1. a. Bestimmen Sie anhand der Eigenschaften von Abbildung 2.

147 ID, VD und VR für

die Schaltung von Abbildung 2.147a.

B. Wiederholen Sie Teil (a) mit dem Näherungsdiodenmodell und vergleichen Sie die
Ergebnisse.

C. Wiederholen Sie Teil (a) mit dem idealen Diodenmodell und vergleichen Sie die
Ergebnisse.

a)

E
ID=
R

8V
ID=
0.33 kΩ

ID=24.24 mA

VD=0.92 V
VR=E−VD
VR=8V −0.92 V
VR=7.08 V
b)
VD=0.7 V
VR=E−VD
VR=8−0.7 V
VR=7.3 V
c)
VD=0
VR=E−VD
VR=8−0 V
VR=8V

Für (a) und (b) liegen die Spannungspegel der Dioden ziemlich nahe
 beieinander. Die Pegel in Teil (c) liegen einigermaßen nahe beieinander, sind
aber aufgrund des angelegten Spannungspegels E erwartungsgemäß.

2. a. Bestimmen Sie anhand der Kennlinien von Abb. 2.147b ID und VD für die
Schaltung von Abb. 2.148.

B. Wiederholen Sie Teil (a) mit R = 0,47 k

C. Wiederholen Sie Teil (a) mit R = 0,18 k

D. Liegt der VD-Pegel jeweils relativ nahe bei 0,7 V? Wie vergleichen sich die
resultierenden ID-Stufen? Kommentieren Sie entsprechend.

Zu)

VD=5 V

E
ID=
R
 5V
ID=
2.2 kΩ

ID=2.27 mA

Gemäß der Grafik in Abbildung b) beträgt der Strom 2 mA und die Spannung 0,7 V

B)

E
VD=5 V ID=
R

5V
ID=
0.47 kΩ

ID=10.64 mA

Gemäß der Grafik in Abbildung b) beträgt der Strom 9 mA und die Spannung 0,8 V

C)

E
VD=5 V ID=
R

5V
ID=
0.18 kΩ

ID=27.78 mA

Gemäß der Grafik in Abbildung b) beträgt der Strom 22,5 mA und die Spannung 0,93 V

Die resultierenden Werte der Spannung an der Diode liegen recht nahe beieinander,
während die Diodenströme zwischen 2 mA und 22,5 mA liegen.

3. Bestimmen Sie den Wert von R für die Schaltung in Abbildung a, der einen Strom
von 10 mA durch die Diode erzeugt E=7 V . Verwenden Sie für die Diode die
Eigenschaften aus Abbildung b.
Abbildung a. Schaltkreis

Abbildung b. Diodeneigenschaften

Daten:

E=7 V

Corriente en el diodo I D 1 =10 mA

R=?[Ohms ]

Lösung:

10 mA caracteriticas voltaje del diodo 0.7 V Und Vd=7 [V ]

Abbildung c. Spur der Lastlinie und des Betriebspunktes

A=( 0.7 , 10 ) B=(7 ,0)

m=−1.6

Ec . Recta de carga ID=−1.6 ( VD ) +11.2

Ec . Recta de carga ID=−1.6 ( VD ) +11.2

Kreuzungspunkt zwischen (ID und VD)

E
para VD=0 ID=11.2 mA=
R

Wir berechnen den Widerstand

E
ID=11.2mA=
R

7V
R= =0.625[ KΩ]
11.2mA

4. a) Mit den ungefähren Eigenschaften der Si-Diode. bestimmen V D , I D y V R für

die Schaltung in der Abbildung.
b) Führen Sie die gleiche Analyse von Teil (a) mit dem idealen Modell für die
Diode durch
c) Ergeben sich aus den in den Teilen (a) und (b) erzielten Ergebnissen, dass das
ideale Modell unter bestimmten Bedingungen eine gute Annäherung an die
tatsächliche Reaktion sein kann?

