UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CENTRO DEL PERÚ

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

DEPARTAMENTO DE ELECTRICIDAD Y ELECTRÓNICA

TITULO DEL INFORME: TRASNSISTORES DE POTENCIA MOSFET

1. DATOS GENERALES:

NOMBRE: (estudiante(s)

 HUAIRE JEAN PIERRE

 IVAN RAYMUNDO
 RENOJO YOSHER
 POCCOMO BARRA MAX
 TAYPE SANCHEZ ROMER

ING.BARTOLOME SAENZ LOAYZA

HUANCAYO
2017
EL MOSFET DE POTENCIA OPERANDO EN LA REGION DE SATURACION

INTRODUCCION
 los transistores FET tienen importantes diferencias con los transistores
BJT. En primer lugar, su funcionamiento no se basa en la unión de
materiales semiconductores, sino en la creación de un canal de
conducción entre Source y Drain dentro de un único material
semiconductor. El ancho de este canal es controlado por el terminal
Gate.
 Otra diferencia importante es que el estado de un transistor FET se
controla por la tensión aplicada en Gate, a diferencia de los BJT cuyo
estado dependía de la corriente que circulaba por la base. Por tanto, los
FET son dispositivos controlados por tensión, mientras que los BJT son
dispositivos controlados por corriente.
 Otra gran ventaja es que en modo de saturación los transistores
MOSFET se comportan como una resistencia de muy pequeño valor,
mientras que los transistores BJT siempre imponían una caída de
tensión. Esto permite a los transistores MOSFET manejar enormes
cargas con poca disipación de energía.
 Los MOSFET son dispositivos mucho más simétricos que los BJT (el
comportamiento de Drain a Source y viceversa es similar). Además,
disponen de una alta impedancia desde Gate (del orden de 100MΩ), lo
cual es una gran ventaja a la hora de combinarlos para formar circuitos
digitales.
 En general los tiempos de conmutación son más rápidos que los BJT.
Además generan menos ruido y son menos sensibles a la temperatura.
 En la zona saturación Ids es grande, pero Rds es muy pequeña, por lo
que la potencia disipada es muy pequeña.
 INCOMVENIENTES DE LOS MOSFET
 Los mosfet tienen el problema de ser muy sensibles a alas descargas
electrostáticas y requieren un embalage especial .
 Es relativamente difícil su protección .
 Los mosfet son mas caros que sus equivalentes bipolares .
 La resistencia estatica entre dreandor sutidor es mas grande ,lo que
provoca mayores perdidas de potencia cundo trbaja en conmutación.
REGIONES DE TRABAJO DE LOS MOSFET

REGION ACTIVA (SATURACION DE CANAL)

En esta región se utiliza el transistor mos como amplificador de tensión .para
un valor de Vgs que será como minimo Vgs(th) se produce el paso de corriente
entre el drenador y el surtidor .
En la región activa el valor de la tensión entre puerta y surtidor ,controla la
magnitud de la corriente del drenador (id) , como la tensión entre el drenador y
el surtidor (Vde) como se puede ver en la curva característica para un valor
particular de la tensión entre puerta – surtidor ,tenemos un valor de la corriente
del drenador (Id)
Las ecuaciones para esta región será :
FUNCIONAMIENTO DEL MOSFET DE SEÑAL DE CANAL N
Si UDS > UGS − UGS(th) el punto en el cual la tensión sobre el oxido es
UGS(th) se corre hacia el source. La tensi´on sobre el oxido hacia el drain
serıa a un menor. En esta situacion podrıa pensarse que al aumentar la tension
drain-source aun mas la capa de inversion empieza a desaparecer del lado del
drain y el transistor no puede conducir. Lo que sucede es que lo que hay en la
zona del canal que queda entre la punta de la zona de inversion y el drain es
una zona de deplexion sin portadores p, y sometida a un campo electrico E
creado por la tension de drain. Los electrones se siguen moviendo entre la
zona de inversion y el drain a traves de la zona de deplexion impulsados por el
campo E, paralelo al canal. El fenomeno es similar a lo que sucede en la zona
de deplexion de la juntura de un transistor bipolar en zona activa, donde los
electrones, portadores minoritarios en la base del transistor, son arrastrados
por el campo electrico de la juntura base colector polarizada en inverso a traves
de la zona de deplexion, formando la corriente de colector. Al aumentar UDS, la
resistencia va aumentando hasta el punto de pinch off. A partir de allı, para
UDS mayores, la corriente se mantiene constante dependiendo solamente de
UGS y dejando de depender de UDS, seg´un las curvas características de la
figura . Este comportamiento se llama saturacion (o conducción en zona activa
para evitar confusiones con el BJT). El mecanismo de funcionamiento en zona
de saturacion o en zona activa, por el cual la corriente solamente depende de
UGS y queda independiente de la tension de drain para tensiones mayores que
UDsat , depende del tipo de MOSFET y su estructura.
BLOQUE Y CONDUCCION

