1

DIODA SEMIKONDUKTOR
Jika dua tipe bahan semikonduktor dilekatkan maka
akan didapat sambungan p-n (p-n junction) yang
dikenal sebagai dioda.










(a) model p-n junction (b) Simbol (c) Bentuk fisik
2
Dioda semikonduktor dibentuk dengan cara
menyambungkan semi-konduktor tipe p dan
semikonduktor tipe n.
Pada saat terjadinya sambungan (junction) p dan n,
hole-hole pada bahan p dan elektron-elektron pada
bahan n disekitar sambungan cenderung untuk
berkombinasi. Hole dan elektron yang berkombinasi ini
saling meniadakan, sehingga pada daerah sekitar
sambungan ini kosong dari pembawa muatan dan
terbentuk daerah pengosongan (depletion region).

3
Oleh karena itu pada sisi p tinggal ion-ion akseptor yang
bermuatan negatip dan pada sisi n tinggal ion-ion donor
yang bermuatan positip. Namun proses ini tidak
berlangsung terus, karena potensial dari ion-ion positip
dan negatip ini akan mengahalanginya. Tegangan atau
potensial ekivalen pada daerah pengosongan ini disebut
dengan tegangan penghalang (barrier potential).
Besarnya tegangan penghalang ini adalah 0.2 untuk
germanium dan 0.6 untuk silikon.

4
Jika Jika diberi tegangan maju (forward
bias), dimana tegangan sisi p lebih besar
dari sisi n, elektron dengan mudah dapat
mengalir dari sisi n mengisi kekosongan
elektron (hole) di sisi p.


5
Sebaliknya jika diberi tegangan balik
(reversebias), maka tidak ada elektron yang
dapat mengalir dari sisi n mengisi hole di sisi p,
karena tegangan potensial di sisi n lebih tinggi.





Dioda akan hanya dapat mengalirkan arus satu
arah saja, sehingga dipakai untuk aplikasi
rangkaian penyearah (rectifier).
Daerah deplesi
6
1. Karakteristik Dioda
Hubungan antara tegangan dan arus yang mengalir
melalui dioda dapat dilihat pada kurva karakteristik
dioda.




7
Gambar di atas menunjukan dua macam kurva, yakni
dioda germanium (Ge) dan dioda silikon (Si).
Pada saat dioda diberi tegangan maju (forward bias),
maka arus I
D
akan naik dengan cepat setelah mencapai
tegangan cut-in. Tegangan cut-in ini kira-kira sebesar
0.2 Volt untuk dioda germanium dan 0.6 Volt untuk dioda
silikon.
Denganpemberian tegangan
baterai sebesar ini, maka
potensial penghalang
(barrier potential) pada
persambungan akan teratasi,
sehingga arus dioda mulai
mengalir dengan cepat.
8
Bagian kiri bawah dari grafik merupakan kurva
karakteristik dioda saat mendapatkan tegangan mundur
(reverse bias) untuk dioda germanium dan silikon.

Besarnya arus jenuh mundur (reverse saturation current)
Is untuk dioda germanium dalam orde mikro amper
(dalam contoh ini 1 mA) . Sedangkan untuk dioda silikon
Is dalam orde nano amper dalam hal ini adalah 10 nA.

Apabila tegangan yang berpolaritas negatip tersebut
dinaikkan terus, maka suatu saat akan mencapai
tegangan patah (break-down) dimana arus Is akan naik
dengan tiba-tiba.

Pada dioda biasa pencapaian tegangan break-down ini
selalu dihindari karena dioda bisa rusak.
9
Hubungan arus dioda (ID) dengan tegangan dioda (VD)
dapat dinyatakan dalam persamaan matematis yang
dikembangkan oleh W. Shockley, yaitu:



I
D
= arus dioda (amper)
I
S
= arus jenuh mundur (amper)
e = bilangan natural, 2.71828...
V
D
= beda tegangan pada dioda (volt)
n = konstanta, 1 untuk Ge; dan 2 untuk Si
V
T
= tegangan ekivalen temperatur (volt)

A e I I
T
D
nV
V
S D

1
10
Harga I
S
suatu dioda dipengaruhi oleh temperatur,
tingkat doping dan geometri dioda. Dan konstanta n
tergantung pada sifat konstruksi dan parameter fisik
dioda. Sedangkan harga V
T
ditentukan dengan
persamaan:


k = konstanta Boltzmann, 1.381 x 10
-23
J/K
T = temperatur mutlak (kelvin)
q = muatan sebuah elektron, 1.602 x 10
-19
C
Pada temperatur ruang, 25
o
C atau 273 + 25 = 298 K,
dapat dihitung besarnya V
T
yaitu:
q
kT
V
T

mV C J
x
x x
V
T
26 / 2569 , 0
10 602 , 1
298 10 381 , 1
19
23

11
Soal-soal:

1. A Ge diode is operated at temperature 27
0
C. For a
forward current (I
D
) of 10 mA, V
D
is found to be 0,3 V. If
V
D
= 0,4 V, find the forward current.
2. Find Is (saturation current) for the diode of problem 1.
3. Laboratory data for a Si diode show that I
D
= 2mA when
V
D
= 0,6 V, and I
D
= 10mA for V
D
= 0,7 V. Find the
temperature for which the data were taken.
4. Determine the reverse saturation current (Is) for the
diode of problem 4.
5. A diode Ge at T = 300
0
K conducts 5 mA at V
D
= 0,35 V.
Predict the diode current if V
D
= 0,4 V