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    Dispense L12 - LNA - CMOS PDF

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    5/27/2014

    Progetto di amplificatori RF
    in tecnologia CMOS

    Ricevitori integrati in tecnologia CMOS

    Esempio di GSM (900 MHz)


    applicazioni: DECT (1.9 GHz)

    Obiettivo: implementazione della sezione


    RF/IF e di quella in banda base del
    ricevitore in ununica tecnologia

    1
    5/27/2014

    Requisiti di sistema
    Banda passante compresa tra 25 e 35 MHz per
    applicazioni a 900 MHz (Q 30)

    S21 = 10-20 dB

    NF = 6-7 dB

    Adattamento in ingresso e uscita


    3

    Schema a blocchi del LNA

    Sintonia Q

    Cascode con carico


    accordato Buffer duscita

    Sintonia f0

    2
    5/27/2014

    Cascode con carico accordato /1

    Cascode con carico accordato /2


    g M1
    Guadagno alla risonanza: A V A Buffer
    G Tot

    GInd 1/78 S a 900 MHz con L=4.1nH e Q 3


    (con le tecnologie attuali si arriva a 15)

    Elevati valori di gM1 sono richiesti per ottenere


    lS21 desiderato.
    6

    3
    5/27/2014

    Circuito di polarizzazione

    Il cascode polarizzato in corrente attraverso lo specchio


    M10-M11 7

    Modello del sistema /1


    Si utilizza un modello unilaterale per il LNA,
    essendo di tipo cascode

    Si inserisce una impedenza a parte reale negativa


    per tener conto del circuito di Q-enhancement

    In parallelo si considerano anche limpedenza di


    ingresso del circuito di sintonia di f0 e del buffer di
    uscita
    8

    4
    5/27/2014

    Modello del sistema /2

    Blocco Q-enhancement

    G Tot G Ind G n

    g M3g M 4
    Gn
    g M3 g M 4

    La reazione positiva
    produce Gn negativa,
    sintonizzabile attraverso Vo

    10

    5
    5/27/2014

    Blocco per la sintonia di f0 /1

    11

    Blocco per la sintonia di f0 /2


    A

    Al variare di Vf varia
    gm6 e quindi CTot e si
    ottiene la sintonia in
    frequenza.

    C Tot C f 1 C f 2 (1 A ) C f 1 C f 2 (1 g m 6 R 6 )
    12

    6
    5/27/2014

    Buffer duscita

    Adattamento a 50
    del carico attraverso 1
    o pi livelli di buffer

    13

    I Schema dellamplificatore

    14

    7
    5/27/2014

    Lo stadio Split-phase

    Impiego dello stadio:

    Sintonia fo al variare
    della polarizzazione.
    Primo livello di buffer.

    15

    II Schema dellamplificatore

    16

    8
    5/27/2014

    Prestazioni simulate

    Guadagno: 12 dB
    NF: 6.5 dB
    f0: 951-954 MHz (insufficiente)
    RL in uscita: -9.7 dB
    BW: 24-35 MHz
    Vdd: 5V

    17

    Schema a blocchi del LNA1


    Stadio di transimpedenza:
    Convertitore I/V

    Stadio dingresso: Stadio duscita:


    Convertitore V/I Convertitore V/V

    Sintonia f0 e Q

    1. Y. Chang, J. Choma, J. Wills, A 900MHz Active CMOS LNA with a


    Bandpass Filter, SSMSD 99, Southwest Symposium on Mixed-Signal
    Design, Tucson 1999.

    18

    9
    5/27/2014

    Stadio dingresso + transimpedenza

    19

    Funzione di trasferimento del LNA


    La transimpedenza presenta ingresso e uscita sullo stesso nodo

    In bassa frequenza limpedenza viene abbassata dalla


    controreazione, poi sale per diminuzione effetto della reazione
    (cala con la frequenza il guadagno danello) e si ha andamento
    induttivo, fino alla coppia di poli complessi coniugati

    Nei poli si ha risonanza, e comportamento capacitivo a


    frequenze superiori (A, B, C, D dipendono dai parametri dei
    MOS):
    g m 2 (C 2 C 3 ) sD
    A V (s)
    2C s 2 sA B 20

    10
    5/27/2014

    Blocco Q-enhancement
    La reazione positiva
    produce Gn negativa,
    sintonizzabile
    attraverso Vbias5

    g M 6 g M8
    Gn
    g M7

    21

    III schema dellamplificatore

    22

    11
    5/27/2014

    Dimensionamento della rete


    La sintonia su Gn ottenuta variando gM6 attraverso Vbias5

    Si trova che:
    g m3 g m5
    0
    C

    La frequenza centrale variata con gm5 agendo su Vbias4

    23

    12

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