Sadržaj

Uvod ........................................................................................................................................................ 2
JFET tranzistori ........................................................................................................................................ 4
Karakteristike jfet tranzistora ............................................................................................................. 5
MOSFET ................................................................................................................................................... 8
Princip rada NMOS tranzistora ........................................................................................................... 9
Strujno-naponske karakteristike MOSFET-a ..................................................................................... 10
Dinamički parametri unipolarnih tranzistora ....................................................................................... 12
Ograničenja rada i prednosti unipolarnih tranzistora........................................................................... 13
Zaključak ............................................................................................................................................... 14

1
Uvod

Tranzistor je aktivna poluprovodička elektronska komponeneta koja se koristi za pojačavanje

električnih signala, prekidanje struje, stabilizaciju napona, modulaciju signala... Zbog čega
tranzistori predstavljaju jedan od osnovnih elemenata gotovo svih elektronskih sklopova i
uređaja.
Tranzistori se prema načinu rada dijele na dvije osnovne grupe: bipolarne tranzistore (eng.
BJT – Bipolar Junction Transistor) kod kojih provodnost zavisi od elektrona u NPN i šupljina
u PNP tipu, i unipolarne tranzistore (eng. FET – Field Effect Transistor) kod kojih
provodnost zavisi od elektrona u N-kanalu ili šupljinama u P kanalu.
Prvi tranzistor su napravili Vilijam Šokli, Džon Bardin i Valter Bretejn 22. decembra 1947.
godine u Belovim laboratorijama. Šokli, Bardin i Bretejn su dobili Nobelovu nagradu za svoj
izum „za njihova istraživanja poluprovodnika i otkriće tranzistorskog efekta“.
Prvi silicijumski tranzistor proizveden je 1954.godine, od strane kompanije Texas
Instruments. Nakon čega je usljedio veoma brz razvoj poluprovodničke tehnologije.

Kod unipolarnih tranzistora struju čine samo jedna vrsta naelektrisanja a to su glavni nosioci
naelektrisanja, ovakvom strujom se upravlja električnim poljem. Zbog toga se unipolarni
tranzistori nazivaju i tranzistori sa efektom polja. Karakteristika im je izrazito veliki ulazni
otpor te ih možemo smatrati naponski upravljanim aktivnim izvorom.

Unipolarni tranzistori u zavisnosti od tehnologije izrade mogu se podeliti na:

 Spojni (engl. Junction field-effect transistor) – JFET
 Sa izoliranim izlazom (engl. Insulated gate FET) – IGFET
 Metal oksidni (engl. metal oxide semiconductor FET) – MOSFET
 Vertikalni metal oksidni (engl. vertical metal oxide semiconductor FET)
– VMOSFET
Izvodi kod unipolarnih tranzistora su:
 Source [S]
 Drain [D]
 Gate [G]

Osnovna funkcija tranzistora je da kontroliše protok struje. Tranzistor funkcioniše tako što sa
malom strujom u kolu emiter-baza možemo upravljati znatno jačom strujom u kolu emiter-
kolektor. Ova pojava naziva se tranzistorski efekat. Pojačanje tranzistora izražava se kao faktor
strujnog pojačanja u spojevima sa zajedničkim emiterom:
Gdje su:
 β – Faktor pojačanja tranzistora
 Ic – Struja kolektora
 Ib – Struja baze
Za pravilan rad tranzistora potrebno je polarizovati tranzistor (dovesti mu napajanje) kao i s
obzirom na njegovu preosjetljivost na promjenu temperature, stabilizaciju radne tačke u odnosu
na kolektor i emiter.
Tranzistori maju vrlo veliku ulaznu impedanciju, tako da ih se može uporediti s elektroničkim
cijevima. Unipolarni tranzistor kao i elektronička cijev je naponski upravljiv elektronički
element, to je velika prednost prema bipolarnom tranzistoru koji je strujno upravljivi element.
JFET tranzistori

