Cours PV - CH II-1

II.
Physique des semi-conducteurs et

principe de fonctionnement du PV
II.1 - Physique des semi-conducteurs

II.2 - La diode PN
II.3 - La cellule solaire
1
Eléments « semi-conducteur »
La distinction entre famille Métaux pauvre et métalloïde est juste

une convention (2 groupes se situant entre métaux et non métaux)
Les éléments semi-conducteurs sont : (semi-conducteur fait référence à une classe de matériaux, métalloïde et métaux pauvre sont des
classes d’élément du tableau
• Corps simples : Elément colonne IV : Si, Ge, Sn

• Composés binaires : III-V : GaAs, InP, InSb et II-VI : ZnS, CdTe
2
• Composés ternaires, quaternaires : AlxGa1-xAs, GaxIn1-xAs, GaxIn1-xAsyP1-y ……
Structure cristallographique « semi-conducteur »
Les semi-conducteurs composés simples ou binaires, ont une structure cristallo bien définie.
Réseau cfc + un atome au centre du tétraèdre :
- 8 atomes aux coins partagés par 8 mailles (compte comme 1/8 soit 1 atome pour la maille)
- 6 atomes au centre des 6 faces, partagés par 2 mailles (compte 1/2 soit 3 atomes pour la maille) 8 atomes
- 4 atomes au centre tétraèdrite à l’intérieur de la maille (compte 1 soit 4 atomes pour la maille) par maille
De telles structures sont appelées :

-Structure « diamant » si 1 seul élément : Si, Ge, Sn, C
-Structure zinc-blende si 2 éléments : GaAs, InP, ZnS, CdTe ….
Structure « diamant » Structure « zinc-blende »

(1,1,1) (1,1,1)
Ga
Si
As
Maille du Si Maille du GaAs

Si en (0, 0, 0) As en (0, 0, 0) 3
Si en (¼ , ¼, ¼ ) Ga en (¼ , ¼, ¼ )
Classification des matériaux : métal, semi-conducteur, isolant ?
Pas de Gap 0 < Gap < 3eV Gap > 3eV

(oxyde)
ρ(métaux) < 10-2 Ω.cm < ρ(sc) < 10+9 Ω.cm < ρ(isolant)
4
Aperçu de différents types de semi-conducteur
• Intermédiaire SC-Oxyde (oxyde conducteur)

Certains oxyde sont considérés comme SC :
- CuO, CuO2, Cu2O (qui existe dans la nature)
- ZnO
Découverte de la supraconductivité haut Tc à partir de composés SC:
La2CuO4 (EG=2eV) lorsqu'on remplace La (valence 3) par Ba ou Sr (valence 2)
• SC amorphes, microcristallins
Couches minces déposées (sur grandes surfaces et bon marché)
Applications en visualisation (écran LCD), radiographie, photovoltaïque
Exemples: a-Si:H; a-Si1-xGex:H, a-Si1-xCx:H
• SC organiques
Beaucoup de possibilités pour changer EG : grande variété de composés disponibles
→ adaptation au plus près des applications possibles
Pb actuel: fiabilité et robustesse
Exemple: (CH2)n: polyacétylène, etc… (voir CH III) 5
Aperçu de différents types de semi-conducteur
• SC magnétiques dilués (DMS)

Effets magnéto-optiques  capteur et électronique de spin
Inconvénient : magnétique souvent à basse température
Exemples : Ga(Mn)As, Cd1-xMnxTe, EuS (europium, souffre),
• SC en couches quasi 2D
À l'intérieur des couches: liaisons de type covalentes
Entre les couches: liaisons de type Van der Waals
→ comportement des e- dans les couches est de type 2D
Exemple: PbI2, MoS2, GaSe
• Autres
Le champ n'est pas limité…
Exemples: Composés I-III-VI2 : AgGaS2
Composés II-IV-V2: ZnSiP2
6
Pourquoi des bandes et un gap ?
• Si on s’intéresse aux états d’énergie possible pour des électrons dans un solide, il faut résoudre
l’équation de Schrödinger :
d  HΦ=EΦ
i Φ =H Φ
dt Φ = Φ(x1, x2, ….xN, y1,… yP)
Φ est la fonction d’onde du système, N est le nombre d'électrons et P le nombre de noyaux
insoluble!!
• Utilisation d’approximation pour résoudre le système : Φ = Φnoyaux Ψélectrons(x1, x2, ….xN, y10,… yP0)
1) Born- oppenheimer : Découpler le mouvement des électrons de celui des noyaux
He- Ψe- = Ee- Ψe-
(car mvt des noyaux beaucoup plus lent, donc considéré comme fixe pour e-)
2) Hartree-Fock : On remplace l’hamiltonien total par une somme d’hamiltonien à 1 électron. On

traduit les interactions entre (e- - e-) et (e- - noyaux) par un potentiel effectif V(r).
2

