UPEM

Núcleo de Pesquisa em Mecatrônica

CEFET/RJ campus Nova Iguaçu

Eletrônica I
(GELE0631)
Capı́tulo 5
Análise CA do Transistor BJT

Rene Cruz Freire

[email protected]

Centro Federal de Educação Tecnológica Celso Suckow da Fonseca

Campus Nova Iguaçu

8/2023
Sumário
Introdução
Modelagem do Transistor BJT
Modelo re do Transistor
Emissor-comum com Polarização Fixa
Polarização por Divisor de Tensão
Emissor-comum com Polarização do Emissor
Configuração de Seguidor de Emissor
Configuração Base-comum
Configuração com Realimentação do Coletor
Efeito de RL e Rs
Determinação do Ganho de Corrente
Tabelas-Resumo
Conexão Darlington
Introdução

Objetivos do Capı́tulo 5
▶ Familiarizar-se com os modelos re e hı́brido para o
transistor TBJ.
▶ Aprender a usar o modelo equivalente para determinar os
parâmetros CA importantes para um amplificador.
▶ Compreender os efeitos de uma resistência de fonte e um
resistor de carga no ganho global e nas caracterı́sticas de
um amplificador.
▶ Conhecer as caracterı́sticas CA gerais de uma variedade de
importantes configurações com TBJ.
▶ Desenvolver alguma habilidade para solução de problemas
em circuitos amplificadores CA.
Modelagem do Transistor BJT

▶ Um modelo é a combinação de elementos de circuito,

apropriadamente selecionados, que se assemelham tanto
quanto possı́vel ao funcionamento real de um dispositivo
semicondutor sob condições especı́ficas de operação.
▶ Em outras palavras, um modelo é um circuito equivalente
que representa as caracterı́sticas CA do transistor.
▶ Um modelo usa elementos de circuito que se aproximam do
comportamento do transistor.
▶ Existem dois modelos comumente usados na análise CA de
pequenos sinais de um transistor:
▶ re .
▶ Hı́brido equivalente.
Modelagem do Transistor BJT

▶ Capacitores escolhidos com reatância muito pequena na

frequência de aplicação → substituı́dos por baixa
resistência ou curto-circuito.
▶ Remoção da alimentação CC e inserção do equivalente de
curto-circuito para os capacitores.
Modelagem do Transistor BJT

Circuito com transistor

Modelagem do Transistor BJT

Circuito anterior após a remoção da fonte CC e inserção dos

curtos no lugar dos capacitores
Modelagem do Transistor BJT

Circuito circuito redesenhado para análise CA de pequenos

sinais
Modelagem do Transistor BJT

Resumo da obtenção do equivalente CA de um circuito a

trasistor:
1. Fixando-se todas as fontes de tensão CC em zero e
substituindo-as por um curto-circuito equivalente.
2. Substituindo-se todos os capacitores por um curto-circuito
equivalente.
3. Removendo-se todos os elementos em paralelo com os
curtos-circuitos equivalentes introduzidos nas etapas 1 e 2.
4. Redesenhando-se o circuito de um modo mais conveniente e
lógico.
Modelo re do Transistor

Configuração emissor-comum
▶ Substituindo o transistor por uma fonte de corrente
controlada e um diodo.

26mV
Sendo rD =
ID
Modelo re do Transistor

Configuração emissor-comum
▶ Melhorando o circuito equivalente:

Vi Vbe
Zi = =
Ib Ib
Vbe = Ie re = (Ic + Ib )re = (βIb + Ib )re = (β + 1)Ib re
Vbe (β + 1)Ib re
Zi = = = (β + 1)re ∼
= βre
Ib Ib
Modelo re do Transistor

Configuração emissor-comum
▶ Circuito equivalente melhorado:

▶ A impedância vista “entrando” na base do circuito é um

resistor igual a β vezes o valor de re .
▶ Agora os circuitos de entrada e de saı́da estão isolados e
conectados apenas pela fonte controlada — uma forma
muito mais fácil de trabalhar ao analisar circuitos.
Modelo re do Transistor

