Célula Fotoeléctrica PDF
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Índice
Historia
Principio de funcionamiento
Técnica de fabricación
Células de silicio amorfo
Célula de silicio monocristalino
Células de silicio policristalino
Célula tándem
Célula multiunión
El semiconductor fbi
Uso
Investigación y desarrollo
Las tres generaciones de células fotoeléctricas
Primera generación
Segunda generación
Tercera generación
Hoja de ruta de la energía fotovoltaica
Eficiencia
Véase también
Notas
Referencias
Enlaces externos
Historia
El efecto fotovoltaico fue experimentalmente demostrado por primera vez por el físico francés Edmond Becquerel. En 1839, a los 19
años, construyó la primera célula fotovoltaica del mundo en el laboratorio de su padre. Willoughby Smith describió por primera vez
el «Effect of Light on Selenium during the passage of an Electric Current» [Efecto de la luz sobre el selenio durante el paso de una
corriente eléctrica] el 20 de febrero de 1873 en la revista Nature. En 1883 Charles Fritts construyó la primera célula fotovoltaica de
estado sólido mediante el recubrimiento del selenio semiconductor con una capa delgada de oro para formar las uniones; el
dispositivo tuvo solo alrededor del 1% de eficiencia.
En 1888 el físico ruso Aleksandr Stoletov construyó la primera célula basada en el efecto fotoeléctrico externo descubierto por
Heinrich Hertz en 1887.3
En 1905 Albert Einstein propuso una nueva teoría cuántica de la luz y explicó el efecto fotoeléctrico en un artículo de referencia, por
el que recibió el Premio Nobel de Físicaen 1921.4
Russell Ohl patentó la moderna célula solar en unión semiconductora en 19466 mientras trabajaba en la serie de avances que
conducirían al transistor.
La primera célula fotovoltaica práctica se mostró públicamente el 25 de abril de 1954 en los Laboratorios Bell.7 Los inventores
fueron Daryl Chapin, Calvin Souther Fuller y Gerald Pearson.8 9
Las células solares adquirieron notoriedad con su incorporación en el satélite artificial Vanguard I en 1958, y su subsiguiente
utilización en satélites más avanzados, durante ladécada de 1960.
Las mejoras fueron graduales durante las siguientes dos décadas. Sin embargo, este éxito fue también la razón de que los costos se
mantuvieran altos, porque los usuarios de aplicaciones espaciales estaban dispuestos a pagar las mejores células posibles, sin tener
ninguna razón para invertir en las de menor costo, en soluciones menos eficientes. El precio estaba determinado en gran parte por la
industria de los semiconductores; su traslado a los circuitos integrados en la década de 1960 llevó a la disponibilidad de lingotes más
grandes a precios relativamente más bajos. Al caer su precio, el precio de las células resultantes también lo hizo. Estos efectos
bajaron los costos en 1971 a unos $ 100 por vatio.10
Principio de funcionamiento
En un semiconductor expuesto a la luz, un fotón de energía arranca un electrón, creando a la vez un «hueco» en el átomo excitado.
Normalmente, el electrón encuentra rápidamente otro hueco para volver a llenarlo, y la energía proporcionada por el fotón, por tanto,
se disipa en forma de calor. El principio de una célula fotovoltaica es obligar a los electrones y a los «huecos» a avanzar hacia el lado
opuesto del material en lugar de simplemente recombinarse en él: así, se producirá una diferencia de potencial y por lo tanto tensión
entre las dos partes del material, como ocurre en unapila.
Para ello, se crea un campo eléctrico permanente, a través de una unión pn, entre dos capas dopadas respectivamente, p y n. En las
células de silicio, que son mayoritariamente utilizadas, se encuentran por tanto:
La capa superior de la celda, que se compone de
silicio dopado de tipo n.nota 1 En esta capa, hay
un número de electrones libres mayor que en una
capa de silicio puro, de ahí el nombre del dopaje
n, negativo. El material permanece
eléctricamente neutro, ya que tanto los átomos
de silicio como los del material dopante son
neutros: pero la red cristalina tiene globalmente
una mayor presencia de electrones que en una
red de silicio puro.