+ V(r )
p
H HF = Sans démonstration
2m
-Si V(r) constant = V0  théorie de Sommerfeld (e- libre)
-Si V(r) périodique V(r) = V(r+R)  théorie de Bloch-Brillouin Plus juste pour un solide car
……………………………R vecteur de translation du réseau direct périodicité du potentiel cristallin7
Interaction entre onde électronique et potentiel périodique d’un cristal ?
• Dans la théorie de Bloch-Brillouin du potentiel périodique, on trouve que les solutions de

l’équation de Schrödinger sont du type (théorème de Bloch) :
décrit variation à grande distance
( )
  
Ψn ,k ( r ) = u n ,k ( r )× exp i k.r fonction d’onde des électrons (onde de Bloch)
n est l’indice de bandes

( 
u n ,k (r ) = u n ,k r + R ) ∀ R ∈ au réseau direct
La spécificité de l’onde de Bloch est que son amplitude est liée à la périodicité du réseau
Si on remplace Ψ par exp(i k.r) uk(r) dans l'équation de Schrödinger, les indices de bandes n
apparaissent de la façon suivante :  
 
p → ∇ − k en mécanique quantique
i
 
 (
 2   2
)
  
k − i∇ + V( r ) u k ( r ) = E k u k ( r ) soit H k u k (r ) = E k u k (r )
 2m 
uk (r) est périodique ⇒ H k admet un spectre de valeurs propres infini et discret
on peut indicer les énergies pour une valeur k donnée En,k avec n ∈ N (couche électronique)
(Chaque k appartient à une bande d’état d’énergie n=1, 2, 3…) 8
• Pour des conditions aux limites de Born-Von-Karman (BVK) : On considère une chaine d’atome
périodique en enlevant les bords  boucler par l’esprit la chaine sur elle-même.
Ψk (x + L ) = Ψk (x )
a Réseau cristallin
Pour chaine 1 dimension r ≡ x atome

k.r ≡ k.x = k.L avec L=N.a L
2π l point
k
On admet que dans l’espace des k (réciproque) k=
(k est alors quantifié, comme N est très grand, les k sont très rapprochés) N.a 2π/a Réseau réciproque
  2πl    2πl    2πl  

Ψn ,k (x ) = exp i  k +  x  × u n ,k (x )× exp − i x  = exp i  k +  x  × u 2 πl (x )
  N.a    N.a    N.a   n ,k + N.a
Toute l’information sur la structure en bande est contenu dans la 1ère bande et dans une période
de largeur 2π/a (on a choisi le potentiel cristallin de période a le plus simple)
1ère zone de Brillouin réduite de
On a pas besoin de tt E largeur 2π/a
le RR pour présenter
toutes les solutions
2nd état
E3,k
excité
Chaque fois qu’il n’y aucun 1er état

recouvrement entre bande excité E2,k
d’indice n différent, il apparait
des bandes dans lesquelles Bande Interdite
n’existe aucune valeur état E1,k
stationnaires En,k fond k
 Bande interdite -3π/a -2π/a -π/a π/a 2π/a 3π/a
spin Comment remplir ces bandes ?

- Pour chaque k, il y a 2N valeurs possibles pour les états de Bloch par bande (avec N mailles)
- Nb d’électrons par cellule élémentaire: z e- valence × nb atome = N × z électrons dans la ligne
2 cas possibles selon la parité de z
A T=0K, principe de Pauli impose le remplissage des niveaux en commençant par les états de plus basse énergie
1er cas : 2nd cas : Application champ
z est pair et les bandes Application champ z est impair et les bandes électrique
ne se recouvrent pas électrique ne se recouvrent pas
État vide E
E
BC vide BC ½ rempli
BI=Eg Eg/ea BI=Eg
État plein
BV pleine BV pleine
Si Eg/ea est trop grand, impossibilité Transition entre les états occupés et
de provoquer la transition vides de la bande de conduction BC
Les e- sont localisés Flux des e- délocalisés
Etat ISOLANT Etat CONDUCTEUR
On peut alors définir un semi-conducteur : Etat isolant à faible largeur bande interdite.
10
Bande de conduction peut être peuplée par des fluctuations thermiques (kT)
Caractéristique d’un semi-conducteur
 Possède une bande interdite (gap) entre BV et BC (mais assez faible pour qu’il y ait transition
des électrons par des fluctuations thermiques).
L’existence d’un gap (0,5eV<Eg<3eV) permet d’expliquer 3 des propriétés physiques caractéristiques d’un
semi-conducteur :
1) Augmentation de la conductivité électrique avec la température.

