel de
corriente o voltaje en los terminales; luego se abre la puerta para calcular otras cantidades
y concentrarse en las incgnitas restantes. Estos en general son problemas particularmente
interesantes por el reto que implica encontrar la puerta y luego determinar las cantidades
de cada dispositivo.
Figura 4.1: Redes combinadas BJT- JFET bsico.
Se debe saber que VGS es la cantidad importante para determinar o escribir una ecuacin
cuando analizamos redes con JFET, ya que con ellos se busca una solucin para cualquier
ejercicio, pero es importante saber que la configuracin de divisor de voltaje es aquella en
la que se puede aplicar la tcnica aproximada *RE y este valor debe ser es mayor 10 R2
y que permite determinar VB utilizando la regla del divisor de voltaje.
VB= (R2*VI)/R1+R2 VBE=0.7 V ec. 4.1 Voltaje Base y Base emisor
VE= VB-VBE ec. 4.2 Voltaje Emisor
IE= VRE/RE ec. 4.3 Corriente Emisor
ICIE ec. 4.4 Corriente Colector
VD= VI - (ID*RD) ec. 4.5 Voltaje del drenaje

1Polarizacin por divisor de voltaje del BJT
Figura 4.2: Polarizacin por divisor de Voltaje.
2Circuitos equivalentes de CA y CC
En seguida se enumeran los pasos para la aplicacin del teorema de la superposicin:
1. Al circuito se le llama circuito equivalente de CC. Con este circuito se pueden calcular
los voltajes y corrientes en CC que se deseen.
2. Redzcase la fuente de CC a cero; esto equivale a poner en corto una fuente de

voltaje o abrir una fuente de corriente. Pngase en corto todos los capacitores de
paso y de acoplamiento. Al circuito restante se le llama circuito equivalente de CA.
3. La corriente en cualquier rama del circuito es la suma de las corrientes de CC y CA

que se encuentran presentes en esta rama; el voltaje total en cualquier rama es la
suma de los voltajes de CA y CC que se encuentran aplicados a esa rama.
1
http://ocw.ehu.es/ensenanzas-tecnicas/electronica-general/teoria/tema-5-teoria
2
http://es.scribd.com/doc/16549995/AMPLIFICADOR-POLARIZADO-POR-DIVISOR-DE-VOLTAJE
Figura 4.3: Amplificador BJT- Circuito equivalente en CC.
Polarizacin de un JFET con divisor de voltaje
La figura muestra un JFET canal-N polarizado con divisor de voltaje. El voltaje en la

Fuente del JFET debe ser ms positivo que el voltaje en la Compuerta para mantenerla
juntura Compuerta-Fuente polarizada inversamente. El voltaje en la Fuente es:
VS= ID x RS
IG=0
I1=I2
Figura 4.4: Polarizacin de un JFET canal N con Divisor de Voltaje.
El voltaje de la Compuerta est determinado por las resistencias R1y R2 como se expresa en
la siguiente ecuacin usando la relacin del divisor de voltaje.
E
3Figura 4.5: Representacin del JFET con Polarizacin con Divisor de Voltaje.
VG= VGS+VS
VG= VGS+ ID x RS
ec. 4.6 Voltaje Compuerta- Fuente
ec. 4.7 Corriente del drenaje para IDSS
La corriente de drenaje tambin puede expresarse como:
7. LISTADO DE MATERIALES Y EQUIPOS
Fuente de alimentacin variable CC (1V-24V).

Resistencias: 24k, 82k, 1.6k, 2.7k y 1M.
Transistor: NPN 2N3904
Transistor: JFET Canal N 2N5951
Multmetro.
3
http://es.scribd.com/doc/39799671/FET
Msc. Jimnez Castilla Juan UNIVERSIDAD NACIONAL JORGE CASADRE GROHMANN
Protoboard, cables 24AWG, corta fro, pinza puntas media, estilete.
8. PROCEDIMIENTO
Preparatorio:
1. Monte el circuito en el simulador Qucs como se ilustra en la Figura 7.1. Observe

como se ha configurado a los transistores para que la simulacin sea lo ms
prxima a los valores reales. Adems, ntese que se usa un JFET ideal genrico
de componentes no lineales.
2. Con las Sondas de tensin mida VC y VD. Antelos en la Tabla 8.1
3. Desarrolle el circuito tericamente, anote los valores calculados de VC y VD en
la Tabla 8.1
Prctica:
1. Monte el circuito en el protoboard como se ilustra en la Figura 7.1.
2. Con el multmetro mida VC y VD. Antelos en la Tabla 8.1
3. Responda las preguntas que se encuentran en el punto de Anexos del informe.
9. DIAGRAMAS Y FIGURAS
Figura 7.1: Diagrama circuital para la red combinada BJT y JFET.

