C�lula fotoel�ctrica

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C�lula solar monocristalina durante su fabricaci�n

S�mbolo de la c�lula fotovoltaica

Una c�lula fotoel�ctrica, tambi�n llamada celda, fotoc�lula o c�lula fotovoltaica,
es un dispositivo electr�nico que permite transformar la energ�a lum�nica (fotones)
en energ�a el�ctrica (flujo de electrones libres) mediante el efecto fotoel�ctrico,
generando energ�a solar fotovoltaica. Compuesto de un material que presenta efecto
fotoel�ctrico: absorben fotones de luz y emiten electrones. Cuando estos electrones
libres son capturados, el resultado es una corriente el�ctrica que puede ser
utilizada como electricidad.

La eficiencia de conversi�n media obtenida por las c�lulas disponibles

comercialmente (producidas a partir de silicio monocristalino) est� alrededor del
16 %, pero seg�n la tecnolog�a utilizada var�a desde el 6% de las c�lulas de
silicio amorfo hasta el 22 % de las c�lulas de silicio monocristalino. Tambi�n
existen las c�lulas multicapa, normalmente de arseniuro de galio, que alcanzan
eficiencias del 30 %. En laboratorio se ha superado el 46 % con c�lulas
experimentales.1?2?

La vida �til media a m�ximo rendimiento se sit�a en torno a los 25 a�os, per�odo a
partir del cual la potencia entregada disminuye por debajo de un valor
considerable.

Al grupo de c�lulas fotoel�ctricas para energ�a solar se le conoce como panel

fotovoltaico. Los paneles fotovoltaicos consisten en una red de c�lulas solares
conectadas como circuito en serie para aumentar la tensi�n de salida hasta el valor
deseado (usualmente se utilizan 12 V o 24 V) a la vez que se conectan varias redes
como circuito paralelo para aumentar la corriente el�ctrica que es capaz de
proporcionar el dispositivo.

El tipo de corriente el�ctrica que proporcionan es corriente continua, por lo que

si necesitamos corriente alterna o aumentar su tensi�n, tendremos que a�adir un
inversor y/o un convertidor de potencia

�ndice
1 Historia
2 Principio de funcionamiento
3 T�cnica de fabricaci�n
3.1 C�lulas de silicio amorfo
3.2 C�lula de silicio monocristalino
3.3 C�lulas de silicio policristalino
3.4 C�lula t�ndem
3.5 C�lula multiuni�n
3.6 El semiconductor fbi
4 Uso
5 Investigaci�n y desarrollo
6 Las tres generaciones de c�lulas fotoel�ctricas
6.1 Primera generaci�n
6.2 Segunda generaci�n
6.3 Tercera generaci�n
6.4 Hoja de ruta de la energ�a fotovoltaica
7 Eficiencia
8 V�ase tambi�n
9 Notas
10 Referencias
11 Enlaces externos
Historia
Art�culo principal: Anexo:Cronolog�a del desarrollo de las c�lulas solares
El efecto fotovoltaico fue experimentalmente demostrado por primera vez por el
f�sico franc�s Edmond Becquerel. En 1839, a los 19 a�os, construy� la primera
c�lula fotovoltaica del mundo en el laboratorio de su padre. Willoughby Smith
describi� por primera vez el �Effect of Light on Selenium during the passage of an
Electric Current� [Efecto de la luz sobre el selenio durante el paso de una
corriente el�ctrica] el 20 de febrero de 1873 en la revista Nature. En 1883 Charles
Fritts construy� la primera c�lula fotovoltaica de estado s�lido mediante el
recubrimiento del selenio semiconductor con una capa delgada de oro para formar las
uniones; el dispositivo tuvo solo alrededor del 1% de eficiencia.

En 1888 el f�sico ruso Aleksandr Stoletov construy� la primera c�lula basada en el

efecto fotoel�ctrico externo descubierto por Heinrich Hertz en 1887.3?

En 1905 Albert Einstein propuso una nueva teor�a cu�ntica de la luz y explic� el
efecto fotoel�ctrico en un art�culo de referencia, por el que recibi� el Premio
Nobel de F�sica en 1921.4?

Vadim Lashkaryov descubri� uniones p-n en Cu {\displaystyle _{2}} {\displaystyle

_{2}}O y protoc�lulas de sulfuro de plata en 1941.5?