En effet, les excitations thermiques permettent une population de la BV vers la BC qui croit avec la t°c.
2) Transparence au rayonnement infrarouge (rayonnement faible énergie < 1eV)

Puisque les photons d’énergie inférieur au gap (hν <Eg) ne pourront être absorbés, l’électron excité de
la BV ne trouvera aucun état final dans la BI (pas assez d’énergie pour atteindre BC)
3) Sensibilité à la lumière visible : phénomène de photoconductivité.

En effet, pour la lumière visible étendue proche IR et UV (1eV< hν < 4eV), les électrons peuvent être
excités dans la BC par absorption d’un photon d’une énergie suffisante (selon la longueur d’onde).
La résistivité des matériaux semi-conducteurs est comprise entre :
ρ(métaux) < 10-2 Ω.cm < ρ(sc) < 10+9 Ω.cm < ρ(isolant)
11
Quelques exemples de structures de bandes (non-solide et solide)

Formation d’orbitale moléculaire :
1) Atome d’Hydrogène (1s1)
spin
Combinaison
linéaire des 2 Ψ1s
2 atomes H se rapprochant
Par eq Schrödinger : Energie de σ et σ* Orbitale liante σ :

La molécule H2 est
stable
ΔE
E liaison
e- apparient leur spin et occupent l’orbitale la

plus basse énergétiquement : orbitale liante σ 12
Formation d’orbitale moléculaire :

2) Atome d’Hélium (1s2)
spin
Combinaison
linéaire des 2 Ψ1s
2 atomes He se rapprochant
Par eq Schrödinger : Energie de σ et σ*

Orb. anti-liante σ* :
La molécule He2 est
instable
SYSTEM
2-He Atoms
4 Electrons
2 Electron/Atom
1 Orbital/Atom
He2 n’existe pas!
He -atom He2 He -atom

e- apparient leur spin et occupent les 2 orbitales
13
3) Atome de Lithium (1s2 2s1)(Métal Alcalin)

Pour un cristal : Nb impair (z=1) électron de valence  métal
Niveau du vide
E2p vont en réalité se
recouvrir avec E2s
États disponibles pour

E2s (proche en énergie)
Lorsqu’on rapproche les atomes de Li :

- Orb. 1s quasi pas modifiées car très liées aux noyaux Recouvrement des orbitales atomiques
- Levée de dégénérescence du niveau 2s Apparition de bandes :
- Levée de dégénérescence des autres niveaux - Bandes 1s correspond pratiquement au
niveau 1s du Li
- Les autres bandes se recouvrent et forment
une bande unique
Niveau du vide correspond au niveau d’énergie d’un e- au repos (Ecin=0) 14

n’appartenant plus au solide (Epot liée aux interaction nulle).
3) Atome de Lithium (1s2 2s1)(Métal Alcalin)
C’est comme ca que l’on représente un métal
Niveau du vide
Niveau « zéro »
EF
Niveau de Fermi
Lorsqu’on rapproche les atomes de Li :

- Orb. 1s quasi pas modifiées car très liées aux noyaux
- Levée de dégénérescence du niveau 2s Niveau bas de bande
- Levée de dégénérescence des autres niveaux
Continuum d’énergie disponible depuis
le niveau occupé à T=0K jusqu’au
niveau du vide (« échappement »)
15
4) Atome de Silicium (1s2 2s2 2p6 3s2 3p2) (Semi-conducteur)
Hybridation des 2 orbitales 3s et 3p

3p
 4 électrons de valence
Énergie électronique
3s
Si isolé Si s’apprêtant à se lier