En electrónica de potencia el MOSFET trabaja como llave, pasando de estado

de bloqueo o corte a estado de conducción en la zona activa o resistiva. En las
transiciones pasa por la zona de saturación, siguiendo distintas curvas según el
circuito externo. Los mecanismos son los mismos que para el MOSFET de
cenal, la diferencia radica en los valores de la tensión de bloqueo y de
resistencia de conducción (RD Son ). Las curvas características son similares a
las de la figura

Bloqueo

En estado de bloqueo el MOSFET implementa una llave abierta. Debido a su

estructura el dispositivo solamente bloquea en directo, cuando se aplica tensión
positiva en el drain con respecto al source. En esta situación la tensión UGS
debe ser menor que UGS(th) , y preferentemente cero o menor que cero,
dentro de los limites admitidos por la rigidez dieléctrica del aislante entre el chip
y el gate. No se debe aplicar tensión drain - source con el gate sin conectar (en
circuito abierto). Como se desprende de la estructura, el gate tiene
capacidades tanto con el source como con el drain. Por lo tanto se forma un
divisor capacitivo que deja al gate en un potencial que puede hacer posible la
formación del canal y la conducción, a pesar de que la capacidad Cgs À Cgd.
Si por un defecto de conexión en una aplicación un MOSFET queda con el gate
abierto, en general se rompe. La tensión UDS aplicada es bloqueada por la
juntura n −/p entre el drain y el cuerpo p del MOSFET. La tensión de bloqueo
queda determinada por el espesor de la zona n − del drain. El mecanismo de
bloqueo es el mismo que en los otros dispositivos analizados (tiristor, GTO,
BJT) y que en un diodo, en los cuales la performance de bloqueo esta dada por
una capa de estas características
El bajo dopaje en la zona n − hace que se necesite un campo eléctrico grande
en la zona de depleción formada por la tensión inversa aplicada en la juntura
para que el dispositivo entre en avalancha. El ancho de la zona determina la
tensión a la cual puede producirse dicho campo. La tensión de bloqueo
depende además de la forma de las zonas p. La curvatura en los bordes de las
mismas intensifica el campo y por lo tanto la tensión de avalancha disminuye.
En MOSFETs prácticos se modifica la forma de la zona p para disminuir este
efecto. Las tensiones máximas de bloqueo UDss en dispositivos comerciales
llegan a 1000V. Tensiones muy altas requieren zonas de drif t anchas, que,
como se vera, aumentan la resistencia del dispositivo en conducción, y por lo
tanto las perdidas y la caída de tensión dejan de ser admisibles para la
implementaci´on de una llave. Para tensiones mayores de la tensi´on de
bloqueo máxima, el MOSFET entra en avalancha. La tensi´on de avalancha
esta indicada en la literatura como BVDss o BUDss

CONDUCCION
En el estado de conducción, o llave prendida (figura (b)), el dispositivo se
comporta como una resistencia aproximadamente constante en el rango de
corrientes de trabajo, que depende del area total del chip. Para esto es
necesario aplicar y mantener una tensión adecuada de gate. Las corrientes
máximas de operación dadas por el fabricante se indican en la figura c). ID es
la máxima corriente que el dispositivo puede conducir en forma permanente.
IDM es la máxima corriente absoluta que puede conducir en forma transitoria.
El MOSFET puede trabajar en forma permanente con corrientes menores que
ID y en forma transitoria con corrientes con valores entre ID e IDM.