Russell Ohl patent� la moderna c�lula solar en uni�n semiconductora en 19466?

mientras trabajaba en la serie de avances que conducir�an al transistor.

La primera c�lula fotovoltaica pr�ctica se mostr� p�blicamente el 25 de abril de

1954 en los Laboratorios Bell.7? Los inventores fueron Daryl Chapin, Calvin Souther
Fuller y Gerald Pearson.8?9?

Las c�lulas solares adquirieron notoriedad con su incorporaci�n en el sat�lite

artificial Vanguard I en 1958, y su subsiguiente utilizaci�n en sat�lites m�s
avanzados, durante la d�cada de 1960.

Las mejoras fueron graduales durante las siguientes dos d�cadas. Sin embargo, este
�xito fue tambi�n la raz�n de que los costos se mantuvieran altos, porque los
usuarios de aplicaciones espaciales estaban dispuestos a pagar las mejores c�lulas
posibles, sin tener ninguna raz�n para invertir en las de menor costo, en
soluciones menos eficientes. El precio estaba determinado en gran parte por la
industria de los semiconductores; su traslado a los circuitos integrados en la
d�cada de 1960 llev� a la disponibilidad de lingotes m�s grandes a precios
relativamente m�s bajos. Al caer su precio, el precio de las c�lulas resultantes
tambi�n lo hizo. Estos efectos bajaron los costos en 1971 a unos $ 100 por
vatio.10?

Principio de funcionamiento

Esquema del campo el�ctrico creado en una c�lula fotovoltaica mediante la uni�n pn
entre dos capas de semiconductores dopados.
En un semiconductor expuesto a la luz, un fot�n de energ�a arranca un electr�n,
creando a la vez un �hueco� en el �tomo excitado. Normalmente, el electr�n
encuentra r�pidamente otro hueco para volver a llenarlo, y la energ�a proporcionada
por el fot�n, por tanto, se disipa en forma de calor. El principio de una c�lula
fotovoltaica es obligar a los electrones y a los �huecos� a avanzar hacia el lado
opuesto del material en lugar de simplemente recombinarse en �l: as�, se producir�
una diferencia de potencial y por lo tanto tensi�n entre las dos partes del
material, como ocurre en una pila.

Para ello, se crea un campo el�ctrico permanente, a trav�s de una uni�n pn, entre
dos capas dopadas respectivamente, p y n. En las c�lulas de silicio, que son
mayoritariamente utilizadas, se encuentran por tanto:

La capa superior de la celda, que se compone de silicio dopado de tipo n.nota 1? En

esta capa, hay un n�mero de electrones libres mayor que en una capa de silicio
puro, de ah� el nombre del dopaje n, negativo. El material permanece el�ctricamente
neutro, ya que tanto los �tomos de silicio como los del material dopante son
neutros: pero la red cristalina tiene globalmente una mayor presencia de electrones
que en una red de silicio puro.
La capa inferior de la celda, que se compone de silicio dopado de tipo p.nota 2?
Esta capa tiene por lo tanto una cantidad media de electrones libres menor que una
capa de silicio puro. Los electrones est�n ligados a la red cristalina que, en
consecuencia, es el�ctricamente neutra pero presenta huecos, positivos (p). La
conducci�n el�ctrica est� asegurada por estos portadores de carga, que se desplazan
por todo el material.
En el momento de la creaci�n de la uni�n pn, los electrones libres de la capa n
entran instant�neamente en la capa p y se recombinan con los huecos en la regi�n p.
Existir� as� durante toda la vida de la uni�n, una carga positiva en la regi�n n a
lo largo de la uni�n (porque faltan electrones) y una carga negativa en la regi�n
en p a lo largo de la uni�n (porque los huecos han desaparecido); el conjunto forma
la �Zona de Carga de Espacio� (ZCE) o "zona de barrera" y existe un campo el�ctrico
entre las dos, de n hacia p. Este campo el�ctrico hace de la ZCE un diodo, que solo
permite el flujo de portadores en una direcci�n: en ausencia de una fuente de
corriente exterior y bajo la sola influencia del campo generado en la ZCE los
electrones solo pueden moverse de la regi�n p a la n, pero no en la direcci�n
opuesta y por el contrario los huecos no pasan m�s que de n hacia p.

