cw3 Pomiary Charakterystyk Elementow Biernych
cw3 Pomiary Charakterystyk Elementow Biernych
cw3 Pomiary Charakterystyk Elementow Biernych
Mikrosystemów i Fotoniki
Politechniki Wrocławskiej
STUDIA DZIENNE
LABORATORIUM
PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Ćwiczenie nr 3
Pomiary charakterystyk elementów biernych
I. Zagadnienia do samodzielnego przygotowania
- pojęcie elementów liniowych i nieliniowych
- budowa i działanie warystora (przykład elementu nieliniowego)
- charakterystyka prądowo-napięciowa warystora
- rezystancje zastępcze prostych obwodów rezystorowych
- zasada wykreślania wypadkowych charakterystyk prądowo-napięciowych elementu
liniowego i nieliniowego połączonych szeregowo i równolegle
Należy wydrukować tabele wyników - są na str. 6.
III. Literatura
1. Notatki z wykładu Technika Analogowa
2. Poradnik Inżyniera Elektronika
3. Andrzej Syrzycki, Elementy i metody analizy obwodów elektrycznych, Oficyna
Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa 2000
1
1. Wprowadzenie
W ćwiczeniu mierzymy zależności prądowo-napięciowe rezystorów, które wykazują
liniową zależność I-U (spełnione jest prawo Ohma) oraz warystorów, które są rezystorami
nieliniowym, czyli wykazują nieliniową zależność I-U. Warystor to element
półprzewodnikowy o rezystancji zależnej od napięcia elektrycznego. Dla małych napięć
wykazuje on dużą rezystancję, jednak gdy napięcie przekroczy pewną wartość,
charakterystyczną dla danego typu warystora, jego rezystancja maleje, z początkowych setek
kΩ do zaledwie kilkunastu Ω. Nazwa warystor (ang. varistor) powstała z fragmentów słów
variable resistor. Można też spotkać określenie Voltage Dependent Resistor, w skrócie VDR.
Zadaniem warystorów jest ochrona wrażliwych elementów i układów elektronicznych
przed niszczącym działaniem krótkotrwałych impulsów napięciowych (przepięć)
przekraczających dopuszczalne wartości chronionych urządzeń. Przepięcia mogą pochodzić
od przełączanych indukcyjności np. silników, przekaźników itp. lub od wyładowań
atmosferycznych i przedostawać się do odbiorników poprzez np. sieć energetyczną lub
poprzez promieniowanie elektromagnetyczne.
Budowa. Warystory są zbudowane z ceramiki na bazie tlenków metali (ang. metal-
oxide varistor - MOV), jak tlenek cynku ZnO z niewielką domieszką tlenków bizmutu,
kobaltu i magnezu. Niektóre starsze wersje warystorów są zbudowane z ziaren węglika
krzemu SiC. Materiały te mają właściwości półprzewodnikowe. Zmielony proszek na bazie
tlenku cynku jest mieszany z odpowiednimi dodatkami, granulowany, prasowany w kształcie
pastylek lub wałków i spiekany. Płaskie powierzchnie są pokrywane, najczęściej metodą
sitodruku, pastami lutowniczymi na bazie srebra, do których następnie dolutowuje się druty
miedziane doprowadzające prąd. Tak uformowana struktura jest następnie pokrywana żywicą
epoksydową. Żywica chroni warystor przed szkodliwymi wpływami otoczenia, a
użytkowników przed porażeniem prądem, gdy warystor jest pod napięciem.
Mikrostruktura i mechanizmy przewodnictwa. Na rysunku 1 pokazana jest
schematycznie mikrostruktura warystora, gdzie widać chaotycznie ułożone ziarna ZnO z
zaznaczonymi granicami ziaren. Średnica ziaren wynosi kilkadziesiąt mikrometrów.
Ponieważ ziarna są ułożone przypadkowo, więc przepływający prąd napotyka na swojej
drodze złącza półprzewodnikowe spolaryzowane przewodząco oraz zaporowo z możliwością
ich przebicia co w efekcie daje symetryczną charakterystykę warystora. W przypadku ZnO
napięcie przebicia złącza na granicy ziaren jest prawie stałe i wynosi 2V - 3V. Mechanizm
przewodnictwa na granicy ziaren nie jest jednoznacznie określony. Istnieje tam wiele
mechanizmów jak np. termoemisja i tunelowanie elektronów z udziałem głębokich poziomów
energetycznych pochodzących od defektów strukturalnych na granicy ziaren.