2p
2s
1s
Hybridation sp3
4 électrons de valence et cristallise dans le réseau cubique face centré (FCC) avec 2
atomes par cellules élémentaires
8N électrons à raison de 2 par orbitales
16
NB :Identique pour tous les éléments de la colonne IV : Diamant (C), Si, Ge, Sn
Cas N=2 atomes Cas grand nombre N atomes
2 niveaux offrant 8 places provenant

des anti-liant sont vides
2nd anti-liante
1ère anti-liante
2nd liante
1ère liante
2 niveaux (3s² et 3p²) offrant 8 places

provenant des liants sont pleins
Les e- issus des 2 orbitales externes (3s² et 3p²) se Pour un grand nb d’atomes, les orbitales de chaque atome
retrouvent sur les 2 niveaux issus des couplages : interagissent avec celles des ppv.
 Formation de séries de niveaux discrets très rapprochés :
- Liants : 8 places à eux deux sont entièrement occupés. Ce sont les bandes d’énergies
- Anti-liants : 8 places à eux deux sont vides. - Orbitales liantes : 4N places entièrement occupés
 bande de valence
- Orbitales liantes : 4N places entièrement vides
 bande de conduction 17
Eg
4 e- valence
Eléments de la colonne 4 :
Eg diamant ≈ 5,4 eV  très bon isolant

Eg silicium ≈ 1,1 eV et Eg germanium ≈ 0,7 eV  semi-conducteur
Eg étain ≈ 0 eV car recouvrement d’une bande plus élevé  légère conduction métallique 18
Structure de bandes calculée dans toute la ZB

Calcul par des méthodes numériques ab-initio (liaison forte, pseudo potentiel, K.p (Kane)….)
Ex : structure de bandes du silicium
Réseau
BC
réciproque Gap
BV
Réseau réciproque + 1ère zone de Brillouin

RR (cubique face centré) = Cubique centré de maille 4π/a
Direction particulière dans Г-X et Г-L de la 1ère ZB pour les k
• Réseau cubique centré de maille 4π/a
• Г, X, L sont des points particuliers :
Г : centre de la ZB • Structure de bandes plus complexe dans la réalité
X : centre des faces carrées
• Maximum de BV ne se trouve pas dans la même
L : centre des faces hexagonales
direction que le minimum de BC !
1ère ZB : volume de la maille élémentaire  Notion de gap indirect
(primitive) dans l’espace réciproque. 19
Structure de bandes calculée dans toute la ZB

Calcul par des méthodes numériques ab-initio (liaison forte, pseudo potentiel, K.p (Kane)….)
Ex : structure de bandes GaAs et Ge
GaAs RR identique au Si
Ge
Gap
Energie (eV)
Gap
k k
Maximum de BV se trouve dans la même Maximum de BV ne se trouve pas dans la

direction que le minimum de BC. même direction que le minimum de BC.
 Notion de gap direct  Notion de gap indirect
Il existe donc 2 types de gap : direct et indirect 20

2 types de gap : direct et indirect
Gap direct: min de BC et max de BV Gap indirect: min de BC et max de BV
correspondent à la même valeur de k correspondent des valeurs de k distinctes
Recombinaison radiative :
Ek échange entre porteurs de charges entre BV et BC Ek
entraine une émission/absorption de lumière
CB
Gap indirect
CB
États vides
e– e– Recombinaison CB
radiative Ec
Ec Ec
Eg hυ hυ kc
Ev
Ev Ev
h+
États occupés h+ VB kv
VB –k k
VB Pour qu’il y ait conservation du vecteur onde total

k k, un processus de recombinaison radiative
–π/a implique l’absorption/emission de phonon.
π/a
Ex : GaAs, CdTe, CuInGaSe2 Ex : Si, Ge, C, GaP
La nature du gap (dépend du matériau) va influencer le taux d’absorption (coeff absorption 2 fois plus grand dans GaAs que Si).
Paramètre à prendre en compte pour maximiser les rendements PV 21
Liste non-exhaustive de quelques gap de matériaux
indirect
indirect
direct
direct
direct
dir/indir
direct
direct
direct
indirect
indir
Lattice constant (Angstrom)
Pour une même catégorie (III-V, II-VI) :

plus le paramètre de maille est grand,
plus le gap sera petit.
22
Densité d’états au voisinage des extremums de bandes

A partir de la relation de dispersion dans une bande donnée En(k) :
 2k 2 2 Valable uniquement pour

E(k ) = dE(k ) = k dk un électron libre
Ici, on résonne dans
l’espace réciproque k.
2m m (théorie de Summerfeld)
On en déduit le nb dN d’états de la bande n dont l’énergie est comprise entre E et E+dE :