En funcionamiento, cuando un fot�n arranca un electr�n a la matriz, creando un

electr�n libre y un hueco, bajo el efecto de este campo el�ctrico cada uno va en
direcci�n opuesta: los electrones se acumulan en la regi�n n (para convertirse en
polo negativo), mientras que los huecos se acumulan en la regi�n dopada p (que se
convierte en el polo positivo). Este fen�meno es m�s eficaz en la ZCE, donde casi
no hay portadores de carga (electrones o huecos), ya que son anulados, o en la
cercan�a inmediata a la ZCE: cuando un fot�n crea un par electr�n-hueco, se
separaron y es improbable que encuentren a su opuesto, pero si la creaci�n tiene
lugar en un sitio m�s alejado de la uni�n, el electr�n (convertido en hueco)
mantiene una gran oportunidad para recombinarse antes de llegar a la zona n. Pero
la ZCE es necesariamente muy delgada, as� que no es �til dar un gran espesor a la
c�lula.nota 3? Efectivamente, el grosor de la capa n es muy peque�o, ya que esta
capa solo se necesita b�sicamente para crear la ZCE que hace funcionar la c�lula.
En cambio, el grosor de la capa p es mayor: depende de un compromiso entre la
necesidad de minimizar las recombinaciones electr�n-hueco, y por el contrario
permitir la captaci�n del mayor n�mero de fotones posible, para lo que se requiere
cierto m�nimo espesor.

En resumen, una c�lula fotovoltaica es el equivalente de un generador de energ�a a

la que se ha a�adido un diodo. Para lograr una c�lula solar pr�ctica, adem�s es
preciso a�adir contactos el�ctricos (que permitan extraer la energ�a generada), una
capa que proteja la c�lula pero deje pasar la luz, una capa antireflectante para
garantizar la correcta absorci�n de los fotones, y otros elementos que aumenten la
eficiencia del misma.

T�cnica de fabricaci�n

Obleas utilizadas para su posterior conversi�n en c�lulas fotovoltaicas, en la

cinta transportadora durante su proceso de fabricaci�n.

C�lulas fotovoltaicas listas para su uso.

El silicio es actualmente el material m�s com�nmente usado para la fabricaci�n de
c�lulas fotovoltaicas. Se obtiene por reducci�n de la s�lice, compuesto m�s
abundante en la corteza de la Tierra, en particular en la arena o el cuarzo.

El primer paso es la producci�n de silicio metal�rgico, puro al 98%, obtenido de

piedras de cuarzo provenientes de un fil�n mineral (la t�cnica de producci�n
industrial no parte de la arena). El silicio se purifica mediante procedimientos
qu�micos (Lavado + Decapado) empleando con frecuencia destilaciones de compuestos
clorados de silicio, hasta que la concentraci�n de impurezas es inferior al 0.2
partes por mill�n. As� se obtiene el silicio semiconductor con un grado de pureza
superior al requerido para la generaci�n de energ�a solar fotovoltaica. Este ha
constituido la base del abastecimiento de materia prima para aplicaciones solares
hasta la fecha, representando en la actualidad casi las tres cuartas partes del
aprovisionamiento de las industrias.

Sin embargo, para usos espec�ficamente solares, son suficientes (dependiendo del
tipo de impureza y de la t�cnica de cristalizaci�n), concentraciones de impurezas
del orden de una parte por mill�n. Al material de esta concentraci�n se le suele
denominar silicio de grado solar.

Con el silicio fundido, se realiza un proceso de crecimiento cristalino que

consiste en formar capas monomoleculares alrededor de un germen de cristalizaci�n o
de un cristalito inicial. Nuevas mol�culas se adhieren preferentemente en la cara
donde su adhesi�n libera m�s energ�a. Las diferencias energ�ticas suelen ser
peque�as y pueden ser modificadas por la presencia de dichas impurezas o cambiando
las condiciones de cristalizaci�n. La semilla o germen de cristalizaci�n que
provoca este fen�meno es extra�da del silicio fundido, que va solidificando de
forma cristalina, resultando, si el tiempo es suficiente, un monocristal y si es
menor, un policristal. La temperatura a la que se realiza este proceso es superior
a los 1500 �C.