La figura muestra las curvas características tal como aparecen en hojas de

datos de dispositivos comerciales. Se ve que prácticamente no hay diferencia
entre las curvas de zona resistiva correspondientes a UGS 10V y 15V en el
rango de corrientes en que puede trabajar el MOSFET. En la practica se utiliza
un valor entre esas tensiones. La tensión UGS máxima admisible dada por el
fabricante es ±20V o ±30V, según el dispositivo. Al aplicar la tensión de
encendido UGS se acumulan electrones en la zona del canal según el
mecanismo ya descrito. Debido a la tensión aplicada y a las dimensiones de la
zona del canal la zona de inversión que se forma corresponde a un MOSFET
de canal “corto”. Esa zona del cuerpo p pasa entonces a comportarse como un
material con dopaje n. También se acumulan electrones en la zona n − del
drain que queda enfrentada a la placa del gate. En el chip se forma entonces
un camino de conducción entre los terminales de source y drain formado por el
material n + del source, el canal con comportamiento n, la zona de acumulación
de portadores n en el material n −, la capa n − y la capa n + de Al aplicar la
tensión de encendido UGS se acumulan electrones en la zona del canal según
el mecanismo ya descrito. Debido a la tensión aplicada y a las dimensiones de
la zona del canal la zona de inversión que se forma corresponde a un MOSFET
de canal “corto”. Esa zona del cuerpo p pasa entonces a comportarse como un
material con dopaje n. También se acumulan electrones en la zona n − del
drain que queda enfrentada a la placa del gate. En el chip se forma entonces
un camino de conducción entre los terminales de source y drain formado por el
material n + del source, el canal con comportamiento n, la zona de acumulación
de portadores n en el material n −, la capa n − y la capa n + de contacto con el
metal del drain. En definitiva es un camino de conducción n en el que se
mueven electrones como portadores. Es un dispositivo de portadores
mayoritarios y el mecanismo de conducción es de tipo drif t, es decir, de
portadores impulsados por un campo eléctrico. Por lo tanto el dispositivo se
comporta como una resistencia. La movilidad de los portadores disminuye con
la temperatura, ya que aumentan las colisiones con átomos de la misma forma
que en un metal, por lo tanto el coeficiente de temperatura de esa resistencia
es positivo. Por este motivo no se producen focalizaciones de corriente y
puntos calientes en el chip, y el MOSFET, a diferencia del BJT, no presenta el
fenómeno de “Segundo Breakdown”. Su zona de operación segura queda
limitada solamente por la temperatura de juntura, que depende de la disipación
térmica
RESISTENCIA EN ESTADO DE CONDUCCI´ON RDS(ON).
La RDS(on) se compone de las resistencias de las distintas zonas que
conducen la corriente.

Son la resistencia de source Rsource, la del canal Rch, la de la zona de

acumulación RAcc, la de la zona n − del drain RDRIF T , y la de la zona n + del
drain RDRAIN . La zona de conducción se forma alrededor del borde de cada
celda p, donde se forma el canal. La resistencia total del dispositivo es
entonces el paralelo de las resistencias de las miles de celdas que componen
el MOSFET, obteniéndose una resistencia total mucho más baja que la de un
MOSFET de señal.
Las resistencias de las distintas partes tienen distintos comportamientos y su
incidencia en la RDS(on) total depende del tipo de dispositivo. Las resistencias
que inciden más son las del canal, la de acumulación y la de drif t. Las
resistencias del canal y de acumulación dependen de la tensión UGS de
encendido que se utilice. A mayor tensión, menor valor de estas resistencias.
Se debe elegir entonces la tensión más alta posible compatible con los limites
dados por el fabricante y por los márgenes de seguridad necesarios para
obtener operación segura. Estas resistencias son importantes en MOSFETs de
baja tensión de avalancha (hasta una centena de voltios). Al crecer la tensión
de bloqueo requerida debe aumentarse el espesor de la zona de drif t. Esta
zona tiene bajo dopaje y por lo tanto alta resistividad, y la tensión UGS
prácticamente no influye en ella. Por lo tanto en dispositivos con capacidad de
bloqueo de algunos cientos de voltios o más el termino dominante en la
RDS(on) es la resistencia RDRIF T . La resistencia especifica de estos
dispositivos (resistencia de la unidad de ´area, Ohm.cm2 ) es proporcional a BV
2,5−2,7 Dss (Mohan et al. 1995). Una expresión de la resistencia RDS(on) para
los dispositivos de alta tensión en que la RDRIF T predomina es la siguiente
(B.Williams 2006):