Configuração emissor-comum
▶ Agora, temos uma representação apropriada para o circuito
de entrada, mas, além da corrente de saı́da do coletor
definida pelo nı́vel de β e IB , não temos uma representação
adequada para a resistência de saı́da (ro ) do dispositivo.
▶ De modo geral, é desejável ter impedâncias de saı́da
elevadas para evitar sobrecarregar o próximo estágio de um
projeto.
▶ Tensão Early: extensão da inclinação das curvas
caracterı́sticas até se cruzarem em um único ponto no eixo
horizontal.
▶ À medida que a corrente de base aumenta, a inclinação da
reta aumenta, o que resulta em uma redução da impedância
de saı́da com um aumento da corrente de base e de coletor.
Modelo re do Transistor

Configuração emissor-comum
Modelo re do Transistor

Configuração emissor-comum
▶ Calculando a impedância de saı́da:
∆V VA + VCEQ
ro = =
∆I ICQ
▶ Como VA >>> VCEQ :
VA
ro ∼
=
ICQ
▶ Quando VA não estiver disponı́vel, ro pode ser determinada
a partir da inclinação de qualquer das curvas
caracterı́sticas.
∆y ∆IC 1 ∆VCE
= = → ro =
∆x ∆VCE ro ∆IC
▶ Geralmente temos 40k Ω ≤ ro ≤ 50k Ω.
Modelo re do Transistor

Configuração emissor-comum
▶ Modelo re para a configuração emissor-comum do
transistor, incluindo os efeitos de ro .
▶ O mesmo modelo é usado para a configuração
coletor-comum.
Modelo re do Transistor

Configuração base-comum
▶ Substituindo o transistor por uma fonte de corrente
controlada e um diodo.
Modelo re do Transistor

Configuração base-comum
▶ Neste caso teremos re = 26mV /IE .
▶ Uma resistência de saı́da ro adicional pode ser determinada
a partir das curvas caracterı́sticas, sendo bastante alta.
Modelo re do Transistor

Configuração base-comum
▶ Circuito equivalente melhorado.
Emissor-comum com Polarização Fixa

▶ A análise CA para pequenos sinais começa com a remoção

dos efeitos de VCC e a substituição dos capacitores CC de
acoplamento C1 e C2 por curtos-circuitos equivalentes.
Emissor-comum com Polarização Fixa

▶ Substituição do modelo re no circuito.

Emissor-comum com Polarização Fixa

▶ Impedância de entrada.
Zi = RB ||βre
Zi ∼= βre para RB ≥ 10βre
▶ Impedância de saı́da.
Zo = RC ||ro
Zo ∼= RC para ro ≥ 10RC
▶ Ganho de tensão.
Vi Vi
Vo = −βIb (RC ||ro ) → Ib = → Vo = −β (RC ||ro )
βre βre
Vo (RC ||ro ) RC
Av = =− =− para ro ≥ 10RC
Vi re re
Emissor-comum com Polarização Fixa

▶ Demonstração do deslocamento de fase 180◦ entre as

formas de onda de entrada e saı́da.
Exemplo 01

1. Para o circuito da figura abaixo:

a) determine re ;
b) determine Zi (com ro → ∞);
c) determine Zo (com ro → ∞);
d) determine Av (com ro → ∞);
e) repita os itens (c) e (d) incluindo ro = 50k Ω em todos os
cálculos e compare os resultados.
Exemplo 01

Solução:
a) Análise CC:
VCC − VBE 12V − 0,7V
IB = = = 24,04µA
RB 470k Ω
IE = (β + 1)IB = 101 · 24,04µA = 2,428mA
26mV 26mV
re = = = 10,71Ω
IE 2,428mA
b) Zi = RB ||βre = 470k Ω||100 · 10,71Ω = 1,07k Ω
c) Zo = RC = 3k Ω
RC 3k Ω
d) Av = − =− = −280,11
re 10,71Ω
e) Zo = ro ||RC = 50k Ω||3k Ω = 2,83k Ω
ro ||RC 2,83k Ω
Av = − =− = −264,24
re 10,71Ω
Polarização por Divisor de Tensão

▶ Remoção dos efeitos de VCC e a substituição dos

capacitores CC de acoplamento C1 e C2 por
curtos-circuitos equivalentes.
Polarização por Divisor de Tensão

▶ Substituição do modelo re no circuito.

