UNIVERSIDADE DO NAMIBE

FACULDADE DE ENGENHARIA E TECNOLOGIAS

DEPARTAMENTO DE ELETROTECNICA E ELETRÔNICA INDUSTRIAL
UNIDADE CURRICULAR DE BASES DE ENERGO-ELETRÔNICA

SEMI-CONDUTORES
ELEMENTOS DE JUNÇÃO
ELEMENTOS DE VOLUME

MOÇÂMEDES
2023
AUTORES

DOMINGOS CHICO
HELDER DORIVALDO SANTIAGO
JELZEMAR FERNANDES EKUIKUI MATALA DO ROSÁRIO
LEONARDO SANGONDA SECANDO
PAULINO JULIO KAHOSSI
RUI MANUEL
SEVERINO CHIMUCO

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RESUMO

Os materiais podem ser caraterizados como isolantes, quando não conduzem a corrente
elétrica, por exemplo a borracha e a cerâmica; como condutores, quando conduzem
facilmente a corrente elétrica que por eles circula, por exemplo o cobre; e como
semicondutores que assumem caraterísticas entre os materiais isolantes e os materiais
condutores. Os materiais semicondutores mais usados são o germânio (Ge) e o silício (Si). O
germâ- nio é um elemento frágil de cor branco-acinzentada. O silício é um elemento não
metálico, abundante na natureza, na areia, quartzo ou cristais, de cor branca e, algumas vezes,
como dióxido de silício, também designado por sílica. Os semicondutores servem,
fundamentalmente, como materiais básicos à construção de alguns dos mais importantes
componentes eletrónicos, como por exemplo os díodos, transístores e circuitos integrados.Os
dispositivos semicondutores são extremamente pequenos, bastante leves, com consumos de
potência muito baixos e com alta eficiência e segurança. Com a evolução tecnológica obtém-
se uma maior capacidade de integração, conseguindo-se colocar num único circuito integrado
milhares de componentes que podem ser díodos, transístores, resistências ou condensadores.
Podemos também referir vantagens como a capacidade de operação a tensões reduzidas, na
ordem de 1 a 25 Volts, a sua reduzida dimensão, a sua robustez, bem como o menor custo,
devido à possibilidade de produção em série. A principal desvantagem é a sua alterabilidade
com a temperatura, deteriorando-se se for ultrapassado o limite da sua potência.

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Índice
INTRODUÇÃO ...................................................................................................................................... 5
Justificativa ...................................................................................................................................... 6
Objetivos ......................................................................................................................................... 6
Objetivo geral .................................................................................................................................. 6
Objetivo especifico .......................................................................................................................... 6
Campo de acção .............................................................................................................................. 6
Exemplo de uma célula unitária de silício: ...................................................................................... 8
Semicondutores tipo P e tipo N ..................................................................................................... 10
Semiconductores extrínsecos do tipo N........................................................................................ 10
Semicondutores extrínsecos do tipo P ........................................................................................... 10
Junção PN...................................................................................................................................... 10
Díodo de junção ............................................................................................................................ 12
Polarização direta .......................................................................................................................... 12
Polarização inversa........................................................................................................................ 13
Conclusão ...................................................................................................................................... 14
Referencias bibliográficas ............................................................................................................. 15

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INTRODUÇÃO

O presente trabalho faz uma abordagem das diversas junções dos semicondutores e seus
elementos de junção e volume, sem, no entanto, entrar muito a fundo nos dispositivos que
as utilizam. A condutividade elétrica de um semicondutor ou isolante é altamente
dependente das condições ambientais, tais como temperatura, radiação luminosa, pressão,
campo magnético e pureza do material.A razão do diferente comportamento entre metais e
semicondutores é que os metais contém um numero constante de portadores móveis de
carga em todas temperaturas e semicondutores não. Em um semicondutor puro, para que os
portadores se tornem livres, as cargas devem ser ativadas. Essa ativação requer alguma
energia, que pode vir, por exemplo, da agitação térmica.

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Justificativa

A invenção do transístor, o estudo da Eletrônica tem-se concentrado cada vez mais no projeto
e utilização dos dispositivos semicondutores. Os dispositivos semicondutores são
constituídos por junções de diferentes tipos, também chamadas de blocos construtivos de
dispositivos e esses todos elementos são de grande importância para se entender o
funcionamento dos aparelhos eletrónicos utilizados atualmente.

