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Funcionamento de sensores ópticos

CLEYDSON MATOS LIMA1

DANIEL DANTAS DO AMARAL RAMOS 1
HERBERT BRUNO DE OLIVEIRA CASTRO 1
JOÃO VICTOR PAVÃO DE SOUZA 1

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UFPA – Universidade Federal do Pará
FEE – Faculdade de Engenharia Elétrica
Cx. Postal 8619- CEP 66.075-900 Belém (PA) - Brasil
[email protected]; [email protected]; [email protected]; [email protected].

Resumo: Esse artigo apresenta a base teórica para o funcionamento de sensores ópticos e alguns usos do
LDR e do fotodiodo. Os sensores ópticos são componentes que convertem luz ou mudança de
intensidade de luz em um sinal elétrico. Por conta de sua ampla aplicação, esses sensores estão presentes
em diversos tipos de dispositivos eletrônicos e tecnologias. Sistemas de automação que se baseiam na
luminosidade ambiente e o LiDAR são exemplos do uso de sensores ópticos a partir de sensores como o
LDR (Resistor Dependente de Luz) e o fotodiodo. Entretanto, para compreender seu funcionamento é
necessário entender a o efeito fotoelétrico, bandas de energia e semicondutores.

Palavras Chaves: semicondutores; sensores ópticos; LDR; fotodiodo; LiDAR.

Abstract: This paper show the theorical basis to operation of optic sensors e some application of LDR
and photodiode. These sensors are components that convert light or light intensity change to a eletric
signal. Due to their wide application, these sensor are in several kind of eletronic devices and technology
Automation system based in ambient light and LiDAR technology are examples of use of optical sensors
from sensor like LDR (Light Dependent Resistor) and photodiode. However, to understand how it works
is necessery know the photoeletric effect, eletronic band structure and semiconductors

Keywords: semiconductors; optic sensors; LDR; photodiode; LiDAR.

𝐸 = ℎ𝑓 (1)
Introdução
No ano de 1905, Albert Einstein propôs que a Onde ℎ é a constante de Planck (6,62 ×
radiação eletromagnética era quantizada; a quantidade
10−34 𝑗𝑜𝑢𝑙𝑒 − 𝑠𝑒𝑔𝑢𝑛𝑑𝑜).
elementar da luz é chamada de fóton (HALLIDAY &
Sempre que uma onda eletromagnética de
RESNICK, 2012). Segundo Einstein uma onda
frequência 𝑓 é absorvida por um corpo, a energia ℎ𝑓 do
eletromagnética de frequência 𝑓 tem energia dada por:
fóton é transmitida para um átomo, esse evento de
absorção envolve a aniquilação de um elétron. Quando
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uma onda eletromagnética de frequência 𝑓 é emitida por minimiza a energia de interação dos átomos. Como
um átomo, a energia ℎ𝑓 é transmitida de um átomo para existe um conjunto finito de orbitais normalmente
a luz, esse evento de emissão envolve a criação de um preenchidos, há também um número finito de
fóton. Assim os átomos de um corpo podem emitir ou configurações que essas estruturas podem assumir
absorver fótons (HALLIDAY & RESNICK, 2012). (EISBERG & RESNICK, 1979).
A partir disso, iniciaram-se estudos mais O elemento básico de uma rede cristalina é chamado
profundos da relação entre luz e átomos, como por de célula unitária, a célula unitária é a menor porção da
exemplo, o efeito fotoelétrico e as bandas de energia, estrutura que, por repetição periódica ao longo dos eixos
que levou compreensão do funcionamento de de coordenada, permite construir completamente a
semicondutores que possibilitou a criação de sensores distribuição dos átomos no cristal (EISBERG &
ópticos que está presente em praticamente qualquer RESNICK, 1979).
dispositivo eletrônico.
3 Bandas de Energia
Para átomos idênticos muito próximos uns dos
Métodos outros, a interação entre eles e o princípio de exclusão
O método utilizado para elaboração desse artigo foi a faz com que as funções de onda comessem a se
revisão bibliográfica de livros e artigos já publicados modificar e se sobrepor, como consequência os níveis de
energia atômicos, inicialmente idênticos, dão origem a
1 Efeito Fotoelétrico um conjunto de níveis deslocados um do outro. Onde
O efeito fotoelétrico consiste na emissão de elétrons para um número muito grande de átomos, como em um
quando a luz incide sobre uma superfície. Os elétrons sólido cristalino, esses níveis estão compactados e
absorvem a energia da radiação incidente e, portanto, distribuídos em uma faixa contínua, como mostra a
podem ir para um estado de maior energia sendo figura 1 (YOUNG & FRERDMAN, 2009). A essa faixa
liberados da superfície de acordo com a equação abaixo é dado o nome de banda de energia.
(YOUNG & FRERDMAN, 2009).