El procedimiento m�s empleado en la actualidad es el Proceso Czochralski,

pudi�ndose emplear tambi�n t�cnicas de colado. El silicio cristalino as� obtenido
tiene forma de lingotes.

Estos lingotes son luego cortados en l�minas delgadas cuadradas (si es necesario)
de 200 micr�metros de espesor, que se llaman �obleas�. Despu�s del tratamiento para
la inyecci�n del enriquecido con dopante (P, As, Sb o B) y obtener as� los
semiconductores de silicio tipo P o N.

Despu�s del corte de las obleas, las mismas presentan irregularidades superficiales
y defectos de corte, adem�s de la posibilidad de que est�n sucias de polvo o
virutas del proceso de fabricaci�n. Esta situaci�n puede disminuir
considerablemente el rendimiento del panel fotovoltaico as� que se realizan un
conjunto de procesos para mejorar las condiciones superficiales de las obleas tales
como un lavado preliminar, la eliminaci�n de defectos por ultrasonidos, el
decapado, el pulido o la limpieza con productos qu�micos. Para las celdas con m�s
calidad (monocristal) se realiza un tratado de texturizado para hacer que la oblea
absorba con m�s eficiencia la radiaci�n solar incidente.

Posteriormente, las obleas son �metalizadas�, un proceso que consiste en la

colocaci�n de unas cintas de metal incrustadas en la superficie conectadas a
contactos el�ctricos que son las que absorben la energ�a el�ctrica que generan las
uniones P/N a causa de la irradiaci�n solar y la transmiten.

La producci�n de c�lulas fotovoltaicas requiere energ�a, y se estima que un m�dulo

fotovoltaico debe trabajar alrededor de 2 a 3 a�os11? seg�n su tecnolog�a para
producir la energ�a que fue necesaria para su producci�n (m�dulo de retorno de
energ�a).
Las t�cnicas de fabricaci�n y caracter�sticas de los principales tipos de c�lulas
se describen en los siguientes 3 p�rrafos. Existen otros tipos de c�lulas que est�n
en estudio, pero su uso es casi insignificante.

Los materiales y procesos de fabricaci�n son objeto de programas de investigaci�n

ambiciosos para reducir el costo y el reciclado de las c�lulas fotovoltaicas. Las
tecnolog�as de pel�cula delgada sobre sustratos sin marcar recibi� la aceptaci�n de
la industria m�s moderna. En 2006 y 2007, el crecimiento de la producci�n mundial
de paneles solares se ha visto obstaculizado por la falta de c�lulas de silicio y
los precios no han ca�do tanto como se esperaba. La industria busca reducir la
cantidad de silicio utilizado. Las c�lulas monocristalinas han pasado de 300 micras
de espesor a 200 y se piensa que llegar�n r�pidamente a las 180 y 150 micras,
reduciendo la cantidad de silicio y la energ�a requerida, as� como tambi�n el
precio.

C�lulas de silicio amorfo

El silicio durante su transformaci�n, produce un gas que se proyecta sobre una
l�mina de vidrio. La celda es gris muy oscuro. Es la c�lula de las calculadoras y
relojes llamados �solares�.

Est�s c�lulas fueron las primeras en ser manufacturadas, ya que se pod�an emplear
los mismos m�todos de fabricaci�n de diodos.

Ventajas:
Funciona con una luz difusa baja (incluso en d�as nublados),
Un poco menos costosa que otras tecnolog�as,
Integraci�n sobre soporte flexible o r�gido.
Inconvenientes:
Rendimiento a pleno sol bajo, del 5 % al 7 %,12?
Rendimiento decreciente con el tiempo (~7 %).
C�lula de silicio monocristalino

C�lula de silicio monocristalino

Al enfriarse, el silicio fundido se solidifica formando un �nico cristal de grandes
dimensiones. Luego se corta el cristal en delgadas capas que dan lugar a las
c�lulas. Estas c�lulas generalmente son de un azul uniforme.

Ventajas:
Buen rendimiento de 14 % al 16 %12?
Buena relaci�n potencia-superficie (~150 Wp/m�, lo que ahorra espacio en caso
necesario)
N�mero de fabricantes elevado.
Inconvenientes:
Coste m�s elevado
C�lulas de silicio policristalino

Una c�lula fotovoltaica basada en silicio multicristalino.