Objetivos

Objetivo geral

Conhecer os semicondutores

Objetivo especifico

Descrever os elementos semicondutores de junção;

Descrever os elementos semicondutores de Volume;

Campo de acção

Eletrónica de Potência.

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Os dispositivos semicondutores são constituídos por junções de diferentes tipos, Estas
junções, também chamadas de blocos construtivos de dispositivos, podem ser dos seguintes
tipos: junção PN (tipo homojunção), heterojunção, junção metal-semicondutor e junção
MOS (metal-óxido-semicondutor), sendo esta última, na verdade, formada por uma junção
metal-óxido e uma junção óxido-semicondutor ( Barros, 2007).
Segundo Matias Ramalho, a dopagem é um processo químico no qual átomos estranhos são
introduzidos na estrutura cristalina de uma substância.
Em um cristal semicondutor a dopagem é geralmente realizada para alterar suas propriedades
elétricas.
Existem dois tipos de materiais semicondutores, tipo N e tipo P, que dependem do tipo de
impureza introduzida na rede.
Na homojunção PN temos uma interface de transição, dentro de um mesmo semicondutor,
entre uma região tipo P e outra região tipo N.
Na heterojunção, um material semicondutor é crescido sobre um outro material
semicondutor. Como cada material semicondutor tem uma faixa de energia proibida
característica, teremos na heterojunção obrigatoriamente descontinuidades nas bandas de
valência e/ou de condução (normalmente em ambas).
A junção metal-semicondutor é constituída pelo contato de um metal com a superfície de
um semicondutor. Todo dispositivo requer contatos elétricos com seu meio externo.
A junção MOS por sua vez constitui uma junção com duas interfaces, sendo ela a estrutura
básica de transístores de efeito de campo tipo MOS ou MOSFET.
De uma maneira geral os materiais podem ser divididos em:

Isolantes Condutores
Semicondutores
Os materiais sólidos podem ser divididos em classes principais, conforme a
Distribuição atómica da estrutura.

Cristais
Policristais Amorfos
Nosso interesse principal está nos semicondutores cristalinos (silício) e no estudo dos
elementos de volume e junção formados por ele.

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fig.1- Tabela da condutibilidade de alguns materiais.
(Fonte da Figura: A. Silva Pereira, Mário Águas, Rogério Baldaia, Eletrónica (2.º volume), Porto
Editora)

A condutividade elétrica de um semicondutor ou isolante é altamente dependente das

condições ambientais, tais como temperatura, radiação luminosa, pressão, campo magnético
e pureza do material etc.
A razão do diferente comportamento entre metais e semicondutores é que os metais contém
um numero constante de portadores móveis de carga em todas temperaturas e semicondutores
não. Em um semicondutor puro, para que os portadores se tornem livres, as cargas devem ser
ativadas. Essa ativação requer alguma energia, que pode vir, por exemplo, da agitação
térmica.
Nos metais os elétrons estão livres, podendo movimentar-se através da rede quando um
campo elétrico é aplicado. O mar de elétrons da camada de valência confunde-se com a
camada de condução e pode mover-se livremente.
Exemplo de uma célula unitária de silício:
No Silício, cada átomo (com 4 elétrons de valência) é cercado por outros 4 átomos de Si.
Cada átomo compartilha seus elétrons de valência com 4 átomos vizinhos de forma que a
última camada, ou camada de valência, está completa com 8 elétrons. Nenhum elétron livre
está disponível para condução em condições normais. Todavia os elétrons não pertencem a
nenhum átomo particular e estão fracamente conectados. Quando excitados (por exemplo,
excitação térmica) alguns elétrons podem quebrar as ligações, ficando livres para conduzir.

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Fig.2- estrutura cristalina do silício
(Fonte da Figura: A. Silva Pereira, Mário Águas, Rogério Baldaia, Eletrónica (2.º volume), Porto
Editora)

Bandas de energia:
O grau de condutividade é determinado pela estrutura de bandas de energia de um sólido.
Se um sólido é um condutor, um semi-condutor ou um isolante depende do preenchimento
da banda de Valencia e da energia de gap entre as camadas de valência e de condução.

Fig.3- vista interna dos matérias de acordo a condutibilidade

(Fonte da Figura: A. Silva Pereira, Mário Águas, Rogério Baldaia, Eletrónica (2.º volume), Porto
Editora)

Metal
Observa-se a superposição de bandas de energia
Semicondutor
Na temperatura de 0 K a banda de energia repleta com elétrons mais alta é chamada de banda
de valência e a próxima banda é chamada de banda de condução.
Isolante
O nível proibido é grande demais para ser transposto.