ℎ𝑓 = 𝑘𝑚á𝑥 + 𝛷 (2)

Onde 𝑘𝑚á𝑥 é a energia cinética máxima dos

elétrons emitidos e 𝛷 e a função trabalho do material de
que é feito o alvo, ou seja, a energia mínima que o
Figura 1: Representa dos níveis de energia de vários
elétron deve adquirir para escapar do material. Quando
átomos próximos.
ℎ𝑓 < 𝛷, o efeito fotoelétrico não é observado
Fonte: Muniz, 2015.
(HALLIDAY & RESNICK, 2012).

2 Estrutura Cristalina Em um composto sólido o conjunto de bandas

Nos sólidos cristalinos há uma ordenação periódica de energia corresponde aos possíveis estados quânticos
dos átomos que formam o sólido. Essa ordenação dos elétrons. Assim como em um átomo isolado, há
corresponde a um arranjo onde os átomos são dispostos intervalos de energia que são proibidos para o elétron, a
de modo a produzir uma rede tridimensional de pontos, esses intervalos é dado o nome de gaps de energia
em torno dos quais os átomos estão localizados (YOUNG & FRERDMAN, 2009). Através do estudo
(YOUNG & FRERDMAN, 2009). Devido à forma das estruturas de banda do material podem ser
periódica desses arranjos, essa estrutura dos cristais explicadas suas propriedades elétricas, que dependem
recebe a denominação de rede cristalina. A forma principalmente dos elétrons de valência, da distribuição
geométrica desses arranjos é determinada pelas ligações da banda de valência e da distribuição da banda de
químicas, através dos orbitais dos elétrons de valência, condução, assim é possível determinar se um material é
da interação eletrostática e do spin dos elétrons. A um isolante, em semicondutor ou condutor
estrutura molecular do sólido sempre irá ser aquela que (HALLIDAY & RESNICK, 2012).
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Da mesma maneira que ocorre num átomo com Em um material condutor, como um metal, a
vários elétrons, os elétrons são distribuídos nos orbitais banda de condução está parcialmente preenchida até
disponíveis partindo do orbital de menor energia mesmo no zero absoluto (YOUNG & FRERDMAN,
seguindo o princípio de exclusão de Pauli (EISBERG & 2009). Quando aplicamos uma diferença de potencial
RESNICK, 1979). Em seu estado de menor energia a em material condutor, produzimos uma corrente elétrica,
última banda preenchida pelos elétrons no sólido é já que existem estados com uma energia ligeiramente
chamada de banda de valência, e a primeira banda maior para quais os elétrons podem ser transferidos
desocupada dos estados de maior energia é chamada de (HALLIDAY & RESNICK, 2012).
banda de condução (YOUNG & FRERDMAN, 2009).
Observe a figura 2 com a representação das bandas de 5 Semicondutores
condução e valência para um isolante, um semicondutor O comportamento dos semicondutores é à base de
e um condutor. vários dispositivos eletrônicos práticos, sua importância
decorre do fato de suas propriedades elétricas serem
sensíveis a variação de impurezas. A estrutura de bandas
de um semicondutor é parecida com a de um material
isolante, possui sua banda de valência totalmente
preenchida e sua banda de condução totalmente vazia,
no zero absoluto. A única diferença é que o tamanho da
banda proibida é menor, menor que 2 eV (EISBERG &
RESNICK, 1979). Isso faz com que seja mais fácil
excitar um elétron para a banda de condução. Como
Figura 2: estrutura de bandas para isolante, resultado disso, há uma probabilidade bem maior de
semicondutor e condutor. encontrar elétrons na banda de condução num
Fonte: YOUNG & FRERDMAN, 2009. semicondutor do que num isolante, sendo assim, a
resistividade elétrica de um semicondutor é menor que a
de um isolante e maior que a de um condutor.
4 Isolantes e condutores
De maneira prática um material isolante não 5.1 Buracos
produz uma corrente elétrica quando submetido a uma Quando um elétron é removido de uma ligação
diferença de potencial. Para que exista uma corrente covalente deixa uma vacância em seu lugar, denominada
elétrica é necessário que a energia cinética média dos de buraco. Em um semicondutor puro, chamado
elétrons aumente. Para isso alguns elétrons devem intrínseco, o número de elétrons na banda de condução é
passar para um nível mais alto de energia (HALLIDAY igual ao número de buracos na banda de valência. Desse
& RESNICK, 2012). Nos isolantes, no zero absoluto, a modo, quando se aplica uma diferença de potencial no
banda de valência está totalmente ocupada e a banda de sólido, esses portadores de carga se movem sentidos
condução está totalmente desocupada. Assim os elétrons contrários. Esse tipo de condutividade é denominado
da banda de valência não têm para onde ir (YOUNG & condutividade intrínseca (YOUNG & FRERDMAN,
FRERDMAN, 2009). 2009).
Para que um elétron seja transferido para a
banda de condução onde existem níveis desocupados de 5.2 Dopagem de semicondutores
maneira que ele possa se movimentar é preciso que esse Adicionado uma pequena quantidade de impurezas
elétron adquira energia suficiente para superar a banda com determinadas propriedades adequadas ao cristal
proibida. Em um isolante a banda pode atingir até 5 eV intrínseco de um semicondutor, pode-se modificar o
ou mais, Assim pouca ou nenhuma corrente elétrica fluí comportamento elétrico de maneira desejada. Esse
em reação a uma diferença de potencial aplicada ao processo é denominado de dopagem. Pode-se fazer
material, e a condutividade elétrica é baixa (YOUNG & dopagem por doadores e receptores, que produzem
FRERDMAN, 2009). respectivamente os semicondutores do tipo n e tipo p.
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5.2.1Semicondutores Tipo-n 2009). Do ponto de vista da energia, essa impureza