Polarização por Divisor de Tensão

▶ Impedância de entrada.
R ′ = R1 ||R2
Zi = R ′ ||βre
▶ Impedância de saı́da.
Zo = RC ||ro
Zo ∼= RC para ro ≥ 10RC
▶ Ganho de tensão.
Vi Vi
Vo = −βIb (RC ||ro ) → Ib = → Vo = −β (RC ||ro )
βre βre
Vo (RC ||ro ) RC
Av = =− =− para ro ≥ 10RC
Vi re re
Exemplo 02

2. Para o circuito da figura abaixo:

a) determine re ;
b) determine Zi (com ro → ∞);
c) determine Zo (com ro → ∞);
d) determine Av (com ro → ∞);
e) repita os itens (b) até (d) incluindo ro = 50k Ω em todos
os cálculos e compare os resultados.
Exemplo 02

Solução:
a) Testando βRe > 10R2
90 · 1,5k Ω > 10 · 8,2k Ω → 135k Ω > 82k Ω (Condição satisfeita)
Utilizando a abordagem aproximada, temos:
R2 8,2k Ω
VB = VCC · = 22V · = 2,81V
R1 + R2 56k Ω + 8,2k Ω
VE VB − VBE 2,81V − 0,7V
IE = = = = 1,41mA
RE RE 1,5k Ω
26mV 26mV
re = = = 18,44Ω
IE 1,41mA
b) Zi = R ′ ||βre = (R1 ||R2 )||βre = (56k Ω||8,2k Ω)||90 · 18,44Ω =
1,35k Ω
c) Zo = RC = 6,8k Ω
Exemplo 02

Solução:
RC 6,8k Ω
d) Av = − =− = −368,76
re 18,44Ω
e) Zi = 1,35k Ω
Zo = ro ||RC = 50k Ω||6,8k Ω = 5,98k Ω
ro ||RC 5,98k Ω
Av = − =− = −324,3
re 18,44Ω
Emissor-comum com Polarização do Emissor

▶ Remoção dos efeitos de VCC e a substituição dos

capacitores CC de acoplamento C1 e C2 por
curtos-circuitos equivalentes.
Emissor-comum com Polarização do Emissor

▶ Substituição do modelo re no circuito.

Emissor-comum com Polarização do Emissor

▶ Impedância de entrada.
Vi = Ib βre + Ie RE = Ib βre + (β + 1)Ib RE
Vi
Zb = = βre + (β + 1)RE ∼ = βre + βRE = β(re + RE )
Ib
Zb ∼
= βRE para RE >>> re
Zi = Zb ||RB
▶ Impedância de saı́da.
Zo = RC
▶ Ganho de tensão.
Vi Vi
Vo = −Io RC = −βIb RC → Ib = → Vo = −β · RC
Zb Zb
Vo βRC RC
Av = =− → Zb ∼
= β(re + RE ) → Av = −
Vi Zb re + RE
RC
Zb ∼
= βRE → Av = −
RE
Exemplo 03

3. Para o circuito da figura abaixo:

a) determine re ;
b) determine Zi ;
c) determine Zo ;
d) determine Av .
Exemplo 03

Solução:
a) Análise CC:
VCC − VBE 20V − 0,7V
IB = = = 35,89µA
RB + (β + 1)RE 470k Ω + 121 · 0,56k Ω
IE = (β + 1)IB = 121 · 35,89µA = 4,34mA
26mV 26mV
re = = = 5,99Ω
IE 4,34mA
b) Zb ∼
= β(re + RE ) = 120(5,99Ω + 560Ω) = 67,92k Ω
Zi = RB ||Zb = 470k Ω||67,92k Ω = 59,34k Ω
c) Zo = RC = 2,2k Ω
RC 2,2k Ω
d) Av = − =− = −3,93
RE 0,56k Ω
Configuração de Seguidor de Emissor

▶ Também é conhecido como configuração de coletor comum.