siendo A el ´area del chip en mm2

RDS(on) /RDS(on) 25◦C en función de la temperatura para un MOSFET

SiHFP254N - imagen cortesía de Vis hay Intertechnology Inc. Para la misma
capacidad de corriente, dada aproximadamente por el area del chip, un
dispositivo de alta tensión (hasta 1000V) tiene por lo tanto una caída de tensión
mucho más elevada que la de uno de baja tensión (hasta aproximadamente
100 - 200V). La RDS(on) depende fuertemente de la temperatura, con
coeficiente positivo ). La dependencia esta dada en las hojas de datos a través
de una curva que muestra el valor normalizado con respecto al valor a 25◦C. Al
comportarse como una resistencia, las perdidas en el MOSFET en conducción
están dadas por:

La potencia media es entonces:

Para el cálculo de la potencia se debe tener en cuenta el valor de la resistencia

a la temperatura de juntura elegida, que normalmente es del orden de dos
veces la resistencia a 25◦C indicada en la primera página de la hoja de datos
dada por el fabricante.
CONEXIÓN EN PARALELO
El coeficiente de temperatura positivo de RDS(on) permite la conexión en
paralelo de MOSFETs para aplicaciones de altas corrientes, al obtenerse un
reparto estable de corriente entre los dispositivos. La misma salida de comando
de gate puede ser utilizada para el encendido y apagado de todos los
dispositivos conectados en paralelo. Sin embargo los electrodos de gate no
pueden conectarse directamente entre s´ı, ya que las capacidades de gate y
las inductancias par ´asitas de los electrodos y las conexiones pueden formar
circuitos resonantes que generen sobretensiones cuyo valor supere la rigidez
dieléctrica del gate. Cada MOSFET debe tener entonces una resistencia
individual de gate de acuerdo al esquema de la figura 1.15. Esta resistencia
disminuye la velocidad de carga y descarga de la capacidad de entrada del
MOSFET, y por lo tanto su velocidad de conmutación. Una llave formada por
MOSFETs en paralelo no es entonces equivalente a una formada con un único
MOSFET previsto para la misma corriente total.
ZONA DE OPERACIÓN SEGURA
La zona de operación segura (SOA) de un MOSFET, tanto en el encendido
como en el apagado, esta limitada por la corriente máxima en conducción tanto
en forma continua como durante un pulso, por la potencia máxima disipada y
por la tensión máxima de bloqueo directo sin que se produzca avalancha (en la
literatura aparece también con la tensión de avalancha como limite). Se
diferencia de la SOA de un BJT en la ausencia del limite por Segundo
Breakdown así como en la presencia del limite dado por la RDS(on)
 conexión en paralelo
CONDUCCION EN INVERSA
Si el MOSFET se polariza en inverso (source positivo con respecto al drain),
conduce el diodo anti paralelo correspondiente, con una caída de tensión que
puede llegar a 1,5V con la corriente nominal del MOSFET. Las características
de este diodo están especificadas en las hojas de datos. Si el MOSFET se
polariza en inverso y además se le aplica tensión de encendido al gate, se
forma el canal y el dispositivo se transforma en una resistencia. Si el valor de la
resistencia es tal que el producto de su valor por la corriente inversa es menor
que la caída de tensión del diodo anti paralelo con la misma corriente, entonces
la conducción inversa se realiza a trav´es de RDS(on) . En dispositivos de baja
tensión con suficiente ´area de chip, la resistencia puede llegar a ser
suficientemente baja como para que la caída de tensión sea a lo sumo alguna
decima de V, valor incluso muy inferior al de un BJT saturado. Estos
dispositivos se usan tanto en conducción directa como inversa para sustituir a
los diodos rectificadores de etapas de salida de fuentes conmutadas, con el fin
de reducir las perdidas en conducción de los diodos, principalmente en fuentes
con tensiones de salida muy bajas (3,3V; 1,5V, etc).

