Prova 1 - Terceira Chamada Eng c41 - 2017.2

Universidade Federal da Bahia - DEE
Dispositivos Semicondutores – ENG C41

Professora: Ana Isabela Araújo Cunha
Terceira Chamada da Primeira Avaliação – Semestre 20017.2
1) Com relação ao circuito da Fig.1(a), onde VS1 = 4,5 V e VS2 = 1,5 V, determine:
a) A equação da reta de carga relativa ao diodo, em termos do parâmetro R. (Valor: 2,0)

b) O valor de R em ohms de modo que o ponto de operação do diodo, (VD, ID), coincida com
o ponto em que a característica linear por partes ilustrada na Fig.1(b) tangencia a
característica exponencial: iD = 1,24 x 10-8(e20vD – 1) (A). (Valor: 2,0)
2R iD
R + vD - R
inclinação:
0,2 S
VS1 + +VS2
R iD R
0,6 V vD (V)
(a) (b)
Fig.1
2) Diodos exatamente iguais foram utilizados em dois retificadores de onda completa,

um com dois diodos e transformador com derivação central no secundário e outro em
ponte. Sendo a tensão de pico do sinal de entrada igual a 7,0 V, seu período igual a T
e a resistência de carga igual a 115 , foram feitas as seguintes medidas nos dois
circuitos:
Retificador A Retificador B
Período de não condução 0,03188 T 0,06409 T
Tensão de pico na carga 6,0375 V 5,152 V
a) Idenfique dentre os retificadores A e B, justificando, qual é o circuito em ponte e qual é

o circuito com dois diodos e transformador com derivação central. (Valor: 1,0).
b) Determine os parâmetros VD0 e rD da característica linearizada por partes dos diodos.
(Valor: 2,0)
3) Preencha os espaços em branco (Valor de cada espaço: 0,15)
Semicondutores puros se caracterizam por apresentarem iguais _________________ de elétrons

livres e lacunas, uma vez que estes portadores são gerados por quebra de ligações ____________,
portanto aos pares. As lacunas modelam o movimento dos elétrons de _________________.
A dopagem é uma técnica utilizada para aumentar a _________________ do material
semicondutor assim como estabelecer ____________________ de concentração na sua estrutura.
Nos semicondutores dopados com impurezas _________________, o quinto elétron de cada
átomo introduzido é facilmente liberado, tornando-se um portador de carga negativa. Assim,
nestes semicondutores, ditos tipo ____, a concentração de elétrons livres é
____________________ à de lacunas. Nos semicondutores tipo ___, por outro lado, dopados
com impurezas _______________, são as lacunas que predominam. No equilíbrio, o produto das
concentrações dos semicondutores dopados iguala-se ao ______________________ da
concentração intrínseca, que é o produto das concentrações iguais de portadores no semicondutor
______________.
Na vizinhança entre duas regiões de um semicondutor dopadas com impurezas de tipos diversos,
as diferentes concentrações de portadores de cada lado produzem uma corrente de
________________, os elétrons migrando do lado N para o lado P e as lacunas do lado P para o
lado N. Este movimento leva a uma intensa _____________________ no limite entre as duas
regiões, causando o aparecimento da região de ___________________. Nesta região as cargas
dos íons de impurezas doadoras e aceitadoras ficam _____________________ e, por isto, linhas
de campo elétrico se estabelecem entre os dois lados, dirigidas do lado N para o lado P. No
equilíbrio a intensidade deste campo tem a magnitude necessária para frear o movimento difusivo
dos portadores. Em outras palavras, o campo elétrico origina uma corrente de
______________________ com magnitude exatamente igual à primeira e no sentido
________________. A este campo está associada uma elevação do potencial elétrico desde a
borda da região de transição no lado P até a borda no lado N. A ddp é conhecida como
__________________ de potencial e é tão maior quanto maior for a _______________________
de dopantes de qualquer dos lados da junção PN.
Nome: ________________________________________________________________________

Prova 1 - Terceira Chamada Eng c41 - 2017.2

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Prova 1 - Terceira Chamada Eng c41 - 2017.2

Enviado por

Dados do documento

Título original

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Prova 1 - Terceira Chamada Eng c41 - 2017.2

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Universidade Federal da Bahia - DEE

Dispositivos Semicondutores – ENG C41

Terceira Chamada da Primeira Avaliação – Semestre 20017.2

a) A equação da reta de carga relativa ao diodo, em termos do parâmetro R. (Valor: 2,0)

2) Diodos exatamente iguais foram utilizados em dois retificadores de onda completa,

a) Idenfique dentre os retificadores A e B, justificando, qual é o circuito em ponte e qual é

Semicondutores puros se caracterizam por apresentarem iguais _________________ de elétrons

Você também pode gostar