Ao adicionar um átomo pentavalente a um cristal de introduz níveis discretos vazios ligeiramente acima do
semicondutor intrínseco, que possui quatro elétrons na topo da banda de valência, como mostra a figura 4.
camada de valência, o átomo pentavalente irá formar Elétrons de valência são então facilmente excitados para
quatro ligações covalentes e terá um elétron esses níveis de impureza que podem aceitá-los, deixando
praticamente livre. Ele não poderá ir para banda de buracos na banda de valência. Uma impureza deficiente
valência e ficará fracamente ligado numa órbita de raio em elétrons é chamada de impureza receptora e o
muito grande. Esse quinto elétron, tendo uma energia de semicondutor resultante é denominado de tipo-p,
ligação com átomo adicionado tão pequeno que poderá positivo.
ser facilmente ionizável e ir para a banda de condução a
temperaturas muito mais baixas do que as necessárias
para os elétrons da banda de valência (EISBERG &
RESNICK, 1979).
Esses elétrons suplementares ocuparão alguns
dos níveis discretos de energia, situados logo abaixo da
banda de condução, como mostra a figura 3, a
temperaturas baixas, e poderão ser facilmente excitados
termicamente para esta banda. A temperatura ambiente,
todos esses elétrons em excesso estarão na banda de
condução, a condutividade elétrica poderá ser controlada Figura 4: Estrutura de banda de semicondutor
pela quantidade de átomos pentavalente usados como tipo-p
impureza (EISBERG & RESNICK, 1979). Uma Fonte: YOUNG & FRERDMAN, 2009.
impureza que fornece elétrons é denominada impureza
doadora e o semicondutor resultante é chamado de tipo-
6 Dispositivos semicondutores
n, negativo, por ter um excesso de elétrons livres.
Em um cristal semicondutor que foi dopado em
uma região com impureza doadora e em outra região
vizinha com uma impureza receptora, o limite entre
essas duas regiões é denominado de junção p-n
(HALLIDAY & RESNICK, 2012). Os elétrons que
estão do lado n que estão próximos da junção tendem a
se difundir para o lado p, ao mesmo tempo os buracos
do lado p que estão próximos a junção tende a atravessa-
la. O movimento combinado dos elétrons e dos buracos
constitui uma corrente de difusão Idif, a corrente de
Figura 3: Estrutura de banda de um semicondutor tipo-n difusão produz uma carga líquida positiva na região n,
Fonte: YOUNG & FRERDMAN, 2009. perto do plano de junção; e uma carga líquida negativa
na região p, perto do plano da junção. Formando uma
diferença de potencial V0 entre as extremidades da zona
5.2.2Semicondutores Tipo-p de depleção (YOUNG & FRERDMAN, 2009). Se um
Ao adicionar um átomo trivalente a um cristal elétron se movimentar através do campo elétrico
de semicondutor intrínseco, o átomo trivalente irá produzido na junção, sua energia aumentará quando ele
formar três ligações, tendo dessa maneira um déficit de passar do lado n para o lado p. Isto pode ser observado
um elétron por átomo na formação das ligações na maneira pela qual os níveis de energia do topo da
covalentes. O resultado é a formação de um buraco que banda de valência e da base da banda de condução se
pode se deslocar na através do cristal, comportando-se deslocam para cima quando se atravessa a junção
como uma carga positiva (YOUNG & FRERDMAN, (EISBERG & RESNICK, 1979). Observe a figura 5.
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Quando se polariza reversamente um diodo

