Université Mohamed Larbi Ben M’hidi, Oum El Bouaghi, Algérie

Faculté des sciences et des sciences appliquées

Département de génie électrique

Chapitre 01 : ‫ترانزستور تأثيراملجال‬

Transistors à effet de champ
Field effect transistors

Pr. MOUETSI Souheil

[email protected]
 Plan de cours 2

1. Introduction générale
1) Type des transistors à effet de champs
2) Invention des Transistors à effet de champ
3) Caractéristiques des TEC (par rapport au transistor bipolaire)
2. Description des transistors à effet de champs
3. Principe de fonctionnement des TEC
4. Réseaux caractéristiques des TEC
5. TEC comme interrupteur électronique
6. Polarisation des TEC
7. Schéma équivalent en petits signaux.
1. Introduction générale 3
On classe les transistors en deux catégories principales :
1) Les transistors unipolaires ou transistors à effet de champs (TEC, Field
Effect Transistor-FET-) : ne font intervenir qu’un seule type de porteurs
de charges majoritaires (les électrons libres ou les trous)
✓ Le TEC utilise une tension sur la borne d’entrée du transistor, afin
de contrôler le courant qui le traverse.
→ Le transistor à effet de champ est ainsi un dispositif commandé
en tension.
2) Les transistors bipolaires (Bipolar Junction Transistor-BJT-) : ils utilisent un
double déplacement des porteurs de charges (les majoritaires et les
minoritaires).
✓ Pour le transistor bipolaire, le courant de sortie IC est proportionnel
au courant d’entrée : IB (IC = . IB).
→ Le transistor bipolaire est donc un dispositif commandé par le
courant IB.
 4
1) Type des transistors à effet de champs
On classe les transistors à effet de champs en deux catégories :
✓ Le TEC à jonction ou JFET (Junction Field Effect Transistor)
✓ Le TEC à grille isolée (IGFET : Insulated Gate FET) ou MOSFET
(Metal Oxyde semiconductor Field Effect Transistor), MESFET
(Metal-semiconductor FET), HEMT, MODFET…
2) Invention des Transistors à effet de champ 5

▪ Le transistor à effet de champ a été

inventé entre 1925-1928 par Juluis Edgar
Lilienfeld, physicien allemand, émigré aux
Etats Unis (bien avant le transistor bipolaire).
 Un brevet a été déposé, mais aucune
réalisation n'a été possible avant les
années 60. J.E. Lilienfeld
(1882-1963)
 1959 (1960) : M.M. Attala, D. Kahng et E.
Labate fabrique le premier transistor à
effet de champ (FET)

▪ Actuellement, les MOSFET sont très

répandus surtout dans les circuits intégrées.
3) Caractéristiques des TEC 6
(par rapport au transistor bipolaire)
 Le fonctionnement des TEC est lié au déplacement d'un seul type de porteurs
majoritaires (électrons ou trous), les TEC sont des composants unipolaires.
 Les TEC sont simples à fabriquer.
 les TEC ayant l’avantage d’occuper moins de place sur les circuits intégré.
 Les TEC ont l’avantage d’avoir une résistance d’entrée très grande ( M), ils
sont utilisés comme étage d’entrée dans une chaine d’amplificateurs.
 Les TEC sont les composants les plus adaptés à la réalisation des montages en
commutation.
 Le facteur de bruit des TEC est inférieur au bruit des transistors bipolaire. (pour
les BJT, lorsque le courant de base est non nul, il sera une consommation de
puissance non nulle à la sortie).
 Grâce à leur faible consommation de puissance, les TEC sont idéaux pour les
circuits intégrés.
 Les TEC sont robustes et ils sont de faible coût.
 Un TEC est généralement plus stable en température qu’un BJT.
 Les performances des TEC aux fréquences élevées sont moins bonnes que
celle des transistors bipolaires.
 2. Description des TEC 7
Le transistor à effet de champ est un dispositif qui possède trois bornes de
connexion : Drain (D), Grille (G), Source (S)
▪ Comparaison avec le transistor bipolaire :
BJT FET
Collecteur (C) Drain (D)
Base (B) Grille (G)
Emetteur (E) Source (S)
▪ Analogie Hydraulique

Base Collecteur Grille

IB IC =β×IB
Source

IE =IC +IB
Drain
Émetteur
✓ Le TEC se comporte comme un robinet (source) dont on commande le débit (courant) vers le
drain avec une valve (grille).
✓ La force qui agit sur la valve correspond au champ électrique entre la grille et le canal.
 8
3. Principe de fonctionnement des TEC
1) Soit un cylindre de Silicium (Si) de type N sur lequel on ajoute un
anneau de silicium de type P.