Cristal de volume V= (4π/3 L3) pour une surface d’énergie cste sphérique.
dN = n (E ) dE = ∫ n (k ) d k 3
dV=4πk²dk est le volume entre 2 sphères d’énergie constante
dV ( E )
n(k)=2×(L/2π)3 densité d’état dans les état orbitaux (2 pour le spin)
Ainsi, on obtient la densité d’état n(E) pour un électron libre :

3
L
n(E ) = 4π   (2m )
32
E Densité d’état n(E) de BC et BV dans Si
h
Au voisinage des bords de BC et BV :
Pour un é dans un solide périodique, la relation de n(E) varie de manière parabolique en (E)½
dispersion n’a pas de forme analytique simple.
(On peut toujours utiliser l’approximation de Bloch-Brillouin, mais ca
reste de la même forme n(E) proportionnel à E½ )
Au voisinage de la bande de conduction BC (i.e BV) :

3
L
n(E ) = 4π   2m*
32
(
E − EC )
h masse effective dans une bande
23
Minima de bande de conduction
Les minima de la BC peuvent se situer à plusieurs endroits dans la 1ère ZB (ceci d’écrit de la situation réelle)
Minima BC Représentation des minima de BC pour Ge, Si et GaAs

pour Si
8 demi -ellipsoïdes 1 ellipsoïde

suivant [111]
6 ellipsoïdes suivant [100]
et directions équivalentes
Si
NB: La détermination des maxima de la BV est

plus complexe car elle se « scinde» en 3 autres
bandes (bande de trou léger, trou lourd et split-off)
Nous en dirons pas plus dans ce cours 3 bandes de

valence
24
Schématisation
Notion de masse effective
La description des électrons de masse fixe évoluant dans un potentiel donné n’est pas réaliste!!!
Dans la réalité, la masse des électrons libres varie selon leurs vecteurs d’onde k.
 Notion de masse effective m*
Sans démonstration, la masse effective des Souvent, on l’écrit sous la forme d’un tenseur
porteurs de charge s’écrit : de masse effective de composante i,j :
()

()
  1   m*ij 
 = 1 ∂ En k
2 *
1 ∂ En k 2 m
1
=  m* =  *ii 
 m*  m * 
m*  2 ∂k 2  ij  2
∂k i ∂k j  ji m jj 
La masse c’est quoi ? C’est la dérivé 2nd de la relation de dispersion par rapport à k
(théorie de Bloch)
m* >0 pour E>Ec  les électrons du bas de BC ont une Courbure positive
masse effective positive (électrons)  m*>0
m* <0 pour E<Ev  les électrons du haut de BV ont une

masse effective négative (trous) Courbure négative
 m*<0
2 types de porteurs de charges 25
2 types de porteurs : électron et trou

Théorème : - Une bande pleine de conduit pas de courant.
- Une bande partiellement rempli : conduction du courant
Pour voir mieux comprendre les choses, on peut schématiser le phénomène par le « jeux du Taquin »
Apport d’énergie par

moyen quelconque :
BC - thermiquement kT
- lumière hν
- champs électrique…
BI
 Promotion d’une charge
de la BV vers la BC
BV
Pas possible de déplacer les briques

(pas de mvt de charge) 26

Théorème : - Une bande pleine de conduit pas de courant.
- Une bande partiellement rempli : conduction du courant
Pour voir mieux comprendre les choses, on peut schématiser le phénomène par le « jeux du Taquin »
électron libre de se mouvoir

BC
BI
On peut se représenter ceci comme

le déplacement d’une absence d’e-
BV
 Déplacement d’une charge
positive. Notion de « trou »
Pas possible de déplacer les briques Possible de déplacer les briques

(pas de mvt de charge) (mvt de charge) 27
Représentation en diagramme de bande Notion de trou
E Particule fictive représentant la contribution au courant d’une

bande pleine à laquelle on a retiré un électron.
• Quasi particule
BC • Comportement ondulatoire
• Energie Et = - Ee (e- manquant dans l’état k)
BI • Vecteur d’onde kt = -ke
• Charge qt = -qe = +e (>0)
BV qui occupe les états vides d’électron, en sommet de bande
• Masse mt = -me (<0) (car même accélération que l’e- manquant)
Attention : en général masse effective mt* ≠ -me*
Caractéristiques similaires à l’électron mais de signe opposé
On peut imaginer les porteurs de charges :