Lösung

Daten:

E=30 V

Voltaje de diodo Si 0.7 V

R=2.2[KΩ]
 a) I D =I R
L .V . K
−30 V +0.7 V + I R R=0

29.3 V
I R= =13.318 [mA ]
2.2 [KΩ]
V D=0.7 [V ]
V R=I R∗R

V R=( 13.318 [ mA ] )∗( 2.2 [ KΩ ] )

V R=29.03 [ V ]

Voltaje de diodo ideal 0 V

b) I D =I R
L .V . K
−30 V +0 V + I R R=0

30 V
I R= =13.636 [mA ]
2.2 [KΩ]
V D=0 [V ]
V R=I R∗R

V R=( 13.636 [ mA ] )∗( 2.2 [ KΩ ] )

V R=30 [ V ]

c) Wenn in Abschnitt (b) angegeben, beträgt der Verbrauch der Diodenspannung

0 und der Strom ist gleich, daher liegen sie ziemlich nahe beieinander
5. Bestimmen Sie den Strom I für jede der Konfigurationen in Abbildung 2.150 unter
Verwendung des äquivalenten Diodenmodells .
Zu)

I =0 mA (Sperrvorgespannte Diode)

B)

V 20 Ω=20V −0.7 V =19.3 V (LVK)

19.3V
I= =0.965 A
20 Ω

C)

10V
I= =1 A
10 Ω

6. BestimmenV o Und I D für die Netzwerke der Abbildung 2.151

Zu)

(LVK) −5 V +0.7 V −V o=0

V o =−4.3 V

|V o| 4.3 V
I R =I D = = =1.955 mA
R 2.2 K Ω

B)

8 V −0.7 V
I D= =1.24 mA
1.2 K Ω+4.7 K Ω
 V o =V 4.7 k Ω +V D =( 1.24 mA ) ( 4.7 K Ω )+ 0.7 V =6.53 V

7. Bestimmen Sie das Niveau vonV o für jedes der Netzwerke in Abbildung 2.152

Zu)

2 K Ω ( 20V −0.7 V −0.3 V )

V o=
2 K Ω+ 2 K Ω

1 1
¿ ( 20 V −1 V )= ( 19 V )=9.5V
2 2

B)

( 10V + 2V −0.7 V ) 11.3V

I= = =1.915 mA
1.2 K Ω+4.7 K Ω 5.9 k Ω
'
V =IR=( 1.915 mA ) ( 4.7 K Ω ) =9 V
'
V o =V −2V =9 V −2V =7 V

8. Bestimmen Sie Vo und ID für die Netzwerke in Abbildung 2.153.

a) Thevenin-Ersatzschaltbild

Vth=I . R

Vth=( 10 mA ) ( 2.2 k )

Vth=22V
 Rth=2.2 k

22 V −0.7 V
Id=
2.2 k +1.2 k

Id=6.26 mA

Vo=Id . R

Vo=(6.26 mA)(1.2 k )

Vo=7.51V

b)
20 V +5 V −0.7 V
Id=
6.8 k

Id=3.58 mA

Vo−0.7 V +5 V =0
Vo=−4.3 V
9. Bestimmen Sie Vo1 und Vo2 für die Netzwerke in Abbildung 2.154.

a)
Vo 1=12 V −0.7 V
Vo 1=11.3 V
Vo 2=0.3V
b)
Vo 1=−10 V +0.3 V + 0.7 V
Vo 1=−9V

10V −0.7 V −0.3V

I=
1.2 k +3.3 k
I =2 mA
Vo 2=−(2 mA )(3.3 k )

Vo 2=−6.6 V

2.4 Parallele und seriell-parallele Konfigurationen

10. Bestimmen Sie Vo und ID für die Netzwerke in Abbildung 2.155.

a)
20 V −0.7 V
I 4.7 k =
4.7 k
I 4.7=4.1 mA

4.1mA
Id=
2
Id=2.05 mA

Vo=20 V −0.7 V
Vo=19.3V

b)
15 V +5 V −0.7 V
Id=
2.2 k
Id=8.77 mA

Vo=15 V −0.7 V
Vo=14.3V
*11. Bestimmen Sie Vo und I für die Netzwerke der Abb. 2.156

a) Die Germanium-Diode ist „ein“ und verhindert das Einschalten der Silizium-Diode:
10V −0.3 V 9.7 V
I= I=
1k Ω 1k Ω
I =9.7 mA
b)

