Memoria a cambiamento di fase
La Memoria a cambiamento di fase (nota anche come Phase-change memory, PCM o Ovonic Unified Memory o C-RAM, Chalcogenide RAM oppure PRAM, Phase-change RAM ) è un tipo di memoria non volatile allo stato solido di nuova generazione, il cui materiale standard è una lega calcogenura composta da Germanio (Ge), Antimonio (Sb), Tellurio (Te) chiamata GST(composizione Ge2Sb2Te5), in grado di cambiare fase (cristallina o amorfa) in modo reversibile e controllato per mezzo di una corrente di programmazione che attraversa la cella di memoria che, riscaldando in modo opportuno il GST, induce il cambiamento di fase. L'utilizzo delle due differenti fasi in una memoria elettronica digitale nasce dall'osservazione sperimentale di una bassa resistenza elettrica per la fase cristallina (1 logico) e di un'elevata resistenza elettrica per quella amorfa (0 logico). Il medesimo materiale e il medesimo concetto di immagazzinamento digitale di informazione sono stati utilizzati a partire dai primi anni 90 nelle applicazioni per dischi ottici (CD e DVD), nei quali il cambiamento di fase del materiale comporta il cambiamento locale di riflettività. In particolare una regione amorfa presenta bassa riflettività, mentre una regione cristallina presenta alta riflettività; la scrittura delle fasi è ottenuta in questo caso riscaldando localmente il materiale per mezzo di impulsi laser e la lettura avviene mediante impulsi laser di bassa potenza. PCM è la più promettente tecnologia di memoria non volatile dati i sempre maggiori problemi di affidabilità delle memorie flash, allo scalare delle dimensioni della tecnologia. Attualmente molte società che operano nel campo dei semiconduttori sono impegnate nella ricerca e sviluppo di questa tecnologia, tra cui la californiana Intel Corporation, la coreana Samsung, l'italo-francese STMicroelectronics, la statunitense Hynix Semiconductor e la tedesca Qimonda tramite i brevetti Ovonyx.[1] Nel febbraio 2008 Intel e STMicroelectronics hanno annunciato di aver iniziato la distribuzione dei primi prototipi di memoria da 128 Mbit a cambiamento di fase.[2] Nel marzo 2008 nasce Numonyx, multinazionale operante nel settore delle memorie non volatili, dichiarando un ingente impegno verso la spinta alla commercializzazione della tecnologia PCM.
Note
- ^ Hynix e Ovonyx: licenza per memorie PCM, su hwupgrade.it, Hardware Upgrade, 3-10-2007. URL consultato il 3-10-2007.
- ^ Intel e STM consegnano le prime memorie a cambiamento di fase, su hwupgrade.it, Hardware Upgrade, 7-2-2008. URL consultato il 7-2-2008.