- les e- similaires à des « billes » et donc qui ont tendance à vouloir aller vers le bas de BC
- Les trous à des « bulles » et donc qui ont tendance à vouloir aller vers le haut de BV
28
Représentation en diagramme de bande Paramètres des e- et trou à 300 K
Gaz parfait
d’électrons
BC
BI Electron mobility µe cm²/V.s 3900 1450 8500
Hole mobility µh cm²/V.s 1900 450 400

BV
Bande de valence Les masses effectives sont souvent normalisées par rapport à la masse
Gaz parfait de l’électron me=9,1.10-31 kg
de trous • Les trous peuvent être plus lourd ou plus léger que
Schématisation simplifiée les électrons selon les matériaux.
• Par contre les trous sont souvent moins mobiles
que les électrons lors de l’application d’un champs E
La mobilité des porteurs de charges caractérise la vitesse moyenne d’un porteur dans le milieu sous
l’influence d’un champ électrique (v=µE) 29
On peut, selon son souhait, discuter soit en « langage électron », soit en « langage trou »
langage électron langage trou

Ex : Définition du vecteur d’onde, de
l’énergie et du courant d’un trou dans la BV
BV
ke
Par la suite, nous discuterons uniquement en -kt= ke
« langage électron » (comme le veux la coutume)
Quand on applique un champ électrique E sur le matériaux :

E
électron trou
ve vitesse vt
E
courant jt
je
de dérive
Le courant de dérive est dans le même sens
que le champs pour électrons et trous
   30
ATTENTION : Déplacement des e- va dans le sens opposé du courant je j = nev = ne µ E
Lors de la transition d’un porteur de charge (électron ou trou)

de la BC vers la BV :
 Création d’une paire électron-trou
Création paire électron-trou

(ici direct car pour le même k)
Cette transition s’effectue par une émission d’un photon hν.

BC
Le phénomène peut s’effectuer dans les 2 sens (pour hν > Eg) :
e– Recombinaison
- Exposition à la lumière et création d’une paire électron-trou hυ Ec radiative
 Absorption optique hυ
absorption
Lumière électron + trou optique Ev
h+
- Promotion d’un e- (trou) dans BC (BV) et émission de lumière BV
 Recombinaison radiative
électron + trou énergie
31
Dopage dans les semi-conducteurs
Semi-conducteur intrinsèque possède autant d’électron que de trou :

(intrinsèque car sans défauts ponctuels)
n = p = ni ou ni est a concentration de porteurs intrinsèques n  concentration d’électron

p  concentration de trou
On a aussi : n × p = n i2 Loi action-masse (unité : porteurs/m3)
Exemple pour Si à T=300K, ni ≈ 1,5. 1010 électrons/cm3
Ce nombre de porteurs intrinsèques est très faible par rapport au nb d’électrons dans un métal
(de l’ordre de n≈1. 1023 électrons/cm3) .
Un semi-conducteur intrinsèque
conduit très peu le courant
Les semi-conducteurs intrinsèques ne sont donc pas très intéressant pour les applications
électroniques, optroniques ….(Il faut au moins n≈1. 1015 électrons/cm3)
Donc nécessité d’introduire des porteurs de façon intentionnelle et de manière contrôlé :
Technique du dopage
32
Dopage : Technique qui consiste à introduire volontairement des impuretés dans un

…………….semi-conducteur (purifié)
850-1150 °C
Gaz ou solide
contenant le dopant
Insertion de « dopants » de manière contrôlée par :
- Implantation ionique ou technique laser
- diffusion (dans un four) Échantillon à doper
- épitaxie lors de la croissance Schéma simplifié d’un four à diffusion
Il existe deux types de dopage :

type "p" type "n"
Nb de trou p augmente Nb d’électron n augmente
introduction d'atomes de type introduction d'atomes de type donneur

accepteur en substitution d'atomes du en substitution d'atomes du réseau de
réseau de départ de valence inférieure départ de valence supérieure à celle
à celle des atomes du réseau des atomes du réseau
Introduction de Na atomes supplémentaires Introduction de Nd atomes supplémentaires

(taux de dopage accepteur) (taux de dopage donneur) 33
Colonne
Extrait du tableau périodique
NB : Plus le dopant est « gros »,

plus le cristal est déformé
3 e- valence 4 e- valence 5 e- valence
Raisonnons pour un réseau d’éléments colonne IV : Si, Ge h+
• Introduction atome colonne III (B, Al, Ga, In) :