retificador, lado negativo da fonte de tensão externa na
região p e lado positivo na região n. Haverá um aumenta
na energia dos elétrons da região p, e diminuirá a
energia dos elétrons na região n. Aumentando assim a
altura da barreira de potencial entre as duas regiões
(EISBERG & RESNICK, 1979). Isso faz com que a
corrente de difusão diminua e a corrente de deriva
permaneça praticamente inalterada (HALLIDAY &
RESNICK, 2012).
Quando se polariza diretamente um diodo
retificador, lado positivo da fonte externa na regia p e
Figura 5: Estrutura de banda da junção p-n
lado negativo na região n. Isso diminui a altura da
Fonte: EISBERG & RESNICK, 1979
barreira de potencial elétrico entre as duas regiões
(EISBERG & RESNICK, 1979). Aumentando
Embora em os portadores em maioria em um
consideravelmente a corrente de difusão (HALLIDAY
semicondutor tipo n sejam elétrons, existem também
& RESNICK, 2012).
alguns buracos. Da mesma forma, em um semicondutor
tipo p, embora a maioria dos portadores sejam buracos, 7 Efeito fotocondutivo
existem também alguns elétrons. Esses poucos elétrons e
Quando a radiação é absorvida por um material, a
buracos são chamados portadores em minoria
energia dos elétrons no material é aumentada pela
(HALLIDAY & RESNICK, 2012).
energia do fóton. No entanto, os elétrons no material
A diferença de potencial V0 funciona com uma
podem ter somente certos níveis de energia, portanto a
barreira para os portadores em maioria, mas facilita o
radiação é absorvida somente quando a energia do fóton
movimento dos portadores em minoria. Cargas positivas
pode elevar o elétron de um nível de energia permissível
tendem a procurar regiões de baixo potencial e cargas
para outro. Para que um fóton gere um portador na
negativas tendem a procura regiões de alto potencial.
banda de condução é necessário que sua energia seja
Assim quando pares elétron-buraco são formados por
maior que a energia da banda proibida. Fótons de
agitação térmica na zona de depleção, os dois tipos de
energia menor que a energia da faixa proibida não serão
portadores são transportados para o outro lado da junção
absorvidos pelo material (TURNER, 1982).
pela diferença de potencial de contato e o movimento
Em diversos materiais semicondutores, a energia dos
combinado dos elétrons e buracos constituem uma
fótons com faixas de frequência nas regiões visíveis e
corrente de deriva Ider (HALLIDAY & RESNICK,
infravermelha é suficiente para superar a energia da
2012).
banda proibida. Portanto, para tais materiais a incidência
Assim, em uma junção p-n em equilíbrio, existe uma
de luz visível ou infravermelha diminui
diferença de potencial V0 entre o lado p e o lado n. Essa
consideravelmente a resistência do material comparada à
diferença de potencial tem um valor tal que a corrente de
resistência sem a incidência de iluminação (TURNER,
difusão Idif produzida pelos gradientes de concentração é
1982). Este é o principio de funcionamento dos
exatamente equilibrada por uma corrente de deriva Ider
fotoresistores.
no sentido contrário (EISBERG & RESNICK, 1979).
Nos comprimentos menores que 𝜆𝑐 ,
6.1Diodo Retificador comprimento de onda máximo para que o elétron pule a
banda proibida, cada fóton produz um par elétron
Ao se aplicar uma fonte de tensão externa em um
buraco. Como a energia total incidente é constante, o
dispositivo semicondutor de junção p-n, dependendo da
número de fótons presente aumenta com o comprimento
polarização da fonte o comportamento do semicondutor
de onda. Para comprimentos de onda mais curtos que
se modifica, um dispositivo que faz uso dessa
𝜆𝑚 , comprimento de onda mínimo para que o elétron
propriedade é o diodo retificador.
não exceder a função trabalho fazendo com que ele
escape da superfície do material, à medida que o
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comprimento de onda diminui não há mais a ejeção de condutores, uma corrente surge, e dependendo da
elétrons que possam ser usados como portadores dentro intensidade de luz sobre o semicondutor, o valor da
do material (TURNER, 1982). Dessa maneira a curva de corrente varia de forma proporcional e linear (YOUNG
resposta espectral de um determinado material pode ser & FRERDMAN, 2009).
representada como a mostra à figura 6.

