Transistor de efecto campo (FET) El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una familia de transistores

que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor es decir aplicando un campo elctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea mono cristalina semiconductora como la regin activa o canal. Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (MetalInsulator-Semiconductor FET).

Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos. As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados extenssimamente en electrnica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.

El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs de modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el caso de FETs en modo agotamiento. Los transistores de efecto de campo tambin son distinguidos por el mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta.

Comparativa de las grficas de funcionamiento (curva de entrada o caracterstica I-V y curva de salida) de los diferentes tipos de transistores de efecto de campo. CARACTERISTICAS: Dispositivo unipolar: un nico tipo de portadores de carga (portadores mayoritarios) Ocupa menos espacio en un circuito integrado que el bipolar (grandes ventajas para aplicaciones de microelectrnica) Gran impedancia de entrada Menos afectado que el BJT por diferentes fuentes de ruido Carece de tensin umbral (JFET y MOSFET empobrecido) Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M). No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza como conmutador (interruptor). Hasta cierto punto es inmune a la radiacin. Es menos ruidoso. Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica.

Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja.

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo. Combinacin de portadores. Puesto que hay una tensin positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirn desde el surtidor al drenador (o viceversa segn la configuracin del mismo), aunque hay que notar que tambin fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unin canal puerta, esta polarizado inversamente. En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batera y los electrones del material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma. Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta VDS aumenta una regin con empobrecimiento de cargas libres

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalacin de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos. Elementos o terminales. Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar. La figura muestra el croquis

de un FET con canal N

Smbolos grficos para un FET de canal N

Smbolos grficos para un FET de canal P Fundamento de transistores de efecto de campo: Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de electrones. Su estructura y representacin se muestran en la tabla. Modelo de transistor FET canal n

Modelo de transistor FET canal p

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta estn polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturacin de la unin PN.La zona n (en el FET canal n) es pequea y la amplitud de la zona de deplexin afecta a la longitud efectiva del canal.

La longitud de la zona de deplexin y depende de la tensin inversa (tensin de puerta). Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parmetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rdson), y distintos valores de VGS. ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la caracterstica V-I (se trata de un dispositivo simtrico).

La operacin de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de CANAL N, lo que significa que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario.

TIPOS DE TRANSISTORES FET: El transistor de efecto de campo de unin o JFET o JFET de canal N o JFET de canal P El transistor metal-xido semiconductor MOSFET o Mosfet de acumulacin

o Mosfet de deplexin 1) Transistores JFET:

D G S
Canal N
G - Puerta (GATE) D - Drenador (DRAIN) S - Surtidor o fuente (SOURCE) Caractersticas de un JFET de unin:

D G S
Canal P

La corriente de drenador se controla mediante tensin (a diferencia de los transistores bipolares donde se controla la corriente de colector mediante la corriente de base) La unin puerta-fuente se polariza en zona inversa y existe un valor lmite de UGS a partir del cual el canal se cierra y deja de pasar corriente de drenador Entre drenador y fuente el JFET se comporta como una resistencia o una fuente de corriente dependiendo de la tensin UDS. Aplicaciones tpicas: amplificadores de audio y de radiofrecuencia Estructura interna de un JFET
D
D

D G S
G P N S P
G N P S N

D G S

Canal N

Canal P

Funcionamiento en conmutacin del JFET

R D I D V C C
+

ID UGS(B)
B

U D S U G S

UGS(A) UDS

UGS

UDS V CC
A B

Aplicando una onda cuadrada en los terminales U como un interruptor.

GS

se puede conseguir que el JFET acte

1) Transistores MOSFET:
D
D
D

G S

G S

G S

G S

Canal N

Canal P

Canal N

Canal P
MOSFET deplexin

MOSFET acumulacin G - Puerta (GATE) D - Drenador (DRAIN) S - Surtidor o fuente (SOURCE)

Caractersticas de los transistores MOSFET:

La corriente de drenador se controla mediante la tensin UGS En los MOSFET de acumulacin a partir de un cierto valor umbral de UGS se forma el canal y puede circular la corriente de drenador. En los MOSFET de deplexin una difusin adicional permite la circulacin de la corriente de drenador incluso para tensin UGS nula Aplicaciones tpicas: convertidores y accionadores electrnicos de potencia, etapas amplificadoras, circuitos digitales,... Estructura y funcionamiento de un MOSFET de acumulacin de canal N
G D N N S

Metal Oxido (aislante) Semiconductor

P SUSTRATO

Normalmente el terminal de SUSTRATO se encuentra conectado con el surtidor Al aplicar tensin positiva U
GS

los electrones libres de la zona P (sustrato) son

atrados hacia el terminal de puerta. Por efecto del campo elctrico se forma un canal de tipo n (zona rica en electrones) que permite el paso de la corriente entre drenador y surtidor.

 APLICACIONES DE LOS FET: APLICACIN Aislador o separador (buffer) Amplificador de RF Mezclador PRINCIPAL VENTAJA Impedancia de entrada alta y de salida baja Bajo ruido USOS Uso general, equipo de medida, receptores Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones Receptores de FM y TV,equipos para comunicaciones Receptores, generadores de seales Instrumentos de medicin, equipos de prueba Amplificadores de cc, sistemas de control de direccin Amplificadores operacionales, rganos electrnicos, controlas de tono Audfonos para sordera, transductores inductivos Generadores de frecuencia patrn, receptores Integracin en gran escala, computadores, memorias

Baja distorsin de intermodulacin Amplificador con CAG Facilidad para controlar ganancia Amplificador cascodo Baja capacidad de entrada Ausencia de deriva Troceador Resistor variable por voltaje Amplificador de baja frecuencia Oscilador Circuito MOS digital Conclusiones: Se controla por voltaje Capacidad pequea de acoplamiento Mnima variacin de frecuencia Pequeo tamao

Los transistores FET realizan la funcin de control de la corriente, comn a todos los transistores por ser caracterstica bsica, mediante una tensin aplicada en uno de sus terminales. Estn construidos con una zona semiconductora tipo P o N que une dos de sus tres terminales. El comportamiento de los transistores de efecto de campo se caracteriza por sus curvas caractersticas en las que se representa la corriente que entra o sale por el Drenador en funcin de la tensin aplicada entre ste y la Fuente.