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Semicondutores tipo P e tipo N

Se ao germânio ou silício intrínsecos for adicionada uma pequena percentagem de átomos

trivalentes, com 3 eletrões de valência - Boro (B), Alumínio (Al), Gálio (Ga), Índio (In) - ou
pentavalentes, com 5 eletrões de valência - Fósforo (P), Arsénio (As), Antimónio (Sb) -,
teremos um semicondutor dopado ou com impurezas extrínsecas. A impureza introduzida é
da ordem de um átomo por cada 1016 átomos de semicondutor. Após a introdução da
impureza, a condutibilidade é essencialmente devida à sua presença, diz-se que a
condutividade é extrínseca.
Semiconductores extrínsecos do tipo N
Se ao silício for acrescentado uma pequena porção de um elemento pentavalente (Arsé- nio
(As) por exemplo), os átomos desta impureza substituirão, na rede cristalina, alguns átomos
do semicondutor. Quatro dos cinco eletrões de valência constituirão quatro liga- ções
covalentes com os eletrões periféricos dos átomos vizinhos do semicondutor. O quinto
eletrão, não podendo participar em qualquer ligação covalente, pode, à temperatura ambiente,
libertar-se facilmente do átomo a que pertence e tornar-se num eletrão livre.
As substâncias pentavalentes são conhecidas como impurezas dadoras e o material assim
formado designa-se por semicondutor tipo N, conforme representado na Figura 76. A
condutibilidade extrínseca é devida aos eletrões livres que são os portadores, em maioria.
Num semicondutor tipo N (iões dadores) teremos os eletrões como portadores
maioritários, provenientes da impureza, e as lacunas como portadores minoritários.

Semicondutores extrínsecos do tipo P

Se pelo contrário, ao silício se acrescentar um elemento trivalente, como por exemplo o
Alumínio (Al), os três eletrões de valência dos átomos das impurezas apenas conseguem
constituir três ligações covalentes. Uma ligação fica por formar por falta de um eletrão, ou
seja, originou-se uma lacuna. Estas substâncias trivalentes são conhecidas por impurezas
aceitadoras e o material semicondutor assim formado por semicondutor tipo P
Num semicondutor tipo P (iões aceitadores) teremos os eletrões como portadores
minoritários e as lacunas como portadores maioritários.

Junção PN

A utilização de um semicondutor tipo N ou tipo P isoladamente não apresenta nenhum

comportamento com interesse de utilização, o mesmo não se poderá dizer da junção de um

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semicondutor extrínseco tipo N e um tipo P. Este comportamento será estudo em detalhe de
seguida.
A junção PN é a junção básica dos díodos bem como uma das junções integrantes da
grande maioria dos dispositivos semicondutores. A física envolvida no entendimento da
junção PN é também fundamental para entender outras junções, bem como, para entender
os diferentes dispositivos semicondutores. Daí a importância da ênfase dada ao estudo desta
junção. A junção PN é formada por um bloco semicondutor onde temos a junção de uma
região P com uma região N.
A fronteira entre os materiais do tipo N e tipo P designa-se por junção PN. Esta junção
é a base dos componentes eletrónicos: díodos, transístores de junção bipolar, transístores de
efeito de campo, dispositivos de eletrónica de potência, como o Tirístor, Triac, Diac, IGBT
e Circuitos Integrados.

Fig.5- Representação da junção PN

(Fonte da Figura: A. Silva Pereira, Mário Águas, Rogério Baldaia, Eletrónica (2.º volume), Porto
Editora)

Após a junção dos semicondutores e devido à desigualdade de densidade de portadores de

cada um dos lados, os eletrões livres do semicondutor tipo N tendem a difundir-se em todas
as direções. Alguns eletrões livres difundem-se através da junção. Quando um eletrão livre
entra na região P, torna-se um portador minoritário.
Devido ao elevado número de lacunas existentes no semicondutor tipo P, este portador
minoritário possui uma curta duração de vida. Pouco depois de entrar na região P, o eletrão
ocupa uma lacuna. Logo que isto acontece, a lacuna desaparece e o eletrão livre torna-se num
eletrão de valência.
Resultante desta difusão de cargas elétricas surge um campo elétrico na junção. O equilíbrio
é restabelecido quando o campo se torna suficientemente elevado para impedir a continuação
do processo de difusão de cargas. Surge, assim, uma região para cada um dos lados da junção
onde, por se terem efetuado recombinações eletrão-lacuna, não existem portadores livres,
denominada de região de depleção ou barreira de potencial.

