Extrait TRANSFORMATEUR

ÉNERGIES
Ti301 - Conversion de l’énergie électrique
Composants passifs
et transformateurs statiques
Réf. Internet : 42246
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III
Cet ouvrage fait par tie de
Conversion de l’énergie électrique
(Réf. Internet ti301)
composé de :
Électrotechnique générale Réf. Internet : 42333
Réseaux électriques linéaires Réf. Internet : 42258
Mesures et essais en électrotechnique Réf. Internet : 42247
Matériaux magnétiques en électrotechnique Réf. Internet : 42259
Matériaux isolants en électrotechnique Réf. Internet : 42255
Matériaux conducteurs et plasmas Réf. Internet : 42251
Composants passifs et transformateurs statiques Réf. Internet : 42246
Outils d'analyse en électronique de puissance et métrologie Réf. Internet : 42278
Composants actifs en électronique de puissance Réf. Internet : 42245
Convertisseurs électriques et applications Réf. Internet : 42253
Accumulateurs d'énergie Réf. Internet : 42243
Généralités sur les machines électriques tournantes Réf. Internet : 42250
Différents types de machines électriques tournantes Réf. Internet : 42249
Machines électriques tournantes : conception, construction et Réf. Internet : 42252
commande
Systèmes électriques pour énergies renouvelables Réf. Internet : 42248
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IV
Cet ouvrage fait par tie de
Conversion de l’énergie électrique
(Réf. Internet ti301)
dont les exper ts scientifiques sont :
Bruno ALLARD
Professeur des Universités, Département de Génie Électrique de l'INSA de
Lyon, Directeur et chercheur au laboratoire Ampère, CNRS UMR 5005
François COSTA
Agrégé en Génie électrique, Docteur ès Sciences Physiques, Professeur des
universités à l'IUFM de Créteil, Chercheur au SATIE/ENS-Cachan
Éric LABOURÉ
Professeur des Universités (Université Paris Sud - IUT de Cachan)
Thierry LUBIN
Maître de conférences - HDR à l'Université de Lorraine. Chercheur au
laboratoire GREEN de Nancy
Frédéric MAZALEYRAT
Professeur à l'ENS de Cachan, chercheur au SATIE-ENS Cachan (Systèmes et
applications des technologies de l'information et de l'énergie-École normale
supérieure de Cachan)
V
Les auteurs ayant contribué à cet ouvrage sont :
François COSTA
Pour l’article : D3015
Jean-Pierre KERADEC
Pour les articles : D3058 – D3059
François LEPLUS
Georges MANESSE
Gérard MOURIÈS
Matthieu NONGAILLARD
Emmanuel SARRAUTE
Dejan VASIC
VI
Composants passifs et transformateurs statiques
(Réf. Internet 42246)
SOMMAIRE
Réf. Internet page
Condensateurs utilisés en électronique de puissance D3010 9
Transformateurs piézoélectriques D3015 15
Bobine à noyau de fer en régime variable D3040 21
Transformateurs statiques. Principes et fonctionnement D3050 25
Éléments passifs intégrés D3057 35
Transformateurs HF à n enroulements. Schémas à constantes localisées D3058 39
Transformateurs HF à n enroulements. Identiication expérimentale D3059 45
VII
ｒ￩ｦ￩ｲ･ｮ｣･＠ｉｮｴ･ｲｮ･ｴ
ｄＳＰＱＰ
Condensateurs utilisés
en électronique de puissance
par Gérard MOURIÈS
Ingénieur de l’École Française de Radioélectricité
Consultant
1. Particularités de ces condensateurs .................................................. D 3 010 — 2

1.1 Généralités. Schéma équivalent................................................................. — 2
1.2 Contraintes ................................................................................................... — 2
1.3 Limitations.................................................................................................... — 2
1.4 Inductance série........................................................................................... — 3
1.5 Résumé......................................................................................................... — 3
2. Technologies utilisées............................................................................. — 4
2.1 Familles technologiques ............................................................................. — 4
2.2 Diélectriques ................................................................................................ — 4
2.2.1 Matériaux isolants solides ................................................................. — 4
2.2.2 Imprégnants ........................................................................................ — 6
2.2.3 Domaines d’applications.................................................................... — 8
2.3 Réalisations de condensateurs................................................................... — 9
2.3.1 Objectifs............................................................................................... — 9
2.3.2 Configurations technologiques ......................................................... — 9
2.4 Condensateurs au papier ............................................................................ — 11
2.4.1 Condensateur avec armatures en bande.......................................... — 11
2.4.2 Condensateur au papier métallisé .................................................... — 11
2.5 Condensateurs à diélectrique plastique .................................................... — 11
2.5.1 Condensateur au polypropylène ....................................................... — 11
2.5.2 Condensateur au polyester (Mylar)................................................... — 13
2.6 Condensateurs électrolytiques ................................................................... — 13
2.6.1 Condensateurs électrolytiques aluminium....................................... — 13
2.6.2 Condensateur double couche ............................................................ — 14
2.7 Boîtiers et refroidissement ......................................................................... — 16
2.8 Coût relatif des différents types de condensateurs .................................. — 17
3. Emplois et spécifications....................................................................... — 17
3.1 Généralités ................................................................................................... — 17
3.2 Condensateurs de filtrage des redresseurs à fréquence industrielle...... — 21
3.3 Condensateurs de découplage ................................................................... — 22
3.4 Condensateurs de commutation ................................................................ — 22
3.4.1 Contraintes diélectriques ................................................................... — 23
3.4.2 Contraintes dues à l’effet Joule et à la fréquence............................ — 23
3.5 Condensateurs de résonance ..................................................................... — 23
3.6 Condensateurs d’aide à la commutation des semiconducteurs ............. — 23
3.7 Condensateurs de stockage d’énergie....................................................... — 24
Pour en savoir plus ........................................................................................... Doc. D 3 010
es conditions de fonctionnement des condensateurs employés dans les cir-

L cuits de l’électronique de puissance sont tout à fait opposées à celles aux-
quelles répondent les condensateurs habituellement utilisés dans les réseaux
industriels. Dans le paragraphe 1, nous énonçons les particularités d’utilisation
de ces condensateurs. Dans le paragraphe 2, nous étudions les technologies uti-
lisées, ainsi que les matériaux employés et les réalisations. Les emplois et spéci-
fications de ces condensateurs sont développés dans le paragraphe 3.
ｐ｡ｲｵｴｩｯｮ＠Ｚ＠｡ｯ￻ｴ＠ＲＰＰＷ
Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie

est strictement interdite. — © Editions T.I. D 3 010 − 1
Ｙ
ｄＳＰＱＰ
CONDENSATEURS UTILISÉS EN ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE _________________________________________________________________________________
1. Particularités
C Rs Ls
de ces condensateurs
Rf
1.1 Généralités. Schéma équivalent
Les condensateurs utilisés en électronique pour relever le facteur Rp ou Ri

de puissance, démarrer les moteurs asynchrones monophasés, etc.,
répondent aux conditions d’utilisation suivantes :
— fonctionnement en régime quasi sinusoïdal et aux fréquences a schéma équivalent
industrielles (50 ou 60 Hz) ;
— absence de tension continue notable à leurs bornes.
Enfin, leur inductance résiduelle série n’est pas spécifiée ; sa Req
C Ls
valeur peut être assez élevée sans conséquences importantes dans ou ESR
les emplois précités.
■ De telles conditions sont tout à fait opposées à celles offertes aux b schéma équivalent simplifié
condensateurs employés dans les circuits de l’électronique de puis-
sance. En effet, dans ces circuits :
Figure 1 – Condensateur de puissance : schéma équivalent
— les courants ne sont pas sinusoïdaux, les résidus harmoniques
pouvant dépasser largement 60 % ; très fréquemment, ces courants
ont des allures impulsionnelles de formes diverses qui présentent des
vitesses de variation du courant (di/dt) dépassant largement 10 A/µs ; ■ Problème lié aux courants impulsionnels
les fréquences fondamentales sont souvent importantes (1 à 50 kHz) ; Les courants de crête, s’ils sont d’amplitudes élevées, soumettent
— une tension continue permanente élevée est généralement les connexions et les liaisons internes à des forces qui peuvent pro-
superposée à la composante alternative ou impulsionnelle ; voquer l’arrachement ou la rupture. Les condensateurs à électrodes
— l’inductance et la résistance résiduelles série doivent être aussi métallisées sont, par leur structure (§ 2.3.2), sensibles à ce paramè-
faibles que possible. tre. Les constructeurs donnent les valeurs limites des termes dv/dt
ou, de façon plus pratique, I2t.
■ Le schéma équivalent d’un condensateur réel peut être mis sous
différentes formes. Nous adoptons celle de la figure 1 a avec les ■ Problème thermique
notations suivantes :
C’est le problème le plus important, car il détermine la fiabilité du
C condensateur parfait, composant. Les calculs d’échauffement sont délicats et nécessitent
Ls inductance série, une grande expérience.
Req (ou ESR) résistance équivalente (Equivalent Serial Resis- Malheureusement, les diélectriques utilisés dans les condensa-
tance) (figure 1 b) utilisée pour la définition des pertes teurs sont relativement limités en température (θ = 85 ˚C en général
totales du condensateur à une fréquence donnée, contre 150 à 200 ˚C pour ceux utilisés dans les transformateurs ou
les moteurs). La durée de vie est une fonction exponentielle de ce
Rf résistance de fuites, paramètre.
Rp (ou Ri résistance d’isolement) résistance équivalente utili-
sée pour la définition des pertes diélectriques, Exemple : entre 70 et 85 ˚C, la durée de vie peut être divisée par
10 ; cf., pour plus de détails, le dossier Mesures des caractéristiques
Rs résistance série. des matériaux isolants solides [D 2 310], dans le présent traité.
Il est essentiel de connaître les caractéristiques thermiques du

La résistance de fuites est, en général, très grande et son condensateur, sa capacité d’échange avec le fluide refroidisseur et,
influence est à négliger ; les constantes de temps d’autodé- plus particulièrement, l’impédance thermique entre le point le plus
charge (Rf C) sont souvent supérieures à 1 000 s. chaud du diélectrique et le boîtier (§ 2.7).
1.2 Contraintes 1.3 Limitations
Les contraintes appliquées aux condensateurs de l’électronique ■ Les dispositifs d’électronique de puissance mettent en œuvre des
de puissance sont très diverses. Chaque type d’utilisation nécessite courants importants dont la fréquence est élevée et qui sont riches
une étude et une technologie particulière ; c’est pourquoi les con- en harmoniques (§ 1.1), ce qui complique l’évaluation des pertes. On
densateurs classiques pour réseaux industriels ne conviennent que utilise les notations du schéma équivalent de la figure 1 a.
très rarement. ● Les pertes Joule dans les connexions et les électrodes (Rs)
Choisir un condensateur, c’est résoudre trois problèmes principaux dépendent de la fréquence (effet de peau).
liés au diélectrique, aux courants impulsionnels et à la thermique. ● Les pertes dissipées dans le diélectrique (Rp) sont le produit de
la puissance réactive (proportionnelle au carré de l’amplitude des
■ Problème diélectrique
variations du champ électrique et à leur fréquence) par la tangente
Le vieillissement des diélectriques dépend de la forme d’onde de de l’angle des pertes :
la tension (continue, alternative, alternative et continue superpo-
tanδ = Cω/Rp (1)
sées), de sa fréquence et de ses harmoniques. La température θ et
les régimes de surtensions sont des paramètres déterminants. avec ω pulsation du réseau (ω = 2πf).

D 3 010 − 2 est strictement interdite. — © Editions T.I.
ＱＰ
ｄＳＰＱＰ
________________________________________________________________________________ CONDENSATEURS UTILISÉS EN ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE
Zone A Zone B Zone C Z (Ω) 10
I, Q, U
1
I
U
Q
f 10–1
f1 f2
I courant efficace traversant le condensateur

Q puissance réactive Rs
U tension efficace aux bornes du condensateur
10–2
102 103 104 105 106 107
Figure 2 – Limitations, en régime sinusoïdal, d’un condensateur f (Hz)
en fonction de la fréquence f
Figure 3 – Variation de l’impédance d’un condensateur réel

en fonction de la fréquence f
Cette dernière dépend, selon la nature du diélectrique, de la ten-
sion, de la fréquence et de la température.
● Il faut, enfin, ajouter les pertes électromagnétiques dues aux
Cette inductance série peut provoquer, même en régime perma-
courants de Foucault dans le boîtier métallique, ce qui impose, sou-
vent, l’utilisation de métaux amagnétiques, tel l’aluminium. nent, des difficultés si la pulsation ω0 est voisine de celles d’harmo-
niques de rang élevé du fondamental. Le cas peut se présenter en
■ La figure 2 illustre, en régime sinusoïdal, les différentes limita-
tions d’un condensateur, en fonction de la fréquence f. Trois zones particulier sur les onduleurs à résonance à haute fréquence (au-delà
peuvent être distinguées. de 5 à 10 kHz).
● Dans la zone A (fréquences basses), la limitation vient de la ten-
sion maximale qui ne peut pas être dépassée. La puissance réactive Pratiquement, il ne faut pas utiliser un condensateur à une fré-
Q croît avec la fréquence : quence supérieure au 1/5 de sa fréquence de résonance.
Q = U 2Cω (2)
avec U valeur efficace de la tension aux bornes du condensateur.
On appelle f1 la fréquence pour laquelle le condensateur dissipe Ces phénomènes parasites ont été connus très tôt dans le
sa puissance active maximale Pmax à la tension maximale Umax ; la domaine de la radioélectricité. Il était alors classique de doubler
puissance réactive est également maximale Qmax. les condensateurs au papier, qui présentaient une forte induc-
tance résiduelle, par des condensateurs au mica argenté de
● La zone B correspond aux fréquences intermédiaires ; les per-
capacité environ 100 fois plus faible, assurant un découplage
tes maximales dissipables sont alors atteintes. efficace aux fréquences les plus élevées (supérieures à quel-
● En ce qui concerne la zone C (fréquences élevées), la limitation ques mégahertz). C’est une disposition analogue qui apparaît
est imposée par le courant maximal admissible (I étant la valeur effi- actuellement pour les condensateurs dits compounds.
cace du courant traversant le condensateur) ; ce courant diminue en
fonction de la fréquence, à cause de l’effet de peau dans les con-
nexions et des pertes électromagnétiques dues aux courants de Fou-
cault dans le boîtier. Le courant maximal est atteint à la fréquence f2.
1.5 Résumé
1.4 Inductance série
Les contraintes, rencontrées en électronique de puissance,
L’inductance série Ls produit une tension transitoire Lsdi/dt qui nécessitent des condensateurs de technologies adaptées à chaque
peut être importante par rapport à la tension d’utilisation du con- utilisation. Les courants forts, de fréquence élevée, et les limites en
densateur. température des diélectriques actuels imposent des composants à
Exemple très faibles pertes et à faible impédance thermique.
Pour un composant classique de 20 µF, l’inductance Ls est de l’ordre
de 0,1 µH. Si la vitesse de variation du courant est di/dt = 50 A/µs,
valeur tout à fait courante, la tension transitoire aux bornes de Ls Les ordres de grandeur sont, en général, les suivants :
atteint 5 V, alors que la valeur de crête de la tension aux bornes de C — résistance série : Rs = 0,1 à 10 mΩ
peut ne pas dépasser 100 V (c’est le cas pour un onduleur de faible — inductance série : Ls = 5 à 400 nH
puissance à tension modérée). Ce même condensateur a, de plus, une — pertes diélectriques (tangente
fréquence de résonance propre série de 100 kHz. de l’angle de pertes) : tanδ = 2·10–4 à 100·10–4
— impédance thermique du point
On ne peut donc considérer un tel élément comme un condensa- chaud ........................................... : 0,5 à 20 K/W
teur parfait et son impédance en fonction de la fréquence prend Les condensateurs de réseaux industriels ne sont qu’un cas
l’allure indiquée sur la figure 3. Le minimum correspond à la réso- particulier des condensateurs ; ils sont conçus pour fonctionner
nance série (de pulsation ω0), telle que : en régime sinusoïdal à 50 ou 60 Hz, et n’ont pas les performan-
L s C ω 02 = 1 (3) ces requises par l’électronique de puissance.