16 V −0.7 V −0.7 V −12 V 2.6 V

I= I=
4.7 k Ω 4.7 k Ω
I =0.553 mA
 Vo=12V +(0.553 mA )(4.7 k Ω)

Vo=14.6 V

12. Bestimmen Sie Vo1, Vo2 und I für das Netzwerk in Abbildung 2.157.

V O 1=0.7 V ,V O 2 =0.3 V

20 V −0.7 V
I 1 k Ω=
1k Ω
 19.3V
I 1 k Ω=
1k Ω

I 1 k Ω=19.3 mA

0.7 V −0.3V
I 0.47 K Ω=
0.47 k Ω
0.5 V
I 0.47 K Ω=
0.47 k Ω

I 0.47 K Ω=0.851 mA

I D =I 1k Ω−I 0.47 K Ω

I D =19.3 mA−0.851mA

13. Bestimmen Sie Vo e I D für die Netzwerke der Abbildung 2.158.

 2 k Ω ( 10 V −0.7 V )
V 0=
1 k Ω+2 k Ω

2 k Ω ( 9.3 V )
V 0=
3k Ω

V 0=6.2V

6.2V
I 2 k Ω=
2k Ω

I 2 k Ω=3.1 mA

I 2k Ω
I D=
2k Ω

3.1 mA
I D=
2k Ω

I D =1.55 mA
14. Bestimmen Sie Vo für das Netzwerk aus Abbildung 2.39 mit 0 V an beiden
Eingängen.

Für den Betrieb der Dioden ist keine Spannung erforderlich, sie funktionieren nicht und
Vo=0
fünfzehn. Bestimmen Sie Vo für das Netzwerk aus Abb. 2.39 mit 10 V an beiden
Eingängen.
 Vo=10−0 ,7

Vo=9 , 3

Beide Dioden funktionieren

16. Bestimmen Sie Vo für das Netzwerk aus Abb. 2.42 mit 0 V an beiden Eingängen.

Vo=0.7 V

Beide Dioden funktionieren

17 . Bestimmen Sie Vo für das Netzwerk aus Abb. 2.42 mit 10 V an beiden Eingängen.

V o =10V

Beide Dioden funktionieren nicht

18 . Bestimmen Sie Vo für das negative logische ODER-Gatter von Abb. 2.159.
 V o =−5 V + 0 ,7 V

V o =−4 ,3 V

Die Si-Diode mit -5 V an der Kathode arbeitet, während die andere nicht funktioniert.

19. Bestimmen Sie Vo für das negative logische UND-Gatter von Abb. 2.160.

V o =0 V −0 , 7 V

V o =−0 , 7 V

20. Bestimmen Sie den Vo-Pegel für das Gate in Abb. 2.161

Vo=+10 V
Da an allen Anschlüssen im System 10 V anliegen, kann an keiner der Dioden die
erforderliche Differenz von 0,7 V hergestellt werden. Daher sind beide Dioden „aus“
und Vo = +10 V, wie durch die 10-V-Versorgung festgelegt, die an den 1-kΩ-Widerstand
angeschlossen ist

21. Bestimmen Sie Vo für die Konfiguration von Abb. 2.162

Vo=5V −0.3 V

Vo=4.7 V

Die Si-Diode benötigt zum Einschalten eine höhere Klemmenspannung als die Ge-
Diode. Gehen Sie daher bei 5 V an beiden Eingangsanschlüssen davon aus, dass die Si-
Diode „aus“ und die Ge-Diode „ein“ ist.
22. Unter der Annahme einer idealen Diode zeichnen Sie vi, vd und id für den
Einweggleichrichter aus Abb. 2.163 auf. Der Eingang ist eine Sinuswellenform mit
einer Frequenz von 60 Hz.

