Corrigé Ex 4 Et 5 Serie N°2

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Corrigé Ex 4 et 5 Série n°2

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Corrigé Ex4:

1- Schéma du montage en mode continu : En continu les condensateurs se comportent


comme un circuit ouvert.

• Calcul des courants 𝐼𝐵1 et 𝐼𝐶 :

D’après l’énoncé de l’exercice, on a : 𝐼𝐶1 = 5 𝑚𝐴


𝐼𝐶1
On a aussi : 𝐼𝐵1 ≅ = 50 𝜇𝐴 d’où : 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶1 + 𝐼𝐵1 = 5,05 𝑚𝐴
𝛽

• Calcul des tensions de tous les nœuds par rapport à la masse : 𝑉𝐵1𝑀 , 𝑉𝐶1𝑀 et 𝑉𝐶𝐶 :
On a : 𝑉𝐶𝐶 = 20 𝑉 et 𝑉𝐵1𝑀 = 𝑉𝐵1𝐸 = 0,6 𝑉
Sachant que le point de repos est centré, la tension 𝑉𝐶𝐶 du transistor est :
𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐶1𝑀 = 𝑉𝐶1𝐸 = = 10 𝑉
2

La valeur de la tension de tous les nœuds par rapport à la masse (voir la question n°1)
2- La loi d’additivité des tensions : 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶1𝑀 + 𝑅𝐶 𝐼𝐶
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶1𝑀 20−10
Donc : 𝑅𝐶 = = 5,05×10−3 = 1,98 ≈ 2 𝑘𝑘Ω
𝐼𝐶

On obtient alors : 𝑅𝐶 = 2 𝑘Ω.


En négligeant 𝐼𝐵 devant 𝐼𝐶 , la puissance dissipée :
𝑃𝑗 = 𝑅𝐶 . 𝐼𝐶2 = 2. 103 × (5. 10−3 )2 = 50 𝑚𝑊

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3- La valeur de la résistance 𝑅𝑝 :
𝑉𝐶1 −𝑉𝐵1 10−0,6
La loi d’Ohm : 𝑉𝐶1 − 𝑉𝐵1 = 𝑅𝑃 𝐼𝐵1 d’où 𝑅𝑝 = = 50.10−6 = 188 𝑘Ω
𝐼𝐵1

𝐼 𝐼 5.10−3
4- La transconductance à 25°C : 𝑔𝑚1 = 𝑈𝐶 = 𝐾𝑇/𝑞
𝐶
= 26.10−3 = 192,31 𝑚𝑆
𝑇

La résistance dynamique de la jonction base émetteur est :


0.026 0.026𝛽 𝛽 100
𝑟𝑏𝑒 = = =𝑔 = 20.10−3 = 520 Ω
𝐼𝐵0 𝐼𝐶0 𝑚1

5- Schéma aux petites variations équivalent au montage complet.

6- Gain en tension du montage :


Ecrivons l’équation au nœud C1 :
𝑣𝑒 − 𝑣𝑠 𝑣𝑠
− 𝑔𝑚1 𝑣𝑏𝑒1 − =0
𝑅𝑝 𝑟𝑐𝑒1 //𝑅𝐶
𝑣𝑠 1
Sachant que 𝑣𝑏𝑒1 = 𝑣𝑒 , on obtient : 𝐴𝑣0 = = −(𝑔𝑚1 − )(𝑅𝑝 //𝑟𝑐𝑒1 //𝑅𝐶 ) = −360
𝑣𝑒 𝑅𝑝

7- Résistance de sortie 𝑅𝑠 du montage vu entre le collecteur C1 et la masse. On utilise la


méthode de l’ohmmètre qui consiste à :
• Court-circuiter le générateur indépendant eg
• Disposer en sortie d’un générateur u qui débite un courant i.
𝑢
• Alors 𝑅𝑠 = 𝑖

Le schéma d’analyse est le suivant :

8- On a : 𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸 avec 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵

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La résistance (𝑅𝐶 //𝑟𝑐𝑒1 ) est en parallèle avec le générateur u, aussi on peut écrire
𝑢
directement : 𝑅𝑆 = 𝑟𝑐𝑒1 //𝑅𝐶 // 𝑖 ′

Remarque : pour démontrer cette relation pratique permettant d’obtenir une relation
« compacte », il suffit d’écrire l’équation au nœud C1.