ＱＱ
ｄＳＰＱＰ
2. Technologies utilisées
Énergie massique (Wh/kg)

103
Piles à combustible
2.1 Familles technologiques 102
Batteries
10
Pour les applications en électronique de puissance, quatre gran-
des familles sont utilisées :
1 Supercondensateurs
— les condensateurs électrolytiques à l’aluminium ;
— les condensateurs céramiques ;
— les condensateurs films (papiers, plastiques, secs ou 10–1
imprégnés) ; Condensateurs
— les condensateurs double couche ou « supercondensateurs ». 10–2
10–3 10–2 10–1 1 10 102 103 104
■ Les condensateurs électrolytiques (§ 2.6) ne sont utilisés que Puissance massique (kW/kg)
pour le filtrage d’une tension continue. Ils sont présents depuis
longtemps dans les alimentations à découpage (modèles dits à fai- Figure 4 – Diagramme de Ragone. Positionnement
ble résistance série). Aujourd’hui, les progrès réalisés pour augmen- des supercondensateurs par rapport aux autres types de stockage
ter la durée de vie permettent leur emploi dans les appareillages de d’énergie électrique (doc. Maxwell Technologies)
moyenne puissance (P > 10 kW ; U < 1 000 V).
■ Les condensateurs céramiques sont, traditionnellement, utilisés

en haute fréquence (f > 1 MHz) pour l’accord ou le découplage en
haute tension (U > 3 000 V), par exemple dans les émetteurs de
radiodiffusion. Une nouvelle génération de condensateurs Proportion d'énergie totale (%) 80 Maximum d'énergie à Un/2
céramiques multicouches couvre actuellement la basse tension con- 70
tinue (U < 500 V). Énergie
60
Leurs caractéristiques en courant (résistance série, inductance 50
série) sont exceptionnelles. Leurs valeurs élevées de capacité, dans 40
un faible volume, les prédisposent au filtrage de sortie des alimen-
tations à découpage à haute fréquence (200 kHz < f < 1 MHz). Mal- 30
heureusement, leur coût encore important les destine aux systèmes 20
très sophistiqués (applications militaires). 10 Puissance
0
■ La technologie générale des condensateurs films est fondée sur 0 10 20 30 40 50 60
la réalisation d’éléments par bobinage simultané de rubans diélec-
triques (papier ou film plastique) et de rubans métalliques consti- Temps de décharge à Un/2 (s)
tuant les électrodes (§ 2.3.2). On peut imprégner ces éléments ; le
diélectrique est alors l’association des films et de l’imprégnant.
Figure 5 – Supercondensateur : énergie disponible
■ Sous l’impulsion des besoins du marché des véhicules électri- pour une décharge de Un, tension nominale, à Un /2
ques est apparu un nouveau type de condensateur à très haute éne- (doc. Maxwell Technologies)
rgie volumique. Les condensateurs double couche ou
supercondensateurs se caractérisent par une faible tension de ser-
vice (environ 2,5 V) et une très forte capacité (plusieurs farads à 2.2 Diélectriques
quelques milliers de farads). Ils sont capables de fournir des cou-
rants élevés durant des durées longues (millisecondes, secondes
voire minutes). L’application principale est le stockage d’énergie
rapide sur les véhicules électriques pendant les phases d’accéléra- Les diélectriques utilisés sont les matériaux classiques rencontrés
tion et de freinage, les batteries ne pouvant qu’effectuer des échan- en électrotechnique, mais les épaisseurs sont plus faibles et leur
ges d’énergie longs (dizaine de secondes, minutes). On peut citer qualité soigneusement sélectionnée (tableau 1). Le tableau 2 donne
comme autres applications le démarrage des gros moteurs diesel, les domaines d’applications des différents diélectriques utilisés.
les dispositifs de sécurité comme les systèmes d’ouverture de porte
d’avion, le stockage d’énergie pour les UPS (Uninterruptable Power
Supply) et les lignes de transmission d’énergie. Le diagramme dit 2.2.1 Matériaux isolants solides
de Ragone (figure 4) donne un aperçu du domaine des condensa-
teurs double couche par rapport aux moyens de stockage d’énergie
électrique. La figure 5 donne l’énergie disponible pour une demi- Le lecteur pourra se reporter, dans le traité Plastiques et Com-
décharge (par exemple, de 2,7 V à 1,35 V). posites, aux diverses Monographies des matières thermoplasti-
ques utilisées.
Comme on peut faire varier la nature et les dimensions de

chaque constituant, le lecteur comprendra qu’il est possible de ■ Le plus ancien des matériaux est le papier ; il est encore utilisé en
créer toute une palette de technologies s’adaptant aux diverses tension continue au-delà de 5 000 V.
contraintes des applications de l’électronique de puissance. Sa propriété essentielle est sa texture fibreuse, qui permet
Ces condensateurs sont les plus adaptés et les plus utilisés. l’imprégnation facile par différentes huiles, cires ou résines époxy-
Nous développerons en détail dans ce paragraphe toutes les des (§ 2.2.2). Ces imprégnants donnent, pour une grande part, les
possibilités de cette technique. caractéristiques du condensateur.

ＱＲ
ｄＳＰＱＰ
________________________________________________________________________________ CONDENSATEURS UTILISÉS EN ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE
(0)
Tableau 1 – Caractéristiques des diélectriques utilisés

Permittivité tan δ à 1 kHz Rigidité Masse Coefficient
relative (1) et 25 ˚C Point d’éclair Point de feu volumique de température (1)
Diélectrique diélectrique
(˚C) (˚C)
εr (en 10−4) (kV/mm) (kg/m3) (en 10−6/K)
Papier (fibre cellulose) 6,6 1 200
Polypropylène (PP) 2,2 2 600 900 − 200
Polyester (Mylar) 3,2 50 500 1 400 + 1 200
Polyéthylène naphtalate 3 39 250 1 360 + 65
(PEN)
Huile minérale 2,3 10 150 165 60 860 − 1 400
Huile de ricin 4,6 100 250 305 60 900 − 800
Huile végétale 3 10 330 370 > 40 910 − 1 000
(exemple colza)
Phénylxylyléthane (PXE) 2,7 2 150 160 60 988 − 2 000
Mono/dibenzyltoluène
(M/DBT) 2,7 2 144 154 70 1 000 − 1 850
(Jarylec d’Arkema)
Cire 2,6 2 245 290 60 900 − 2 000
Silicone 2,8 2 305 360 60 900 − 3 300
(1) La permittivité et le coefficient de température sont donnés à 1 kHz.
(0)
Tableau 2 – Diélectriques utilisés. Domaines d’applications

tan δ
Permittivité
Avantages déterminant à 1 kHz
Diélectrique Applications (§ 3) Observations relative
et 25 ˚C
le choix du diélectrique εr
(en 10−4)
Filtrage continu Température d’utilisation Volume relativement important
Papier + huile minérale ≈4
Stockage d’énergie élevée : θmax = 85 ˚C
Filtrage continu Volume plus réduit
Papier + huile de ricin Stockage d’énergie que l’huile minérale Température maximale : 60 ˚C 5,7 ≈ 60
Bancs à très haute énergie Prix faible
Très faible volume
Papier métallisé + cire Filtrage continu Autocicatrisable Température maximale : 70 ˚C 4,6 150
Faible volume
Mixte : papier Filtrage continu Température d’utilisation : Possibilité de protection des ≈4 ≈ 50
et polyester + huile Décharges θmax = 85 ˚C éléments par fusibles internes
Commutation Meilleur rapport

Décharges rapides Possibilité de protection des
Mixte : papier et PP + huile FIP pertes/volume éléments par fusibles internes
≈3 ≈ 15
Filtrage continu à forte puissance
Polyester Température maximale : 70 ˚C

Filtrage continu Faible volume Fusibles internes protégeant 3,2 70
avec armatures + M/DBT chaque élément
Polyester métallisé Filtrage θmax = 85 ˚C Pertes élevées 3,2 60

Commutation BT Très basse tension
Commutation Snubber (1)
PP rugueux + M/DBT Filtrage en alternatif Très faibles pertes 2,4 ≈2
Chauffage par induction
PP + papier + M/DBT Commutation Snubber Faibles pertes 3,2 10
Découplage Très faibles pertes en HF
Mica + huile minérale Accord HF Grande stabilité 7 2
θmax = 85 ˚C, 105 ˚C

Filtrage BT Limites en dv/dt dues aux
PP métallisé Commutation Snubber Diélectrique sec 2,2 5
connexions par shoopage
Autocicatrisable
BT basse tension. HF haute fréquence.
FIP formeur d’impulsions (association d’inductances et de condensateurs, § 3.7). (1) Snubber aide à la commutation des semiconducteurs (§ 3.6)

ＱＳ
ｄＳＰＱＰ
Tableau 2 – Diélectriques utilisés. Domaines d’applications (suite)

tan δ
Permittivité
Avantages déterminant à 1 kHz
Diélectrique Applications (§ 3) Observations relative
et 25 ˚C
le choix du diélectrique εr
(en 10−4)
θmax = 85 ˚C, 105 ˚C
Filtrage continu Limites en dv/dt dues aux
PP métallisé + gaz Filtrage alternatif Diélectrique sec 2,2 5
connexions par shoopage
Autocicatrisable
θmax = 85 ˚C, 105 ˚C
PP métallisé segmenté Filtrage continu Limites en dv/dt dues aux
2,2 50
Stockage d’énergie Faible volume connexions par shoopage
Autoprotégé
Faible masse
PP rugueux métallisé Faible volume
segmenté + huile végétale Filtrage continu Autoprotégé Température maximale : 85 ˚C 2,3 100
Écologique
PP métallisé segmenté + gaz Filtrage continu Faible masse Température maximale : 85 ˚C 2,2 70
Faible volume
PP métallisé et armatures Accord HF Très faibles pertes Peut remplacer le mica 2,2 2
Chauffage par induction Courant très élevé
BT basse tension. HF haute fréquence.
FIP formeur d’impulsions (association d’inductances et de condensateurs, § 3.7). (1) Snubber aide à la commutation des semiconducteurs (§ 3.6)
■ Les autres matériaux sont les matières thermoplastiques, le poly-

propylène (PP) et le polyester linéaire (PTEG, polytéréphtalate La tangente de l’angle de pertes du polypropylène est prati-
d’éthylèneglycol, appellation Du Pont de Nemours : Mylar), sous quement indépendante de la tension, de la fréquence et de la
forme de films très minces (0,5 à 25 µm) et très homogènes obtenus température (tanδ < 2 · 10−4), ce qui est une propriété très inté-
par bi-étirage ; les rigidités diélectriques sont élevées (supérieures à ressante pour l’électronique de puissance.
500 kV/mm à 20 ˚C sur 5 mm2, en tension continue). L’imprégnation Des progrès récents sur la cristallisation du polymère autorise
est, en revanche, plus délicate ; il faut avoir recours à des astuces, aujourd’hui son utilisation à des températures plus élevées,
par exemple faire un diélectrique mixte, bobinage de film plastique 105 ˚C voir 125 ˚C.
avec du papier ou, dans le cas du polypropylène, utiliser une qualité De plus, ce qui est loin d’être négligeable, ce polymère a une
spéciale très rugueuse (le facteur d’espace fe = (em − ep)/ep est de 6 très large diffusion, puisque produit en très grande quantité par
à 20 %, em étant l’épaisseur micrométrique et ep l’épaisseur pondé- l’industrie chimique pour l’emballage, l’automobile, la plombe-
rale], le PPR (polypropylène rugueux ou rought ou hazy en anglais) rie, etc. Pour les condensateurs, il faut une qualité spéciale con-
qui autorise, par capillarité, la migration de l’imprégnant. tenant très peu de résidus catalytiques (pour un même
polymère, il existe toute une gamme de produits adaptés à
Il est également possible d’imprégner des films plastiques lisses l’application finale) ; le coût reste néanmoins faible.
avec des gaz comme N2 ou SF6.
Pour les basses tensions continues (U < 2 000 V), les films ther-
moplastiques sont utilisables sans imprégnation ; on parle, alors, de 2.2.2 Imprégnants
condensateurs secs.
De façon beaucoup plus marginale, d’autres plastiques sont utili- 2.2.2.1 Généralités
sés dans les condensateurs, comme le polycarbonate (PC), le polys-
tyrène (PS) et le polyfluorure de vinylidène (PVDF). Les imprégnants les plus courants sont l’huile minérale, des hui-
les végétales comme les huiles de ricin, de colza et de coton, certai-
De nouveaux polymères apparaissent comme le polyéthylène nes cires et des huiles de synthèse biodégradables comme le PXE
naphtalate (PEN) dont les applications sont équivalentes à celles du (phénylxylyléthane) et le M/DBT (mono/dibenzyltoluène, Jarylec).
polyester avec de meilleures performances à hautes températures Ces dernières ont totalement remplacé les biphényles chlorés ou
(> 100 ˚C) ; sa stabilité thermique lui permet de supporter les tempé- PCB (Pyralène), qui sont aujourd’hui, comme chacun le sait, interdits
ratures des bains de soudure à l’étain (230 ˚C). d’emploi (pollution, risque de dioxine).
Les imprégnants liquides apportent d’excellentes performances

Actuellement, le polypropylène est le diélectrique le plus lar- diélectriques aux condensateurs, mais les exigences de l’écologie
gement utilisé dans les condensateurs, aussi bien pour l’électro- (biodégradabilité, destructibilité, recyclabilité) et de la sécurité (toxi-
nique de puissance que pour les réseaux. Paradoxalement, c’est cité, inflammabilité, fumées) orientent les recherches vers des solu-
le plastique qui a la permittivité relative la plus faible (εr = 2,2 tions diverses :
contre environ 3 pour les autres).
— utilisation de résine époxyde thermodurcissable (ce qui reste
En revanche, ses autres propriétés sont excellentes : coûteux) ;
— rigidité diélectrique la plus élevée (> 600 V/µm) ; elle per-
— utilisation des huiles végétales (bon compromis économique) ;
met d’augmenter les tensions admissibles donc l’énergie volu-
mique (§ 2.3.1) ; — utilisation des gaz ;
— pertes diélectriques les plus faibles. — minimisation des quantités d’huile libre de remplissage.