Si type N

Si type P

2) On raccorde les deux extrémités du cylindre à une source de

tension, l'anneau extérieur n'est pas alimenté :

VDD
→ Un courant d’électrons prend naissance et s'établit du bas
vers le haut du barreau, ce qui correspond à un sens inverse du 9
courant électrique.

Le barreau se comporte comme une

résistance (résistivité du Silicium dopé) et
offre un canal au passage des électrons.

3) Appliquons maintenant une tension négative sur l’anneau de silicium P :

VDS

VGS
 10
▪ La jonction grille - canal constitue une diode qui est polarisée en
inverse par la tension Grille-Source.
▪ Le courant de grille IG vaut approximativement zéro ( nA), ce qui
revient à dire que le JFET possède une impédance d’entrée presque
infinie ( M).
▪ Les électrons allant de la source vers le drain (le courant en sens
inverse) doivent passer par un canal étroit entre deux zones
désertées ou dépeuplée (Zone de Charge d’Espace : ZCE)

▪ ZCE: les trous de la zone P se

recombinent avec les électrons de la
zone N
▪ la tension de grille négative repousse
les électrons ce qui a pour effet de
rétrécir le canal, donc d'en augmenter
la résistance et finalement diminuer le
courant drain source.
 11
✓ Si la tension de grille négative devient plus importante (VGS off), on va
avoir le pincement total du canal (étranglement) et le courant ID
devient nul.
→ C'est donc bien l'effet du champ électrique de la tension de grille qui
va régler le courant de drain, donc la résistance du canal.

1. Définition : le JFET est un composant à commande en tension car

une tension d’entrée (VGS : grille-source) contrôle un courant de sortie
(ID : courant qui circule entre le drain et la source).

La structure interne d’un JFET type N est

constitué de :
o Une zone N faiblement dopée qui
constitue le canal,
o Deux zones N fortement dopées (N+) qui
constitue des bornes d’entrée des
électrons (Source) et de sortie du canal
(Drain).
 12
✓ Le transistor FET fonctionnera toujours avec la jonction grille-canal
polarisée en inverse.
✓ Lorsque VGS est nulle, le courant ID est maximale.
✓ Il existe deux types de transistor FET à jonction :
JFET à canal N et le JFET à canal P.
✓ Le fonctionnement du JFET canal P est complémentaire par rapport
au JFET canal N, cela signifie que toutes les tensions et tous les
courants sont inversés.

Grille (G) : électrode de commande,

Source (S) : électrode par laquelle les porteurs
majoritaires entrent dans le canal,
Drain (D) : électrode par laquelle les porteurs
majoritaires quittent le canal.
 2) Symboles schématique 13

JFET canal N JFET canal P

1. 2. 3. 4.

− Le sens de la flèche indique le sens du courant de grille (Type N ou P),

− Le substrat et la grille, de même polarité, sont reliés électriquement,
− Dans beaucoup d’applications basses fréquences, la source et le
drain sont interchangeables, c’est-à-dire, on peut utiliser l’une des
extrémités comme source ou comme drain ; par contre, aux hautes
fréquences, source et drain ne sont plus interchangeables,
− Il existe un JFET canal P (Figure 4), c'est-à-dire, le canal est du silicium
dopé P, la grille est du silicium dopé N. On l'alimente avec une
polarité négative sur le drain (VDS<0) et positive sur la grille (VGS>0).
 3) Fonctionnement des JFET 14
a) Pour VDS = 0

