Ce rapport décrit une expérience sur un transistor à effet de champ (FET). L'objectif est d'étudier les caractéristiques statiques et dynamiques du FET en utilisant un montage amplificateur à source commune. Les paramètres comme la tension de pincement, le courant de saturation et la transconductance sont déterminés.
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Ce rapport décrit une expérience sur un transistor à effet de champ (FET). L'objectif est d'étudier les caractéristiques statiques et dynamiques du FET en utilisant un montage amplificateur à source commune. Les paramètres comme la tension de pincement, le courant de saturation et la transconductance sont déterminés.
Ce rapport décrit une expérience sur un transistor à effet de champ (FET). L'objectif est d'étudier les caractéristiques statiques et dynamiques du FET en utilisant un montage amplificateur à source commune. Les paramètres comme la tension de pincement, le courant de saturation et la transconductance sont déterminés.
Ce rapport décrit une expérience sur un transistor à effet de champ (FET). L'objectif est d'étudier les caractéristiques statiques et dynamiques du FET en utilisant un montage amplificateur à source commune. Les paramètres comme la tension de pincement, le courant de saturation et la transconductance sont déterminés.
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Rapport TP N°3 : TRANSISTOR A EFFET DE
CHAMP (FET)
FACULTE DES SCIENCES – RABAT
TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
(FET)
Réalisé le :/05/2015, par :
Groupe A03
NOTE OBSERVATION
Année Universitaire 2014 / 2015
Page 1 Rapport TP N°3 : TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP (FET) BUT : L’objectif de cette manipulation est d’étudier le transistor à effet de champ (FET) et ces caractéristiques en utilisant un montage Amplificateur Source Commun suivant deux modes de fonctionnements : Statique et Dynamique.
MANIPULATION :
I-Etude Statique :
Montage : On réalise le montage suivant :
1. Détermination de la tension de pincement VP :
On prend RD= 0Ω, RG= 1MΩ et RS= 100kΩ.
- La valeur obtenue est VGS= -5.4 V, Avec VGS= VP.
Donc VP= -5.4V.
Page 2 Rapport TP N°3 : TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP (FET)
2. Détermination du courant de saturation IDSS :
On prend RD= 220Ω et RG=RS= 0Ω.
- Mesure de VRD VRD= 4.4V. Donc IDSS= A.N : IDSS= 0.02A.
3. Détermination de Q :
On prend RD= 1kΩ, RS= 220Ω et RG=1MΩ.
-Mesure de VDS, ID et VGS :
Les valeurs obtenues sont :
VDS= 4.2V. On a ID= Avec VRD= 9V. A.N ID= 9mA. VGS= -1.8V.
En appliquant la loi des mailles sur le circuit précédent
on a : VDD= RDID+ VDS+ RSID
Donc ID = =
Page 3 Rapport TP N°3 : TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP (FET) On a tracé sur la figure ci-dessous :
-La droite de charge
-Le point de fonctionnement Q
-La courbe ID= IDSS (1- )2
- Calcul de la transconductance gm :
On a : gm= -2 (1- )
A.N : gm= 4.93 mA/V.
Page 4 Rapport TP N°3 : TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP (FET) II- Etude Dynamique : Montage :
On réalise le montage suivant :
On fixe la fréquence à f= 1kHz.
Avec CE Sans CE Avec CE et RCh
VS (v) 4.2 2.7 2.6 VE (v) 1.6 1.6 1.6 (AV)exp 2.62 1.68 1.62
On remarque que Sans le condensateur CE, on a un effet de contre
réaction qui affaiblit beaucoup le gain en tension AV.
De plus la présence d’une résistance RCh et du condensateur CE affaiblit
beaucoup plus le gain en tension.
On a aussi le gain en tension à vide est : AV= = -gmRD.