𝑅𝑔
Donc 𝑢 = 𝑅𝑝 (𝑖 ′ − 𝑔𝑚1 𝑣𝑏𝑒1 )𝑅𝑔′ 𝑖 ′ et 𝑣𝑏𝑒1 = 𝑅𝑔′ 𝑖 ′ = 𝑢 𝑅 ′
𝑝 +𝑅𝑔

′ +𝑅
𝑅𝑔 𝑝
D’où : 𝑅𝑆 = 𝑟𝑐𝑒1 //𝑅𝐶 1+𝑔 ′ = 1,6 𝑘Ω
𝑚1 (𝑅𝑔 //𝑅𝑝 )

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Réponses Ex5:
1. Schéma du montage en régime continu

1
𝐼𝐶2 = 𝐼𝐶1 + 𝐼𝐵1 = 𝐼𝐶1 (1 + ) ≈ 𝐼𝐶1 = 5 𝑚𝐴
𝛽1
𝐼𝐶2
2. Courant de base de T2 : 𝐼𝐵2 = = 25 µ𝐴. Le courant de pont 𝐼𝑃 qui circule dans R2
𝛽2

doit être choisi tel que : 250 µ𝐴 ≤ 𝐼𝑃 ≤ 500 µ𝐴.


Pour 𝐼𝑃 = 250 µ𝐴, on obtient : 𝑅1 = 2,4 𝑘Ω et 𝑅2 = 70 𝑘Ω
3.
3.1. Schéma équivalent aux petites variations et aux fréquences moyennes du dipôle
constitué exclusivement par le transistor T2 et ses résistances R1 et R2.

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3.2. L’entrée du montage est isolée, aussi la tension 𝑣𝑏𝑒2 est nulle. Le générateur de
courant dépendant est alors nul. Dans ces conditions :
𝑢 |𝑉𝐴2 | + |𝑉𝐶𝐸2 |
𝑅𝑖 = = 𝑟𝑐𝑒2 = = 22 𝑘Ω
𝑖 𝐼𝐶2
3.3. Le nouveau schéma équivalent du montage amplificateur complet. La résistance
𝑅𝑖 remplace la résistance de charge 𝑅𝐶 précédente.

3.4. Expression du nouveau gain :


𝑣𝑠 1
𝐴𝑣0 = = − (𝑔𝑚1 − ) (𝑅𝑃 //𝑟𝑐𝑒 //𝑅𝑖 ) = −1985
𝑣𝑒 𝑅𝑃
4. Schéma avec la résistance d’utilisation 𝑅𝑢

Avec Ru, le gain devient :


𝑣𝑠 1
𝐴𝑣 = = − (𝑔𝑚1 − ) (𝑅𝑃 //𝑟𝑐𝑒 //𝑅𝑖 //𝑅𝑢 )
𝑣𝑒 𝑅𝑃
La valeur de pour obtenir une chute de 20% du gain 𝐴𝑣0 : 𝑅𝑢 = 37 𝑘Ω
5. Schéma du montage aux basses fréquences :
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𝑅𝑒 représente la résistance d’entrée du montage, soit pour le nouveau montage :


𝑅𝑃 + (𝑟𝑐𝑒1 //𝑅𝑖 //𝑅𝑢 )
𝑅𝑒 = 𝑟𝑏𝑒1 // = 96 Ω
1 + 𝑔𝑚1 (𝑟𝑐𝑒1 //𝑅𝑖 //𝑅𝑢 )
𝑅𝑠′ représente la résistance de sortie du montage vue par 𝑅𝑢 , soit :
𝑅𝑔′ + 𝑅𝑃
𝑅𝑠′ = 𝑟𝑐𝑒1 //𝑅𝑖 // = 1,53 𝑘Ω
1 + 𝑔𝑚1 (𝑅𝑔′ //𝑅𝑃 )
Les cellules RC d’entrée et de sortie ont une fréquence de coupure -3dB telle que :
1 1
𝑓𝑐𝑒 = 2𝜋(𝑅 = 20 𝑘𝐻𝑧 ; 𝑓𝑐𝑠 = 2𝜋(𝑅′ +𝑅 = 20 𝑘𝐻𝑧
𝑔 +𝑅𝑒 )𝐶1 𝑠 𝑢 )𝐶2

1 1
D’où : 𝐶1 = 2𝜋(𝑅 et 𝐶2 = 2𝜋(𝑅′ +𝑅
𝑔 +𝑅𝑒 )𝑓𝑐𝑒 𝑠 𝑢 )𝑓𝑐𝑠

1 1
AN : 𝐶1 = 2𝜋(50+96)20.103 = 0,54 𝑛𝐹 et 𝐶2 = 2𝜋(1,53.103+37.103)20.103 = 20,65 𝑛𝐹

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