En funcionamiento, cuando un fotón arranca un electrón a la matriz, creando un electrón libre y un hueco, bajo el efecto de este
campo eléctrico cada uno va en dirección opuesta: los electrones se acumulan en la región n (para convertirse en polo negativo),
mientras que los huecos se acumulan en la región dopada p (que se convierte en el polo positivo). Este fenómeno es más eficaz en la
ZCE, donde casi no hay portadores de carga (electrones o huecos), ya que son anulados, o en la cercanía inmediata a la ZCE: cuando
un fotón crea un par electrón-hueco, se separaron y es improbable que encuentren a su opuesto, pero si la creación tiene lugar en un
sitio más alejado de la unión, el electrón (convertido en hueco) mantiene una gran oportunidad para recombinarse antes de llegar a la
zona n. Pero la ZCE es necesariamente muy delgada, así que no es útil dar un gran espesor a la célula.nota 3 Efectivamente, el grosor
de la capa n es muy pequeño, ya que esta capa solo se necesita básicamente para crear la ZCE que hace funcionar la célula. En
cambio, el grosor de la capa p es mayor: depende de un compromiso entre la necesidad de minimizar las recombinaciones electrón-
hueco, y por el contrario permitir la captación del mayor número de fotones posible, para lo que se requiere cierto mínimo espesor
.
En resumen, una célula fotovoltaica es el equivalente de un generador de energía a la que se ha añadido un diodo. Para lograr una
célula solar práctica, además es preciso añadir contactos eléctricos (que permitan extraer la energía generada), una capa que proteja la
célula pero deje pasar la luz, una capa antireflectante para garantizar la correcta absorción de los fotones, y otros elementos que
aumenten la eficiencia del misma.
Técnica de fabricación
El silicio es actualmente el material más comúnmente usado para la fabricación de células fotovoltaicas. Se obtiene por reducción de
la sílice, compuesto más abundante en la corteza de la Tierra, en particular en laarena o el cuarzo.
El primer paso es la producción de silicio metalúrgico, puro al 98%, obtenido de
piedras de cuarzo provenientes de un filón mineral (la técnica de producción
industrial no parte de la arena). El silicio se purifica mediante procedimientos
químicos (Lavado + Decapado) empleando con frecuencia destilaciones de
compuestos clorados de silicio, hasta que la concentración de impurezas es inferior
al 0.2 partes por millón. Así se obtiene el silicio semiconductor con un grado de
pureza superior al requerido para la generación de energía solar fotovoltaica. Este ha
constituido la base del abastecimiento de materia prima para aplicaciones solares
hasta la fecha, representando en la actualidad casi las tres cuartas partes del Obleas utilizadas para su posterior
conversión en células fotovoltaicas,
aprovisionamiento de las industrias.
en la cinta transportadora durante su
Sin embargo, para usos específicamente solares, son suficientes (dependiendo del proceso de fabricación.
El procedimiento más empleado en la actualidad es elProceso Czochralski, pudiéndose emplear también técnicas de colado. El silicio
cristalino así obtenido tiene forma de lingotes.
Estos lingotes son luego cortados en láminas delgadas cuadradas (si es necesario) de 200 micrómetros de espesor, que se llaman
«obleas». Después del tratamiento para la inyección del enriquecido con dopanteP,( As, Sb o B) y obtener así los semiconductores de
silicio tipo P o N.
Después del corte de las obleas, las mismas presentan irregularidades superficiales y defectos de corte, además de la posibilidad de
que estén sucias de polvo o virutas del proceso de fabricación. Esta situación puede disminuir considerablemente el rendimiento del
panel fotovoltaico así que se realizan un conjunto de procesos para mejorar las condiciones superficiales de las obleas tales como un
lavado preliminar, la eliminación de defectos por ultrasonidos, el decapado, el pulido o la limpieza con productos químicos. Para las
celdas con más calidad (monocristal) se realiza un tratado de texturizado para hacer que la oblea absorba con más eficiencia la
radiación solar incidente.
Posteriormente, las obleas son «metalizadas», un proceso que consiste en la colocación de unas cintas de metal incrustadas en la
superficie conectadas a contactos eléctricos que son las que absorben la energía eléctrica que generan las uniones P/N a causa de la
irradiación solar y la transmiten.