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ｄＳＰＱＵ
Transformateurs piézoélectriques
par Emmanuel SARRAUTE

Maître de conférences au CNAM
Chercheur au SATIE - ENS de Cachan
Dejan VASIC
Doctorant au SATIE - ENS de Cachan
Agrégé de Génie électrique
et François COSTA
Professeur des Universités à l’IUFM de Créteil
Chercheur au SATIE - ENS de Cachan
1. Généralités................................................................................................. D 3 015 - 2
1.1 Applications ................................................................................................. — 2
1.2 Rappels ......................................................................................................... — 2
1.3 Principes et structures................................................................................. — 3
1.3.1 Structures à mode transversal (type 1)............................................. — 3
1.3.2 Structures à modes transversal et longitudinal couplés (type 2) ... — 3
1.3.3 Structures à mode épaisseur (type 3) ............................................... — 3
1.3.4 Structures à mode planaire (type 4).................................................. — 5
2. Modélisation.............................................................................................. — 6
2.1 Schéma électromécanique équivalent....................................................... — 6
2.2 Calcul des éléments du schéma ................................................................. — 6
2.3 Identification des éléments du schéma ..................................................... — 6
3. Analyse des caractéristiques électriques ......................................... — 9
3.1 Fonctions de transfert des grandeurs caractéristiques ............................ — 9
3.2 Influence de la fréquence............................................................................ — 9
3.3 Influence de la charge ................................................................................. — 9
3.3.1 Influence sur la fréquence de résonance.......................................... — 9
3.3.2 Influence sur le gain, la puissance et le rendement ........................ — 10
3.4 Limites d’utilisation ..................................................................................... — 10
4. Mise en œuvre dans les convertisseurs statiques ...................... — 11
4.1 Spécificités des convertisseurs statiques à transformateurs
piézoélectriques ........................................................................................... — 11
4.2 Famille de structures et régimes de commande....................................... — 11
4.2.1 Conversion DC/AC : régime de commutation
à zéro de tension (ZVS) au primaire.................................................. — 11
4.2.2 Conversion DC/DC .............................................................................. — 17
4.3 Principes de commande.............................................................................. — 19
epuis quelques années, le champ d’utilisation des matériaux piézoélec-

D triques, historiquement réservés aux dispositifs électroacoustiques, aux
capteurs mécaniques puis aux actionneurs de précision, continue de s’agran-
dir, notamment avec de nouvelles applications identifiées en « électronique de
puissance » grâce à la mise en œuvre de transformateurs piézoélectriques.
L’objectif de cet article est de présenter les potentialités offertes par ce nou-
ｐ｡ｲｵｴｩｯｮ＠Ｚ＠ｦ￩ｶｲｩ･ｲ＠ＲＰＰＵ
veau type de composant en terme de réalisation d’alimentations spécifiques
Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie est strictement interdite.
© Techniques de l’Ingénieur D 3 015 − 1
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TRANSFORMATEURS PIÉZOÉLECTRIQUES ___________________________________________________________________________________________________
nécessitant par exemple une très forte compacité, et/ou des niveaux de ten-
sions élevés, et/ou une forte isolation galvanique primaire-secondaire. Après
quelques rappels sur les principes physiques mis en jeu, les auteurs
présentent (§ 1) les structures usuelles de transformateurs piézoélectriques.
Leur mode de fonctionnement est ensuite étudié de façon détaillée (§ 2 et 3).
Enfin, les structures de conversion statique ainsi que les régimes de
commande associés sont posés et analysés (§ 4).
1. Généralités
1.1 Applications
L’apparition des premiers transformateurs piézoélectriques coïn-
cide avec le développement, dans les années 1950, des céramiques
ferroélectriques de la famille cristalline des pérovskites. C’est en
1956 que C.A. Rosen [16] propose une structure de transformateur
élévateur, fabriquée dans un barreau de titanate de barium (BaTiO3)
qui démontre l’intérêt de réaliser, très simplement, des transfor- a dispositif NEC de 5 W b dispositif Talura de 1 W
mateurs électriques compacts, de petites dimensions et avec de
bonnes performances. Cependant, l’impact de cette démonstration Figure 1 – Vue de deux dispositifs DC/DC de 5 W et 1 W
n’a eu, à cette époque, qu’un écho très modeste en terme d’appli-
cations industrielles.
Ce sont sans doute les nouvelles préoccupations de miniaturi-
sation des dispositifs, mais également les progrès réalisés dans Transformateur piézoélectrique
l’élaboration des céramiques ferroélectriques, qui ont donnés, au Inductance de résonance
début des années 1990, un regain d’intérêt pour les transformateurs
piézoélectriques [19] [21]. Par la suite, de nombreux articles
paraissent, mettant en œuvre de nouvelles structures avec dif-
férentes qualités de matériaux [14] [10] [5] [13] [24] [25] [18] [7]. Capacité de stockage
Le transformateur piézoélectrique, de par sa structure physique

et de par ses propriétés, trouve actuellement un nombre croissant
d’applications en électronique de puissance. Sa structure planaire
le destine naturellement dans les applications en conversion
statique où on recherche miniaturisation et haute tension ; citons
l’alimentation des tubes photomultiplicateurs [6] ou le rétro-éclai-
rage des écrans LCD (Liquid Crystal Display ) [11] [22] : le transfor-
mateur piézoélectrique permet d’atteindre très facilement la haute
tension (2 kV) nécessaire aux lampes à cathode froide sous un Filtre CEM
volume compact avec une bonne isolation galvanique. D’autres Redresseur à MOSFET
applications sont en voie d’émergence dans le domaine de la
conversion d’énergie en moyennes et basses tensions : Figure 2 – Vue d’un dispositif AC/DC (115 V ~/12 V = /10 W) intégré
— en moyenne tension des développements sont en cours pour dans une prise secteur
les dispositifs d’alimentation des lampes fluo-compactes [1] [23]. La
puissance fournie est de l’ordre de 10 à 30 W sous une tension alter-
native de 120 V (régime établi) à 300 V (allumage) aux environs de comme la commande rapprochée des transistors de puissance [20]
100 kHz et avec un rendement supérieur à 80 %. La figure 1 présente ou les dispositifs d’isolement galvanique d’un capteur [12]. Dans ces
deux convertisseurs DC/DC : deux cas, le signal est modulé en amplitude ou en fréquence au
primaire, transmis puis démodulé au secondaire soit pour restituer la
• celui de la figure 1a, commercialisé par la société NEC, a pour
commande et l’énergie nécessaire à la commutation d’un transistor
dimensions 10 cm × 1 cm avec une épaisseur de 0,5 cm pour une
de puissance, soit pour restituer une information issue du capteur.
puissance de 5 W, sa densité de puissance est donc d’environ
1 W/cm3,
• celui de la figure 1b, d’une puissance de 1 W (10 V/700 V), est
commercialisé par la société Tamura, ses dimensions sont 1.2 Rappels
4,6 cm × 2,3 cm × 0,5 cm ;
— en basse tension, l’usage de transformateurs piézoélectriques
permet une très forte intégration des blocs d’alimentation AC/DC La piézoélectricité caractérise la propriété que présentent
(110V/12V). Sur la figure 2 est présenté un convertisseur expérimen- certains corps à se polariser électriquement sous l’action d’une
tal réalisé par Alcatel, d’une puissance de 10 W, intégré directement contrainte mécanique (effet direct) et à se déformer lorsqu’ils
dans la prise courant [15] [2]. Il comprend le filtre de courant de sont soumis à un champ électrique (effet inverse).
mode commun, ainsi que le filtre de sortie et une inductance servant
à l’alimentation résonante du transformateur piézoélectrique. Cette propriété s’observe pour certains matériaux non conduc-
Enfin, citons des applications plus particulières et à la limite des teurs, tels que le quartz, dont le caractère anisotropique de leur
domaines de la conversion d’énergie et de la transmission du signal structure cristalline fait apparaître, sous l’effet d’action mécanique,
D 3 015 − 2 © Techniques de l’Ingénieur
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__________________________________________________________________________________________________ TRANSFORMATEURS PIÉZOÉLECTRIQUES
un axe privilégié de polarisation électrique dû au déplacement des 1.3.1 Structures à mode transversal (type 1)
barycentres des charges positives et négatives.
Les matériaux généralement utilisés, pour la réalisation de trans- Cette structure est constituée d’un seul et même barreau piézo-
formateurs piézoélectriques, sont des céramiques ferroélectriques électrique polarisé en épaisseur (axe 3). On utilise donc le même
faisant partie de la famille cristalline des pérovskites, comme par mode électromécanique transversal au primaire et au secondaire
exemple le titano zirconate de plomb (PZT) réalisé par frittage qui correspond une vibration de l’ensemble du barreau suivant sa
d’oxydes de sels de plomb, de zirconium et de titane. Dans ce cas, longueur (axe 1). La grande symétrie de cette structure, tant sur le
c’est l’application initiale d’un champ électrique intense (étape de plan géométrique que sur les modes utilisés, ne permet pas
polarisation) qui permet d’aligner les polarisations des micro- d’obtenir des gains en tension importants. La fréquence d’utilisation
cristaux ferroélectriques élémentaires et donc d’introduire l’aniso- est inversement proportionnelle à la longueur du barreau et dépend
tropie nécessaire à l’existence de la piézoélectricité. Ces céramiques du mode de résonance élastique choisi. Sur la structure proposée
présentent de très bonnes propriétés piézoélectriques dans une à la figure 4a, la fréquence de résonance appropriée correspond à
large gamme de température, limitée par la température de Curie un fonctionnement en pleine longueur d’onde (L = λ). Cette struc-
(de l’ordre de 300 à 350 oC). Leur procédé d’élaboration par mou- ture offre, en plus de sa très grande simplicité de réalisation une
lage, compactage et frittage permet en outre de les mettre en œuvre isolation galvanique naturelle intéressante, de part ses quatre pôles
sous différentes formes (barreaux, disques, anneaux, plaques). électriques distincts. Elle est généralement utilisée comme trans-
formateur d’isolement de rapport unitaire.
La polarisation de la céramique piézoélectrique ainsi que sa forme
géométrique sont choisies pour qu’un mode de conversion électro-
mécanique désiré soit préférentiellement excité. Les modes de 1.3.2 Structures à modes transversal
conversion électromécaniques classiquement utilisés dans la mise et longitudinal couplés (type 2)
en œuvre des transformateurs piézoélectriques sont rappelés dans
le tableau 1. Pour chacun de ces modes, on rappelle les coefficients Comme précédemment, cette structure est constituée d’un seul
qui traduisent les propriétés physiques du matériau (mécaniques, et même barreau piézoélectrique, mais dont la partie primaire est
diélectriques et piézoélectriques). Ces coefficients, en particulier les polarisée suivant l’épaisseur (axe 3) et la partie secondaire suivant
coefficients de couplage qui traduisent l’aptitude du matériau à la longueur (axe 1). On utilise donc simultanément les modes
convertir l’énergie reçue, sont utiles dans le choix, parmi différentes électromécaniques transversal, au primaire, et longitudinal, au
familles, du type de matériau à utiliser pour la réalisation d’un trans- secondaire, qui correspondent à une vibration de l’ensemble du
formateur piézoélectrique. Ils permettent également de précalculer barreau suivant sa longueur (axe 1). Ce couplage de modes permet
les éléments intervenant dans la définition d’un modèle électromé- d’obtenir des gains en tensions d’autant plus importants que le rap-
canique équivalent que l’on présentera par la suite. port géométrique L/T est grand. Pour augmenter encore ce gain, on
réalise un primaire feuilleté où l’ensemble des couches sont
connectées en parallèle. De plus, l’isolation galvanique entre le pri-
maire et le secondaire est très importante, ce qui prédestine cette
1.3 Principes et structures structure aux applications THT (très haute tension). Comme précé-
demment, la fréquence d’utilisation est inversement proportion-
Le principe de fonctionnement d’un transformateur piézo- nelle à la longueur du barreau et dépend du mode de résonance
électrique est basé sur l’exploitation de la double conversion élec- élastique choisi. Sur la structure proposée à la figure 4b, la fré-
tromécanique (effet piézoélectrique inverse) puis mécanoélectrique quence de résonance appropriée correspond à un fonctionnement
(effet piézoélectrique direct) de l'énergie présentée précédemment.
Pour illustrer ce phénomène, considérons la structure représentée 冫冢 λ
冫冣
en 3 2 de longueur d’onde L = 3 2 . Ce sont ces structures qui
figure 3 et formée d'un barreau piézoélectrique sur lequel ont été ont suscitées le plus d’intérêts jusqu’à présent pour des applications
déposés deux jeux d’électrodes primaires et secondaires. Si l'on nécessitant des tensions importantes comme l’alimentation de lam-
impose une tension alternative au niveau des électrodes primaires, pes à cathodes froides CCF (Cold Cathod Fluorescent) ou le
on génère une vibration alternative du barreau qui induit à son tour rétro-éclairage d’écrans LCD (Liquid Crystal Display ). (0)
une tension alternative entre les électrodes secondaires. Pour des
raisons d’efficacité que nous détaillerons par la suite, cette vibration
doit s’accompagner d’une mise en résonance mécanique de la 1.3.3 Structures à mode épaisseur (type 3)
structure, à des fréquences acoustiques typiques, pour des trans-
formateurs de dimension millimétriques, de l’ordre de plusieurs Cette structure est réalisée par la superposition d’au moins deux
dizaines de kilohertz à quelques mégahertz, avec des coefficients de couches piézoélectriques primaire et secondaire, polarisées en
qualité de quelques centaines à quelques milliers. épaisseur (axe 3), et séparées par une couche diélectrique assurant
l’isolation galvanique. On utilise donc le même mode électroméca-
Sur la base de ce principe, différentes structures de transfor- nique d’épaisseur au primaire et au secondaire qui correspond une
mateurs piézoélectriques ont été imaginées et proposées dans la vibration de l’ensemble de la structure suivant son épaisseur
littérature. De façon synthétique, on peut isoler quatre grandes (axe 3). Le gain en tension est directement proportionnel au rapport
familles de structures de transformateurs piézoélectriques des épaisseurs des couches secondaires sur les couches primaires.
(figure 4) qui exploitent les différents modes de couplage électro- C’est donc en jouant sur le nombre de couches primaires et secon-
mécaniques du tableau 1. daires, leurs épaisseurs ainsi que les couplages des électrodes en
série ou en parallèle, que l’on peut moduler le gain en tension de
ce transformateur. La fréquence d’utilisation est inversement pro-
portionnelle à l’épaisseur totale de la structure et dépend du mode
de résonance élastique choisi. Sur la structure proposée à la
Ventrée Vsortie
figure 4c, la fréquence de résonance appropriée correspond à un
fonctionnement en pleine longueur d’onde (T = λ). Ces structures
冫
sont intéressantes de par leur rapport de forme T L faible qui per-
met un report aisée sur une carte électronique. Cependant, elle
nécessite des techniques d’élaboration plus lourdes, du fait du
report de plusieurs couches les unes sur les autres, par collage ou
Figure 3 – Exemple de structure de transformateur piézoélectrique cofrittage.
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TRANSFORMATEURS PIÉZOÉLECTRIQUES ___________________________________________________________________________________________________
T
V1 V2
L
Contraintes
Déplacement
3 2
λ/2 λ/2 0
1
a type 1
T
V1
W
V2
L
Contraintes
Déplacement
3 2
λ/2 λ/2 λ/2 0
1
b type 2
V1 Contraintes λ/2
T
λ/2
Déplacement
V2
W
3 2
L 1
0
c type 3
R3
R1 R2
V1 T V2
Déplacement
3 2
direction de polarisation Contraintes
λ/4 1
0
λ longueur d'onde d type 4
Figure 4 – Structures usuelles
de transformateurs piézoélectriques
D 3 015 − 4 © Techniques de l’Ingénieur
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__________________________________________________________________________________________________ TRANSFORMATEURS PIÉZOÉLECTRIQUES
Tableau 1 – Modes de couplage électromécanique et constantes physiques utiles