La conductance maximale Lorsque la tension Lorsque VGS = VGSoff, les deux

du barreau est obtenu VGS  0, zones dépeuplées se rejoignent et le
pour VGS = 0 V. la zone dépeuplée canal est supprimé.
s'étend réduisant la La conductance tend alors vers 0
taille du canal et sa (impédance ∞)
conductance.
 b) Pour VDS > 0 : 15

Pour VDS>0 (VD > VS) Lorsque VDS ➚, Si VDS ➚➚, le canal se
La tension inverse grille- il y a pincement du canal rétrécit et le courant sera
canal sera donc plus importante pour VD = Vp limité (stabisé).
du côté du drain.
La zone de déplétion s'élargit
donc vers le drain du transistor.
La tension de pincement VP est la tension pour laquelle une augmentation
supplémentaire de VDS est compensée par une augmentation de résistance de
canal. Donc, si la résistance de canal croit proportionnellement à VDS au dessus de
VP, Id doit rester le même au-dessus de VP,
16
 17
4. Réseaux caractéristiques des TEC
En fonctionnement normal : La jonction grille–canal est polarisée en
inverse : le courant d’entrée IG est très faible (IG  0) (impédance d’entrée
très importante) et les courants drain et source sont identiques (IS = ID).
On procède au relevé des caractéristiques en utilisant le montage suivant :

mA

VGG
Remarque : 18
Pour un transistor canal P, le principe de fonctionnement reste le même, à ceci
tous les signes des courants et tensions doivent être inversés.

Réseau caractéristiques :
Réseau de transfert Réseau de sortie

Zone de coude

Zone → VDSMax
VGSOff d’avalanche

La caractéristique de transfert est tracée lorsque le transistor est dans la zone de saturation
− VDS max : tension de claquage.
19

VDS max

− VGSOff (VGSo) : tension de coupure ou de blocage grille-source qui élimine ID. A

cette valeur, les deux couches de déplétion se touchent, ceci explique
pourquoi ID est  nul. (appeler aussi tension de blocage ou tension grille de
fermeture du canal),
− IDSS : le courant drain-source de saturation lorsque la grille est court-circuité
(VGS = 0), donc c'est le courant drain maximum que l'on pourra mesurer.
− Vp : La tension de pincement (pinch off en anglais) ou tension de coude, est la
valeur au-delà de laquelle ID est pratiquement constant.
o Quand VDS=Vp, les zones désertées s’élargissent et elles se touchent
presque, le mince canal conducteur se pince ou empêche tous
accroissement ultérieur du courant. C’est pour cela que le courant drain
présente une limite supérieur IDSS.
o La région active du JFET se situe entre les tensions VP et VDS max.
1) Réseau de sortie ID =f(VD)
20
Dans le fonctionnement normal d'un
JFET, la grille est polarisée en inverse, et
il peut être même nul. (fonctionnement
avec la grille court-circuité (C.C.)

1) Le courant ID augmente rapidement au début (Zone ohmique).

→ Le TEC se comporte comme une résistance commandée en tension.
2) ID atteint la zone du coude due au début du pincement du canal,
3) ID se stabilise entre la valeur de VP et VDS max
→ Le TEC se comporte comme une source de courant commandée en tension.
4) Si VDS dépasse VDS max → le TEC est détruit par effet d'avalanche.

Exemples :
▪ pour le TEC 2N5457:
IDSS =3mA pour VDS= 15V, Vp= 2V et VDSmax=25V.
▪ pour le TEC MPF102:
VGS0 =-8V pour ID arbitrairement petite ID=2nA
 21
2) Réseau de transfert ID =f(VGS) :
La conductance de transfert ou transconductance est la relation entre
le courant de sortie et la tension d'entrée ID = f(VGS) dans Zone de
saturation VDS>Vp:
2 2
 VGS   V 
Equation de Shockley: I D = I DSS .1 −  ou I D = I DSS .1 + GS 
 VGSoff   VP 
 

• IDSS dépend de VDS

• VGSoff = -VP

Les JFET sont caractérisés par une grande dispersion des valeurs des paramètres.
Pour un même type, le courant drain maximum IDSS et la tension VGS de pincement
VP peuvent varier d’un facteur 4 à 5. Ainsi pour un 2N 5459, on note les valeurs
suivantes : 4 mA < IDSS < 16 mA et – 2 V > VP > – 8 V.

