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    El Transistor de Unijuntura UJT

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    Zeuxis Contreras S.
    El documento describe el transistor de unijuntura UJT, sus características y aplicaciones principales. 1) El UJT es un dispositivo semiconductor de una sola unión PN con dos regiones contaminadas y tres terminales. 2) Funciona en tres regiones: bloqueo, resistencia negativa y saturación. 3) Se usa comúnmente en circuitos osciladores y temporizadores debido a su región de resistencia negativa.

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    El documento describe el transistor de unijuntura UJT, sus características y aplicaciones principales. 1) El UJT es un dispositivo semiconductor de una sola unión PN con dos regiones contaminadas y tres terminales. 2) Funciona en tres regiones: bloqueo, resistencia negativa y saturación. 3) Se usa comúnmente en circuitos osciladores y temporizadores debido a su región de resistencia negativa.

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    El Transistor de Unijuntura UJT

    Las características que se presentan en el UJT lo hacen útil en circuitos de aplicación


    industrial, como son circuitos de tiempo (timers), osciladores, generadores de onda, y
    circuitos de disparo para SCRs y TRIACs. El UJT es un dispositivo de una sola unión PN,
    dispone de dos regiones contaminadas y tres terminales externas. Tiene un sólo emisor y
    dos bases. La representación física del UJT se muestra en la figura 1.

    Figura 1.- Representación física y símbolo del UJT

    El emisor se dopa fuertemente, mientras que en la región de las bases se deposita una
    ligera contaminación, bajo estas condiciones, se hace presente una región de resistencia
    negativa, y aparecen dos estados de funcionamiento bien definidos, correspondientes al
    estado de bloqueo y al estado de conducción. Para comprender el funcionamiento del
    dispositivo UJT, se recurre a su circuito equivalente, que se muestra en la figura 2.

    Figura 2.- Circuito equivalente del UJT

    Las resistencias Rb1 y Rb2 constituyen la resistencia de la barra de silicio, siendo Rbb la
    suma de las dos resistencias, es decir, la resistencia total:

    Rbb = Rb1 + Rb2, siempre se cumple que Rb1  Rb2

    A Rbb se le denomina “resistencia interbase”, y es la resistencia óhmica que se presenta


    en las terminales B1 y B2 cuando no circula ninguna corriente por el emisor. En términos
    generales el parámetro Rbb es variable entre los valores de 5 k a 10 k. El diodo D es
    el equivalente a una unión emisor-base, presenta un voltaje umbral desde 0.4 volts
    hasta 0.7 volts. Si la tensión que se aplica en el emisor del dispositivo UJT, con un valor
    igual a Vbb, sobre la resistencia Rb1, el punto A, aparece un voltaje que lo determina la
    ecuación;

    Va = Vbb Rb1/Rbb = n Vbb n = Rb1/(Rb1 + Rb2)


    En donde “n” se conoce como factor intrínseco, produce una variación que comprende
    desde 0.5 hasta 0.8, lo cual significa que Rb1 es igual o hasta cuatro veces el valor de
    Rb2. La tensión Va se conoce como voltaje intrínseco y es la que polariza inversamente
    al diodo emisor, al no existir una señal en la entrada.

    Al aplicarse la tensión Ve en el emisor, el transistor permanece bloqueado hasta tanto


    no se alcance el voltaje pico Vp, el cual está dado por la siguiente expresión:

    Vp = Vd + Va = Vd + n Vbb

    Cuando el diodo de emisor entra en conducción, porque la región P está fuertemente


    contaminada y la región N no, se inyecta huecos a la parte inferior del UJT. La ligera
    contaminación de esta región proporciona un tiempo de vida largo para los huecos, se
    produce una trayectoria de conducción entre emisor y la base B1. Al fluir corriente por
    B1, la resistencia Rb1 disminuye, efectuándose modulación de conductividad. Al
    disminuir esta resistencia, la tensión Va disminuye y se obtiene una mayor inyección de
    corriente de emisor. La disminución de tensión y aumento de corriente representa una
    región de resistencia negativa, se alcanzan valores hasta 100 k para bajos niveles de
    corriente. En la figura 3 se muestra la curva característica del UJT.