Constantes utilisées
Modes de couplage
diélectriques piézoélectriques mécaniques
T
S E
Mode transversal W T, W < L/3 ε 33 , tan γ k 31, d 31 s 11 , N 1 , ρm , Qm
3 2
L 1
0
L S E
Mode longitudinal D < L/5 ε 33 , tan γ k 33 , d 33 s 33 , N 3 , ρm , Qm
3 2
D 1
0
T S D
Mode épaisseur D >>T ε 33 , tan γ k t , e 33 c 33 , N t , ρm , Qm
3 2
D 1
0
T S E
Mode planaire D>5T ε 33 , tan γ k p , d 31 s 11 , N p , ρm , σ, Qm
3 2
D 1
0
Direction de polarisation Direction de vibration.

N1 , Nb , Np constantes de fréquence (kHz · mm).
ρm masse volumique (kg · m–3 ).
σ coefficient de Poisson.
Qm facteur de qualité mécanique.
tan γ tangente de l’angle de perte.
S
ε 33 permittivité (ou constante diélectrique) à déformations nulles (F · m–1).
k31 , k33 , kp , kt constantes de couplage électromécanique.
d 31, d 33 constantes piézoélectriques (m · V–1).
e33 constante piézoélectrique (C · m–2).
E E
s 11 , s 33 compliances à champs d’excitation constant (m2 · N–1).
D
c 33 constante élastique à champs d’induction électrique constant (N · m–2).
1.3.4 Structures à mode planaire (type 4) géométrique introduite entre le primaire et le secondaire, par l’aug-
mentation du périmètre des électrodes, permet d’obtenir un gain en
Cette structure est constituée d’un seul et même disque de tension plus important. La fréquence d’utilisation est inversement
céramique, polarisé en épaisseur (axe 3). On utilise donc le même proportionnelle au diamètre du disque et dépend du mode de réso-
mode électromécanique planaire au primaire et au secondaire qui nance élastique choisi. Sur la structure proposée à la figure 4d, la
correspond une vibration de l’ensemble du disque suivant son fréquence de résonance appropriée correspond à un fonctionne-
rayon (axe 1). Même si cette structure est très proche, de part son
principe, de la structure à mode transversal, la sollicitation méca- 冢 λ
冫冣
ment en quart de longueur d’onde R 3 = 4 . De part ses quatre
nique bidimensionnelle permet ici d’améliorer notablement le coef- pôles électriques, elle offre une isolation galvanique naturelle inté-
ficient de couplage électromécanique. De plus, la dissymétrie ressante ainsi qu’une très grande simplicité de réalisation.
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Bobine à noyau de fer en régime

variable
par François LEPLUS

Docteur – Agrégé de l’Université
Professeur au lycée Carnot d’Arras
1. Bobine parfaite ......................................................................................... D 3 040 — 2

1.1 Inductances propre, principale et de fuites ............................................... — 2
1.2 Équations. Schéma équivalent ................................................................... — 3
1.3 Dimensionnement. Principes généraux..................................................... — 3
1.3.1 Catégories de matériaux magnétiques............................................. — 3
1.3.2 Principes de dimensionnement ......................................................... — 4
2. Bobine réelle.............................................................................................. — 7
2.1 Influence de la saturation du circuit magnétique ..................................... — 7
2.2 Bobine sans pertes par courants de Foucault ........................................... — 7
2.2.1 Bobine alimentée par une tension sinusoïdale................................ — 8
2.2.2 Schéma équivalent ............................................................................. — 8
2.2.3 Influence d’une composante continue.............................................. — 9
2.3 Bobine avec pertes par courants de Foucault ........................................... — 10
2.3.1 Influence des courants de Foucault .................................................. — 10
2.3.2 Schéma équivalent ............................................................................. — 10
2.3.3 Pertes fer.............................................................................................. — 11
2.4 Influence de la tension d’alimentation....................................................... — 11
2.4.1 Évolution des pertes fer en fonction de la fréquence ...................... — 11
2.4.2 Influence de la valeur efficace de la tension d’alimentation ........... — 12
2.4.3 Influence de la composante continue ............................................... — 12
2.5 Calcul d’une bobine à noyau de fer ........................................................... — 13
3. Modélisation numérique ........................................................................ — 15
3.1 Équations. Schéma équivalent ................................................................... — 15
3.2 Résolution des équations............................................................................ — 15
3.3 Identification des éléments du schéma équivalent .................................. — 16
3.4 Exemples de modélisation de la caractéristique b(h)............................... — 16
3.4.1 Caractéristique b(h) sans hystérésis ................................................. — 17
3.4.2 Modèle pour champs faibles ............................................................. — 17
3.4.3 Modèle prenant en compte l’hystérésis et la saturation ................. — 17
3.4.4 Exemple de modélisation .................................................................. — 18
4. Conclusion ................................................................................................. — 19
’importance de l’étude de la bobine à noyau de fer en régime variable est

L considérable en électrotechnique. Les bobines sont d’usage fréquent en
électronique de puissance (composants passifs magnétiques) et les machines
électriques (transformateurs, alternateurs, machines asynchrones et machines à
courant continu) nécessitent l’emploi de matériaux magnétiques.
L’étude de la bobine passe par la mise en équation de l’ensemble des phéno-
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mènes dont elle est le siège. Or, dans le cas d’une bobine à noyau de fer, la

est strictement interdite. − © Editions T.I. D 3 040 − 1
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BOBINE À NOYAU DE FER EN RÉGIME VARIABLE _____________________________________________________________________________________________
tension à ses bornes et le courant qui la traverse ne peuvent pas être simultané-
ment sinusoïdaux à cause de la présence des matériaux magnétiques.
Il n’est donc pas possible d’appliquer directement les méthodes de résolution
classiques ; aussi, pour analyser le comportement de la bobine, deux méthodes
sont envisagées.
— La première méthode consiste à linéariser le problème en remplaçant la
bobine réelle par une bobine équivalente où toutes les grandeurs sont
sinusoïdales ; on peut, alors, utiliser les outils habituels de calcul.
— La deuxième méthode consiste à prendre en compte les phénomènes non
linéaires ; les équations obtenues sont alors traitées par ordinateur. Nous allons
présenter ici la méthode de résolution des équations et quelques modèles per-
mettant de décrire les phénomènes non linéaires qui régissent le fonctionne-
ment de la bobine à noyau de fer.
1. Bobine parfaite ϕ
ϕt M
i
Nous appellerons bobine parfaite une bobine où les phénomènes
ϕf
d’hystérésis, la saturation et les courants de Foucault peuvent être u
négligés. Il s’agit, par exemple, d’une bobine sans noyau de fer ou
d’une bobine réalisée à partir de tôles isolées dont la caractéristique N
magnétique b(h) est linéaire.
Dans ce dossier, nous utiliserons les symboles des normalisa- a répartition schématique des flux
tions française (AFNOR) et internationale (CEI) à savoir B pour ϕt M
l’induction magnétique et H pour le champ magnétique. Toute-
fois, signalons que, en Physique, le vocabulaire le plus utilisé ϕf ϕ
Ni ᏾f ᏾
actuellement est B pour le vecteur champ magnétique et H
pour le vecteur induction magnétique.
N
b schéma magnétique équivalent
1.1 Inductances propre, principale
et de fuites
Considérons une bobine alimentée par une tension u (figure 1 a)

comportant N spires parcourues par un courant instantané
d’intensité i, qui crée, dans chaque spire, un flux magnétique ϕt :
• une partie des lignes d’induction, correspondant à un flux ϕ, est
entièrement canalisée par le circuit magnétique ;
• l’autre partie, correspondant au flux de fuites ϕf, présente un tra- c répartition des lignes d'induction. Simulation
jet partiellement en dehors du circuit magnétique.
Figure 1 – Bobine parfaite
Remarques
– Le circuit magnétique est un circuit fermé pouvant être • l’inductance propre L de la bobine par :
constitué de matériaux de natures différentes [matériaux fer-
romagnétiques ou non (entrefers)]. N ϕt
– Il est difficile de déterminer avec précision le trajet des L = ----------
lignes d’induction associé au flux de fuites. On suppose, pour i
simplifier l’étude, que les fuites sont localisées uniquement
au niveau de l’enroulement. La figure 1 c montre un exemple • l’inductance principale Lp par :
de lignes d’induction obtenu par simulation (logiciel femm,
méthode des éléments finis cf. [Doc. D 3 040]).
Nϕ N2
L p = -------- = -------
i ᏾
Les inductances exprimées en henry (H) sont définies par les for-
mules suivantes (figure 1 b) : avec ᏾ réluctance du circuit magnétique,

D 3 040 − 2 est strictement interdite. − © Editions T.I.
ＲＲ
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_____________________________________________________________________________________________ BOBINE À NOYAU DE FER EN RÉGIME VARIABLE
• l’inductance de fuites Lf par :

E = jN ωΦ
Nϕ N2
L f = ----------f = ------- ψ rΙ
i ᏾f U
jL f ω Ι
avec ᏾f réluctance du trajet du flux de fuites.
Ι
La loi des nœuds appliquée au point M s’écrit (figure 1 a) :
Φt
ϕt = ϕ + ϕf (1)
Φ
L’inductance propre est donc la somme des inductances princi-
pale et de fuites :
Φf
L = L p + Lf
Dans le cas du circuit magnétique non saturable, ᏾ et ᏾ f étant Figure 2 – Bobine parfaite : diagramme de Fresnel
constants, les coefficients L, Lp et Lf le sont également.
Ι Lf ω
1.2 Équations. Schéma équivalent r
Supposons que la bobine (figure 1) est, maintenant, alimentée U E Lp ω

par une tension sinusoïdale d’expression :
u = Umax sinωt
avec ω pulsation de u,
E = j N ω Φ = j Lp ω Ι
t temps.
Chaque spire est le siège d’une fém (force électromotrice) auto- Figure 3 – Bobine parfaite : schéma équivalent
induite, orientée dans le même sens que le courant i (conformément
à la convention la plus souvent utilisée) :
avec
d ϕt
e a = – ---------
dt U Lω
I = ------------------------------- et ψ = arctan -------
2
r + (Lω) 2 r
ce qui correspond, pour l’ensemble du bobinage, à une fém :
et = Nea et où
En utilisant la convention récepteur, la tension s’écrit : E = − jNωΦ
d ϕt di La relation (4) permet de tracer le diagramme de Fresnel (figure 2)

u = ri – e t = ri + N --------- = ri + L ------ (2) et d’en déduire le schéma équivalent de la bobine (figure 3).
dt dt
La figure 3 montre que la bobine parfaite est équivalente à une
avec r résistance du bobinage. inductance pure Lp en série avec un circuit de résistance r, tradui-
sant les pertes par effet Joule, et d’inductance Lf, traduisant les fui-
Compte tenu de (1), la relation (2) devient : tes de cette bobine.
d ϕf dϕ
u = ri + N --------- + N -------
dt dt
1.3 Dimensionnement. Principes
ou encore généraux
di dϕ
u = ri + L f ------ + N ------- (3) 1.3.1 Catégories de matériaux magnétiques
dt dt
Pour un circuit non saturable, dans le cas d’une alimentation par Il n’existe pas de matériau magnétique universel, utilisable dans
une tension sinusoïdale, le flux ϕ et le courant absorbé i sont sinu- toutes les situations. Les fabricants proposent de nombreux maté-
soïdaux. On peut donc utiliser la notation complexe, ce qui conduit riaux possédant des performances différentes et des formes en
à: constante évolution. La figure 4 donne quelques exemples de maté-
riaux et de formes de circuits magnétiques.
U = rI + jLf ωI + jNωΦ (4)
On peut toutefois distinguer deux grandes catégories, qui sont :
où — les alliages ferromagnétiques ;
I = [I ; − ψ] — les ferrites.