Vdc=0.318 Vm

Vdc
Vm=
0.318

2V
Vm= V
0.318

Vm=6.28 V

Vm
ℑ=
R

6.28
ℑ=
2.2 KΩ

ℑ=2.85 mA
23. Wiederholen Sie Aufgabe 22 mit einer Siliziumdiode (VK = 0,7 V)

24. Wiederholen Sie Aufgabe 22 mit einer Last von 6,8 k, wie in Abbildung 2.164
dargestellt. Zeichnen Sie vL und iL.

25. Für das Netzwerk von Abbildung 2.166; Verfolge vo und bestimme Vcd

26.- Zeichnen Sie für das Netzwerk in Abbildung 2.166 V 0 e I R

 V 0=V 10k

V 10 k =0.7 V

V 0=0.7 V

−10+0.7 +1k I =0

−9.3+1 k I =0

1k I =9.3

9.3
I=
1k

I =9.3 m A

27.- a. Dadaist Pmax =14 mW Bestimmen Sie für jede der Dioden in Abbildung 2.167
die maximalen Nennströme jeder Diode (unter Verwendung des ungefähren
äquivalenten Modells).

B. Bestimmen I max für V imax=160 V

C. Bestimmen Sie den Strom durch jede Diode inV imax Verwendung der Ergebnisse
von Teil (b)

D. Wenn nur eine Diode vorhanden ist, bestimmen Sie den Strom durch diese und
vergleichen Sie ihn mit den maximalen Nennwerten.
 a)
¿ Pmax =14 mW = ( 0.7 V ) I D

14 mW
I D=
0.7 V

I D =20 mA

B)

4.7 k∗56 k
4.7 k + 56 k

¿ 4.34 k

V R=160 V −0.7 V

V R=159.3

159.3 V
I max=
4.34 k

I max=36.71mA

C)

I max
I diode =
2

I 36.71V
diode=¿ ¿
2

I diode=¿ 18.36mA ¿

29.- Ein Vollweggleichrichter in Brückenkonfiguration mit einem 120-V-Effektiv-

Sinuseingang verfügt über einen 1-kOhm-Lastwiderstand.
Zu. Welche Spannung steht bei Verwendung von Siliziumdioden an der Last zur
Verfügung?

B. Bestimmen Sie den PIV-Wert jeder Diode.

C. Ermitteln Sie den maximalen Strom, der während der Leitung durch jede Diode
fließt.

D. Wie hoch ist die erforderliche Nennleistung jeder Diode?

Zu)

V M =❑√ 2 ( 120 V )=169.7 V

V i=V i −2V D

V i=169 V −2(0.7 V )

V i=168.3 V

V dc =0.636 (168.3 V )

V dc =107.4 V

B)

PIV =V i+V D

PIV =168.3 V + 0.7V

PIV =169 V

C)

Vi
I D (max )=
R

168.3V
I D (max )=
1k
 I D (max )=168.3 mA

D)

Pmax =V D I D

Pmax =( 0.7 V ) ( 168.3 mA )

Pmax =117.81 mW

29. Bestimmen Sie vo und den Nennwert von PIV für jede der Dioden in der
Konfiguration von Abbildung 2.168.

Positiv negativ

Vi−0 , 7+VR−0 ,7=0 Vo=−2Vo−Vi

Vi=−2Vo−Vo Vo=−100

VR=−Vi+1 , 4 PIV ≥Vm=100

VR=−Vi PIV auf jeder Diode

Vo=−100

PIV ≥Vm=100

PIV auf jeder Diode

30. Zeichnen Sie vo für das Netzwerk aus Abb. 2.169 und bestimmen Sie die
verfügbare Gleichspannung.

Positiv negativ

2.2 K∗Vi 2.2 K∗Vi

Vo¿ =50V Vo= =50 V
2.2 K +2 , 2 K 2.2 K +2 , 2 K

VCD=0,318 ( 2 ) ¿ENTWEDER)

VCD=31 , 8V
31. Zeichnen Sie vo für das Netzwerk aus Abb. 2.170 und bestimmen Sie die
verfügbare Gleichspannung.