a) Izvedba JFET-a , b) simboli n-kanalnog i p-kanalnog JFET-a

Kada tranzistor kao upravljačku elektrodu (gejt) koristi inverzno polarizovan p-n spoj, tada se
naziva FET transistor sa upravljačkim p-n spojem ili JFET (engl. Junction-gate Field-Effect
Transistor). Rad ovih unipolarnih tranzistora zasnovan je na principu promjene debljine
provodnog kanala sužavanjem ili širenjem područja prostornog naboja (osiromašenog sloja)
p-n spoja. JFET se sastoji iz osnovne poluprovodničke oblasti n (ili p) tipa na koju su
priključene elektrode sorsa (engl. source) i drejna (engl. drain), dok se između tih priključaka
nalaze oblasti suprotnog tipa u odnosu na osnovnu oblast.
Za razliku od bipolarnoga tranzistora, kod FET-a nositelji naboja koji čine struju, ne prelaze
preko odgovarajuće polariziranih P-N spojeva među pojedinim elektrodama, već teku kroz
dio poluvodiča koji se naziva kanal. Ovisno o tome koji se tip nosioca naboja nalazi u kanalu,
unipolarni tranzistori mogu biti p-kanalni ili n-kanalni.
Kod n-kanalnog tranzistora gejt je načinjen od poluprovodničkog materijala p-tipa sa
homogenom koncentracijom akceptorskih primjesa.
Područje P tipa je legirano područje p+ tipa poluprovodnika na koje je priključen gejt.
Za rad u aktivnom području N JFET-a potrebno je na drejn priključiti pozitivan kraj izvora
jednosmjernog napona, a na sors negativan kraj istog izvora. Pri čemu gejt mora biti
priključen na minus pol baterije u odnosu na sors kako bi se obezbjedila inverzna polarizacija
p-n spoja. Time se postiže da je struja gejta praktično veoma mala, te se može zanemariti.
Naime, jednosmjerna struja gejta je veoma malena u poređenju sa strujom drejna što
implicira da je ulazna otpornost gejta vrlo velika.
 Presjek N kanalnog JFET-a.

Zbog protoka struje 𝐼𝐷 kroz kanal dolazi do pada napona duž kanala, pa je oblast kanala blizu
drejna na višem potencijalu od dijela kanala koji je bliže sorsu. Zbog toga n-kanal se sužava
od sorsa prema drejnu. Pad potencijala po dužini, pa prema tome i električno polje, biće veći
na kraju kanala uz drejn. Na p+-n spoju stvorena je barijera koja se širi na stranu slabije
legiranog poluprovodnika, dakle na N stranu.

Karakteristike jfet tranzistora

Kod unipolarnih tranzistora definišu se samo izlazne statičke karakteristike.

Ponašanje JFET-a bitno je određeno osiromašenim PN – spojem. Najčešće se posmatra
ponašanje struje 𝐼𝐷 u ovisnosti o naponu 𝑉𝐷𝑆 za neku konstantnu vrijednost napona
𝑉𝐺𝑆 (izlazna karakteristika JFET-a).
Razlikujemo tri područja rada: triodno područje (ili ohmsko područje), područje zasićenja
i područje proboja. Normalni rad JFET tranzistora je u području zasićenja.
Struja 𝐼𝐷 koja prolazi kanalom, stvara pad napona zbog otpora kanala. Kao posljedica
ovog pada napona, napon između upravljačke elektrode (G) i neke točke na kanalu nije
konstantan. To dovodi do različitog širenja osiromašenog sloja duž kanala. Najveća
inverzna polarizacija PN spoja je u području odvoda (D) pa je i osiromašeni sloj upravo tu
najširi. Promotrimo sada ponašanje struje 𝐼𝐷 u ovisnosti o naponu 𝑉𝐷𝑆 ako su upravljačka
dioda (G) i uvod (S) kratko spojeni (𝑉𝐺𝑆 = 0). Za manje napone 𝑉𝐷𝑆 porast struje 𝐼𝐷 je
približno linearan. Zbog sve veće inverzne polarizacije PN – spoja povećavanjem napona
𝑉𝐷𝑆 , kanal se sužava i otpor raste. Kada napon toliko naraste da dolazi do prekida kanala,
dolazi do struje zasićenja. 𝐼𝐷𝑆𝑆 Ovo je maksimalna struja koja se može postići. Ovaj napon
(𝑉𝑃 ) naziva se napon prekida ili dodira (pinch off voltage). Područje napona do napona
dodira naziva se triodno područje jer je karakteristika slična karakteristici triode. Za
napone veće od napona dodira (𝑉𝐷𝑆 >𝑉𝑃 ) daljnjim povećanjem napona 𝑉𝐷𝑆 dolazi do
neznatnog povećanja struje𝐼𝐷 . Ovo područje naziva se područje zasićenja. Za vrijednost
napona UDS = UPR dolazi do proboja i vjerojatnog uništenja tranzistora.
Spajanjem UGS < 0 (N – kanalni tranzistor), još više se inverzno polarizira PN – spoj pa i
pri UDS = 0 postoji osiromašeno područje u kanalu. Posljedica ovog napona je uža početna
širina kanala, dakle veći otpor pa stoga krivulja𝐼𝐷 = f(UDS) ima manji nagib. Za
negativnije napone UGS dovoljni su niži naponi UDS kako bi ušli u područje zasićenja.