Figura 7: Disposição dos componentes de um LDR

A explicação para essa variação de corrente está no

número de portadores de cargas existentes no
Figura 6: Resposta espectral teórica
semicondutor. Ao incidir luz sobre ele, elétrons que
Fonte: TURNER, 1982.
estão na região de valência - ou banda de valência –
ganham energia e passam para a banda de condução.
Fazendo a dopagem de um semicondutor é possível
Quanto maior a intensidade de luz sob o semicondutor,
modificar até certo ponto o pico da curva de resposta. Se
mais portadores de cargas surgem, resultando em um
for um material semicondutor poli cristalino o pico da
aumento na condutividade do material (YOUNG &
curva de resposta prático é achatado, no entanto haverá
FRERDMAN, 2009).
muitas armadilhas para os portadores de carga, dessa
maneira um dispositivo semicondutor poli cristalino terá O fotorresistor é atraente em muitos projetos de
um tempo de resposta longo do que de um material circuitos eletrônicos devido seu baixo custo, estrutura
monocromático (TURNER, 1982). simples e características robustas. Embora possa não ter
É possível observar que escolhendo um material algumas das características do fotodiodo e foto-
semicondutor particular, e escolhendo a dopagem transistor, é ideal para muitas aplicações. Como
adequada é possível determinar a faixa de comprimento resultado, o LDR é amplamente utilizado em circuitos
de onda para qual o dispositivo irá responder. como medidores fotográficos, detectores de chamas ou
fumaça, alarmes antirroubo, leitores de cartões e o mais
8 Sensores ópticos comum como controle de iluminação pública. Neste
ultimo, um LDR associado a um simples circuito
8.1 LDR (Resistor dependente de luz)
eletrônico formam o sistema responsável pelo controle
O LDR é um dispositivo eletrônico cujo do acionamento das lâmpadas de vias e espaços
funcionamento é muito bem descrito pelas teorias de públicos, além de algumas residências. O circuito em
banda e do efeito fotoelétrico. Este componente passivo questão pode ser observado na figura 8 abaixo.
é um resistor variável, ou fotorresistor, em que as
mudanças no valor de sua resistência estão associadas à
intensidade de luz que incidente sobre ele.
Para que as variações ocorram, um semicondutor –
neste caso o sulfeto de Cádmio – é colocado entre dois
condutores, como mostra a Figura 7. Ao submeter este
material a uma diferença de potencial através dos
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incidente, e 𝑖𝑙 a corrente a corrente devido a radiação