Positiv

2.2 K (2 ,2 K )
2 , 2 K II 2, 2 K= =1, 1 K
2.2 K + 2, 2 K

Vi=2 ,2 ki+1 , 1 ki

Vi
Ich =
2 ,2 k +1 , 1 k

I =51 ,5 mA

V 1 ,1 k =( 51, 5 m ) (1 , 1 k )=56 ,67 V

V 2 ,2=113 , 33 V

Vo=V 2, 2=56 ,67 V

vcd
 VCD=2 ( 0,318 ) 56 , 67

VCD=36 , 04

32. Bestimmen Sie Vo für jedes der Netzwerke in Abbildung 2.171 mit der gezeigten
Eingabe.

Siliziumdiode.

Analyse nach positivem Halbzyklus

V O =V i
V O =0 V

Analyse nach negativem Halbzyklus

V O −0.7 V +20 V =0
V O =0.7 V −20 V
V O =−19.3 V
ideale Diode

Analyse nach positivem Halbzyklus

V O =V i−5 V
V O =5V −5 V
V O =0 V

Analyse nach negativem Halbzyklus

V O =V i−5 V
V O =−20 V −5 V
V O =−25 V
33. Bestimmen Sie Vo für jedes der Netzwerke in Abbildung 2.172 mit der gezeigten
Eingabe.

a) Abbildung a

Analyse nach positiver Halbwelle, wir berechnen nach Spannungsteilern

1.2 kΩ ( 10 V −0.7 V )
V 0=
1.2 KΩ+2.2 KΩ

V 0=3.8V

Analyse durch negative Halbwelle, Diode offen.

V O =V i
V O =0 V
 b) Abbildung b

Analyse nach positivem Halbzyklus

V O =V i+ 5V −0.7 V

V O =10V + 5V −0.7 V

V O =14.3V
Analyse durch negative Halbwelle, Diode offen.

V O =V i
V O =0 V

34. Bestimmen Sie Vo für jedes der Netzwerke in Abbildung 2.173 mit der gezeigten
Eingabe.
a) Abbildung a

Positive Halbzyklusanalyse, ideale Diode offen.

V O =V i
V O =0 V
Analyse der negativen Halbwelle unter Anwendung des Kirchhoffschen
Spannungsgesetzes.
−5 V +2 V −V O =0
V O =−3 V

b) Abbildung b

Positive Halbzyklusanalyse
V O =V i=20 V
V O =20 V

Negative Halbzyklusanalyse, ideale Diode offen, aber die Ausgangsspannung

beträgt 5 V.

V O =−V i=−5 V
V O =5V
35. BestimmenV O für jedes der Netzwerke in Abbildung 2.174 mit der gezeigten
Eingabe

a) Abbildung a
Analyse des positiven Halbzyklus
V O −0.7 V −4 V =0
V O =0.7 V +4 V
V O =4.7 V
Analyse des negativen Halbzyklus
V O =V i
V O =8 V
Resultierende Welle:
b) Abbildung b

Analyse des positiven Halbzyklus

V O =V Si
V O =0.7

Analyse des negativen Halbzyklus

I R =0
V r =I R∗R
V r =0 V

V O =V i−4 V
V i=0
V O =−4 V

V O + 4 V +8 V =0
V O =−12V
Resultierende Welle:

36. Spuri R UndV O für das Netzwerk von Abbildung 2.175 mit der gezeigten
Eingabe.
Analyse des positiven Halbzyklus
V O −0.7 V −5.3 V =0
V O =0.7 V +5.3 V
V O =6 V

V R +0.7 V +5.3 V −10 V =0

V R=−0.7 V −5.3 V +10 V
V R=4 V

VR 4V
iR = = =0.4 mA
R 10 K Ω

Analyse des negativen Halbzyklus

V O +0.7 V + 7.3V =0
V O =−0.7 V −7.3 V
V O =−8 V

V R−0.7 V −7.3 V +10V =0

V R=+0.7 V +7.3 V −10 V
V R=−2 V

V R −2 V
iR = = =−0.2 mA
R 10 K Ω

Resultierende Welle:
 BHs
37. SpurV O für jedes der Netzwerke in der Abbildung. Mit dem angezeigten
Eintrag.