Remarque :
Les fiches techniques ou catalogues (data sheet) de tout JFET donnent la valeur
de IDSS et ils ne donnent pas la valeur de VP (on peut la déduire à partir de la valeur
de VGSoff).
3) Paramètres statiques du TEC 22
a) La transconductance (gm)
On définit la quantité gm appelée transconductance ou
conductance mutuelle dans la zone de saturation, comme suit :

I D gm quantifier ou estimer l'effet des

gm = variations de VGS sur le courant ID à Vds
VGS pour VDS constant constant.

− l'unité de gm est le siemens (S) équivalent à [A/V] [Ω-1].

− En dérivant l’equation de Shockley, on obtient l’expression de la
valeur de gm:
 V   1 
g m = 2  I DSS  1 + GS    
 VP   VP 
Remarque: Les catalogues donnent la valeur de gm pour VGS = 0,
appeler gm0 (ou gfs). en calculant la pente de la caractéristique de
transconductance en d'autres points à l'aide de l'équation suivante :

 VGS  2.I DSS

g m = g m 0  1 +  on peut déduire : Vp =
 VP  g m0
Exemple : Catalogue (data sheet) de Transistor BF245C (Philips 23
Semiconductors, Fairchild …) à T = 25 °C

Caractéristique de transfert Caractéristique de sortie ID(VDS) à

ID(VGS) à VDS constant. VGS constant.

La tension VGS règle le courant qui circule dans le transistor (ID):

✓ ID est maximal (IDSS= 17 mA typique) pour VGS= 0 V
✓ ID diminue quand |VGS| augmente.
✓ Pour VGS< VGSoff, on peut considérer que le courant ID est nul.
(ID< 10 nA) : le transistor est bloqué (off).
b) Résistance Drain Source (rDS)
24
1) Zone ohmique
Pour de faibles niveaux de la tension VDS<Vp, la caractéristique de sortie est
linéaire, donc, le transistor se comporte comme une résistance(Rd, rd ou RDS, rDS).
rDS quantifier ou estimer l'effet des variations de VDS sur le courant ID à VGS
constant :
VDS
rDS =
I D à VGS constante
rDS : résistance drain-source dans la zone
ohmique, elle dépend de la zone d’utilisation
du TEC.

Exemple 02: Transistor BF245C à T = 25 °C

Par exemple, pour VGS= - 2 V : rDS = 200 Ω
Vp
Vp = 4 V
2) Source de courant
Pour VDS> Vp environ, la caractéristique de sortie est quasiment
horizontale, le transistor se comporte comme une source de courant.
Par exemple, pour VGS= - 2 V → ID= 9 mA
5. Le TEC comme Interrupteur électronique 25
Le transistor TEC (JFET) fonctionne en commutation (2 états):
1) Interrupteur ouvert :
VGS ≤ VGS off → Le transistor est bloqué (ID= 0) et la résistance rDS est très
grande. Donc, le FET agit comme un circuit ouvert C.O..
2) Interrupteur fermé :
VGS = 0 V → Le transistor fonctionne dans la zone de saturation. la résistance
rDS est très faible (≈ 100 Ω) et le TEC agira comme (presque) un court-circuit
(C. C.) et la tension de sortie sera nulle.

Exemple :
Le transistor J108(JFET canal N, conçu pour les applications de commutation) :
• rDS = 8 Ω (pour VGS= 0 V)
• IDSS = 80 mA
• VGsoff = -10 V
✓ La commande du transistor est réalisé par une tension VGS binaire (0 V,-12 V).

Remarque: En interrupteur fermé, le courant ID est limité à 80 mA, c’est peu. Pour
travailler avec des courants beaucoup plus importants, il faut utiliser des
transistors MOSFET de puissance.
6. Polarisation des TEC
26
✓ L'une des applications du TEC est l'amplification. Cette amplification est réalisée
au tour d'un point de repos ou de fonctionnement.
✓ Les signaux amplifiés sont les signaux alternatifs. Nous avons en présence ici des
signaux alternatifs et des signaux continus. On utilise le théorème de
superposition pour faire le calcul.