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À temperatura de 25° C, o potencial de barreira é aproximadamente igual a 0,3 V nos
semicondutores de germânio e 0,7 V nos semicondutores de silício.

Fig.4- Barreira de potencial da junção PN

(Fonte da Figura: A. Silva Pereira, Mário Águas, Rogério Baldaia, Eletrónica (2.º volume), Porto
Editora)

Díodo de junção

A junção PN formada anteriormente designa-se por díodo de junção. É constituído, como

analisado, por um material do tipo N e outro do tipo P. O lado P designa-se por ânodo (A) e
o lado N por cátodo (C). O símbolo do díodo assemelha-se a uma seta com a direção do lado
P para o lado N, ou seja, do ânodo para o cátodo. Esta seta indica o sentido convencional da
corrente elétrica quando o díodo está polarizado diretamente.

Fig.5- Simbolo de um díodo de junção e respetiva comparação com a junção PN

(Fonte da Figura: A. Silva Pereira, Mário Águas, Rogério Baldaia, Eletrónica (2.º volume), Porto
Editora)

Polarização direta
Se o terminal positivo do gerador for ligado ao lado do semicondutor tipo P e o terminal
negativo ao lado do semicondutor do tipo N, os eletrões do terminal negativo são lançados
no material tipo N e difundem-se através da junção. Desta forma, a barreira de potencial
torna- -se mais estreita, uma vez que alguns destes portadores maioritários se combinam com
iões e a barreira de potencial diminui. Os eletrões da região tipo N, portadores maioritários,

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podem facilmente atravessar a junção e movimentar- -se através do material tipo P até ao
terminal positivo do gerador. O processo inverso dá-se com lacunas do material tipo P. Ao
contrário, o movimento dos portadores minoritários, lacunas da região N e eletrões da região
P, é dificultado. O fluxo dos maioritários, eletrões e lacunas é assim elevado enquanto
tivermos aplicada uma tensão externa de polarização direta.

Polarização inversa
Se pelo contrário, for ligado o terminal positivo do gerador ao lado N e o terminal negativo
ao lado P, teremos a junção inversamente polarizada. O fluxo de corrente é bastante
diminuto.
Nesta situação, os eletrões livres, portadores maioritários do material tipo N, são atraídos
em direção ao terminal positivo do gerador e, portanto, afastam-se da junção.
Simultaneamente, as lacunas, portadores maioritários do lado P, são atraídas pelo pólo
negativo do gerador e afastam-se também da junção, aumentando consequentemente a
barreira de potencial.
A intensidade de corrente é então muito pequena e devida unicamente aos portadores
minoritários, ou seja, os eletrões da zona P, que são atraídos pelo pólo positivo do gerador,
e as lacunas da zona N, que são atraídas pelo pólo negativo do gerador. Os valores típicos
desta corrente são da ordem dos μA para o Ge e da ordem dos nA para o Si.

Fig.6- Polarização direta do díodo(a). Polarização inversa do díodo (b).

(Fonte da Figura: A. Silva Pereira, Mário Águas, Rogério Baldaia, Eletrónica (2.º volume), Porto
Editora)

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Conclusão
A junção ou contato metal-semicondutor é de fundamental importância para dispositivos
eletrônicos, pois é ela que permite a formação da conexão do dispositivo semicondutor com
o mundo vizinho e/ou externo, incluindo a formação das interconexões entre dispositivos
dentro do circuito integrado. Além de conexões com e entre dispositivos, a junção metal-
semicondutor pode também constituir a parte intrínseca de alguns tipos de dispositivos. As
junções metal-semicondutor podem apresentar comportamento de contato ôhmico (relação
I-V linear e simétrica em torno de V=0 e com baixa resistência elétrica, ou seja, quase uma
reta vertical, passando pela origem) ou de contato tipo retificador (conduz corrente para
polarização direta e praticamente não conduz corrente para polarização reversa).

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Referencias bibliográficas

A. Silva Pereira, Mário Águas, Rogério Baldaia, Eletrónica (2.º volume), Porto Editora,
ISBN 972-0-33052-5
C.R. Paul, S.A. Nasar, L.E. Unnewehr, “Introduction to Electrical Engineering – Segunda
edição”, McGraw-Hill International Editions, ISBN 0-07-011322-X, 1992

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