c) Abbildung a
Analyse des negativen Halbzyklus
V i−V c −0.7 V =0
20−V c =0
−V c =−20+ 0.7
V c =19.3
V O =−0.7 V
Analyse des positiven Halbzyklus
V O −V i−V c =0
V O =20 V + 19.3V
V O =39.3V
Resultierende Welle:

d) Abbildung b

Analyse des negativen Halbzyklus

V O +5 V +0.7 V =0
V O =−5.7 V
 −V i +V c +5 V +0.7 V =0
V c =20 V −5V −0.7 V
V c =14.3 V

Analyse des positiven Halbzyklus

V O −V i−V c =0
V O =20 V + 14.3V
V O =34.3V
Resultierende Welle:

38. SpurV O für jedes der Netzwerke in der folgenden Abbildung mit der gezeigten
Eingabe. Wäre es eine gute Näherung, die Diode in beiden Konfigurationen als ideal
zu betrachten? Weil?

a)
Analyse des negativen Halbzyklus

V O =−0.7 V

120 V −0.7 V −V c =0
V C =120 V −0.7 V
V c =119.3V

Analyse des positiven Halbzyklus

120 V +V c −V O =0
V O =120V + V c
V O =239.3 V

Resultierende Welle:
Abbildung b)
Analyse des positiven Halbzyklus

V O −0.7 V −20 V =0

V O =20.7 V

120 V −V O −V c =0
V C =120 V −V O
V c =99.3V

Analyse des negativen Halbzyklus

120 V +V c +V O=0
V O =−120 V −V c
V O =−219.3 V

Resultierende Welle:
 Es wäre eine gute Näherung, die Berechnungen mit idealen Dioden
durchzuführen, da die Werte nur um 0,7 V variieren würden, das ist die
Spannung, bei der die Siliziumdiode leitet.

39. Für das Netzwerk von Abbildung 2.178 :

a) Berechnen Sie 5t.

b) Vergleichen Sie 5t mit der halben Periode des angelegten Signals.

c) SpurV O .

a) 5 t=5( R)(C)
5 t=(5)(50 K Ω)(0 , 1uF )
5 t=28 ms .
 1 1
b) T = = =1 ms
f 1 KHz
T
5t≫
2
5t ist viel größer als die Hälfte der Periode, daher ist gewährleistet, dass der
Kondensator während der gesamten Periode geladen ist.

c) Analyse des positiven Halbzyklus

V O −0.7 V +2 V =0

V O =0.7 V −2 V
V O =−1.3 V
10 V −V O −V c =0
V C =10 V −V O
V c =11.3V

Analyse des negativen Halbzyklus

10 V +V c +V O=0
V O =−V c −10 V
V O =−21.3 V

Resultierende Welle:

40. Entwerfen Sie ein Befestigungselement, das die in Abbildung 2.179 dargestellte
Funktion erfüllt.
Werde a verwendenV i=20 V und eine ideale Diode, wie sie in der Schaltung zu
sehen ist, um die erforderliche Wellenform zu erhalten.
41. Entwerfen Sie ein Befestigungselement, das die in Abbildung 2.180 dargestellte
Funktion erfüllt
 C3

3.5uF

D3 R3
3.8k
1N4001

BAT3
2V

47. Bestimmen Sie die verfügbare Spannung mit dem Spannungsverdoppler aus
Abbildung 2.118, wenn die Sekundärspannung des Transformators 120 Veff beträgt

Vm=120 vrms

Vm=❑√ 2*120

vm=169.28 v

Vc−vm−Vm=0

Vc=2 Vm

vc=339.4 v

48. Bestimmen Sie die erforderlichen PIV-Werte der Dioden in Abbildung 2.118 als
Funktion des Spitzenwerts der Sekundärspannung Vm
Der PIV für jede Diode beträgt 2 Vm

PIV =2(1.414)(Vrms)

PIV =2.828Vrms