incidente.
A partir efeito fotoelétrico, quando um fóton de
ampla energia bate em um diodo, ele excita um elétron e
o faz saltar de camada, criando-se um par dos chamados
"buracos". Tendo cada portador (elétron e buraco)
acelerado em um sentido diferente, como mostra a figura
10 a seguir. É por causa deste fluxo de elétrons e
buracos que um campo elétrico é criado na superfície
onde se encontram (conhecida como o "junção") (Alvez,
Figura 8: Esquema de funcionamento do sistema de Gustavo. “Análise Comparativa de Sensores Ópticos de
iluminação público Posição Integrados”. 2008).
Fonte: GHELLERE (2009)

8.2 Fotodiodo
O fotodiodo é um dispositivo do tipo fotodetector,
sendo um semicondutor detentor de uma junção pn, ou
seja, construído com semicondutores do tipo p e n.
Fotodiodos possuem uma "janela" ou uma conexão de
fibra ótica , responsável por deixar a luz passar e incidir
Figura 10: Corrente devido à incidência de Fótons
na parte sensível do dispositivo de modo a possibilitar a
utilização da luz como fator determinante no controle da
Como fica evidente na imagem acima, a corrente
corrente elétrica, pois esta é gerada na medida que o
liberada pelo fotodiodo é proporcional à quantidade de
dispositivo absorve fótons de luz (Eletrônica, Volume 1
luz que chega no fotodiodo, ou seja, à quantidade de
- Albert Paul Malvino). Um símbolo de referência para
elétrons que foram excitados com os fótons.
fotodiodo pode ser visto na figura 9 abaixo:
Com sua versatilidade, o fotodiodo pode ser aplicado
no controle de iluminação de celulares e na rede de
iluminação pública. Nesses sistemas é importante saber
em que altura é que está suficientemente escuro, para
ativar as luzes. (Eletrônica, Volume 1 - Albert Paul
Malvino). Abaixo pode-se ver a foto de um fotodiodo.