Ces atomes possèdent 3 atomes périphériques (trivalent)
Existe liaison insatisfaite et un trou supplémentaire dans le réseau accepteur
 Ces atomes sont « accepteurs » pour Si ou Ge (de type p )
e-
• Introduction atome colonne V (P, As, Sb) :
Ces atomes possèdent 5 atomes périphériques (pentavalent)
Existe liaison insatisfaite et un e- supplémentaire dans le réseau
 Ces atomes sont « donneurs » pour Si ou Ge (de type n) donneur

Effet de la température sur le dopant dans le semi-conducteur :
Type n (ou N) : exemple du Phosphore dans Silicium
A haute température (T>100K) A basse température (T<100K)
L’énergie thermique n’est plus suffisante pour

L’électron est libéré dans le réseau ioniser l’ensemble des impuretés introduites
D0  D+ + e- D0
Impureté neutre devient charge positive fixe Impureté neutre
Electron supplémentaire localisé dans la BC Electron supplémentaire localisé au voisinage de

(libre) et participe au flux du courant l’atome donneur (lié au noyau)
 Atome ionisé positif de densité Nd  Ionisation partielle ou gels des porteurs

35

Effet de la température sur le dopant dans le semi-conducteur :
Type p (ou P) : exemple du Bore dans Silicium
A haute température (T>100K) A basse température (T<100K)
Transfert d’un e- du Si voisin et se fixe L’énergie thermique n’est plus suffisante pour
sur le dopant Bore ioniser l’ensemble des impuretés introduites
A 0 + e -  A- A0
Impureté neutre
Impureté neutre devient charge négative fixe
Trou supplémentaire localisé dans la BV (libre) Trou supplémentaire localisé au voisinage de

et participe au flux du courant l’atome accepteur (lié au noyau)
 Atome ionisé négatif de densité Na  Ionisation partielle ou gels des porteurs

36
Niveau électronique des dopants dans le semi-conducteur :

Type n Type p
P+ B–
e–
F r ee
A haute t°c, électron ou trou supplémentaire libre dans le cristal
Question : Quels sont les niveaux énergétiques possibles pour le porteur

supplémentaire fourni par le dopant ?
Type n : Ed – Ec ≈ - quelques meV

Calcul analogue à l’ion hydrogénoïde 
(pas calcul ici) Type p : Ea – Ev ≈ + quelques meV
37

Type n Type p
E E
BC BC
EC EC
qq meV
Ed Courbe des densités d’états
gap au voisinage du gap gap
Ea
EV qq meV
EV
BV BV
n(E) n(E)
Quand on rajoute des impuretés, des états quantiques supplémentaires apparaissent

proche des BC et BV correspondant aux états de Bloch
 Apparition d’un niveau donneur ou accepteur peu profond (« shallow level »)
• Plus le dopant est « gros », plus le cristal est déformé et plus le piège sera profond
• La densité de dopant va fixer la résistivité du semi-conducteur extrinsèque 38

Type n Type p
E E
BC BC
EC EC
qq meV
Ed Courbe des densités d’états
gap au voisinage du gap gap
Ea
EV qq meV
EV
BV BV
n(E) n(E)
Position en énergie (meV) dans le gap de Position en énergie (meV) dans le gap de
différents niveaux donneur pour Ge et Si différents niveaux accepteur pour Ge et Si
39
Représentation des niveaux dopants sur un diagramme d’énergie
Type n Type p
0,05eV
Toutes les impuretés sont ionisés et Toutes les impuretés sont ionisés et
deviennent donc des charges + deviennent donc des charges -
(régime d’épuisement des impuretés) (régime d’épuisement des impuretés)
Ceci est vrai pour T> 50-100K environ Ceci est vrai pour T> 50-100K environ
40

Abaque plus complet des positions des différents niveaux peu profonds (shallow) pour dopants
et profonds (deep) pour des défauts dans la bande interdite du Ge, Si, GaAs
Ge
Si
GaAs
41
Si la concentration de dopants est très importante :

Formation d’une bande d’impuretés localisée proche de la BC ou BV
 Formation de queues de bande (band tails)
Semi-conducteur modérément dopé Semi-conducteur fortement dopé

(non- dégénéré) (dégénéré)
type n
type n type p
Queue de bande
Dans ce cas, la physique est très différente et les équations (voir plus loin) décrivant la statistique
d’occupation des niveaux aussi. (on n’étudiera pas ce cas) 42
Notion de porteurs majoritaires et minoritaires
Pour un semi-conducteur non-dégénéré à température ambiante:
n= Nd : le nb d’électron est égal au nb de dopants donneurs ionisés