La producción de células fotovoltaicas requiere energía, y se estima que un módulo fotovoltaico debe trabajar alrededor de 2 a 3
años11 según su tecnología para producir la energía que fue necesaria para su producción (módulo de retorno de ener
gía).
Las técnicas de fabricación y características de los principales tipos de células se describen en los siguientes 3 párrafos. Existen otros
tipos de células que están en estudio, pero su uso es casi insignificante.
Los materiales y procesos de fabricación son objeto de programas de investigación ambiciosos para reducir el costo y el reciclado de
las células fotovoltaicas. Las tecnologías de película delgada sobre sustratos sin marcar recibió la aceptación de la industria más
moderna. En 2006 y 2007, el crecimiento de la producción mundial de paneles solares se ha visto obstaculizado por la falta de células
de silicio y los precios no han caído tanto como se esperaba. La industria busca reducir la cantidad de silicio utilizado. Las células
monocristalinas han pasado de 300 micras de espesor a 200 y se piensa que llegarán rápidamente a las 180 y 150 micras, reduciendo
la cantidad de silicio y la energía requerida, así como también el precio.
Estás células fueron las primeras en ser manufacturadas, ya que se podían emplear los mismos métodos de fabricación diodos.
de
Ventajas:
Ventajas:
Ventajas:
Ventajas
Célula multiunión
Estas células tienen una alta eficiencia y han sido desarrolladas para aplicaciones espaciales. Las células multiunión están compuestas
de varias capas delgadas usando laepitaxia por haz molecular.
Un células de triple unión, por ejemplo, se compone de semiconductores GaAs, Ge y GaInP2. Cada tipo de semiconductores se
caracteriza por un máximo de longitud de onda más allá del cual no es capaz de convertir los fotones en energía eléctrica (ver banda
prohibida). Por otro lado, por debajo de esta longitud de onda, el exceso de energía transportada por el fotón se pierde. De ahí el valor
de la selección de materiales con longitudes de onda tan cerca el uno al otro como sea posible, de forma que absorban la mayoría del
espectro solar, generando un máximo de electricidad a partir del flujo solar. El uso de materiales compuestos de cajas cuánticas
permitirá llegar al 65 % en el futuro (con un máximo teórico de 87 %). Los dispositivos de células de uniones múltiples GaAs son
más eficaces. Spectrolab ha logrado el 40,7 % de eficiencia (diciembre de 2006) y un consorcio (liderado por investigadores de la
Universidad de Delaware) ha obtenido un rendimiento de 42,8 %13 (septiembre de 2007). El coste de estas células es de
aproximadamente 40 $/cm².
El semiconductor fbi
La técnica consiste en depositar un material semiconductor que contienecobre, galio, indio y selenio sobre un soporte.
Una preocupación, sin embargo: los recursos de materias primas. Estas nuevas técnicas utilizan metales raros, como indio, cuya
producción mundial es de 25 toneladas por año y el precio a fecha de abril de 2007 es de 1000 dólares por kg; el teluro, cuya
producción mundial es de 250 toneladas al año; el galio con una producción de 55 toneladas al año y el germanio con una producción
de 90 toneladas al año. Aunque las cantidades de estas materias primas necesarias para la fabricación de células solares son
infinitesimales, un desarrollo masivo de paneles fotovoltaicos solares debería tener en cuenta esta disponibilidad limitada.
Uso
Las células fotovoltaicas se utilizan a veces solas (iluminación de jardín, calculadoras, etc.) o agrupadas en paneles solares
fotovoltaicos.
Se utilizan para reemplazar a las baterías (cuya energía es por mucho la más cara para el usuario), las células han invadido las
calculadoras, relojes, aparatos, etc.
Es posible aumentar su rango de utilización almacenándola mediante un condensador o pilas. Cuando se utiliza con un dispositivo
para almacenar energía, es necesario colocar undiodo en serie para evitar la descarga del sistema durante la noche.
Se utilizan para producir electricidad para muchas aplicaciones (satélites, parquímetros, etc.) y para la alimentación de los hogares o
en una red pública en el caso de unacentral solar fotovoltaica.