Figura 9: Representação de um fotodiodo

8.2.1 Funcionamento do fotodiodo

O dispositivo gera uma corrente dependendo da
quantidade de luz que chega em seu terminal sensível,
sendo a corrente total dada pela equação 1 a seguir:
𝑖 = 𝑖𝑠 + 𝑖𝑙(1)
Sendo 𝑖𝑠 a corrente no escuro, ou seja, a corrente que
o fotodiodo libera quando não há ou há pouca luz Figura 11: Fotodiodo
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9 Sensor de Luz Ambiente alvos e pode ser utilizado em variados tipos de alvos
O sensor de luz ambiente é a combinação de dois como, por exemplo, rochas, compostos químicos,
principais componentes, um fotodiodo e um elemento de aerossol e objetos não-metais (ADITYA KUMAR,
controle. A quantidade elétrons excitados pela luz é 2017).
proporcional a corrente elétrica gerada pelo fotodiodo, Além da vantagem de ter uma ampla aplicação, o
ou seja, a corrente gerada varia de acordo com a LiDAR realiza um mapeamento em alta resolução e
luminosidade ambiente. Essa corrente passa por um levantamento de dados para elaboração de Modelos
conversor analógico-digital para ser processado pelo Digitais de Elevação (MDE) em áreas de difícil acesso
elemento de controle. Esse elemento de controle pode (MARCOS GIONGO, 2010).
ser um microcontrolador. Esse microcontrolador vai
10.1 Principio de Funcionamento
regular o brilho da tela do dispositivo eletrônico de
acordo com a luminosidade que o fotodiodo receber. O princípio de funcionamento do LiDAR consiste na
Esse controle automático de brilho é interessante para emissão de pulsos laser a partir de uma plataforma com
poupar bateria desses aparelhos. (ALVEZ MENDES, uma alta frequência. O tempo de retorno dos pulsos laser
2013) entre a plataforma e os alvos é medido pelo sensor,
Na figura 12 a seguir é mostrado o esquemático do permitindo a estimativa das distâncias (Baltsavias, 1999:
modelo AMIS-749803 da empresa Amis Wagner et al,. 2004). Uma das características positivas
Semiconductors. do LiDAR em relação aos sensores passivos (fotografias
aéreas e imagem de satélite) é que os sensores não
depende da luz solar como fonte de iluminação, uma vez
que o sistema apresenta a própria fonte de energia, que
neste caso, é o laser. Desta forma, os dados coletados
não sofre perturbações a partir de sombras (Baltsavias,
1999: Wagner et al,. 2004).
O LiDAR possui quatro principais componentes: o
scanner a laser, o sistema de posicionamento global
(GPS), a Sistema de Navegação Inercial INS) e um
Figura 12: Esquemático do modelo AMIS AMIS- computador para armazenar e tratar os dados. O
749803 resultado desse conjunto é o processamento e
Fonte: AMIS SEMICODUCTORS (1979) armazenamento de pontos com muita precisão (x, y e z),
que corresponde a cada pulso nas superfícies e objetos
10 LiDAR
presentes no terreno (MEGGY KELLY, 2015).
LiDAR, sigla utilizada para Light Detection and
Ranging, é uma tecnologia óptica baseada nos mesmos 10.1.1 Scanner a laser
princípios utilizados no sistema de RADAR, a principal O scanner a laser consiste em um laser díodo, um
diferença entre as duas técnicas está no fato que o fotodiodo e um espelho de varredura. Os pulsos são
RADAR usa ondas de rádio como base de seu sistema gerados no laser. Em seguida, os pulsos são dirigidos
enquanto o LiDAR usa pulsos de laser. Essa técnica é para o espelho de varredura. Esse espelho de varredura
utilizada em mapeamento para varredura de uma área. se refere ao conjunto óptico de lentes e espelhos que
Além de medir a distância do alvo, dado seu modo de orienta os pulsos laser gerado, lançando-os para os alvos
efetuar esta operação, o LiDAR possibilita a prospecção no terreno e, em seguida, recebendo os sinais refletidos
de outras características do terreno. Uma aplicação pelos alvos e encaminhando-os para o fotodiodo
notável se dá na varredura florestal que pode estimar (MARCOS GIONGO, 2010).
variáveis como: biomassa, carbono e quantidade de Cada pulso que chega no fotodiodo são fótons que
material combustível [Lidar: princípios e aplicações excitam os elétrons gerando corrente elétrica, essa
florestais]. corrente que é gerada são os sinais elétricos que são
Esse sistema opera com luz ultravioleta, visível ou usados para realizar o calculo da distância do alvo.
próximo do infravermelho para medir a distância dos
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O tempo de retorno dos pulsos entre sua emissão do 10.2 Aplicações do LiDAR
laser díodo e o fotodiodo é registrado e é feito o Cada pulso laser fornece a distância de um alvo, o
calculado a distância dos alvos já que a velocidade dos resultado disso é um mapeamento de uma área a partir
pulsos é a velocidade da luz. Em seguida o sinal do de pontos em que cada ponto é pulso laser (MEGGY
fotodiodo é convertido para sinal digital (binário) por KELLY, 2015).
um conversor analógico-digital (ADITYA KUMAR,
2017).