Une petite variation de la tension d’entrée vGS(t) autour de VGS0 entraine des
variations de courant iDS(t) autour de iD0 et des variations des tensions vDS(t) autour
de VDS0

iD(t)=ID0+id(t)

vDS(t)=VDS0+vds(t)
vGS(t)=VGS0+vgs(t)
 27
Objectif de la polarisation : Fixer les valeurs des tensions VGS0, VDS0 et du
courant ID0 pour l’utilisation du transistor en alternatif.

Conditions à respecter : VGSoff < VGS ≤ 0 et VDS ≥ 0

1) Polarisation automatique
ID
✓ RD et RS servent à limiter le courant continu
✓ IS = IG + ID avec IG très faible (IG ≈ 0)→ IS ≈ ID
✓ RG de forte valeur. IG

VGM= Rg.IG =0. IS

VSM = RS.ID .
VGS = VGM – VSM = – RS.ID .
M
• La grille est bien négative par rapport à la source.
• Donc, la tension de polarisation VDD produit la tension de polarisation
VGS, c'est pourquoi on dit que le circuit est à polarisation automatique.
a) L’équation de la droite d’attaque (commande) est :
28
VGS = – RS.ID (Equation de la droite de polarisation ID =– VGS/RS )
b) L’équation de la droite de charge est : VDS = VDD – (RS + RD).ID

ID =– VGS/RS

ID0

VGS0 VDS0

✓ L'intersection de ID = –VGS/RS avec la caractéristique de transfert définit la tension

VGS0 et la valeur de ID0.
✓ L’intersection de la droite de charge et de la caractéristique qui correspond à
VGS0 donne la valeur de VDS0.
Remarque: Si le courant drain augmente, la chute de tension dans la résistance de
source augmente ce qui diminue la conduction du canal et donc le courant drain. Il
y a une contre-réaction qui stabilise le point de fonctionnement.
 2) Polarisation par pont diviseur
29
On utilise comme pour les transistors bipolaires une polarisation
par pont de base et résistance de source.
Le potentiel appliqué à la grille est :
R1.R2 R2
RG = et VGM = .VDD
R1 + R2 R1 + R2
Le potentiel de la source est :

VSM = RS .I D Comme VSM = VGM − VGS

VGM − VGS
donc ID =
RS
RD

RG
▪ Si l’on prend VGM beaucoup plus grand que VGS, la
stabilisation sera assurée.
▪ Si l’on souhaite une stabilisation parfaite, il est possible
d’utiliser un transistor bipolaire monté en source de courant RS
constant dont la charge sera constituée par le TEC.
7. Schéma équivalent en petits signaux
(en alternatif) 30
Les paramètres obtenus en considérant le montage suivant
:

− Paramètres d’entrée : IG et VGS

− Paramètres de sortie : ID et VDS
− La tension VGS est toujours négative
Le quadripôle est décrit en utilisant les paramètres admittances :

Ces grandeurs représentent de petites variations autour du point de

fonctionnement
 31

la résistance interne drain – source : RDS

(gDS = 1/RDS : admittance du drain)

Schéma équivalent en alternatif

Schéma équivalent simplifié
32
Dans la zone linéaire, le TEC se comporte comme une source de courant
commandée par la tension VGS ⇒ ID = f(VDS , VGS)
 En entrée : iG = 0
 En sortie :
iD = gm.VGS + (1/ rDS).VDS.

On préfère écrire la résistance drain source: rDS

(gDS)
1) Montage source commune
VDD 33
Sortie
Entrée CL2
CL1
RCh: résistance de charge

RS : résistance d'auto-polarisation
VGS = VGM – VSM = RG IG -RS ID  -RS ID
Cd

✓ Les condensateurs CL1 et CL2 sont des condensateurs de liaison ou de

couplage et la condensateur Cd de découplage.
✓ Les condensateurs bloquent les tensions de polarisation (continues) mais
laissent passer les variations dynamiques (signal).
✓ La capacité des condensateurs de liaison doit être suffisante pour ne pas
atténuer les plus basses fréquences du signal à transmettre.
1 T avec 2
ZC = =  = 2 . f =
j.C. j.2 .C T
pour  → 0 , ZC → ∞, circuit ouvert (C. O.)………………. régime statique
pour  → ∞ , ZC → 0, court circuit (C.C.) .…………………régime dynamique
a) Schéma équivalent du montage en régime statique: 34
▪ Le point de fonctionnement du transistor est imposé par les éléments
du montage : ID0, VGS0 et VDS0 sont fixés