Investigación y desarrollo
La técnica no ha alcanzado aún la madurez y están siendo exploradas
muchas vías de investigación. Primero se debe reducir el costo de la
electricidad producida, y también avanzar en la resistencia de los
materiales, flexibilidad de uso, facilidad de integración en los
objetos, en la vida, etc.). Todas las etapas de los procesos de
fabricación se pueden mejorar, por ejemplo:
Segunda generación
Los materiales de la segunda generación han sido desarrollados para satisfacer las necesidades de suministro de energía y el
mantenimiento de los costes de producción de las células solares. Las técnicas de fabricación alternativas, como la deposición
química de vapor, y la galvanoplastia tiene más ventajas,22 ya que reducen la temperatura del proceso de forma significativa.
Uno de los materiales con más éxito en la segunda generación han sido las películas finas de teluro de cadmio (CdTe), CIGS, de
silicio amorfo y de silicio microamorfo (estos últimos consistentes en una capa de silicio amorfo y microcristalino).23 24 Estos
materiales se aplican en una película fina en un sustrato de apoyo tal como el vidrio o la cerámica, la reducción de material y por lo
tanto de los costos es significativa. Estas tecnologías prometen hacer mayores las eficiencias de conversión, en particular, el CIGS-
CIS, el DSC y el CdTe que son los que ofrecen los costes de producción significativamente más baratos. Estas tecnologías pueden
tener eficiencias de conversión más altas combinadas con costos de producción mucho más baratos.
Entre los fabricantes, existe una tendencia hacia las tecnologías de la segunda generación, pero la comercialización de estas
tecnologías ha sido difícil.25 En 2007, First Solar produjo 200 MW de células fotoeléctricas de CdTe, el quinto fabricante más
grande de células en 2007.25 Wurth Solar comercializó su tecnología de CIGS en 2007 produciendo 15 MW. Nanosolar comercializó
su tecnología de CIGS en 2007 y con una capacidad de producción de 430 MW para 2008 en los EEUU y Alemania.26 Honda Soltec
también comenzó a comercializar su base de paneles solares CIGS en 2008.
En 2007, la producción de CdTe representó 4.7 % del mercado, el silicio de película fina el 5.2 %,y el CIGS 0.5 %.25
Tercera generación
Se denominan células solares de tercera generación a aquellas que permiten eficiencias de conversión eléctrica teóricas mucho
mayores que las actuales y a un precio de producción mucho menor
. La investigación actual se dirige a la eficiencia de conversión del
30-60 %, manteniendo los materiales y técnicas de fabricación a un bajo costo.20 Se puede sobrepasar el límite teórico de eficiencia
de conversión de energía solar para un solo material, que fue calculado en 1961 por Shockley y Queisser en el 31 %.27 Existen
diversos métodos para lograr esta alta eficiencia incluido el uso de células fotovoltaicas con multiunión, la concentración del espectro
incidente, el uso de la generación térmica por luz ultravioleta para aumentar la tensión, o el uso del espectro infrarrojo para la
actividad nocturna.
Eficiencia
Véase también: Ley de Naam
El récord de eficiencia, sin concentración solar, está actualmente establecido en el 45 %.28 En concentrada, el Massachusetts
Institute of Technology están probando células solares que pueden superar la eficiencia del 80 % y que están compuestas de una capa
de nanotubos de carbono con cristales fotónicos, para crear un “absorbedor-emisor”.29 30
Véase también
Anexo:Materiales semiconductores(Grupo III-V).
Anexo:Cronología del desarrollo de las células solares
Calentador solar
Colector solar
Concentrador solar
Efecto fotoeléctrico
Electrónica de estado sólido
Energía solar fotovoltaica
Energía solar
Fotodiodo
Fotoresistencia
Panel solar
Panel fotovoltaico
Película fina
Semiconductor
Notas
2. Por un elemento de valencia menor que el silicio.
1. Una pequeña proporción de átomos de silicio se Puede ser boro (B) u otro elemento de la columna 13.
sustituye por un elemento de valencia superior en la
tabla periódica, es decir, que tiene más electrones en 3. Sin embargo, se le puede dar una forma ondulada,
su capa de valencia que el silicio. El silicio tiene 4 para aumentar la superficie activa.
electrones en su capa de valencia: se pueden utilizar
elementos del columna 15, por ejemplo, fósforo.
Referencias
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Enlaces externos
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Récord Mundial de 41.1% de eficiencia en una célula fotovoltaica
Fotovoltaica Molecular(en inglés)
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