Durante el enfriamiento del silicio en un molde, se forman varios cristales. La
fotoc�lula es de aspecto azulado, pero no es uniforme, se distinguen diferentes
colores creados por los diferentes cristales.

Ventajas:
C�lulas cuadradas (con bordes redondeados en el caso de Si monocristalino) que
permite un mejor funcionamiento en un m�dulo,
Eficiencia de conversi�n �ptima, alrededor de 100 Wp/m�, pero un poco menor que en
el monocristalino
Lingote m�s barato de producir que el monocristalino.
Rendimiento:14%
Inconveniente
Bajo rendimiento en condiciones de iluminaci�n baja.
�Policristalino o multicristalino? Hablamos aqu� de silicio multicristalino (ref.
IEC TS 61836, vocabulario fotovoltaico internacional ). El t�rmino policristalino
se utiliza para las capas depositadas sobre un sustrato (granos peque�os).

C�lula t�ndem
Apilamiento monol�tico de dos c�lulas individuales. Mediante la combinaci�n de dos
c�lulas (capa delgada de silicio amorfo sobre silicio cristalino, por ejemplo) que
absorben en el espectro al mismo tiempo se solapan, mejorando el rendimiento en
comparaci�n con las c�lulas individuales separadas, sean amorfas, cristalinas o
microcristalinas.

Ventajas
Alta sensibilidad en un amplio rango de longitudes de onda. Excelente rendimiento.
Desventaja
El costo es alto debido a la superposici�n de dos c�lulas.
C�lula multiuni�n
Art�culo principal: C�lula fotovoltaica multiuni�n
Estas c�lulas tienen una alta eficiencia y han sido desarrolladas para aplicaciones
espaciales. Las c�lulas multiuni�n est�n compuestas de varias capas delgadas usando
la epitaxia por haz molecular.

Un c�lulas de triple uni�n, por ejemplo, se compone de semiconductores GaAs, Ge y

GaInP2. Cada tipo de semiconductores se caracteriza por un m�ximo de longitud de
onda m�s all� del cual no es capaz de convertir los fotones en energ�a el�ctrica
(ver banda prohibida). Por otro lado, por debajo de esta longitud de onda, el
exceso de energ�a transportada por el fot�n se pierde. De ah� el valor de la
selecci�n de materiales con longitudes de onda tan cerca el uno al otro como sea
posible, de forma que absorban la mayor�a del espectro solar, generando un m�ximo
de electricidad a partir del flujo solar. El uso de materiales compuestos de cajas
cu�nticas permitir� llegar al 65 % en el futuro (con un m�ximo te�rico de 87 %).
Los dispositivos de c�lulas de uniones m�ltiples GaAs son m�s eficaces. Spectrolab
ha logrado el 40,7 % de eficiencia (diciembre de 2006) y un consorcio (liderado por
investigadores de la Universidad de Delaware) ha obtenido un rendimiento de 42,8
%13?(septiembre de 2007). El coste de estas c�lulas es de aproximadamente 40 $/cm�.

El semiconductor fbi
La t�cnica consiste en depositar un material semiconductor que contiene cobre,
galio, indio y selenio sobre un soporte.

Una preocupaci�n, sin embargo: los recursos de materias primas. Estas nuevas
t�cnicas utilizan metales raros, como indio, cuya producci�n mundial es de 25
toneladas por a�o y el precio a fecha de abril de 2007 es de 1000 d�lares por kg;
el teluro, cuya producci�n mundial es de 250 toneladas al a�o; el galio con una
producci�n de 55 toneladas al a�o y el germanio con una producci�n de 90 toneladas
al a�o. Aunque las cantidades de estas materias primas necesarias para la
fabricaci�n de c�lulas solares son infinitesimales, un desarrollo masivo de paneles
fotovoltaicos solares deber�a tener en cuenta esta disponibilidad limitada.

Uso
Las c�lulas fotovoltaicas se utilizan a veces solas (iluminaci�n de jard�n,
calculadoras, etc.) o agrupadas en paneles solares fotovoltaicos.