    Figura 3.- Curva característica del UJT

    Si los niveles de voltaje que se aplican al emisor son menores que Vp, el diodo D se
    encuentra inversamente polarizado, y circula una corriente menor inversa de juntura. Al
    hacerse la tensión Ve igual a Vp, el diodo conduce, iniciándose la trayectoria en la curva
    de la región de resistencia negativa y con una corriente Ip. Por el fenómeno de
    modulación de conductividad, la corriente empieza a crecer mientras el voltaje
    disminuye hasta que finalmente se llega a saturación, la resistencia Rb1 se hace
    constante con valor Rs (aproximadamente 5  - 30 ), a valores bajos de tensión y
    niveles altos de corriente, se termina la región de resistencia negativa y empieza la
    región de saturación. Sobre la característica tensión-corriente se destacan tres zonas de
    trabajo y funcionamiento:

    o Región de bloqueo: el diodo se encuentra inversamente polarizado, la corriente Ie es


    menor que Ip.

    o Región de resistencia negativa: los valores de corriente están entre Ip e Iv.

    o Región de saturación: en esta región la resistencia es positiva, teniéndose niveles de


    corriente por encima de Iv.

    Estabilización del UJT


    Las características más importantes del UJT se resumen en la ecuación:

    Vp = Vd + n Vbb

    En aplicaciones que utilizan osciladores y circuitos temporizadores no es conveniente


    tener variaciones en el valor Vp, la exactitud de esos circuitos depende de la
    invariabilidad de Vp, además, Vd y n son parámetros dependientes de la temperatura,
    entonces es necesario estudiar su incidencia sobre Vp. Vd disminuye al aumentar la
    temperatura, esta variación es del orden de -2mV/°C. El valor de n también disminuye,
    en grado inapreciable con el aumento de temperatura:

    n = Rb1/(Rb1 + Rb2) = Rb1/Rbb

    El valor de Rbb es dependiente de la temperatura, ya que es la resistencia de un


    material semiconductor. Su efecto en la tensión Va es despreciable, este valor depende
    de n y la variación de n es despreciable. Para compensar variaciones en el diodo, se
    conecta una resistencia R2 externa en serie con Rb2, a la terminal B2 . Bajo estas
    condiciones se tiene:

    Va = Vbb Rb1/(Rb1 + Rb2 + R2)

    Va = Vbb Rb1/(Rbb + R2); dividiendo entre Rbb,

    Va = n Vbb/(1 + (R2/Rbb))

    Si la temperatura baja, Rbb baja, el factor R2/Rbb sube y por consiguiente Va baja. Si la
    temperatura sube, Rbb sube, el factor R2/Rbb baja y por consiguiente Va sube. Se
    observa que las variaciones de Vd se compensan con las variaciones de Va, porque
    ocurren en sentido opuesto, de esta forma se mantiene el valor de Vp. Con un rango de
    trabajo para la fuente de polarización Vbb comprende entre 10 y 35 volts, se obtiene
    que R2 varía entre 50  y 1 k. Se determinan por experimentación, los siguientes
    valores para compensación:

    R2 = 100  para trabajo entre -55°C y 25°C

    R2 = 400  para trabajo entre 25°C y 100°C

    En términos generales se obtiene una buena compensación con R2 = 100.


    Impedancia de Carga del UJT
    Las tres terminales del UJT se usan para obtener una señal de salida, la conexión que
    más se utiliza es la terminal de la base B1, entonces se necesita adicionar una
    resistencia R1 externa como se muestra en la figura 4. El valor de R1 es de valores
    típicos de 100, la señal que se obtiene se aplica en generadores de pulsos de disparo.

    Figura 4.- Resistencias externas al UJT


    Aplicaciones del UJT
    El oscilador de relajación; Se utiliza en timers y circuitos osciladores. La figura 5
    muestra un circuito típico de un UJT, una red Re Ce, las resistencias de carga y
    compensación R1 y R2, así como las formas de onda que se observa en cada terminal. El
    circuito trabaja de la siguiente forma: Al encender la alimentación, el condensador Ce
    se carga a través de Re hasta alcanzar el nivel Vp. En este punto, el UJT entra en
    conducción la resistencia Rb1 tiende a disminuir hasta un valor cercano a cero, se
    genera un pulso de corriente que corresponde a la descarga del condensador, esa
    corriente fluye por R1 y se desarrolla un pulso de voltaje en la terminal B1.
    Simultáneamente que aparece un pico positivo en B1, aparece otro negativo en B2. Esto
    sucede porque la caída de tensión en Rb1 provoca una reducción en la resistencia total
    entre Vbb y tierra, y consecuentemente un incremento en la corriente por R2, se
    provoca una mayor caída a través de R2 creándose un pico de voltaje negativo en el
    terminal B2.

    Figura 5.- Oscilador de Relajación con UJT

    En el terminal de emisor, se desarrolla una señal diente de sierra, la cual no es


    totalmente lineal debido a la carga exponencial del condensador puesto que este no se
    carga a una rata constante. Por otro lado, la parte baja de la señal no es exactamente
    cero voltios. Hay dos razones para que esto ocurra:
    o - El voltaje emisor-base B1 jamás alcanza el valor cero, sino el voltaje de valle Vv.

    o - Hay siempre alguna caída de voltaje a través de R1, debido a la corriente que fluye a
    través del UJT.