Idealizovane statičke karakteristike n-kanalnog silicijumskog JFET-a.

 Izlazne karakteristike realnog JFET-a sa N kanalom

U oblasti zasićenja se dobija najveća linearnost tako da se kod pojačavača radna tačka treba
postavljati u toj oblasti.
Na ordinati je apsolutna vrijednost struje drejna (u miliamperima), a na apscisu apsolutna
vrijednost normalizovanog napona VDS. Vidljivo je da povećanjem napona VDS tranzistor
ulazi u domen proboja tako što u području zasićenja dolazi do naglog porasta struje drejna.
Ta oblast naziva se oblast proboja .
Pri dovoljno negativnoj vrijednosti napona vGS oblast prostornog naboja u barijeri prekriva
N kanal smanjujući njegovu provodnost na zanemarljivo malu vrijednost. Taj napon se
označava kao napon praga provođenja VP. Kada je napon VGS manji od napona praga kanal
je potpuno zatvoren i tranzistor je u neprovodnom stanju odnosno zakočen. U oblasti manjih
napona vDS strujno-naponska karakteristika FET-a je data u obliku:

3vDS VDS − VGS 3/2 VGS 3/2

iD = IDSS { − 2 ⌈( ) − ( ) ⌉}
−VP −VP VP
Područje nezasićenja se ponekad naziva omsko područje s obzirom da u tome području sa
porastom napona VDS raste i struja 𝐼𝐷 . Pri jako malim naponima napona vDS (vD S << VP)
tranzistor radi u linearnoj oblasti u tzv. omskoj oblasti kao naponski upravljani otpornik.
Granica omske oblasti i zasićenja određena je uslovom:
VGD = VGS − VDS = VP
Uvrštavanjem ovog uslova u polaznu relaciju za 𝐼𝐷 eliminiše se napon vDS pa se dobija
strujno-naponska karakteristika za rad na granici omske oblasti i u oblasti zasićenja u obliku:
 VGS 2
iD = IDSS (1 − ) , |VDS | ≥ |VGS − VP |
VP