▶ A entrada é aplicada na base e a saı́da é obtida no emissor.
▶ Não há mudança de fase entre a entrada e a saı́da.
Configuração de Seguidor de Emissor

▶ Impedância de entrada.
Zi = RB ||Zb
Zb = βre + (β + 1)RE = β(re + RE ) ∼
∼ = βre para RE >>> re
▶ Impedância de saı́da.
Vi Vi
Ie = (β + 1)Ib → Ib = → Ie = (β + 1)
Zb Zb
(β + 1)Vi Vi
Ie = →β∼
= (β + 1) → Ie =
βre + (β + 1)RE re + RE

Zo = RE ||re ∼
= re para RE >>> re
Configuração de Seguidor de Emissor

▶ Ganho de tensão.
RE
Vo = Vi ·
RE + re
Vo RE ∼
Av = = = 1 para RE >>> re
Vi RE + re
Exemplo 04

4. Para o circuito da figura abaixo:

a) determine re ;
b) determine Zi ;
c) determine Zo ;
d) determine Av .
Exemplo 04

Solução:
a) Análise CC:
VCC − VBE 12V − 0,7V
IB = = = 20,42µA
RB + (β + 1)RE 220k Ω + 101 · 3,3k Ω
IE = (β + 1)IB = 101 · 20,42µA = 2,062mA
26mV 26mV
re = = = 12,61Ω
IE 2,062mA
b) Zb = βre + (β + 1)RE = 100 · 12,61Ω + 101 · 3,3k Ω =
334,56k Ω ∼
= βRE
Zi = RB ||Zb = 220k Ω||334,56k Ω = 132,72k Ω
c) Zo = RE ||re = 3,3k Ω||12,61Ω = 12,56Ω ∼
= re
RE 3,3k Ω
d) Av = = = 0,996 ∼
=1
RE + re 3,3k Ω + 12,61Ω
Configuração Base-comum

▶ A entrada é aplicada no emissor.

▶ A saı́da é obtida no coletor.
▶ Baixa impedância de entrada.
▶ Alta impedância de saı́da.
▶ Ganho de tensão muito alto.
▶ Não há mudança de fase entre a entrada e a saı́da.
Configuração Base-comum

▶ Substituição do modelo re no circuito.

Configuração Base-comum

▶ Impedância de entrada.
Zi = RE ||re
▶ Impedância de saı́da.
Zo = RC
▶ Ganho de tensão.
Vi
Vo = −Io RC = −(−IC )RC = αIe RC → Ie = → Vo =
re
Vi
RC
α
re
Vo αRC ∼ RC
Av = = =
Vi re re
▶ Ganho de corrente
Assumindo que RE >>> re :
Ie = Ii → Io = −αIe = −αIi
Io −αIi
Ai = = = −α ∼= −1
Ii Ii
Exemplo 05

5. Para o circuito da figura abaixo:

a) determine re ;
b) determine Zi ;
c) determine Zo ;
d) determine Av ;
e) determine Ai .
Exemplo 05

Solução:
a) Análise CC:
VEE − VBE 12V − 0,7V
IE = = = 1,3mA
RE 1k Ω
26mV 26mV
re = = = 20Ω
IE 1,3mA
b) Zi = RE ||re = 1k Ω||20Ω = 19,61Ω ∼
= re
c) Zo = RC = 5k Ω
RC 5k Ω
d) Av = = = 250
re 20Ω
e) Ai = −α = −0,98 ∼
= −1
Configuração com Realimentação do Coletor

▶ É uma variação da configuração de emissor comum com

polarização fixa.
▶ A entrada é aplicada na base.
▶ A saı́da é obtida no coletor.
▶ Há uma mudança de fase de 180◦ entre a entrada e a saı́da.
Configuração com Realimentação do Coletor

▶ Impedância de saı́da.

Zo ∼
= RC ||RF
▶ Ganho de tensão.
Io = βIb + I ′ → para βIb >>> I ′ → Io = βIb
Vi Vi
Vo = −Io RC = −(βIb )RC → Ib = → Vo = −β RC
βre βre
Vo RC
Av = =−
Vi re
Configuração com Realimentação do Coletor
V
▶ Impedância de entrada. Sabendo que Vo = − i RC :
r
 e 
′ Vo − Vi RC Vi Vi 1 RC
I = =− − =− 1+ Vi
RF re RF RF RF re
 
′ 1 RC
Vi = Ib βre = (Ii + I )βre = Ii βre − 1+ βre Vi
RF re
  
βre RC
Ii βre = Vi 1 + 1+
RF re
Vi βre R RC
Zi = =   →1+ C ∼=
Ii βre RC re re
1+ 1+
RF re
βre re
Zi = =
βRC 1 RC
1+ +
RF β RF
Efeito de RL e Rs

▶ Nesta seção, serão investigados o efeito da aplicação de

uma carga ao terminal de saı́da e o efeito do uso de uma
fonte com uma resistência interna.
▶ Configurações de amplificador
a) Sem carga
b) Com carga
c) Com carga e resistência de fonte
Efeito de RL e Rs

▶ Substituição do modelo re no circuito (c).