est strictement interdite. − © Editions T.I. D 3 040 − 3
ＲＳ
ｄＳＰＴＰ
BOBINE À NOYAU DE FER EN RÉGIME VARIABLE _____________________________________________________________________________________________
Bs (T) Ᏹ
2,5 Fe – Co ᐉe
Fer
2 Fe – Si
Ᏸ ᏿CM
Fe – Ni50
1,5
Fe – Ni36 Ᏹ
1
Ᏹ Ᏺ Ᏻ Ᏺ Ᏹ Ᏼ
Fe – Ni80
0,5 Ferrites
Figure 5 – Circuit magnétique en E : dimensions
0
0 1 10 100 1 000
1.3.2 Principes de dimensionnement
Bs induction de saturation Hc (A/m)
Hc champ coercitif Dimensionner une bobine, à partir d’un cahier des charges,
a grandes classes des matériaux magnétiques usuels consiste à déterminer la section du circuit magnétique ᏿ CM , la lon-
gueur de l’entrefer ᐉ e et le nombre de spires N du bobinage.
Nous allons établir les relations dans le cas du circuit magnétique
de la figure 5, réalisé à partir de ferrite ou de tôles isolées (en alliage
ferromagnétique) en forme de E. Les données du problème sont
l’induction magnétique maximale Bmax dans la bobine, l’inductance
propre L de cette bobine, le courant maximal Imax et la densité maxi-
male de courant Jmax dans les spires, ces grandeurs pouvant être ou
non sinusoïdales.
Il n’existe pas une solution unique correspondant à un ensemble
de données. Nous allons essayer d’optimiser les dimensions de la
bobine, pour obtenir un bobinage se logeant parfaitement dans la
fenêtre de surface :
᏿ fen = ᏲᏰ
Les tôles constituant le circuit magnétique sont choisies parmi

celles proposées par les constructeurs [1] [2] [3].
b exemples de formes de circuit magnétique
Les diverses dimensions sont généralement reliées entre elles par
Figure 4 – Matériaux magnétiques les relations suivantes :
Ᏹ = Ᏺ
■ Les alliages ferromagnétiques sont réalisés à partir de fer associé
à du silicium, du nickel ou du molybdène. Les circuits sont Ᏻ = 2Ᏺ
constitués :
Ᏸ = 3Ᏺ
— soit de tôles empilées en forme de E, de C ou de I ;
Nous imposons une section carrée pour le noyau central, c’est-à-
— soit de rubans enroulés et assemblés, réalisant des circuits dire,
coupés en forme de E ou de C.
Ᏼ = Ᏻ
Ils permettent de travailler à induction maximale élevée (de 0,85 à
2,35 T), mais à fréquence faible (fmax de quelques centaines de hertz Ainsi, le circuit magnétique est entièrement défini par le choix
à 10 kHz) à cause des courants de Foucault qui deviennent vite d’une dimension : Ᏺ .
importants. Nota : pour certaines tôles, le rapport des dimensions peut être différent ; la méthode
proposée reste valable.
■ Les ferrites sont fabriqués à partir de poudres d’oxyde de fer La longueur de la ligne de champ moyenne dans le circuit magné-
associé à du zinc, du nickel ou du manganèse, assemblés par frit- tique vaut ᐉ CM = 12Ᏺ . Le schéma magnétique équivalent est
représenté à la figure 6.
tage (agglomération sous pression et par chauffage). Ils permettent
de travailler à fréquence plus élevée (jusqu’à un mégahertz), mais
l’induction maximale est relativement faible (de 0,2 à 0,4 T). Il faut 1.3.2.1 Circuit magnétique idéal
noter que l’induction de saturation décroît lorsque la température Dans une première approche, le matériau magnétique est sup-
augmente. posé de perméabilité infinie. Les réluctances associées aux différen-
tes parties du circuit magnétique sont donc nulles. Au niveau du
Les ferrites se présentent sous forme de circuits en E ou en C, de schéma équivalent, il ne subsiste que les réluctances associées à
tores ou de pots. l’entrefer ainsi que la force magnétomotrice Ni du bobinage.

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ｄＳＰＵＰ
Transformateurs statiques
Principes et fonctionnement
par Georges MANESSE
Professeur au Conservatoire national des arts et métiers
1. Méthode des composantes symétriques D 3 050 - 3

1.1 Principe......................................................................................................... — 3
1.2 Composantes symétriques triphasées....................................................... — 3
1.2.1 Matrice de Fortescue [F3] ................................................................... — 3
1.2.2 Matrice de transformation inverse [F3]–1 .......................................... — 5
1.3 Distribution triphasée.................................................................................. — 5
1.3.1 Connexion d’un récepteur symétrique au réseau ............................ — 5
1.3.2 Composantes symétriques des grandeurs simples
et composées ...................................................................................... — 7
1.3.3 Récepteur passif symétrique ............................................................. — 8
1.4 Détermination des composantes symétriques ......................................... — 10
1.4.1 Composantes directe et inverse ........................................................ — 10
1.4.2 Composante homopolaire d’un système étoilé ............................... — 11
1.5 Méthode de Fortescue généralisée ............................................................ — 12
1.5.1 Matrices de Fortescue d’ordre q ........................................................ — 12
1.5.2 Théorème de Fortescue généralisé .................................................... — 13
1.5.3 Système diphasé déséquilibré en amplitude ................................... — 13
1.6 Puissances en régime sinusoïdal ............................................................... — 13
1.6.1 Cas monophasé .................................................................................. — 13
1.6.2 Alimentation à quatre fils ................................................................... — 14
1.6.3 Alimentation monophasée d’un récepteur triphasé ........................ — 14
1.6.4 Liaison équilibrée en tension et courant........................................... — 15
1.6.5 Alimentation à trois fils équilibrée en tension
et déséquilibrée en courant ............................................................... — 15
1.7 Applications des composantes symétriques............................................. — 18
1.7.1 Quantification du déséquilibre d’un réseau ...................................... — 18
1.7.2 Calcul des courants de court-circuit ................................................... — 19
2. Transformateurs ....................................................................................... — 22
2.1 Transformateur monophasé ....................................................................... — 22
2.1.1 Bobine à noyau de fer ........................................................................ — 22
2.1.2 Circuits couplés ................................................................................... — 24
2.1.3 Constitution des transformateurs de distribution............................ — 27
2.1.4 Transformateur alimenté par une source
de tension sinusoïdale ....................................................................... — 28
2.2 Groupements de transformateurs monophasés ...................................... — 33
2.2.1 Association en parallèle ..................................................................... — 33
2.2.2 Groupements triphasés de transformateurs monophasés ............. — 34
2.3 Transformateurs triphasés.......................................................................... — 44
2.3.1 Circuits magnétiques des transformateurs triphasés ..................... — 44
2.3.2 Admittances magnétisantes cycliques
des transformateurs triphasés........................................................... — 44
2.3.3 Court-circuit « phase-neutre » au secondaire
d’un transformateur YNyn4................................................................ — 46
Références bibliographiques ........................................................................ — 48
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© Techniques de l’Ingénieur, traité Génie électrique D 3 050 − 1
ＲＵ
ｄＳＰＵＰ
TRANSFORMATEURS STATIQUES _________________________________________________________________________________________________________
es développements récents de l’électronique de puissance dans le domaine

L de la conversion statique de l’énergie électrique conduisent à reconsidérer
l’approche du transformateur traditionnellement axée sur des régimes de fonc-
tionnement harmonique. Il est en effet nécessaire d’envisager des modèles de
comportement temporels capables de prendre en compte de manière instanta-
née les grandeurs électriques et magnétiques de ces systèmes.
Pour atteindre cet objectif, les mécanismes de mise en équation du transfor-
mateur monophasé sont analysés, puis étendus au cas triphasé, en tenant
compte de la diversité des circuits magnétiques rencontrés. Cette étude conduit
alors à la définition de modèles idéaux construits à partir du concept de modu-
lateur énergétique de rendement unitaire qui constitue l’élément de base de
toute chaîne de conversion d’énergie, quelle que soit la nature des convertis-
seurs utilisés, électromagnétiques, électroniques, ou électromécaniques.
Dans ces conditions, le choix d’un modèle peut être discuté en considérant un
environnement électrique donné, aussi bien pour l’étude des modes sinusoï-
daux déséquilibrés que non sinusoïdaux, notamment lorsque le transformateur
est associé à un convertisseur statique. On peut alors placer le transformateur en
amont ou en aval du convertisseur, ou encore l’intégrer totalement à son fonc-
tionnement.
L’objectif de cet article est de familiariser le lecteur avec les méthodes d’étude
des circuits électriques assurant le transfert de l’énergie électrique au moyen des
liaisons triphasées.
Il ne s’agit donc pas de décrire les techniques et les appareils assurant la dis-
tribution électrique, mais d’expliquer les fondements théoriques sur lesquels
s’appuient les modèles simplifiés des lignes et des transformateurs utilisés dans
le domaine industriel, ainsi que les principaux montages permettant la mesure
de la puissance « transportée ».
La méthode des composantes symétriques est sur ce plan particulièrement
utile puisqu’elle permet de retrouver, dans le cas triphasé déséquilibré, les rai-
sonnements et les schémas en usage en monophasé. Grâce aux résultats établis,
de nombreuses configurations de déséquilibre (coupures de fil ou courts-cir-
cuits) peuvent être analysées et calculées, que l’on se trouve ou non en présence
de transformateurs.
Le lecteur pourra se reporter aux références bibliographiques [1] à [7] en fin d’article.
D 3 050 − 2 © Techniques de l’Ingénieur, traité Génie électrique
ＲＶ
ｄＳＰＵＰ
_________________________________________________________________________________________________________ TRANSFORMATEURS STATIQUES
1. Méthode des composantes Axe imaginaire Im
symétriques (j 3) = (a – a2)
1.1 Principe
(– ja2 3) = (a – 1) (z 2 = a) (– a2) (– ja 3) = (1 – a2)
■ La méthode des composantes symétriques de Fortescue consiste

à substituer à un système déséquilibré de q grandeurs complexes
quelconques un système de q grandeurs « génératrices », permet-
tant de définir q systèmes « q-phasés » équilibrés. Ces dernières Axe
grandeurs sont les composantes symétriques du système initial. (– 1) (z 1 = 1) réel
La transformation est assurée par un opérateur matriciel
Re
complexe, appelé matrice de Fortescue, d’ordre q noté [Fq].
On a donc, pour le système initial :
[ V ] = [ V 1 , V 2 , …, V q ] t = [ F q ] [ V ′]
et pour le système transformé :

(ja 3) = (a2 – 1) (z 3 = a2) (– a) (ja2 3) = (1 – a)
[ V ′ ] = [ V 1′ , V 2′ , …, V q′ ] t = [ F q ] Ð1 [ V ]
Les grandeurs V 1′ , V 2′ , …, V q′ sont les composantes symétri-

ques du système initial défini par V 1 , V 2 , …, V q . (– j 3) = (a2 – a)
■ En électricité, un circuit symétrique polyphasé, soumis à l’action Figure 1 – Disposition, dans le plan complexe, des racines
de tensions et courants déséquilibrés, peut être représenté par du polynôme z 3 ± 1 = 0 et de leurs différences deux à deux
autant de schémas équivalents indépendants monophasés qu’il y a
de phases ; la superposition de tous ces modes équilibrés restitue le
fonctionnement déséquilibré du circuit symétrique considéré.
donc : 3 ϕ = 0 (modulo 2π)
2π 4π
et les arguments respectifs de z 1 , z 2 et z 3 sont 0 , ------- et ------- .
3 3
1.2 Composantes symétriques triphasées On vérifie, en plaçant z 1 , z 2 et z 3 dans le plan complexe
(figure 1), les relations :
1 + a + a2 = 0
1.2.1 Matrice de Fortescue [F3]
ainsi que :
Les coefficients de la matrice [F3] sont formés à partir des racines
de l’équation complexe : a Ð a2 = j  3 a2 Ð a = Ð j 3 
 
3 a2 Ð1 = j a 3  1 Ð a2 = Ð j a 3 
z = 1  
1 Ð a = j a2 3  a Ð 1 = Ð j a2 3 
pour laquelle z est un complexe de la forme
1 + a = Ð a2  Ð 1 Ð a = a2 
z = α + j β = ρ e jϕ .  
a + a 2 = Ð1  Ða Ð a 2 = 1 
 
Cette équation s’écrit sous forme factorisée : a 2 + 1 = Ða  Ð a2 Ð 1 = a 
z 3 Ð 1 = ( z Ð z 1)( z Ð z 2)( z Ð z 3) = 0 ■ Le théorème de décomposition de Fortescue s’énonce alors :

un système de trois grandeurs complexes V 1 , V 2 et V 3 se décom-
avec pose en trois systèmes symétriques :
— un système homopolaire, défini par V h , constitué de trois
z1 = 1  grandeurs de même argument et de même module V h , V h et V h ;