MOSFET

Osnova unipolarnog tranzistora sa efektom polja MOS FET je Mmetal, O oksid, S

poluprovodnik (Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor). upravljačka elektroda je
izolirana od podloge tankim slojem silicijevoga dioksida za razliku od JFET-a kod kojega je
upravljačka elektroda nanesena izravno na podlogu. Rad MOSFET-a ovisi o nastajanju tzv.
inverzijskoga sloja na podlozi. MOSFET može biti izveden s p-kanalom na podlozi n-tipa ili
s n-kanalom na podlozi p-tipa. Kod ove vrste tranzistora ne postoji vodljivi kontakt između
upravljačke elektrode (G) i poluvodičkog materijala pa zbog toga ne može doći ni do struje u
krugu upravljačke elektrode čak i u slučaju kad je napon UGS > 0 (propusna polarizacija PN
– spoja). Osnovna karakteristika MOSFET tranzistora je vrlo veliki ulazni otpor (~1015 Ω).
Podloga je silicij p-tipa s relativno malom koncentracijom primjesa na koju se nanosi sloj
silicijeva dioksida SiO2 debljine približno 0,1 μm. Zatim se određenim planarnim
postupcima otvaraju tzv. difuzijski prozori u oksidnome sloju kroz koje se unose primjese n-
tipa vrlo velike koncentracije (n+), koje formiraju područja uvoda i odvoda. Dio poluvodiča
između uvoda i odvoda označen je kao kanal, a kroz njega struja može teći jedino ako su u
njemu nositelji naboja istoga tipa kao i većinski nositelji područja uvoda i odvoda. To znači
da je za n-kanalni MOSFET uz površinu između p-podloge i izolatora u kanalu nužno stvoriti
višak elektrona, odnosno uspostaviti inverzijski sloj između uvoda i odvoda. Postoje dva tipA
MOSFET-a:obogaĆeni i osiromaŠeni tip. Tranzistori sa ugrađenim kanalom imaju formiran
kanal kada je napon VGS  0
To znači da i tada može da protiče struja drejna 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ako je priključen napon napajanja
između drejna i sorsa. Pri negativnim naponima između gejta i sorsa struja se smanjuje pa
tranzistor radi u režimu osiromašenja (depletion mode). Priključivanjem negativnog napona
između gejta i sorsa kanal se sužava pa se struja drejna smanjuje (oblast osiromašenja- engl.
depletion mode).

Princip rada NMOS tranzistora

Kada na gejt nije priključen nikakav napon, između sorsa i drejna su vezane dve diode na red.
Jednu diodu čine podloga i n+ oblast sorsa, a drugu diodu podloga i n+ oblast drejna. Ovedve
diode sprečavaju protok struje od drejna do sorsa kada se primeni napon DS v . Izneđu sorsa
idrejna postoji velika otpornost, reda 1012 Ω.Pretpostavimo sada da su sors i drejn vezani na
masu, a da je na gejt doveden pozitivannapon GS v . Ovaj pozitivni napon odbija šupljine,
koje su većinski nosioci u podlozi, dalje od područja ispod gejta i ostavlja nepokretne,
negativno naelektrisane akceptorske atome. Dakle, ispod gejta se stvara oblast u kojoj ima
malo pokretnih nosilaca, koja se naziva osiromašena oblast.Međutim, dovoljno veliki
pozitivni napon na gejtu može da privuče slobodne elektrone iz n+ oblasti sorsa i drejna. Ovi
slobodni elektroni se grupišu u podlozi neposredno ispod gejta i stvaraju provodnu n oblast
koja se naziva kanal. Ako se između drejna i sorsa primeni neki napon DS v , kroz kanal će
proteći struja. Dakle, pozitivan napon na gejtu izaziva stvaranje ili indukciju kanala, tako da
se ova vrsta MOS tranzistora naziva tranzistor sa indukovanim n kanalom. S obzirom da su
slobodni nosioci u kanalu elektroni, ovaj tranzistor se naziva i NMOS tranzistor sa
indukovanim kanalom. Takođe, treba primetiti da se celokupna struja sastoji od kretanja
elektrona, a da šupljine nemaju nikakav uticaj. Zbog toga što u formiranju struje učestvuje
samo jedan tip nosilaca (suprotan od tipa podloge), ovakvi tranzistori se nazivaju iunipolarni
tranzistori.
Minimalni napon između gejta i sorsa koji obezbeđuje formiranje kanala naziva se napon
praga provođenja i obeležava sa Vt . Vrednosti ovog napona zavise od proizvodnog procesa i
tipično se nalaze u opsegu od 1 V do 3 V.Metalna elektroda gejta, oksid između gejta i
podloge i podloga formiraju kondenzator. Kada se dovede napon na gejt, u dielektriku
kondenzatora se pojavljuje električno polje. To električno polje kontroliše broj slobodnih
nosilaca u kanalu, odnosno provodnost kanala. Zato se 76MOS tranzistori svrstavaju u grupu
tranzistora sa efektom polja, jer se električnim poljem reguliše struja kroz kanal kada se
primeni napon DS v . Međutim MOSFET sa ugrađenim n-kanalom može da radi i pri
pozitivnom naponu u tzv. obogaćenom režimu (engl. Enhancement mode). Naime,
priključivanjem pozitivnog napona između gejta i sorsa kanal se proširuje pa se struja drejna
povećava. Ako je, pak, potrebno priključiti napon VGS  0 da bi se formirao
(indukovao) kanal tada se takav tranzistor naziva tranzistor sa indukovanim kanalom
Tranzistor sa ugrađenim kanalom ima negativan napon praga (VT  0 ). Takav tranzistor
može da radi sa negativnim naponima između gejta i sorsa (područje osiromašenja) pa se
naziva i tranzistor sa osiromašenjem (depletion transistor). U području obogaćenja napon
VGS su pozitivni. Tranzistor sa n-kanalom koji ima pozitivan napon praga (VT  0 ) naziva
se tranzistor sa obogaćenjem ili tranzistor sa indukovanim kanalom (enhancement transistor).
Obogaćenje kanala sporednim nosiocima (šupljinama), omogućava da tranzistor radi u
režimu obogaćenja (enhancement transistor).
Na predstavljena je strujno-naponska karakteristika ID = f(VGS) za tranzistor sa ugrađenim n
kanalom. Napon praga otvaranja tda iznosi VT =-3 V dok je struja IDSS pri naponu VGS =0 .