Figura 14: Imagem de pontos feita por um LiDAR

Fonte: MEGGY KELLY (2015)

Figura 13: Esquemático de um LiDAR A partir disso, é possível processar de diversas

Fonte: (ADITYA KUMAR, 2017) maneiras. Uma dessas maneiras é que é possível detectar
vegetação a partir das imagens feitas por pontos do
10.1.2 Sistema de posicionamento global e de
LiDAR. Essa detecção é feita a partir de técnicas de
navegação inercial
identificação de árvores individuais, que consiste em
O LiDAR requer de localização precisa em tempo considerar os pontos mais altos da imagem como sendo
real para realizar o mapeamento do terreno. Diante parte da vegetação, a partir disso é possível obter outras
disso, o GPS fornece as coordenadas XYZ da plataforma variáveis do terreno, como altura das árvores, diâmetro e
com elevada precisão. Para isso, utiliza-se um receptor massa. Essa técnica também possibilita fazer um
de GPS de dupla frequência (L1 e L2) e na terra se mapeamento preciso do relevo, uma vez que é possível
estabelece uma cadeia de estações GPS para realizar identificar a vegetação(MARCOS GIONGO, 2010).
observações simultâneas (MARCOS GIONGO, 2010) A tecnologia do LiDAR está sendo aplicada em
Além disso, os dados coletados pelo GPS são setores como a agricultura, que otimiza a produção por
refinados pelos métodos de correções diferenciais de mapeamento preciso indicando melhores áreas para
posicionamento (Ramos et al., 2007). aplicar os fertilizantes e indicando a inclinação do
O sistema de navegação inercial (INS) utiliza uma terreno. Além disso, áreas como hidrologia e geologia se
Unidade de Medição Inercial (IMU) que contêm beneficia das imagens precisas feitas pelo LiDAR.
diversos arranjos de sensores inerciais. Esses sensores (ADITYA KUMAR, 2017)
detectam força específica, angulação e, algumas vezes, o
campo magnético em volta do sensores. Esses sensores Conclusão
usam uma combinação de acelerômetros, giroscópios e Ao compreender o comportamento de um material
magnetômetro. Os giroscópios mantêm os acelerômetros podemos explorar ao máximo suas características e
horizontalmente em relação ao terreno, fornecendo a aplica-las nas tecnologias para diversos fins, e o estudo
orientação azimutal, enquanto os acelerômetros da teoria de bandas e do efeito fotoelétrico nos permite
proporcionam a aceleração da plataforma. (MARCOS alcançar um grau mais refinado de conhecimento sobre
GIONGO, 2010) os elementos e matérias que nos cercam. Desta forma, é
A localização, angulação e orientação do scanner a importante termos uma intimidade com as teorias físicas
laser se dá com a posição do GPS mais a posição do INS que tentam explicar e se adequar ao máximo aos
(ADITYA KUMAR, 2017). fenômenos que observamos na natureza. Assim, como
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queríamos demonstrar neste trabalho, é só através da

física quântica que podemos compreender, de forma
Giongo, M., Koehler, H. S., Machado, S. A., Kichner, F.
mais coesa, o funcionamento de sensores ópticos, pois
F., Marchetti, M., LiDAR: principios e aplicações
as características dos dispositivos que estudamos aqui
florestais, Universidade Federal do Paraná, 2010.
estão intimamente ligadas às características quânticas
dos materiais que os constituem. Entendendo os
fenômenos que ocorrem em cada átomo existente em um Mendes, J. J., Stevan, S. L., LDR E SENSOR DE LUZ
material, podemos incrementa-lo ou modifica-lo, AMBIENTE: FUNCIONAMENTO E APLICAÇÔES,
originando novos dispositivos. Universidade Tecnológica Federal do Paraná, 2013.
A teoria de bandas e o efeito fotoelétrico associado a
outras teorias físicas e químicas foram a base para
criação de diversos dispositivos que encontramos no Bhatt, A. K., Sharma, D., LIDAR TECHNOLOGY
mercado tecnológico atual, pois dão uma visão mais AND APPLICATION, EPRA International Journal of
coerente dos fenômenos naturais, possibilitando a Research and Development, Volume 2, 2017.
manipulação dos matérias, nesse caso, semicondutores.

Referências Kelly, M., Tommaso, S., Mapping Forests with LiDAR

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