▶ Impedância de entrada
Zi = RB ||βre
▶ Impedância de saı́da
Zo = RC ||ro
Efeito de RL e Rs

▶ Ganho com RL
Vi Vi
Vo = −βIb (RC ||RL ) → Ib = → Vo = −β (RC ||RL )
βre βre
Vo RC ||RL
AvL = =
Vi re
▶ Ganho com RL e Rs
Zi Vi Zi
Vi = Vs → =
Zi + Rs Vs Zi + Rs
 
Vo Vo Vi Zi
Avs = = = AvL
Vs Vi Vs Zi + Rs
Efeito de RL e Rs

▶ Retomando o exemplo 1, com RL = 4,7k Ω e Rs = 0,3k Ω:

Zi = 1,07k Ω, Zo = 3k Ω, AvNL = −280,11 e re = 10,71Ω

RC ||RL 3k Ω||4,7k Ω
AvL = = = −170,98
re 10,71Ω
Zi 1,07k Ω
Avs = AvL · = −170,98 · = −133,54
Zi + Rs 1,07k Ω + 0,3k Ω
Determinação do Ganho de Corrente

▶ O ganho de corrente de um sistema pode ser determinado

diretamente a partir do seu ganho de tensão.

Vi Vo
▶ Sabendo que Ii = e Io = − :
Zi RL
Vo
−
Io RL Vo Zi Zi
Ai = = =− · = −Av ·
Ii Vi Vi RL RL
Zi
Determinação do Ganho de Corrente

▶ Retomando o exemplo 2:

Zi = 1,35k Ω
Av = −386,76
Determinação do Ganho de Corrente

▶ Retomando o exemplo 2:

Vo
−
Io 6,8k Ω Vo 1,35k Ω 1,35k Ω
Ai = = =− · = 368,76 · =
Ii Vi Vi 6,8k Ω 6,8k Ω
1,35k Ω
73,2
Zi 1,35k Ω
Ai = −Av · = 368,76 · = 73,2
RL 6,8k Ω
Tabelas-Resumo

▶ Amplificadores transistorizados com TBJ sem carga

Tabelas-Resumo

▶ Amplificadores transistorizados com TBJ sem carga

Tabelas-Resumo

▶ Amplificadores transistorizados com TBJ com RL e Rs

Tabelas-Resumo

▶ Amplificadores transistorizados com TBJ com RL e Rs

Tabelas-Resumo

▶ Amplificadores transistorizados com TBJ com RL e Rs

Conexão Darlington

▶ A conexão Darlington fornece um ganho de corrente muito

alto - que é o produto dos ganhos individuais: βD = β1 β2 .
▶ Os pares Darlington atuam como uma unidade única, ou
seja, como se fosse um transistor simples.
▶ Um par Darlington é suficientemente sensı́vel para
responder a uma pequena corrente.
Conexão Darlington

Configuração de seguidor de emissor

▶ Corrente de base:
VCC − VBE
IB =
RB + βD RE
▶ Corrente de emissor:

IE = (βD + 1)Ib ∼
= βD IB

▶ Tensão de emissor:

VE = IE RE

▶ Tensão de base:

VB = VE + VBE
Conexão Darlington

Aplicação - Relé de Luminosidade

▶ Quando a luz incide sobre

o LDR, sua resistência
diminui.
▶ A tensão de polarização é
fornecida ao transistor e
essa tensão é suficiente
para fazer o transistor e o
relé funcionarem.
▶ Um resistor variável
também é conectado na
base do transistor para
ajustar a sensibilidade.
Exemplo 06

6. Calcule as tensões de polarização CC e as correntes para a

configuração Darlington da figura abaixo.
Exemplo 06

Solução:

Determinação de βD :
βD = β1 β2 = 50 · 100 = 5000

Determinação das correntes:

VCC − VBE 18V − 1,4V
IB = = = 3,16µA
RB + βD RE 3,3M Ω + 5000 · 390Ω
IE = IC = βD IB = 5000 · 3,16µA = 15,80mA

Determinação das tensões:

VC = VCC = 18V
VE = IE RE = 15,80mA · 390Ω = 6,16V
VB = VBE + VE = 6,16V + 1,4V = 7,56V
VCE = VCC − VE = 18V − 6,16V = 11,84V
Conexão Darlington

▶ Substituição do modelo re no circuito.