 Les électrons sont les porteurs majoritaires
Type n :
p=ni²/Nd << Nd : le nb de trou est alors inférieur aux électrons
 Les trous sont les porteurs minoritaires
n=ni²/Na << Na : le nb d’électron est alors inférieur aux trous

 Les électrons sont les porteurs minoritaires
Type p :
p= Na : le nb de trou est égal au nb de dopant accepteurs ionisés
 Les trous sont les porteurs majoritaires
Exemple :
n=Nd=1.1015 cm-3 majoritaire
- Pour Si modérément dopé à Nd =1.1015 cm-3 alors
p≈1.105 cm-3 minoritaire
(ni≈1.1010cm-3)
n=Nd=5.1016 cm-3 majoritaire

- Pour GaAs modérément dopé à Nd =5.1016 cm-3 alors p≈2.10-5 cm-3 minoritaire 43
(ni≈1.106cm-3)

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II.

Physique des semi-conducteurs et

II.1 - Physique des semi-conducteurs

La distinction entre famille Métaux pauvre et métalloïde est juste

• Corps simples : Elément colonne IV : Si, Ge, Sn

Structure cristallographique « semi-conducteur »

De telles structures sont appelées :

Structure « diamant » Structure « zinc-blende »

Maille du Si Maille du GaAs

Classification des matériaux : métal, semi-conducteur, isolant ?

Pas de Gap 0 < Gap < 3eV Gap > 3eV

Aperçu de différents types de semi-conducteur

• Intermédiaire SC-Oxyde (oxyde conducteur)

Aperçu de différents types de semi-conducteur

• SC magnétiques dilués (DMS)

2) Hartree-Fock : On remplace l’hamiltonien total par une somme d’hamiltonien à 1 électron. On

• Dans la théorie de Bloch-Brillouin du potentiel périodique, on trouve que les solutions de

  2πl    2πl    2πl  

Chaque fois qu’il n’y aucun 1er état

spin Comment remplir ces bandes ?

Caractéristique d’un semi-conducteur

1) Augmentation de la conductivité électrique avec la température.

2) Transparence au rayonnement infrarouge (rayonnement faible énergie < 1eV)

3) Sensibilité à la lumière visible : phénomène de photoconductivité.

La résistivité des matériaux semi-conducteurs est comprise entre :

Quelques exemples de structures de bandes (non-solide et solide)

Par eq Schrödinger : Energie de σ et σ* Orbitale liante σ :

e- apparient leur spin et occupent l’orbitale la

Formation d’orbitale moléculaire :

Par eq Schrödinger : Energie de σ et σ*

He -atom He2 He -atom

3) Atome de Lithium (1s2 2s1)(Métal Alcalin)

États disponibles pour

Lorsqu’on rapproche les atomes de Li :

Niveau du vide correspond au niveau d’énergie d’un e- au repos (Ecin=0) 14

3) Atome de Lithium (1s2 2s1)(Métal Alcalin)

C’est comme ca que l’on représente un métal

Lorsqu’on rapproche les atomes de Li :

4) Atome de Silicium (1s2 2s2 2p6 3s2 3p2) (Semi-conducteur)

Hybridation des 2 orbitales 3s et 3p

Si isolé Si s’apprêtant à se lier

4) Atome de Silicium (1s2 2s2 2p6 3s2 3p2) (Semi-conducteur)

Cas N=2 atomes Cas grand nombre N atomes

2 niveaux offrant 8 places provenant

2 niveaux (3s² et 3p²) offrant 8 places

4) Atome de Silicium (1s2 2s2 2p6 3s2 3p2) (Semi-conducteur)

Eg diamant ≈ 5,4 eV  très bon isolant

Structure de bandes calculée dans toute la ZB

Ex : structure de bandes du silicium

Réseau réciproque + 1ère zone de Brillouin

Structure de bandes calculée dans toute la ZB

Ex : structure de bandes GaAs et Ge

Maximum de BV se trouve dans la même Maximum de BV ne se trouve pas dans la

Il existe donc 2 types de gap : direct et indirect 20

VB Pour qu’il y ait conservation du vecteur onde total

Liste non-exhaustive de quelques gap de matériaux

Lattice constant (Angstrom)

Pour une même catégorie (III-V, II-VI) :

Densité d’états au voisinage des extremums de bandes