Fluorosilane
| Fluorosilane | |
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| Structure du fluorosilane | |
| Identification | |
|---|---|
| Synonymes |
fluorure de silyle |
| No CAS | |
| No ECHA | 100.033.539 |
| No CE | 236-909-6 |
| PubChem | 6327143 |
| SMILES | |
| InChI | |
| Apparence | gaz incolore[1] |
| Propriétés chimiques | |
| Formule | SiH3F |
| Masse molaire[2] | 50,107 7 ± 0,000 5 g/mol H 6,03 %, F 37,92 %, Si 56,05 %, |
| Propriétés physiques | |
| T° fusion | −98,6 °C[3] (sublimation) |
| T° ébullition | −98,6 °C[3] |
| Masse volumique | 2,048 g·L-3[1] |
| Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire. | |
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Le fluorosilane est un composé chimique de formule SiH3F. Il se présente sous la forme d'un gaz incolore qui se condense à −98,6 °C en un solide cristallisé dans le système monoclinique, ayant à 96 K le groupe d'espace P21/n (no 14)[4].
Le fluorosilane peut être obtenu en faisant réagir du fluorométhane CH3F avec du silicium[5], de l'éther de silyle et de méthyle SiH3OCH3 avec du trifluorure de bore BF3[6] ou du chlorosilane SiH3Cl avec du trifluorure d'antimoine SbF3[7] :
Le fluorosilane peut être utilisé pour déposer des couches de silicium[8].
Notes et références
[modifier | modifier le code]- (en) William M. Haynes, CRC Handbook of Chemistry and Physics, 93e éd, CRC Press, 2016, p. 87. (ISBN 978-1-4398-8050-0)
- Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
- (en) Dale L. Perry, Handbook of Inorganic Compounds, 2e éd., CRC Press, 2016, p. 179. (ISBN 978-1-4398-1462-8)
- (en) Alexander J. Blake, E. A. V. Ebsworth, Steven G. D. Henderson et Alan J. Welch, « Structure of silyl fluoride, SiH3F, at 96 K », Acta Crystallographica Section C, vol. C41, , p. 1141-1144 (DOI 10.1107/S0108270185006904, lire en ligne)
- (en) Han-Gook Cho, « Investigation of Reaction Paths from Si + CH4 to C + SiH4 and from Si + CH3F to C + SiH3F: Intrinsic Reaction Coordinate Studies », Journal of the Korean Chemical Society, vol. 60, no 2, , p. 149-153 (DOI 10.5012/jkcs.2016.60.2.149, lire en ligne)
- (en) Advances in Inorganic Chemistry and Radiochemistry, Academic Press, 1961, p. 236. (ISBN 978-0-08-057852-1)
- (en) C. C. Addison, Inorganic Chemistry of the Main-Group Elements, Royal Society of Chemistry, 1973, p. 188. (ISBN 978-0-85186-752-6)
- (en) Akihisa Matsuda, Kiyoshi Yagii, Takao Kaga et Kazunobu Tanaka, « Glow-Discharge Deposition of Amorphous Silicon from SiH3F », Japanese Journal of Applied Physics, vol. 23, no 8, , L576-L578 (DOI 10.1143/JJAP.23.L576, Bibcode 1984JaJAP..23L.576M, lire en ligne)