Se utilizan para reemplazar a las bater�as (cuya energ�a es por mucho la m�s cara
para el usuario), las c�lulas han invadido las calculadoras, relojes, aparatos,
etc.

Es posible aumentar su rango de utilizaci�n almacen�ndola mediante un condensador o

pilas. Cuando se utiliza con un dispositivo para almacenar energ�a, es necesario
colocar un diodo en serie para evitar la descarga del sistema durante la noche.

Se utilizan para producir electricidad para muchas aplicaciones (sat�lites,

parqu�metros, etc.) y para la alimentaci�n de los hogares o en una red p�blica en
el caso de una central solar fotovoltaica.

Investigaci�n y desarrollo

Este art�culo o secci�n se encuentra desactualizado.

La informaci�n suministrada ha quedado obsoleta o es insuficiente.

Parque fotovoltaico de 19 MW en Alemania.

La t�cnica no ha alcanzado a�n la madurez y est�n siendo exploradas muchas v�as de
investigaci�n. Primero se debe reducir el costo de la electricidad producida, y
tambi�n avanzar en la resistencia de los materiales, flexibilidad de uso, facilidad
de integraci�n en los objetos, en la vida, etc.). Todas las etapas de los procesos
de fabricaci�n se pueden mejorar, por ejemplo:

La empresa �Evergreen Solar� ha conseguido realizar el dep�sito de silicio todav�a

l�quido en una pel�cula donde se cristaliza directamente con el espesor preciso de
la l�mina.
La empresa "Nanosolar" ha industrializado la producci�n de c�lulas CGIS mediante
una t�cnica de impresi�n en continuo, esperando un costo de 1 $/W en el a�o 2010.
Todas las compa��as han anunciado sucesivos aumentos de la eficiencia de sus
c�lulas.
El tama�o de las obleas est� creciendo de manera constante, reduciendo el n�mero de
manipulaciones
Se trata de utilizar mejor todas las longitudes de onda del espectro solar
(incluyendo el infrarrojo, lo que abre perspectivas interesantes: la conversi�n
directa de la luz de una llama en electricidad, refrigeraci�n).
Concentradores ya utilizados en los sat�lites se est�n probando en la tierra. A
trav�s de espejos y lentes incrustados en el panel, focalizan la radiaci�n en la
c�lula fotovoltaica. A finales de 2007, Sharp ha anunciado la disponibilidad de un
sistema de enfoque hasta 1100 veces la radiaci�n solar (contra 700 veces para la
marca previa de 2005); a principios de 2008, Sunrgi ha alcanzado 1600 veces. La
concentraci�n permite disminuir la proporci�n de los grupos de paneles dedicados a
la producci�n de electricidad, y por lo tanto su coste. Por otra parte, estos
nuevos materiales soportan muy bien la elevada temperatura debida a la
concentraci�n del flujo solar.14?
Se est� estudiando tambi�n la posibilidad de unir el silicio amorfo y el cristalino
por heterouni�n en una c�lula solar m�s simple de m�s del 20 % de eficiencia.
Proyecto de 2 a�os anunciado a principios de 2008, con la participaci�n del
Laboratorio de Innovaci�n para Nuevas Tecnolog�as Energ�ticas y Nanomaterials del
CEA-Liten y la empresa coreana JUSUNG (proveedor de equipamiento para los
fabricantes de semiconductores), con el INES (Savoya) donde la CEA-Liten ha
concentrado sus actividades en la energ�a solar.
Otros semiconductores (selenio;asociaci�n cobre-indio-selenio (CIS) de pel�cula
fina) se est�n estudiando por ejemplo en Francia por el instituto de investigaci�n
y desarrollo en energ�a fotovoltaica (IRDEP).15? El CIS parece ofrecer un modesto
rendimiento del 12 %, pero con bajo costo de fabricaci�n.
Los compuestos org�nicos de (materias pl�sticas) tambi�n pueden ser usadas para
hacer c�lulas fotovoltaicas de pol�meros, y podr�a llegar a hacerse paneles
flexibles y ligeros, azulejos, tejidos o velas solares, es de esperar que de
fabricaci�n a bajo coste. En la actualidad los rendimientos son bajos (5 % como
m�ximo), as� como su vida, y a�n quedan muchos problemas t�cnicos por resolver. A
principios de 2008, el grupo japon�s Fujikura anunciaba16?haber puesto a prueba
(1000 horas a 85 �C y con una humedad del 85 %) unas c�lulas fotovoltaicas
org�nicas de tipo Gr�tzel no solo m�s resistente, sino que su rendimiento mejor�
del 50 al 70 % con una superficie rugosa que distribuye al azar la luz reflejada
dentro de la c�lula donde se liberan de nuevo las cargas el�ctricas mediante la
activaci�n de otros pigmentos fotosensibles.
Un equipo de EE.UU. de Boston College en Chestnut Hill (Massachusetts) ha
desarrollado paneles solares capaces de recuperar el espectro infrarrojo y
convertirlo en electricidad. Esto permitir�a la producci�n de electricidad a partir
de cualquier fuente de calor, incluso por la noche.17? Hasta ahora, solo una parte
de la radiaci�n de la luz visible, predominantemente verde y azul, se transformaba
en electricidad y la radiaci�n infrarroja se utilizaba en los paneles t�rmicos para
calentar el agua.
Asimismo, se pretende fabricar c�lulas transparentes; modelos impulsados por el
Instituto alem�n Fraunhofer para la Mec�nica de Materiales (IWM; proyecto
"METCO"18?sugieren que las c�lulas transparentes bicapa podr�an alg�n d�a ser
producidas industrialmente. los semiconductores de tipo p transparentes parecen m�s
dif�ciles de producir (el f�sforo podr�a ser un dopante-P del �xido de zinc, pero
el nitr�geno parece ser m�s prometedor).19?
Por �ltimo, la escasez de productos dopantes (el precio del indio se ha
multiplicado por diez desde 2002 hasta 2009 tras su rarefacci�n) aumenta a�n m�s
los incentivo para la innovaci�n de un mercado en fuerte crecimiento que parece
enorme, sobre todo si se puede reducir el costo de la electricidad y acercarlo al
de los combustibles f�siles.
Las tres generaciones de c�lulas fotoel�ctricas
Las c�lulas fotoel�ctricas se clasifican en tres generaciones que indican el orden
de importancia y relevancia que han tenido hist�ricamente. En el presente hay
investigaci�n en las tres generaciones mientras que las tecnolog�as de la primera
generaci�n son las que m�s est�n representadas en la producci�n comercial con el
89.6 % de producci�n en 2007.