TABULACIONES Y RESULTADOS
DATOS () ()
MEDIDO 6,28 12,77
CALCULADO 5,87 12,3
SIMULADO 1,16 16,4
Tabla 8.1 Tabla correspondiente a los valores de la Figura 7.1
10. SIMULACIONES
CLCULOS (SIMULACIN)
CLCULOS (MEDICIN)
11. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
1. Exponga sus conclusiones respecto a la presente prctica.

No existe una trayectoria obvia para determinar un nivel de corriente o voltaje
para la configuracin de transistor. Sin embargo, recurriendo al JFET
autopolarizado, podemos derivar una ecuacin para VGS y determinar el punto
quiescente resultante por medio de tcnicas grficas.
Tanto VCE como VDS son cantidades desconocidas, lo que no nos permite establecer
un vnculo entre VD y VC o entre VE y VD.
VGS en general es una cantidad importante para determinar o escribir una ecuacin
cuando se analizan redes de JFET.
2. Exponga sus recomendaciones respecto a la presente prctica.
Se recomienda imprimir el datasheet correspondiente al Transistor FET c 2N5951
para poder realizar los clculos respectivos a la prctica para conocer la
distribucin del transistor.
Es necesario tener toda la informacin de los materiales que se va a utilizar para no
tener inconvenientes con los voltajes a trabajar.
Se debe tener en cuenta el funcionamiento de los equipos con los que se realizan las
mediciones para no confundirse con las mismas.
PREGUNTAS
1. Segn los clculos obtenidos. Qu parmetro se debe variar si se desea obtener un

mayor voltaje del colector?
El valor de la resistencia dos debe ser mayor, para as incrementar el voltaje colector.
12. BIBLIOGRAFA
Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos. Boylestad Nashelsky.
Octava Edicin. Pearson Educacin.
13. ANEXOS

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1. TEMA: REDES COMBINADAS

Analizar el comportamiento de polarizacin de una red combinada con dos tipos de

Figura 4.1: Redes combinadas BJT- JFET bsico.

VB= (R2*VI)/R1+R2 VBE=0.7 V ec. 4.1 Voltaje Base y Base emisor

VE= VB-VBE ec. 4.2 Voltaje Emisor

IE= VRE/RE ec. 4.3 Corriente Emisor

ICIE ec. 4.4 Corriente Colector

VD= VI - (ID*RD) ec. 4.5 Voltaje del drenaje

1Polarizacin por divisor de voltaje del BJT

Figura 4.2: Polarizacin por divisor de Voltaje.

2. Redzcase la fuente de CC a cero; esto equivale a poner en corto una fuente de

3. La corriente en cualquier rama del circuito es la suma de las corrientes de CC y CA

Figura 4.3: Amplificador BJT- Circuito equivalente en CC.

Polarizacin de un JFET con divisor de voltaje

La figura muestra un JFET canal-N polarizado con divisor de voltaje. El voltaje en la

Figura 4.4: Polarizacin de un JFET canal N con Divisor de Voltaje.

ec. 4.6 Voltaje Compuerta- Fuente

ec. 4.7 Corriente del drenaje para IDSS

La corriente de drenaje tambin puede expresarse como:

7. LISTADO DE MATERIALES Y EQUIPOS

Fuente de alimentacin variable CC (1V-24V).

Protoboard, cables 24AWG, corta fro, pinza puntas media, estilete.

1. Monte el circuito en el simulador Qucs como se ilustra en la Figura 7.1. Observe

Figura 7.1: Diagrama circuital para la red combinada BJT y JFET.

MEDIDO 6,28 12,77

CALCULADO 5,87 12,3

SIMULADO 1,16 16,4

Tabla 8.1 Tabla correspondiente a los valores de la Figura 7.1

11. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

1. Exponga sus conclusiones respecto a la presente prctica.

1. Segn los clculos obtenidos. Qu parmetro se debe variar si se desea obtener un

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