Examen Analogica1

PRIMER EXAMEN PARCIAL DE ANALOGICA
ALUMNO:____________________________________________FECHA:____________________
GRUPO:______________________ACIERTOS:___________CALIFICACION:_______________
APARTADO I
1. Cada elemento conocido tiene:
(a) El mismo tipo de tomos
(c) Un tipo nico de tomo
(b) El mismo nmero de tomos
(d) Varios tipos diferentes de tomos
2. Un tomo est compuesto por
(a) Un ncleo y slo un electrn
(c) Protones, electrones y neutrones
(b) Un ncleo y uno o ms electrones

(d) Respuestas b) y c)
3. El ncleo de un tomo est compuesto por

(a) Protones y neutrones
(b) Electrones
(c) Electrones y protones
(d) Electrones y neutrones
4. Los electrones de valencia estn
(a) En la rbita ms cercana al ncleo
(c) En varias rbitas alrededor del ncleo
5. Un ion positivo se forma cuando
(a) Un electrn se escapa del tomo
(c) Dos tomos se enlazan entre s
(b) En la rbita ms distante del ncleo

(d) No asociados con un tomo particular
(b) Hay ms huecos que electrones en la rbita externa
(d) Un tomo adquiere un electrn de valencia extra
6. El material semiconductor ms utilizado en dispositivos electrnicos es el

(a) Germanio
(b) Carbn
(c) Cobre
(d) Silicio
7. La diferencia entre un aislante y un semiconductor es

(a) Una banda prohibida ms amplia entre la banda de valencia y la banda de conduccin
(b) El nmero de electrones libres
(c) La estructura atmica
(d) Respuestas a), b) y c)
8. La banda de energa en la cual existen los electrones libres es la
(a) Primera banda
(b) Segunda banda
(c) Banda de conduccin
(d) Banda de valencia
10. El nmero atmico del silicio es

(a) 8
(b) 2
(c) 4
(d) 14
11. El nmero atmico del germanio es

(a) 8
(b) 2
(c) 4
(d) 32
12. El valor promedio de un voltaje rectificado de media onda con valor pico de 200 V es:
(a) 63.7 V
(b) 127.3 V
(c) 141 V
d) 0 V

13. Cuando se aplica un voltaje senoidal a 60 Hz a la entrada de un rectificador de media onda, la
frecuencia de salida es:
(a) 120 Hz
(b) 30 Hz
(c) 60 Hz
(d) 0 Hz
14. El valor pico de la entrada a un rectificador de media onda es 10 V. El valor pico aproximado de la
salida es:
(a) 10 V
(b) 3.18 V
c) 10.7 V
(d) 9.3 V
15. El valor promedio de una voltaje rectificado de onda completa con valor pico de 75 V es:
(a) 53 V
(b) 47.8 V
c) 37.5 V
(d) 23.9 V
16. Cuando se aplica un voltaje senoidal a 60 Hz a la entrada de un rectificador de onda completa, la
frecuencia de salida es:
(a) 120 Hz
(b) 60 Hz
(c) 240 Hz
(d) 0 Hz
17. El voltaje total del secundario en un rectificador de onda completa con derivacin central es de 125
Vrms. Despreciando la cada de voltaje, el voltaje de salida rms es:
(a) 125 V
(b) 177 V
(c) 100 V
(d) 62.5 V
18. Cuando el voltaje de salida pico es de 100 V, el PIV en cada diodo es un rectificador de onda
completa con derivacin central (despreciando la cada de diodo) es:
(a) 100 V
(b) 200 V
(c) 141 V
(d) 50 V
19. En un semiconductor intrnseco
(a) No hay electrones libres
(c) Slo hay huecos
(b) Los electrones libres son producidos trmicamente

(d) Hay tantos electrones como huecos
20. El proceso de agregar impurezas a un semiconductor intrnseco se llama

(a) Dopado
(b) Recombinacin
(c) Modificacin atmica
(d) Ionizacin
21. Se agregan impurezas trivalente al silicio para crear

(a) Germanio
(c) Un semiconductor tipo n
(b) Un semiconductor tipo p

d) Una regin de empobrecimiento
22. El propsito de una impureza pentavalente es

(a) Reducir la conductividad del silicio
(c) Incrementar el nmero de electrones libres
(b) Incrementar el nmero de huecos

(d) Crear portadores minoritarios
21. Los portadores mayoritarios en un semiconductor tipo n son

(a) Huecos
(b) Electrones de valencia
(c) Electrones de conduccin
(d) Protones
22. Los huecos en un semiconductor tipo n son
(a) Portadores minoritarios producidos trmicamente
(b) Portadores minoritarios producidos por dopado
(c) Portadores mayoritarios producidos trmicamente
(d) Portadores mayoritarios producidos por dopado

23. Se forma una unin pn mediante
(a) La recombinacin de electrones y huecos
(c) El lmite de un material tipo n y uno tipo p
(b) Ionizacin
(d) El choque de un protn y un neutrn
24. Para polarizar en directa un diodo

(a) Se aplica un voltaje externo positivo en el nodo y negativo en el ctodo
(b) Se aplica un voltaje externo negativo en el nodo y positivo en el ctodo
(c) Se aplica un voltaje externo positivo en la regin p y negativo en la regin n
(d) Respuestas a) y c)
25. Cuando un diodo est polarizado en directa
(a) La nica corriente es la de huecos
(b) La nica corriente es la de electrones
(c) La nica corriente es la producida por los portadores mayoritarios
(d) La corriente es producida tanto por los huecos como por los electrones
APARTADO II
1.- Describa el funcionamiento de un diodo
2.- Dibuje el circuito de polarizacin directa e inversa del diodo
3.-Determine el voltaje y la corriente en RL y dibuje la

forma de onda resultante en el ciclo positivo y negativo
4.-(a) Qu tipo de circuito es?

(b) Cul es el voltaje pico total del secundario?
(c) Determine el voltaje pico a travs de cada
seccin del secundario.
(d) Trace la forma de onda de voltaje a travs de R L .
(e) Cul es la corriente pico a travs de cada diodo?
(f) Cul es el voltaje de pico inverso para cada diodo?
5.- Qu tipo de circuito es?
Determine el voltaje pico de salida
qu voltaje de pico inverso nominal se requiere
para los diodos?
Se especifica que el transformador tiene un voltaje
rms de 12 V en el secundario para los 120 V estndar
a travs del primario

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PRIMER EXAMEN PARCIAL DE ANALOGICA

(b) Un ncleo y uno o ms electrones

3. El ncleo de un tomo est compuesto por

(b) En la rbita ms distante del ncleo

6. El material semiconductor ms utilizado en dispositivos electrnicos es el

7. La diferencia entre un aislante y un semiconductor es

(d) Banda de valencia

10. El nmero atmico del silicio es

11. El nmero atmico del germanio es

PRIMER EXAMEN PARCIAL DE ANALOGICA

(b) Los electrones libres son producidos trmicamente

20. El proceso de agregar impurezas a un semiconductor intrnseco se llama

21. Se agregan impurezas trivalente al silicio para crear

(b) Un semiconductor tipo p

22. El propsito de una impureza pentavalente es

(b) Incrementar el nmero de huecos

21. Los portadores mayoritarios en un semiconductor tipo n son

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3.-Determine el voltaje y la corriente en RL y dibuje la

4.-(a) Qu tipo de circuito es?

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