Kod p-kanalnih MOS tranzistora napon praga VT je negativan, dok kod n-kanalnih
tranzistora može biti pozitivan i/ili negativan. Sa druge strane p-kanalni MOS tranzistori na
osnovi n-tipa nemaju provodni kanal kada je VGS  0. Između dvije oblasti p-tipa koje
predstavljaju kontakte sorsa i drejna ne protiče struja drejna i kada je VDS  0. Ustvari
pozitivni naboj u oksidu stvara unutrašnje inverzno napajanje koje mora biti neutralisano
prije nego što se uspostavi provodni kanal.
Napon praga ili napon prekida struje (engl. threshold voltage) VT je napon između gejta i
sorsa pri kome struja drejna postaje jednaka nuli. Može se reći da struja drejna počinje da
teče kada napon između gejta i sorsa dostigne napon VT (threshold voltage). Struja drejna
𝐼𝐷 postaje jednaka nuli za male ali konačne vrijednosti napona VDS kada napon VGS koji se
naziva naponom praga (Threshold voltage) .

Strujno-naponske karakteristike MOSFET-a

Statičke karakteristike tranzistora obuhvataju jednosmjerne veličine struja i napona.

Geometrijski posmatrano kanal ima svoju debljinu, te širinu kanala W i dužinu kanala L.
Kada je neto gustina primjesa N u osnovi tranzistora malena ili ako je kapacitivnost Co
velika, tada se aproksimacijom dobiju izlazne karakteristike tranzistora u području
nezasićenja:
gdje je:  -dielektrična konstanta,  -pokretljivoist nosilaca elektriciteta, tox - debljina oksida,
W širina kanala ispod gejta, L dužina kanala.
Ovakva funkcija struje drejna u zavisnosti od napona između drejna i sorsa ima oblik
parabole. Gornja jednačina vrijedi u tzv. području nezasićenja i predstavlja parabolu koja ima
maksimum struje kada je VDS = VGS - VT. Tada bi, struja trebala početi opadati što je fizički
naravno nemoguće. Zbog toga gornja jednačina vrijedi samo do tog napona. Za tranzistore sa
ugrađenim kanalom u području zasićenja koristi se izraz:

pri čemu struja drejna IDSS protiče od drejna ka sorsu pri nultom naponu
između gejta i sorsa.