    Asumiendo que el condensador está inicialmente descargado, al aplicarse la tensión de


    polarización, este trata de cargarse hasta el valor de fuente con una constante de
    tiempo dada por ReCe. Cuando el voltaje sobre el condensador se hace igual al valor Vp
    del UJT, éste se dispara, entrando en conducción, aumentando la corriente de emisor y
    disminuyendo la tensión, o sea que el condensador empieza a descargarse a través de la
    baja impedancia que ve entre emisor y tierra. La constante de descarga será
    aproximadamente R'Ce, donde R' es la suma de R1 y la resistencia del diodo. Es claro que
    la constante de carga es mucho mayor que la de descarga. Cuando el condensador se
    descarga, entra de nuevo el UJT en la región de bloqueo puesto que la tensión en el
    terminal de emisor se hace menor que el voltaje Vp. Al iniciarse nuevamente el proceso,
    se repite el ciclo. Puesto que el circuito anterior es un oscilador a resistencia negativa,
    es necesario cumplir con la condición general impuesta para este tipo de circuitos, y es
    que la línea de carga corte la característica en su región de resistencia negativa. La
    ecuación de la línea de carga está dada por:

    Vbb = Re Ie + Ve

    Dependiendo del valor de Re, se pueden obtener varias curvas:

    -Sea Re = Re1 = valor grande de resistencia

    Si Ve = 0 entonces Ie = Vbb/Rmáx

    Si Ie = 0 entonces Ve = Vbb

    Con estas dos ecuaciones límites se puede trazar la recta de carga. Es claro que si Re1 es
    elevado el valor de Ie tiende a cero. Bajo estas condiciones dicha línea de carga cortaría
    la curva característica en la región de bloqueo.

    -Sea Re = Re2 = valor bajo de resistencia

    Si Ve = 0 entonces Ie = Vbb/Rmín

    Si Ie = 0 entonces Ve = Vbb

    Con estas dos ecuaciones límites se puede trazar la recta de carga. Es claro que si Re2 es
    bajo el valor de Ie tiende a ser elevado. Bajo estas condiciones dicha línea de carga
    cortaría la curva característica en la región de saturación.

    -Sea Re = Re3 = un valor medio de resistencia

    Si Ve = 0 entonces Ie = Vbb/Re3

    Si Ie = 0 entonces Ve = Vbb
    Figura 6.- Rectas de carga del UJT
    Con estas dos ecuaciones límites se puede trazar la recta de carga. Bajo estas
    condiciones dicha línea de carga cortaría la curva característica en la región de
    resistencia negativa. En la figura 6 pueden apreciarse esta serie de situaciones. En
    términos generales se tendría:

    Remín  Re  Remáx

    El valor de Remáx debe ser tal que permita obtener el nivel mínimo de corriente, o sea
    Ip. Por lo tanto la ecuación se transformaría en:

    Vbb = Remáx Ip + Vp

    Remáx = (Vbb - Vp)/Ip

    Por otro lado, el valor de Remín debe ser tal que permita obtener el nivel máximo de
    corriente, o sea Iv. Por lo tanto la ecuación se transformaría en:

    Vbb = Remín Iv + Vv

    Remín = (Vbb - Vv)/Iv

    En términos generales el valor de Re está comprendido entre 3 k y 3 M, y el


    condensador varía entre .01 µF y .5 µF. El período de oscilación está dado por la
    expresión:

    T = Re Ce ln (1/(1-n))

    Esta ecuación proviene de la expresión de carga del condensador:

    Vc(t) = Vf + (Vi - Vf) e(-t/ReCe)

    Vc(t) = Vbb (1 - e(-t/ReCe))

    en t = T Vc(t) = Vp, reemplazando estos valores:


    T = Re Ce ln (Vbb/(Vbb - Vp))

    Vp = Vd + n Vbb = n Vbb

    T = Re Ce ln (1/(1-n))

    Ejemplo
    Dado un oscilador de relajación con UJT que trabaja con una relación intrínseca n = .7 y
    con Re = 100 k y Ce = .5 µF, calcular el período y la frecuencia de trabajo, así como el
    voltaje Vp de disparo suponiendo una fuente de polarización de 20 voltios.

    T = 100 k .5 µF ln (1/(1-.7))

    T = 60 ms

    f = 1/T = 1/60 =16.6 Hz

    Vp = Vd + nVbb = .6 + .7 20 = 14.6 v

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