CARACTERISTICAS DINAMICAS. CONMUTACION

CAPACIDADES INTERNAS DEL MOSFET

El MOSFET es un dispositivo semiconductor en el cual la corriente es
conducida por portadores mayoritarios, y no es necesario inyectar o extraer
cargas del mismo, como los portadores minoritarios de la base del BJT, para
las operaciones de encendido y apagado. La velocidad de conmutación
depende entonces fundamentalmente de las capacidades entre las distintas
regiones y electrodos de contacto, de cuan rápido sea posible cargarlas y
descargarlas. La velocidad resulta por lo tanto mucho mayor que la de
cualquier otro dispositivo, pudiéndose utilizar en convertidores trabajando con
frecuencias de conmutación del orden de los MHz. De todas formas las
capacidades ponen l´ımites a la velocidad de conmutación, ya que se cargan y
descargan a trav´es de la resistencia de salida de los circuitos de comando.
Esa resistencia no puede ser cero, ya que las transiciones podrían producir
resonancias entre las capacidades mencionadas y las inductancias intrínsecas
de los conductores de contacto. El modelo básico de dispositivo de comando
consiste en una llave que conecta el gate alternativamente a una fuente ideal
positiva y a una fuente negativa, a través de una resistencia externa RG. El
valor mínimo de Rg esta dado por el fabricante. Los tiempos de conmutación
están entonces determinados por la carga de las capacidades a través de la
resistencia Rg. Como Rg es del orden de algunos ohms, y las capacidades
asociadas al gate valen algunos nF, los tiempos de conmutación de los
MOSFETs quedan en el orden de decenas de ns, con lo cual conmutan hasta
dos ´ordenes de magnitud más rápido que los BJT. El gate también tiene cierta
resistencia entre el contacto y las celdas, debida a su estructura y al material
usado (usualmente silicio policristalino).

Zona de operación segura de un MOSFET SUM70N04-07L - imagen cortesía

de Vishay Intertechnology Inc.
El retardo introducido por el desplazamiento de cargas en la zona de drif t
tambi´en contribuye a limitar la velocidad del MOSFET.