 — un système direct, défini par V d , correspondant au système
1 3
z2 = Ð --- + j ------- = e j ( 2π ⁄ 3 )
= a  direct V d, a 2 V d et aV d ;
2 2 
 — un système inverse, défini par V i , correspondant au système
1 3  inverse V i , aV i et a 2 V i .
z3 = Ð --- Ð j ------- = e Ð j ( 2π ⁄ 3 ) = a 2 
2 2  On obtient donc :
Nota : 0 indique un zéro complexe : module nul, argument nul.
V1 Vh Vd Vi
En effet, si 1 1 1
z = e jϕ V2 = 1 V h + a 2 V d + a V i = V h + a 2 V + aV i (1)
d
V3 1 a a2 Vh aV d a 2 Vi
z 3 = e j3 ϕ = 1 ,
ＲＷ
ｄＳＰＵＰ
Système équilibré direct

3
Composante directe Vd
1
V1 = Vd V1 1 1 1 0
1 V2 = a2 Vd V2 = 1 a2 a Vd
3 2
V3 = a Vd V3 1 a a2 0
Système équilibré inverse

2 Composante inverse Vi
V1 = Vi V1 1 1 1 0
3 2 V2 = a Vi V2 = 1 a2 a 0
1 2
V3 = a V i V3 1 a a 2 Vi
Système direct équilibré, déséquilibré par un système homopolaire
3 Composante homopolaire Vh
3
1 V'1 = V1 + Vh V'1 1 1 1 Vh
2 V'2 = V2 + Vh V'2 = 1 a2 a Vd
1 V'3 1 a a2 0
V'3 = V3 + Vh
V'1 + V'2 + V'3 = 3Vh
Système direct équilibré, déséquilibré par un système équilibré inverse
1
V'1 = V1 + Vi V'1 1 1 1 0
V'2 = V2 + a Vi V'2 = 1 a2 a Vd
1
3
2 V'3 = V3 + a2 Vi V'3 1 a a 2 Vi
V'1 + V'2 + V'3 = 0

2
Cas général : formules de passage
Vh = 1 (V'1 + V'2 + V'3)

V'1 = Vh + Vd + Vi V'1 1 1 1 Vh Vh 1 1 1 V'1 3
V'2 = Vh + a2 Vd + a Vi V'2 = 1 a2 a Vd , Vd = 1 1 a a2 V'2 Vd = 1 (V'1 + a V'2 + a2 V'3)

3 3
2
V'3 = Vh + a Vd + a2 Vi V'3 1 a a Vi Vi 1 a2 a V'3
Vi = 1 (V'1 + a2 V'2 + a V'3)
3
Figure 2 – Caractérisation des systèmes triphasés déséquilibrés. Définition des composantes symétriques homopolaire, directe et inverse
ＲＸ
ｄＳＰＵＰ
et, sous forme matricielle : On constate, également, qu’un système triphasé comportant
comme seule grandeur non nulle V 1 présente trois composantes
[ V 123 ] = [ F 3 ] [ V hdi ] (2) symétriques identiques :
soit : V
V h = V d = V i = -----1- .
3
V1 1 1 1 Vh
V2 = 1 a2 a Vd (3)
V3 1 a a2 Vi 1.3 Distribution triphasée
La figure 2 montre que le théorème de décomposition s’inter-
prète graphiquement en associant aux grandeurs complexes, défi-
nies par leur module et leur argument, des vecteurs de même
1.3.1 Connexion d’un récepteur symétrique
norme et de même direction : au réseau
{ V1 , V 2, V 3, V h, V d, V i } = { V 1 , V 2 , V 3 , V h , V d , V i } Un récepteur triphasé est symétrique lorsque les éléments ou

ensembles d’éléments constituant ses trois phases sont identiques.
● Pour un système équilibré, d’ordre de succession direct, on a : On y accède par une plaque à bornes (figure 3), qui permet son
alimentation au moyen de connexions extérieures reliées à un
( V 1, V 2, V 3 ) avec V 2 = a 2 V 1 et V 3 = aV 1 . réseau d’alimentation.
Un récepteur symétrique en fonctionnement (figure 3) se caracté-
La composante directe est alors V d = V 1 , première grandeur du rise par quatre systèmes triphasés, les tensions simples et courants
en ligne du côté du réseau, les tensions aux bornes des trois
système initial. Une permutation d’indice a alors comme effet de
éléments du récepteur, ainsi que les courants qui les parcourent du
2π côté de l’utilisation.
déphaser de ------- l’argument de la composante directe.
3
La numérotation des tensions et des courants obéit à des règles
● Le raisonnement est identique pour un système équilibré strictes (figure 4) qu’il convient de respecter scrupuleusement au
inverse : risque d’introduire des erreurs dans le positionnement angulaire
des systèmes triphasés en présence.
V 1, V 2 = aV 1, V3 = a 2 V1 et V i = V 1
Le couplage étoile à 4 fils (figure 4a) conduit aux relations :
avec la numérotation choisie.
V1 = VA  IA = I1 
● Un système homopolaire ( V , V , V ) est l’ensemble de trois
1 2 3  
grandeurs identiques telles que : V2 = VB  et IB = I2 
 
V1 = V2 = V3 = Vh . V3 = VC  IC = I3 
tandis que le couplage triangle (figure 4b) permet d’écrire :
1.2.2 Matrice de transformation inverse [F3] –1

U1 = VB Ð VC  I A = Ð J2 + J3 
 
U2 = VC Ð VA  et I B = Ð J3 + J1 
Si on a la relation (2) :  
U3 = VA Ð VB  I C = Ð J1 + J2 
[ V 123 ] = [ F 3 ] [ V hdi ] ,
alors :
[ V hdi ] = [ F 3 ] Ð1 [ V 123 ] . (4)

1
En effectuant le calcul de [F3]–1 : A 1 A
I
Ð1 Couplage B 2
1 1 1 a Ð a2 a Ð a2 a Ð a2 1 1 1 B 2 « étoile » II
1 1
1 a2 a = -----------------------
- 2 2 = --- 1 a a2 , 3
3 ( a Ð a2 ) a Ð a a Ð 1 1 Ð a 3 (3 ou 4 fils) C N'
1 a a2 a Ð a2 1 Ð a a2 Ð 1 1 a2 a C 3 III
N
il vient :
N
A
Vh 1 1 1 V1 1 III
1 Alimentation Utilisation Couplage B
V d = --- 1 a a 2 V2 (5)
3 (réseau) (Récepteur « triangle » 2 I
Vi 1 a2 a V3 symétrique) (3 fils) C
3 II
La condition V h = 0 implique que la somme V 1 + V 2 + V 3 soit N
nulle, d’où la règle suivante.
Un système déséquilibré de somme nulle est caractérisé par une Figure 3 – Couplages usuels d’un récepteur triphasé symétrique
composante homopolaire nulle. au réseau d’alimentation
ＲＹ
ｄＳＰＵＰ
VC VC
C IC C IC
3 I3 3 J2
U2
II
III
V3 V1
1 A 1 A
I U1 I
N' I1 I A VA IA VA
J3
II
V2 III
J1
I2 3Ih = 0 U3
2 N 2 N
B IB B IB
VB VB
C C
U2
VC = V3 VC
I3 = IC
IA
VA = V1 J2 VA
A U1 IC J3 A
I2 = IB π J1
I1 = IA 6 IB
VB
U3
VB = V2
B B
π π
j6
Récepteur : 3(Ze ) Récepteur : 3(3Ze j 6 )
a couplage étoile b couplage triangle
Figure 4 – Notations et diagrammes vectoriels des tensions et courants pour deux récepteurs symétriques couplés au réseau
Ces expressions sont conformes à la notation matricielle plus En considérant les grandeurs du côté du récepteur, il vient :
générale :
— pour les tensions simples du couplage étoile : [ U 123 ] = [ K ] [ V 123 ] 
 (6)
[ V 123 ] = [ 1 ] [ V ABC ] et [ I 123 ] = [ K ] t [ J 123 ] 
— pour les courants en ligne du couplage étoile : avec

[ I ABC ] = [ 1 ] [ I 123 ]
0 1 Ð1 
— pour les tensions composées du couplage triangle : 
[ K ] = Ð1 0 1 

[ U 123 ] = [ K ] [ V ABC ] 1 Ð1 0 
 (7)
0 Ð1 1 
— pour les courants étoilés du couplage triangle : 
et [ K ]t = 1 0 Ð1 

[ I ABC ] = [ K ] t [ J 123 ] Ð1 1 0 
ＳＰ
ｄＳＰＵＰ
1.3.2 Composantes symétriques des grandeurs — d’autre part, des courants en ligne, à partir des courants étoilés
simples et composées déterminés par la nature du récepteur symétrique ou dissymétrique.
La présence d’une ligne 0 dans les matrices [[F3]–1 [K ] [F3]] et
Les relations entre composantes symétriques de systèmes quel- [[F3]–1 [K ]t [F3]] montre que la procédure suivie n’est pas inversible
conques de grandeurs simples et composées s’obtiennent en appli- dans le cas général.
quant les transformations de Fortescue : En effet, les matrices [K ] et [K ]t ne peuvent pas être inversées
1
[ F 3 ] [ U hdi ] = [ K ] [ F 3 ] [ V hdi ]  (directement) ; cependant, en formant le produit --- [ K ] t [ K ] , on
obtient l’identité : 3
 (8)
[ F 3 ] [ I hdi ] = [ K ] t [ F 3 ] [ J hdi ] 
2 Ð1 Ð1 1 0 0 1 1 1
soit, en multipliant à gauche par [F3]–1 : 1 1 1
--- [ K ] t [ K ] = --- Ð 1 2 Ð1 = 0 1 0 Ð --
- 1 1 1
3 3 3
[ U hdi ] = [ F 3 ] Ð1 [ K ] [ F 3 ] [ V hdi ]  Ð1 Ð1 2 0 0 1 1 1 1
 (9)
[ I hdi ] = [ F 3 ] Ð1 [ K ] t [ F 3 ] [ J hdi ]  1 1
Dans ces conditions, les opérateurs --- [ K ] [ K ] t ou --- [ K ] t [ K ]
3 3
Ces relations deviennent :
conduisent au même résultat que la matrice identité à condition de
traiter un système triphasé de composante homopolaire nulle ; en
Uh 0 0 0 Vh Ih 0 0 0 Jh effet les expressions :
Ud = 0 a2 Ða 0 Vd et Id = 0 aÐ a2 0 Jd
1
Ui 0 0 a Ð a 2 Vi Ii 0 0 a 2 Ð a Ji 1
--- [ K ] t [ K ] [ V 123 ] = [ V 123 ] Ð V h 1
3
soit (cf. § 1.2.1) : 1
Uh = 0 Vh  1
 1
 et --- [ K ] [ K ] t [ J 123 ] = [ J 123 ] Ð J h 1
Ud = Ð j 3 Vd  3
 1
Ui = j 3 Vi 
 vont s’écrire [avec les relations (6)], si V h = 0 et J h = 0 :
(10)
 1
I h = 0 Jh --- [ K ] t [ U 123 ] = [ V 123 ]
 3

I d = j 3 Jd  1
et --- [ K ] [ I 123 ] = [ J 123 ] ,
 3
I i = Ð j 3 Ji  soit :

1
Le schéma fonctionnel de la figure 5 précise le mode opératoire [ K ] Ð1 = --- [ K ] t si Vh = 0
3
régissant le calcul :
Ð1 1
— d’une part, des tensions composées, en fonction des tensions et [ K ]t = --- [ K ] si Jh = 0
3
simples supposées données ;
[K ]
0 1 –1
–1 0 1
1 –1 0
[F3] – 1 [F3]
1 1 1 0 0 0 1 1 1
1 [Vhdi] [Uhdi]
[V123] 1 a a2 0 –j 3 0 1 a2 a [U123]
3
1 a2 a 0 0 j 3 1 a a2
Récepteur
1 1 1 0 0 0 1 1 1
1
[I123] 1 a2 a 0 j 3 0 1 a a2 [J123]
[Ihdi] [Jhdi] 3
2 2
1 a a 0 0 –j 3 1 a a
[F3] [F3] – 1
0 –1 1
1 0 –1
–1 1 0 Figure 5 – Flux de données correspondant

au couplage en triangle d’un récepteur
[K]t
sur le réseau
ＳＱ
ｄＳＰＵＰ
1.3.3 Récepteur passif symétrique

Zh Z Z Zh
1.3.3.1 Récepteur couplé en étoile sur un réseau à 4 fils Zd = [ F3 ] Z ′ et Z ′ = [ F3 ] Ð1 Zd
Un récepteur symétrique couplé en étoile ou en triangle absorbe Zi Z ′′ Z ′′ Zi
un système de courants triphasés dont les composantes symétri-
ques s’expriment simplement en fonction des composantes des Toutes les matrices ainsi définies sont inversibles, de sorte que les
tensions d’alimentation. flux de données, correspondant aux différentes opérations matri-
Pour une impédance Z alimentée par une simple source de cielles envisagées, sont bidirectionnels (figure 6).
tension V , on a
V = Z I 1.3.3.2 Récepteur couplé en triangle
Un récepteur couplé en triangle alimenté par un réseau triphasé
tandis que pour un système symétrique alimenté en étoile, on écrit
introduit, dans le flux des données (tensions et courants) du
par extension :
système, des opérateurs matriciels [K ] et [K ]t qui ne sont pas inver-
[ V 123 ] = [ Z ] [ I 123 ] sibles.
Plus généralement, la perte d’information qu’entraîne le seul
Si l’on développe ce produit, on constate l’invariance des coeffi- calcul possible de grandeurs composées [ ∆ 123 ] en fonction de
cients de [ Z ] face à une permutation circulaire des indices 1, 2 et 3 :
grandeurs simples ou étoilées [ Y 123 ] impose donc de considérer le
V 1 = Z I 1 + Z ′ I 2 + Z ′′ I 3  système [ Y 123 ] comme influent et le système [ ∆ 123 ] comme
 influencé.
V 2 = Z I 2 + Z ′ I 3 + Z ′′ I 1 
 On peut alors dire qu’une opération matricielle inversible définit,
V 3 = Z I + Z ′ I + Z ′′ I 
3 1 2 entre grandeurs influentes et influencées, une relation rigide, tandis
qu’une opération matricielle non inversible définit une relation
Pour la matrice Z , il en résulte la forme particulière : rigide non inversible, pour laquelle toute interversion des grandeurs
influentes et influencées est impossible (figure 7).
Z Z ′ Z ′′ Il en résulte que, pour un récepteur symétrique alimenté en
[ Z ] = Z ′′ Z Z′ . triangle, ses impédances Z et admittances Y symétriques sont défi-
nies du côté de l’utilisation mais, du côté de l’alimentation, seules
Z ′ Z ′′ Z sont définies l’admittance matricielle vue du réseau (indice R) et son
admittance symétrique associée (figure 8).
La relation liant les composantes symétriques de [ V 123 ] et [ I 123 ]
On obtient ainsi les formules de transfert des impédances et
en découle [avec la relation (4)] :
admittances d’aval en amont, de chaque niveau de conversion ou de
[ V hdi ] = [ F 3 ] Ð1 [ Z ] [ F 3 ] [ I hdi ] transformation (tableau 1).
soit, tous calculs faits :