L’impédance des condensateurs est infinie (C. O.) :

VDD VDD

VDS
VGS

▪ Un signal alternatif VGS(t) peut être superposé au signal continu VGS

b) Schéma équivalent du montage en dynamique
(petit signaux)
35
(La source VDD est désactivée)

ie iG=0 iS
(1/rDS)

✓ L’impédance (résistance) de sortie est : ROUT = Vs/is= rDS//RD ≈ 1/RD

✓ L’impédance (résistance) d’entrée est : Rin =Ve/ie= Rg
✓ Le gain en tension est : AV = Vs / Ve
▪ Ve = Vgs
𝑅𝑐ℎ .𝑅𝐷.
▪ VS = –gm. Rch//RD.Vgs donc AV =– gm. Rch//RD =- gm.
𝑅𝑐ℎ+ 𝑅𝐷

(A vide)
 𝑅 .𝑅𝐷.
𝑣𝐷𝑆 =-𝑅𝑐ℎ . 𝑖𝐷.
Droite de charge dynamique : vs = vDS → 𝑐ℎ+ 𝑅𝐷 36
La droite de charge dynamique  est la droite passant par le point de fonctionnement de
coordonnées statique (ID0 , VDS0) et de pente

VDD
Remarque: Le terme de source commune vient du fait que l'électrode source
du transistor est reliée au zéro en régime continu.
Ce montage est donc caractérisé par :
1) une très grande impédance d’entrée (Rg),
2) une impédance de sortie moyenne (ROUT ),
3) un gain (AV) en tension moyen et négatif,
▪ il existe un déphasage de 180° entre l’entrée et la sortie.
2) Montage drain commun 37
VDD

Le signal de sortie est prélevé

aux bornes de la résistance de
source.

VDD

a) Le schéma équivalent du montage

en régime statique:
b) Le schéma équivalent drain commun en dynamique
38

gds= 1/ rds

M
✓ L’impédance de sortie est : ZS = RS //rDS //Rch 39
✓ L’impédance d’entrée est : Rin =Ve/ie= Rg
✓ Le gain en tension est : AV = Vs / Ve
o En entrée : Vgs = VgM – VsM = Ve – Vs
o En sortie : VS = gm.Vgs. ZS
VS = gm. ZS(Ve – Vs)
⇒ VS(1 + gm. ZS) = gm. ZS.Ve

La valeur du gain en tension AV est donc :

g m .Z s
AV = 1
(1 + g m .Z s )
Ce montage est caractérisé par :
1) un gain en tension légèrement inférieur à l’unité AV 1,
2) une très grande impédance d’entrée (RG),
3) une impédance de sortie faible.

Ce montage permet l'adaptation d'impédance.

L’adaptation d'impédances est une technique permettant d'optimiser le transfert d'une

puissance entre un émetteur (source) et un récepteur (charge).
3) Montage grille commune
VDD
40

a) Le schéma équivalent en régime statique:

b) Le schéma équivalent drain commun en dynamique
41
 42

Propriétés des montages

Source C Drain C Grille C

Impédance d'entrée (ZE) RG Forte (>RG) Faible (RG)
Impédance de sortie (ZS) Moyenne faible forte
Le gain en tension (AV) Négatif fort Positif (1) Positif fort

Remarque: Le montage grille commune ne sera pas étudié car il

n’est pratiquement pas utilisé.
43
Comportement du TEC à 44
haute fréquence
▪ Si la fréquence augmente, des capacités parasites intrinsèques au
transistor CGS, CGD et CDS interviennent
▪ Les deux premières sont du même ordre de grandeur (qq pF), la
dernière plus faible peut être négligée

CGD et CGS sont des capacités parasites inter-électrodes dans les composants actifs.