Primera generaci�n
Las c�lulas de la primera generaci�n tienen gran superficie, alta calidad y se
pueden unir f�cilmente. Las tecnolog�as de la primera generaci�n no permiten ya
avances significativos en la reducci�n de los costes de producci�n. Los
dispositivos formados por la uni�n de c�lulas de silicio se est�n acercando al
l�mite de eficacia te�rica que es del 31 %20? y tienen un periodo de amortizaci�n
de 5-7 a�os.21?

Segunda generaci�n
Los materiales de la segunda generaci�n han sido desarrollados para satisfacer las
necesidades de suministro de energ�a y el mantenimiento de los costes de producci�n
de las c�lulas solares. Las t�cnicas de fabricaci�n alternativas, como la
deposici�n qu�mica de vapor, y la galvanoplastia tiene m�s ventajas,22? ya que
reducen la temperatura del proceso de forma significativa.

Uno de los materiales con m�s �xito en la segunda generaci�n han sido las pel�culas
finas de teluro de cadmio (CdTe), CIGS, de silicio amorfo y de silicio microamorfo
(estos �ltimos consistentes en una capa de silicio amorfo y microcristalino).23?24?
Estos materiales se aplican en una pel�cula fina en un sustrato de apoyo tal como
el vidrio o la cer�mica, la reducci�n de material y por lo tanto de los costos es
significativa. Estas tecnolog�as prometen hacer mayores las eficiencias de
conversi�n, en particular, el CIGS-CIS, el DSC y el CdTe que son los que ofrecen
los costes de producci�n significativamente m�s baratos. Estas tecnolog�as pueden
tener eficiencias de conversi�n m�s altas combinadas con costos de producci�n mucho
m�s baratos.