Capacidades del mosfet

 La capacidad gate - source Cgs tiene el mayor valor, y es prácticamente
constante ya que queda determinada por la geometría del gate y la
metalización del source.
 La capacidad gate - drain Cgd es la capacidad entre el gate y la zona n
− conductora fuera de la zona de deplexión formada por la polarización
directa drain - source. El dieléctrico de esta capacidad es la zona de
´oxido y la zona empobrecida de portadores contigua a la zona del gate.
Por lo tanto esta capacidad depende fuertemente de la tensión drain -
source, aproximándose al valor de Cgs a tensión UDS = 0 y
disminuyendo rápidamente con UDS creciente. Con tensión UDS del
orden de la tensión UGS de comando del MOSFET (10-15V) la
capacidad es ya de 30 a 40 veces menor que con UDS ≈ 1V
 A efectos de estudiar la conmutaci´on la capacidad Cgd puede
modelarse como en la figura Se asume que Cgd tiene un valor Cgd1
para tensiones mayores que la tensión de comando de gate (llave
todavía abierta) y un valor Cgd2 mucho mayor para tensiones menores
que UGS de comando (llave cerrándose) (Mohan et al. 1995).
 Variación de las capacidades con la tensión UDS
 La capacidad drain - source Cds disminuye levemente con la tensi´on
pero con mucho menor pendiente que Cgd. Cds no interviene
directamente en el proceso de encendido y apagado. Si debe ser tenida
en cuenta para el dimensionado de circuitos de protección (snubbers) ya
que es la que entra en resonancia con inductancias de fugas de
transformadores o de de conductores y determina por lo tanto los
circuitos de amortiguación de oscilaciones, por ejemplo en el apagado,
cuando la tensión UDS llega al máximo y la corriente se anula.
CAPACIDADES EQUIVALENTES
Los fabricantes dan valores de capacidades medidos en determinadas
condiciones. Se indican valores de la capacidad de entrada Ciss, la capacidad
de salida en source com´un Coss y la capacidad de transferencia inversa Crss
(a veces llamada capacidad Miller). En las hojas de datos figuran esos valores
a UDS ≈ 25V y las curvas de variación con la tensión UDS. Las capacidades
del fabricante se pueden expresar en función de las capacidades del dispositivo
de la siguiente forma:
Las medidas se realizan a 1MHz, entre los electrodos a cortocircuitar se pone
un condensador de capacidad suficientemente grande como para que
represente un cortocircuito a esa frecuencia. De esa forma se puede estudiar la
dependencia con la tensiona UDS. Ciss es la capacidad vista por el circuito de
comando de gate del MOSFET. Crss es la capacidad a través de la cual la
variación de tensión UDS durante las transiciones influye en la tensiona de
gate, produciéndose una realimentación llamada ”efecto Miller”. Coss es la
capacidad vista por el circuito externo de potencia, y es la que interactúa con
los dem´as componentes parásitos, por ejemplo produciendo oscilaciones con
las inductancias al subir la tensiona y anularse la corriente en el apagado. En el
estudio de la conmutación se utilizaran los valores del dispositivo Cgs y Cgd.
La capacidad Cds no interviene en la conmutación.
MODELOS DEL MOSFET DURANTE LA CONMUTACION
En las transiciones entre bloqueo y conducción el MOSFET pasa en forma
transitoria por la zona activa o de saturación. En conducción es una resistencia
y en bloqueo un diodo en inverso (aproximadamente). Durante el transito por la
zona de saturación se comporta como una fuente de corriente dependiente de
la tensión UGS. Este comportamiento influye en la tensi´on de gate durante la
conmutación. En la figura (Mohan et al. 1995, adaptado de) se presentan los
modelos que se adoptan para los distintos estados.
 TIRISTORES CONTROLADOS POR MOS
Es una mejora sobre un tiristor con un par de MOSFET para encender y apagar
actual. El MCT por sus siglas en inglés supera varias de las limitaciones de los
dispositivos existentes de poder y promete ser un cambio mejor para el futuro.
Si bien hay varios dispositivos en la familia MCT con distintas combinaciones
de canales y estructuras de la puerta.
ENCENDIDO Y APAGADO DE LOS MCT
Cuando el MCT está en estado de bloqueo directo, que puede ser activado
mediante la aplicación de un pulso negativo a su puerta con respecto al ánodo.
El impulso negativo se convierte en el PMOSFET (On-FET), cuya fuga de
corriente a través de la unión base-emisor de Q1 (PNP) con lo que la enciende.
La acción regenerativa en Q1 Q2 ÿ convierte la conducción en MCT on
completo dentro de un tiempo muy corto y la mantiene incluso después del
pulso de entrada se elimina. El MCT se enciende sin una fase plasmaspreading
dando una alta capacidad de dI = dt y la facilidad de protección contra la
sobretensión. La resistencia en estado de MCT es ligeramente superior a la de
un tiristor equivalente debido a la degradación de la eficiencia de la inyección
de N? emisor = p-base de la unión. Además, la corriente de pico MCT es
mucho más alto que el promedio o calificación de la corriente eficaz. MCT se
mantendrá en el estado ON hasta que la corriente se invierte el dispositivo o un
pulso a su vez-off se aplica a su puerta. La aplicación de un impulso positivo a
su puerta se apaga la realización de un MCT. El impulso positivo se convierte
en el NMOSFET (Off-FET), desviando así la base de Q2 (PNP) hacia el ánodo
de la MCT y la ruptura del enganche de la acción SCR. Esto evita que la
realimentación en el SCR y apaga la MCT. Todas las células dentro del
dispositivo se apaga al mismo tiempo para evitar un súbito aumento en la
densidad de corriente. Cuando el FET Off-están activados, la sección de SCR
es muy corto y esto se traduce en una alta dV dt = calificación de la MCT. La
corriente más alta que se puede apagar con la aplicación de un sesgo de la
puerta se llama controlable corriente máxima. El MCT se puede controlar la
puerta si el actual dispositivo es menor que el actual máximo controlable. Para
corrientes de dispositivo más pequeño, el ancho del pulso de apagado no es
crítico. Sin embargo, para las grandes corrientes, el pulso de la puerta tiene
que ser más amplia y más a menudo tiene que ocupará la totalidad del tiempo
de parada del interruptor.