▶ Impedância de entrada
Zi2 = β2 (re2 + RE )
Zi1 = β1 (re1 + Zi2 ) = β1 [re1 + β2 (re2 + RE )]
Supondo RE >>> re2 : Zi1 = β1 (re1 + β2 RE )
Desde que β2 RE >>> re : Zi ∼
1= β1 β2 RE = βD RE
1

Por fim: Zi = RB ||Zi1 = RB ||βD RE

Conexão Darlington

▶ Ganho de corrente
Io = β2 Ib2 + Ib2 = (β2 + 1)Ib2
Ib2 = β1 Ib1 + Ib1 = (β1 + 1)Ib1
Io = (β1 + 1)(β2 + 1)Ib1
Usando o divisor de corrente:
RB RB RB
Ib1 = Ii = Ii = Ii
RB + Zi RB + β1 β2 RE RB + βD RE
RB
Io = (β1 + 1)(β2 + 1) Ii
RB + βD RE
Então:
Io (β1 + 1)(β2 + 1)RB
Ai = = → Usando β1 , β2 >>> 1
Ii RB + βD RE
βD RB
Ai ∼=
RB + βD RE
Conexão Darlington

▶ Ganho de tensão
Vo = Io RE
Vi = Ii (RB ||Zi )
βD RB RE
RB ||Zi = RB ||βD RE =
RB + βD RE
Vo Io RE RE βD RB
Av = = = Ai → Ai ∼
=
Vi Ii (RB ||Zi ) RB ||Zi RB + βD RE
 
 
βD RB  RE ∼

Av =  =1
RB + βD RE  βD RB RE 
RB + βD RE
Conexão Darlington

▶ Impedância de saı́da
Conexão Darlington

▶ Impedância de saı́da
Lei dos nós no ponto a: Io = Ie − (β2 + 1)Ib2
Lei das malhas na supermalha: Vo = −Ib1 β1 re1 − Ib2 β2 re2
Vo = −Ib1 β1 re1 −(β1 +1)Ib1 β2 re2 = −Ib1 [β1 re1 +(β1 +1)β2 re2 ]
Vo
Ib1 = −
β1 re1 + (β1 + 1)β2 re2
(β1 + 1)Vo
Ib2 = (β1 + 1)Ib1 = −
β1 re1 + (β1 + 1)β2 re2
Vo (β1 + 1)(β2 + 1)Vo
Io = Ie − (β2 + 1)Ib2 = +
RE β1 re1 + (β1 + 1)β2 re2
Usando β1 , β2 >>> 1:
Vo β1 β2 Vo Vo Vo
Io = + = + re
RE β1 re1 + β1 β2 re2 RE 1
+ re2
β2
Conexão Darlington

▶ Impedância de saı́da
 
re1
De modo geral: RE >>> + re2
β2
re1
Por fim: Zo = + re2
β2
▶ Retomando o exemplo 6:
Zi = RB ||βD RE = 3,3M Ω||5000 · 390Ω = 1,38M Ω
βD RB 5000 · 3,3M Ω
Ai = = = 3142,85
RB + βD RE 3,3M Ω + 5000 · 390Ω
26mV 26mV
re2 = = = 1,65Ω
IE2 15,80mA
26mV 26mV 26mV β2 26mV · 100
re1 = = = = = 164,5Ω
IE1 IB2 IE2 15,80mA
re 164,5Ω
Zo = 1 + re2 = + 1,65Ω = 3,30Ω
β2 100
Exercı́cios - Capı́tulo 5

▶ Modelo re do Transistor - 6;
▶ Configuração Emissor-comum com Polarização Fixa - 13;
▶ Polarização com Divisor de Tensão - 15;
▶ Configuração Emissor-comum com Polarização do Emissor
- 23;
▶ Configuração de Seguidor de Emissor - 24;
▶ Configuração Base-comum - 27;
▶ Configuração com Realimentação do Coletor - 29;
▶ Efeito de RL e Rs - 37;
▶ Conexão Darlington - 50.