Entre los fabricantes, existe una tendencia hacia las tecnolog�as de la segunda
generaci�n, pero la comercializaci�n de estas tecnolog�as ha sido dif�cil.25? En
2007, First Solar produjo 200 MW de c�lulas fotoel�ctricas de CdTe, el quinto
fabricante m�s grande de c�lulas en 2007.25? Wurth Solar comercializ� su tecnolog�a
de CIGS en 2007 produciendo 15 MW. Nanosolar comercializ� su tecnolog�a de CIGS en
2007 y con una capacidad de producci�n de 430 MW para 2008 en los EEUU y
Alemania.26? Honda Soltec tambi�n comenz� a comercializar su base de paneles
solares CIGS en 2008.

En 2007, la producci�n de CdTe represent� 4.7 % del mercado, el silicio de pel�cula

fina el 5.2 %, y el CIGS 0.5 %.25?

Tercera generaci�n
Art�culo principal: C�lula solar de tercera generaci�n
Se denominan c�lulas solares de tercera generaci�n a aquellas que permiten
eficiencias de conversi�n el�ctrica te�ricas mucho mayores que las actuales y a un
precio de producci�n mucho menor. La investigaci�n actual se dirige a la eficiencia
de conversi�n del 30-60 %, manteniendo los materiales y t�cnicas de fabricaci�n a
un bajo costo.20? Se puede sobrepasar el l�mite te�rico de eficiencia de conversi�n
de energ�a solar para un solo material, que fue calculado en 1961 por Shockley y
Queisser en el 31 %.27? Existen diversos m�todos para lograr esta alta eficiencia
incluido el uso de c�lulas fotovoltaicas con multiuni�n, la concentraci�n del
espectro incidente, el uso de la generaci�n t�rmica por luz ultravioleta para
aumentar la tensi�n, o el uso del espectro infrarrojo para la actividad nocturna.

Hoja de ruta de la energ�a fotovoltaica

Este art�culo o secci�n se encuentra desactualizado.

La informaci�n suministrada ha quedado obsoleta o es insuficiente.
Estos son algunos de los objetivos que la industria japonesa se ha propuesto:

Tema Objetivo para el 2010 Objetivo para 2020 Objetivo para 2030
Coste de producci�n 100 �/W 75 �/W <50 �/W
Duraci�n de vida - +30 a�os -
Consumo de materia prima - - 1 g/W
Costo del conversor - - 15 000 �/kW
Costo de la bater�a - 10 �/Wh -
Eficiencia de la c�lula cristalina 20 % 25 % 25 %
Eficiencia de la c�lula de capa delgada 15 % 18 % 20 %
Eficiencia de la c�lula CIS 19 % 25 % 25 %
Eficiencia de la c�lula III-V 40 % 45 % 50 %
Eficiencia de la c�lula "Dye Sensitized" 10 % 15 % 18 %
Fuente Nedo (Jap�n), 124 � = 1 �, febrero de 2016

Eficiencia
V�ase tambi�n: Ley de Naam
El r�cord de eficiencia, sin concentraci�n solar, est� actualmente establecido en
el 45 %.28? En concentrada, el Massachusetts Institute of Technology est�n probando
c�lulas solares que pueden superar la eficiencia del 80 % y que est�n compuestas de
una capa de nanotubos de carbono con cristales fot�nicos, para crear un
�absorbedor-emisor�.29?30?

V�ase tambi�n
Anexo:Materiales semiconductores (Grupo III-V).
Anexo:Cronolog�a del desarrollo de las c�lulas solares
Calentador solar
Colector solar
Concentrador solar
Efecto fotoel�ctrico
Electr�nica de estado s�lido
Energ�a solar fotovoltaica
Energ�a solar
Fotodiodo
Fotoresistencia
Panel solar
Panel fotovoltaico
Pel�cula fina
Semiconductor
Notas
Una peque�a proporci�n de �tomos de silicio se sustituye por un elemento de
valencia superior en la tabla peri�dica, es decir, que tiene m�s electrones en su
capa de valencia que el silicio. El silicio tiene 4 electrones en su capa de
valencia: se pueden utilizar elementos del columna 15, por ejemplo, f�sforo.
Por un elemento de valencia menor que el silicio. Puede ser boro (B) u otro
elemento de la columna 13.
Sin embargo, se le puede dar una forma ondulada, para aumentar la superficie
activa.