Statičke karakteristike NMOSFET-a

Dinamički parametri unipolarnih tranzistora
Strmina 𝑔𝑚 jednaka je omjeru promjene truje odvoda 𝐼𝐷 i promjene napona 𝑉𝐺𝑆 uz stalan
napon 𝑉𝐷𝑆 :
𝛥𝐼𝐷
𝑔𝑚 = 𝑉𝐷𝑆 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡.
𝛥𝑉𝐺𝑆

Izlazni dinamički otpor 𝑟𝑑 jednak je omjeru promjene napona 𝑉𝐷𝑆 i promjene struje
odvoda 𝐼𝐷 uz stalan napon 𝑉𝐺𝑆 :
𝛥𝑉𝐷𝑆
𝑟𝑑 = 𝑉𝐺𝑆 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡.
𝛥𝐼𝐷

Faktor naponskog pojačanja μ jednak je omjeru promjene napona 𝑉𝐷𝑆 i promjene

napona 𝑉𝐺𝑆 uz stalnu struju odvoda 𝐼𝐷 :
𝛥𝑉𝐷𝑆
𝜇= 𝐼𝐷 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡.
𝛥𝑉𝐺𝑆
Ograničenja rada i prednosti unipolarnih tranzistora
Ako iz nekog razloga raste temperatura u okolini tranzistora, i kod JFET-a i kod MOSFET-a
dolazi do linearnog pada struje. Kod MOSFET-a je pad manje izražen. Ovo svojstvo je
prednost nad bipolarnim tranzistorima kod kojih porastom temperature dolazi do porasta
struje, što dovodi do većeg pada napona koji uzrokuje povećanje snage. Povećanje snage
uzrokuje povećanje temperature... sve do termičkog bijega (proboja). Kod unipolarnih
tranzistora ne može doći do termičkog bijega.
Proboj kod JFET tranzistora je u osnovi proboj između kanala i upravljačke elektrode. Što je
apsolutni napon upravljačke elektrode veći, probojni napon odvoda je manji. Proboj
MOSFET-a nastupa zbog povećanja napona odvoda i povećanja napona upravljačke lektrode.
Na odvodu zapravo dolazi do proboja PN-spoja odvoda. Proboj je lavinski i ovisi o otpornosti
poluvodiča. Češći je proboj upravljačke elektrode. Između nje i kanala, dnosno uvoda, nalazi
se vrlo tanak dielektrik. Već pri naponima od 40-50 V polje udielektriku je toliko veliko da
nastaje proboj dielektrika. Posljedica proboja je nagli porast struje ID.
Možemo kazati da su najveće prednosti unipolarnih tranzistora:
- vrlo veliki ulazni otpor tj. nulta ulazna struja (upravljanje bez snage)
- opadanje struje povećanjem temperature
- jednostavnost izrade
- brzina
dok bipolarni tranzistori imaju linearniju karakteristiku i veće pojačanje.
Zaključak

Tranzistor se smatra za jedan od najvećih izuma u historiji čovečanstva. Tu se takođe nalaze

inkompas, optičko sočivo, parna mašina, motor sa unutrašnjim sagorjevanjem,telegraf,
telefon i mikroprocesor. On je sastavni dio skoro svih današnjih električnih uređaja gdje igra
ključnu ulogu aktivne komponente. Danas se tranzistori proizvode u ogromnim količinama u
visokoautomatizovanim procesima po niskim cijenama. Niska cena tranzistora i univerzalna
primejnljivost ga čini skoro idealnim gradivnim elementom svakog elektronskog kola.
Tranzistor sa efektom polja je prvo patentiran od strane Julije Edgar Lilinfilda 1926. i Oskar
Hajla 1934. godine, ali praktični poluprovodnički uređaji (JFET) su proizvedeni dosta kasnije
nakon što je efekat tranzistora posmatran i opisan od strane tima Vilijama Šoklija u Belovim
laboratorijama 1947. godine. MOSFET, koji je uveliko istisnuo JFET i koji je imao mnogo
značajniji efekat na razvoj elektronike , je izmišljen od strane Davon Kahnga i Martin Atale
1960. godine.