Ces résultats appellent les conclusions suivantes.
Pour un réseau à trois fils :
Zh 0 0 — la composante homopolaire des tensions composées est
[ V hdi ] = [ Z λ ] [ I hdi ] = 0 Z d 0 [ I hdi ] . (11) toujours nulle ;
— la composante homopolaire des courants en ligne est tou-
0 0 Zi jours nulle et trois conducteurs suffisent pour assurer le trans-
port de l’énergie électrique que la source d’énergie soit ou non
La matrice [ Z λ ] est une matrice diagonale dont les coefficients équilibrée.
sont, dans l’ordre, les impédances homopolaire, directe et inverse En cas de dysfonctionnement sur la ligne de transport (cou-
associées aux impédances propre et de couplage des trois phases rant de défaut), la seconde condition n’est plus remplie, tandis
du récepteur symétrique Z , Z ′ et Z ′′ . qu’un déséquilibre au niveau des tensions va altérer la qualité
Les matrices de Fortescue et son inverse [relation (3) et (5)] de l’énergie pour l’utilisateur en affectant notamment la forme
permettent alors le passage du système des impédances symétri- d’onde de la puissance instantanée consommée et, éventuelle-
ques aux impédances du récepteur : ment, l’amplitude des tensions.
[ F 3] – 1
[V123] [Vhdi]
[F3]
[Z] [Z] – 1 [Zλ] [Zλ] – 1
[ F 3] – 1
[I123] [Ihdi]
[F3] Figure 6 – Processus de diagonalisation

des matrices impédance et admittance
d’un récepteur symétrique alimenté en étoile
ＳＲ
ｄＳＰＵＰ
0 1 –1
1 0 0 [K ] = –1 0 1
0 0 1 1 –1 0
0 1 0
[V123] [U123]
[V123] [V'123]
[I123] [J123]
[I123] [I'123]
0 –1 1
1 0 0 [K ]t = 1 0 –1
0 0 1 –1 1 0
0 1 0
[ 123
] [ 123
]
([K ] ou [K ]t )
Figure 7 – Relations définies par deux matrices
Relations rigides inversibles Relations rigides non inversibles de conversion inversibles et non inversibles
0 0 0
3 0 –j 0
0 0 j
0 1 –1
[F3] – 1 [V123] [U123] [F3] – 1
[Vhdi] –1 0 1 [Uhdi]
1 –1 0
[F3] [F3]
([K ])
[YRλ] [YR] [Y ] [Z ] [Zλ] [Yλ]
([K ]t )
[ F 3] – 1 [F3] – 1
0 –1 1
[Ihdi] 1 0 –1 [Jhdi]
[F3] [I123] [J123] [F3]
–1 1 0
0 0 0
3 0 j 0
Figure 8 – Modélisation matricielle
0 0 –j
d’un récepteur symétrique couplé en triangle,
Alimentation Utilisation alimenté par un réseau triphasé
C
J2 Y
U2
I3
V3 V1
I1
Y U1 A
N
J1 Exemple : si l’on alimente par un système triphasé de générateurs

V2 J3 de tension, trois admittances identiques indépendantes on obtient
I2 U3 (figure 9) :
Y
Ih = 0 
B 
I d = 3 Y Vd 
Figure 9 – Alimentation déséquilibrée en tension 
I i = 3 Y Vi 
et courant d’un récepteur symétrique
ＳＳ
ｄＳＰＵＰ
Tableau 1 – Structure étoile-triangle : admittances et impédances, en amont et en aval, de la ligne de distribution

[ Z ] = [ F 3 ] [ Z λ ] [ F 3 ] Ð1 [ Z λ ] = [ F 3 ] Ð1 [ Z ] [ F 3 ]
[ Y ] = [ F 3 ] [ Y λ ] [ F 3 ] Ð1 [ Y λ ] = [ F 3 ] Ð1 [ Y ] [ F 3 ]
[ YR ] = [ K ]t [ Y ] [ K ]
Y Y ′ Y ′′ Yh 0 0 Yh 1 1 1 Y
[Y ] = Y ′′ Y Y′ [ Yλ ] = 0 Yd 0 Yd = 1 a 2 a Y ′
Y ′ Y ′′ Y 0 0 Yi Yi 1 a a 2 Y ′′
Z Z ′ Z ′′ Zh 0 0 Zh 1 1 1 Z
[Z ] = Z ′′ Z Z′ [ Zλ ] = 0 Zd 0 Zd = 1 a 2 a Z ′
Z ′ Z ′′ Z 0 0 Zi Zi 1 a a 2 Z ′′
YR Y R′ Y R′′ Y Rh 0 Y Rh
0 1 1 1 YR
[ YR ] = Y R′′ YR Y R′ [ Y Rλ ] = 0 Y Rd 0 Y Rd = 1 a 2 a Y R′
Y R′ Y R′′ YR 0 0 Y Ri Y Ri 1 a a 2 Y R′′
YR Y Rh
2 Ð1 Ð1 Y 0 0 0 Y
Y R′ = Ð1 2 Ð1 Y ′ Y Rd = 3 3 a 2 3 a Y′
Y R′′ Ð 1 Ð 1 2 Y ′′ Y Ri 3 3 a 3 a2 Y ′′
1.4 Détermination des composantes A

symétriques 3
α
A'
1.4.1 Composantes directe et inverse

1
1.4.1.1 Méthode du triangle '
1 d
Un triangle définit sans ambiguïté un, et un seul, système triphasé 2
[ ∆ 123 ] de grandeurs composées ; en revanche, le choix arbitraire 3
d’un point du plan permet de définir une infinité de systèmes [ Y 123 ]

3 G' 2 i
de grandeurs simples ou étoilées. Tous ces systèmes ont en
commun leurs composantes directe et inverse :
j  C B
Y d = ------- ∆ d  1
3 
 (12) Figure 10 – Construction graphique des composantes directe
j
Y i = Ð ------- ∆ i  et inverse étoilées Y d et Y i correspondant
3 
 à un système donné de grandeurs composées [ ∆ 123 ]
La méthode consiste donc à choisir une origine du système étoilé

qui fasse apparaître simplement les vecteurs représentant Y d et Y i
associés à un triangle donné. On a en effet :
On part du triangle ABC des grandeurs composées formé à partir 3Y d = Y 1 + a Y 2 + a 2 Y 3
des grandeurs étoilées (non représentées) (figure 10).
= Y 1′ + 3Y + a Y 2 + a 2 Y 3 = 3Y 1′ + 3Y
On trace le système étoilé ayant comme origine le centre de
gravité G’ du triangle équilatéral A’BC de base BC ( BC = ∆ 1 ) . soit : Y d = Y 1′ + Y = G′ α
On obtient alors : De la même manière, on a :
3Y = A′A
3Y i = Y 1 + a 2 Y 2 + a Y 3
et : Y i = Y = A′ α = Y 1′ + 3Y + a 2 Y 2 + a Y 3 = Y 1′ + 3Y + Y 3 + Y 2
tandis que : Y d = G′ α
soit : Y i = Y = A′ α
ＳＴ
ｄＳＰＵＷ
Éléments passifs intégrés
par Matthieu NONGAILLARD

Docteur en microélectronique
Ingénieur R&D
1. Problématiques de l’intégration .......................................................... D 3 057 - 2

1.1 Contraintes technologiques ........................................................................ — 2
1.2 Co-intégration et technologies spécialisées .............................................. — 3
1.3 Élément de fiabilité ...................................................................................... — 4
1.4 Variabilité et étapes critiques de réalisation .............................................. — 4
2. Résistances ................................................................................................ — 4
2.1 Principales caractéristiques et structures .................................................. — 4
2.2 Procédé de fabrication ................................................................................. — 5
2.3 Améliorations envisagées ........................................................................... — 6
3. Inductances ................................................................................................ — 6
3.3 Améliorations envisagées ........................................................................... — 7
3.4 Utilisation particulière : transformateurs ................................................... — 8
4. Capacités .................................................................................................... — 8
4.3 Améliorations développées ........................................................................ — 9
4.3.1 Nouveaux diélectriques...................................................................... — 10
4.3.2 Nouvelles structures ........................................................................... — 10
es composants passifs sont omniprésents en électronique, que ce soit dans

L les applications les plus simples ou les plus complexes. Comme les élé-
ments passifs sont des dispositifs volumineux si ils sont comparés aux
dispositifs actifs comme des transistors, il est intéressant de chercher à les
intégrer au sein de puces. Cependant, l’intégration des éléments passifs est un
défi au niveau du procédé de fabrication, car chaque composant passif ainsi
réalisé doit avoir des performances au moins équivalentes à celle de son
homologue discret pour présenter un intérêt d’un point de vue économique.
Les problématiques soulevées par l’intégration des composants passifs n’ont
pas toujours suscité les mêmes intérêts que pour les composants actifs, intégrés
notamment avec les technologies CMOS. En effet, le monde de la microélectro-
nique est rythmé depuis 40 ans par la loi de Moore, qui est vérifiée depuis 1973 et
devrait encore l’être quelques années avant de bloquer devant des effets physi-
ques parasites. La majorité des efforts d’intégration ont été focalisés sur les
composants actifs et plus particulièrement sur les transistors. Depuis 2004, la ten-
dance à la miniaturisation souffre d’un ralentissement causé par des difficultés
techniques très diverses : on peut citer par exemple, la dissipation thermique qui
empêche une montée en fréquence des composants en dépit de leur taille plus
faible. Les limitations physiques rencontrées rendent de plus en plus difficile la
miniaturisation. L’industrie du semi-conducteur ne peut pas compter diviser la
ｐ｡ｲｵｴｩｯｮ＠Ｚ＠ｦ￩ｶｲｩ･ｲ＠ＲＰＱＲ
taille des transistors de génération en génération et doit par conséquent trouver

est strictement interdite. – © Editions T.I. D 3 057 – 1
ＳＵ
ｄＳＰＵＷ
ÉLÉMENTS PASSIFS INTÉGRÉS ________________________________________________________________________________________________________
un nouveau paradigme pour continuer de réduire les tailles et les coûts. À chaque
nœud technologique (180 nm, 90 nm, 65 nm, 45 nm, 32 nm, 22 nm...), des limita-
tions qui étaient jusqu’alors négligeables deviennent prépondérantes et la
moindre non-uniformité lors du procédé de fabrication augmente de façon expo-
nentielle la dispersion des caractéristiques des composants.
L’intégration des éléments passifs est donc moins avancée que celle des élé-
ments actifs, mais les besoins de miniaturisation dans certains domaines
tendent à réduire les différences.
Certains domaines d’application nécessitent de plus en plus de composants
passifs de fortes valeurs, qui tireraient profit d’un meilleur niveau d’intégra-
tion. C’est le cas des applications radiofréquences avec les capacités de
découplage, ou encore des fonctions d’alimentation des circuits.
Dans ce dossier, nous abordons les problématiques liées à l’intégration avec
les différentes options technologiques et leurs influences sur les performances
électriques. L’aspect technologique définit les principales caractéristiques et les
performances électriques de ces éléments intégrés. Ensuite, les principaux
composants passifs sont passés en revue, aussi bien d’un point de vue
procédé de fabrication, avec les matériaux couramment utilisés et la structure
des composants, que d’un point de vue électrique, avec les principales caracté-
ristiques et performances atteintes. Les éléments passifs de base que sont les
résistances, les inductances et les capacités sont donc détaillés.
1. Problématiques
de l’intégration
L’intégration des composants consiste à regrouper sur une
même puce, différents éléments d’un circuit, principalement afin
d’en réduire la taille [D 3 110] [E 3 365]. Les éléments intégrés rem-
plissent les mêmes fonctions que leurs homologues discrets. La
plupart des systèmes électroniques classiques utilisent des
composants passifs dits CMS (Composant Monté en Surface) qui
occupent une surface importante des circuits imprimés, à côté des
puces actives [E 3 400]. L’intégration de tous ces composants pas- 7 mm
sifs au sein d’un même boîtier permet un gain de surface.
Exemple : la figure 1 est l’illustration de la réduction de la superficie

d’un circuit grâce à l’intégration des éléments passifs. Ce circuit est un
module de téléphone sans fil DECT (Digital Enhanced Cordless 25 mm
Telephone ). Le module présenté à gauche, utilise deux puces actives
et une centaine de composants passifs CMS qui sont tous intégrés
dans le boîtier de droite. Figure 1 – Module de téléphone sans fil DECT (doc. NXP semiconductor)
Bien sûr, le gain de surface dépend directement de l’application,

c’est-à-dire du nombre et du type de composants à intégrer, mais Une technologie peut se caractériser par différents aspects :
également de la technologie utilisée. La technologie fixe le degré – le procédé de fabrication doit assurer les fonctionnalités des
d’intégration, c’est-à-dire la densité des composants, mais aussi composants, ainsi qu’un certain niveau de performances ;
certaines caractéristiques et performances.
– le rendement de fabrication doit être le plus élevé possible pour
que l’exploitation de cette technologie soit économiquement rentable ;
1.1 Contraintes technologiques – les puces fabriquées avec cette technologie doivent présenter
un certain niveau de fiabilité (électrique, thermique...).
En microélectronique, une technologie est définie par un pro- Il existe différentes technologies permettant de fabriquer des élé-
cédé de fabrication et par des règles de dessin. Ces deux aspects ments passifs intégrés, qui présentent chacune leurs spécificités.
d’une technologie sont complémentaires et indissociables. Chaque technologie fixe les caractéristiques physiques des différen-
En effet, le manuel de règles de dessin appelé DRM (Design tes couches utilisées pour réaliser les composants intégrés. Par
Rules Manual ) donne les instructions sur ce qu’il est possible de conséquent, la nature des matériaux et leurs caractéristiques physi-
réaliser avec une technologie, alors que le procédé de fabrication ques, comme par exemple leur conductivité, ou leurs caractéristiques
indique comment le réaliser. géométriques comme l’épaisseur des différentes couches sont fixées.