Parametry i działanie. Podstawowym parametrem warystora jest napięcie
charakterystyczne. Jest to napięcie, powyżej którego następuje gwałtowny spadek jego
rezystancji, co oznacza jednocześnie gwałtowny wzrost prądu. Dokładniej napięcie
charakterystyczne definiuje się jako napięcie, przy którym płynie określony prąd warystora
np. o wartości 1 mA, 10 mA lub 1A zależnie od jego typu.
2
Wartość napięcia charakterystycznego warystora jest pochodną ilości ziaren
połączonych szeregowo i ich wymiarów. Projektowanie tego napięcia dla określonego składu
chemicznego i technologii warystora polega głównie na oszacowaniu potrzebnej grubości
struktury warystora, czyli ilości ziaren połączonych szeregowo zawartych między
elektrodami. W handlu dostępne są warystory o napięciu charakterystycznym od kilku
woltów do 1000 V. Dopuszczalne prądy jakie mogą płynąć przez warystor, czyli prądy nie
powodujące jego zniszczenia, są w przybliżeniu proporcjonalne do powierzchni przekroju
struktury warystora. Tak więc warystory o dużych prądach dopuszczalnych mają znaczne
gabaryty.
I = K Uα
gdzie: K – stała zależna od geometrii warystora, α – opisuje stopień nieliniowości
charakterystyki i zależy od materiału i technologii elementu. Im większa wartość
współczynnika α, która wynosi w praktyce od 15 do 30, tym lepsze właściwości aplikacyjne
warystora. Wartość α w przypadku warystorów ZnO jest znacznie wyższa niż w przypadku
wcześniej opracowanych warystorów SiC. Czasami podawana jest charakterystyka
napięciowo-prądowa (zależność napięcia od prądu) opisana wzorem;
U = C Iβ
gdzie: C – stała zależna od geometrii elementu, stała β nazywana jest
współczynnikiem nieliniowości warystora, β =1/α .
3
Dla elementów z nieliniową charakterystyką I-U definiuje się rezystancję dynamiczną
rd elementu (nazywaną także rezystancją dla prądu zmiennego) wyznaczaną w określonym
punkcie pracy, tzn. dla określonej wartości prądu i napięcia stałego (I,U). Jest to pochodna
zależności U-I obliczona w tym punkcie.
4
Jeśli energia będzie zbyt duża nastąpi nieodwracalne zwarcie w warystorze lub
spalenie bezpiecznika. W obu przypadkach zasilacz zostanie ochroniony. Stanie się to pod
warunkiem, że czas reakcji warystora będzie dostatecznie krótki. Warystory ZnO mają czasy
reakcji niższe niż 20 ns, co jest wartością dostatecznie małą w większości zastosowań.
Podobną funkcję mogą spełniać diody półprzewodnikowe, jednak diody mają zbyt małą moc
rozpraszania i dlatego w tym przypadku znajdują ograniczone zastosowanie.
a) b)
5
2. Pomiary
Pomiary należy wykonać według zamieszczonych schematów, a wyniki wpisać do tabel.
Tak więc, strona ta powinna być zawczasu wydrukowana i dołączona do sprawozdania.
R1 R2 U U1 U2 U2=U×R2/(R1+R2) I
pomiar pomiar pomiar pomiar pomiar obliczone obliczone
6
2.3 Pomiar charakterystyk prądowo– napięciowych (I-U) rezystorów i warystorów
Charakterystyki I-U zmierzyć i wydrukować z użyciem programu komputerowego
„Rejestrator”. Charakterystyki, w układzie współrzędnych liniowych, powinny być
wydrukowane na dwóch kartkach, w zestawieniu podanym niżej.
Jeśli nie ma możliwości zastosowania programu „Rejestrator” charakterystyki należy
zmierzyć metodą techniczną (punkt po punkcie). Obie metody pomiarowe zostały opisane w
instrukcji Ćwiczenia nr 1.
Zmierzyć i wydrukować kolejno następujące charakterystyki:
a) rezystora o podanej wartości rezystancji, np. 10 kΩ
b) warystora
c) obwodu z szeregowo połączonymi rezystorem i warystorem, jak pokazano na rys.7
3. Podsumowanie i wnioski
W tym punkcie należy zwrócić uwagę na zgodność wartości wyliczonych z
wartościami zmierzonymi. Ponadto, w przypadku warystorów połączonych z rezystorami
wyjaśnić przebieg uzyskanych charakterystyk wypadkowych.