ＳＶ
ｄＳＰＵＷ
________________________________________________________________________________________________________ ÉLÉMENTS PASSIFS INTÉGRÉS
Exemple d’un élément capacitif : la technologie définit les Prenons l’exemple de deux technologies d’intégration d’élé-
niveaux à utiliser pour le réaliser ainsi que toutes les caractéristiques ments passifs spécialisées : la technologie IPAD (Integrated Pas-
physiques de ces niveaux. L’épaisseur des métallisations mais sur- sive and Active Device ) et la technologie PICS (Passive Integrated
tout celle du diélectrique les séparant, ont une influence directe sur Connecting Substrate ).
les caractéristiques de la capacité comme sa valeur, sa tension d’utili-
sation ou encore sa tension de claquage. La technologie IPAD a été mise au point par ST Microelectronics
[1] pour correspondre aux besoins spécifiques des applications
En plus de satisfaire un niveau de performances répondant au radiofréquences, notamment au niveau des fréquences d’utilisation
cahier des charges de l’application, les différents éléments intégrés des composants, ainsi qu’au niveau des tensions d’utilisation. Cette
doivent répondre à des contraintes de fiabilité. technologie permet d’intégrer les principaux composants passifs,
tout en ayant la possibilité de pouvoir co-intégrer des éléments actifs
comme les diodes de protections ESD (ElectroStatic Discharge).
La fiabilité des composants intégrés représente leurs apti-
tudes à remplir leurs fonctions, dans des conditions définies et
pendant un temps minimal. Les diodes sont des composants passifs, mais leur procédé de
fabrication est vraiment très proche de celui des éléments actifs
si on le compare aux procédés de technologies centrés sur les
De manière générale, les critères des cahiers des charges
éléments passifs. Par conséquent, la réalisation de diodes avec
concernant la fiabilité sont de plus en plus exigeants, et demande
un procédé de fabrication spécialisé dans les éléments passifs,
au minimum le même niveau de fiabilité que pour la même
revient à avoir la possibilité de co-intégrer des éléments passifs
fonction réalisée avec des composants discrets. En effet, si l’inté-
et des éléments actifs avec la même technologie.
gration d’une application est destinée à réduire la place qu’elle
occupe, les spécifications concernant ses performances et son uti-
lisation ne sont pas différentes.
La technologie PICS, développée par IPDIA, est une technologie
dédiée à l’intégration de dispositifs passifs [2] [3] et maximise la
Exemple d’une puce utilisée dans le domaine de l’automobile : densité d’intégration des composants. Ainsi, des composants de
le composant doit rester fonctionnel malgré les fortes variations de très fortes valeurs peuvent être intégrés au sein d’une puce avec
température auxquelles peut être soumis le véhicule (stationner pen- cette technologie.
dant des heures en plein soleil ou à l’inverse, une nuit en plein bliz-
zard). Dans ce cas, il faut donc que les composants aient une tenue Si le nombre de composants nécessitant des technologies diffé-
en température suffisante pour rester fonctionnels malgré les écarts rentes est important, le nombre de puces utilisées sur le circuit
de température. Les caractéristiques comme les températures d’utili- imprimé peut augmenter et ainsi réduire le gain de place occa-
sation ou encore les tensions applicables sont définies par la techno- sionné par l’intégration de ces composants. Mais depuis quelques
logie utilisée pour la réalisation des composants intégrés. années, on assiste à l’émergence de concepts More than Moore
ou Beyond Moore. Ces concepts ouvrent des voies différentes de
la tendance à la miniaturisation et vont permettre une percée dans
1.2 Co-intégration et technologies la réduction des tailles des composants. Ces concepts misent sur
spécialisées le regroupement des composants d’un circuit complexe à l’inté-
rieur d’une seule et même puce. Les System-In-Package (SIP) sont
Une technologie permet de réaliser une gamme de composants une partie de ces concepts [4] et permettent d’empiler efficace-
avec un niveau de performance donné sur une même puce de sili- ment plusieurs puces issues de technologies différentes. Ces
cium. Cependant, tous les composants ne sont pas réalisables puces sont interconnectées entre elles et remplissent les mêmes
avec toutes les technologies. Il est parfois impossible de réaliser fonctions que le circuit imprimé discret équivalent.
sur une même puce de silicium deux composants de différentes
natures avec les niveaux de performances demandées. Exemple : la figure 2 présente la coupe d’un assemblage de trois
La co-intégration, c’est-à-dire la réalisation de différents types de puces, communiquant entre elles grâce à des billes d’étain (ou bump ).
composant sur la même puce implique d’utiliser les mêmes étapes Ces puces sont finalement moulées dans un seul et même boîtier.
de fabrication, bien que les composants puissent être de nature
différente. La co-intégration présente l’avantage de réduire la dis-
Les puces se trouvant dans un même boîtier sont fabriquées
tance entre les composants, ainsi que le nombre de connexions
séparément, ce qui permet de conserver les meilleures options
qui peuvent dégrader la qualité des signaux entre différentes
technologiques pour chacune des puces. Ainsi, les éléments qui ne
puces, en plus d’un gain de place évident.
peuvent pas être fabriqués sur la même puce à cause de
Tous les composants ne sont pas co-intégrables, et certains problèmes de co-intégration, peuvent quand même se trouver à
nécessitent l’utilisation de technologie particulière pour arriver aux l’intérieur du même boîtier. Les avantages des System-In-Package
spécifications requises par l’application. sont encore plus évidents sur des circuits de grande taille qui uti-
lisent beaucoup de composants passifs. Le fort facteur d’inté-
Exemple : pour obtenir des tensions d’utilisation très élevées, ou gration de ces systèmes est obtenu au prix d’un assemblage plus
encore une tenue en température importante, l’utilisation d’un pro- complexe qui influence les rendements, la fiabilité ainsi que la
cédé de fabrication spécialisé peut être nécessaire. Dans ce cas, les qualité des signaux.
éléments concernés sont réalisés dans une autre puce à inclure sur le
circuit imprimé.
Les technologies CMOS sont optimisées pour l’intégration des Puce

éléments actifs, comme les transistors. Cependant, il est possible passive
de réaliser des composants passifs avec ces technologies, mais les Grille de
performances obtenues ne peuvent satisfaire les cahiers des connexion
charges plus exigeants. Puces
actives
À l’inverse, les technologies centrées sur les composants passifs
ne permettent pas de réaliser des transistors répondant aux exigen- Figure 2 – Coupe d’un System-In-Package où deux puces actives
ces des applications (fréquence d’utilisation, courant de fuite, etc.). sont reportées sur une puce passive

ＳＷ
ＳＸ
ｄＳＰＵＸ
Transformateurs HF à n enroulements
Schémas à constantes localisées
par Jean-Pierre KERADEC
Enseignant-chercheur
Laboratoire d’électrotechnique de Grenoble (LEG / ENSIEG)
1. Élaboration du circuit équivalent ........................................................ D 3 058 – 2

2. Séparations simplificatrices ................................................................. – 2
2.1 Séparation de la partie électrostatique ...................................................... – 2
2.2 Séparation des pertes statiques ................................................................. – 3
3. Représentations traditionnelles du couplage magnétique........... – 3
3.1 Transformateur parfait ................................................................................ – 3
3.2 Transformateur à deux enroulements ....................................................... – 4
3.3 Transformateur à trois enroulements ........................................................ – 4
3.4 Circuits équivalents pour transformateurs à n enroulements ................. – 5
4. Représentation actuelle du couplage magnétique ......................... – 5
4.1 Coupleurs...................................................................................................... – 6
4.2 Présentation intuitive de la méthode d’élaboration.................................. – 6
4.3 Justification matricielle ............................................................................... – 8
4.4 Élaboration des circuits équivalents. Simplifications ............................... – 9
4.5 Pratique de l’élaboration de circuits équivalents ...................................... – 11
4.6 Bilan relatif à la représentation du couplage magnétostatique ............... – 14
5. Représentation des pertes dynamiques du couplage magnétique – 14
5.1 Représentation large bande des pertes dynamiques ............................... – 14
5.2 Évaluation des pertes : ponctuelle ou large bande ................................... – 14
5.3 Représentation des pertes fer ..................................................................... – 15
5.4 Représentation des pertes par courants induits........................................ – 15
6. Représentation du couplage électrostatique ................................... – 16
6.1 Objectif et idées directrices ......................................................................... – 16
6.2 Propriétés générales de la matrice capacitance. Matrice de couplage ... – 17
6.3 Première représentation et premiers succès de l’approche globale ....... – 17
6.4 Prise en compte progressive du couplage capacitif ................................. – 20
6.5 Circuits à capacités uniquement positives................................................. – 21
7. Conclusion.................................................................................................. – 22
e dossier, divisé en deux parties, s’intéresse à la représentation des trans-

C formateurs à n enroulements par des circuits équivalents à constantes
localisées. Il vise principalement les composants transmettant de 1 W à 10 kW
et fonctionnant entre 10 kHz et 10 MHz.
Les circuits élaborés dans cette première partie sont exploitables par tous les
logiciels de simulation électronique.
Dans un autre dossier, à paraître ultérieurement, seront décrites des
méthodes permettant d’identifier tous les éléments de ces circuits. Elles
s’appuient, exclusivement, sur des mesures d’impédances ne nécessitant
aucun démontage du composant.
ｐ｡ｲｵｴｩｯｮ＠Ｚ＠ｦ￩ｶｲｩ･ｲ＠ＲＰＰＸ

ＳＹ
ｄＳＰＵＸ
TRANSFORMATEURS HF À N ENROULEMENTS ____________________________________________________________________________________________
1. Élaboration du circuit En revanche, le circuit équivalent constitue une présentation

synthétique et précise du comportement électrique du compo-
équivalent sant au sein d’un montage, bien utile dans de nombreuses
circonstances.
■ Les transformateurs sont présents dans de très nombreux domai-
nes de l’électricité et de l’électronique. Ces composants passifs per- ■ Afin d’éviter ou de limiter la construction de prototypes, on peut
mettent d’adapter, avec un fort rendement énergétique, les niveaux envisager d’étudier ce composant, soit en le simulant à l’aide d’un
de tensions et de courants aux besoins de l’utilisation. Qui plus est, logiciel à éléments finis, soit en l’étudiant de façon analytique. Dans
ils procurent une isolation galvanique entre leur entrée et leur sortie. les deux cas, il faut savoir comment conclure une telle étude. Pour
parvenir à des conclusions pratiques, connaître un champ ou une
Ces deux propriétés, jointes au fait qu’il peuvent temporai-
énergie ne suffit pas. En revanche, déduire les valeurs des éléments
rement stocker de l’énergie, en font des composants clés de
du circuit équivalent ouvre la possibilité d’introduire ce circuit dans
l’électronique de puissance.
une simulation électronique et de prévoir le comportement du com-
• Ce dossier vise essentiellement les transformateurs utilisés posant dans les conditions où il sera utilisé.
dans les convertisseurs de l’électronique de puissance. Toutefois, On comprend ainsi que le circuit équivalent fournit l’interface
la généralité des approches adoptées est telle que ces études ont par laquelle les études électromagnétiques communiquent effica-
déjà été appliquées avec succès à des domaines très éloignés de cement avec la simulation électronique. Plus précisément, les dia-
celui des convertisseurs, comme la réponse d’un transformateur grammes de Bode d’impédances (relevées expérimentalement
de 1 MVA aux ondes de foudre, ou la réponse fréquentielle d’une dans ce dossier) peuvent être déduits d’études (informatiques ou
tête de lecture submillimétrique de disque dur. analytiques) électromagnétiques. Les méthodes d’identification
• Contrairement aux autres composants, les transformateurs expérimentale, présentées dans un futur dossier (à paraître pro-
nécessaires aux convertisseurs sont rarement des composants chainement), nous apprennent alors comment en déduire les
standards disponibles sur catalogue. La plupart du temps, ils sont valeurs des éléments du circuit équivalent.
réalisés à la demande, pour une application donnée. C’est donc,
fait exceptionnel, au concepteur du circuit qu’il revient de spécifier
ce composant. Si on en juge par le nombre de leurs entrées (4, 5,
6 enroulements ne sont pas rares), les transformateurs sont, sans 2. Séparations simplificatrices
conteste, les plus compliqués des composants passifs.
■ Nous allons apprendre ici à décrire le comportement électrique

de ces composants, dans toutes les conditions rencontrées en 2.1 Séparation de la partie électrostatique
électronique de puissance.
■ Les transformateurs utilisés en électronique de puissance sont
• Pour maintenir la complexité à un niveau raisonnable, nous souvent bobinés autour de noyaux en ferrite et, dans les condi-
admettrons que ces composants se comportent de façon linéaire. Cette tions normales d’utilisation, ils sont exploités en deçà de la satura-
vision est souvent très proche de la réalité pour les transformateurs HF tion. Ceci nous autorise à accorder une large place aux modèles
mais, reconnaissons-le, c’est la principale limitation de notre approche. linéaires. Cette hypothèse simplificatrice étant adoptée, il reste,
pour que les prévisions soient fiables lorsque les signaux sont
Ceci admis, il faut avoir à l’esprit que, lorsqu’elle se manifeste,
chargés en harmoniques, à développer des modèles précis dans
la non linéarité est, presque toujours, due au comportement du
une large gamme de fréquences, allant au moins jusqu’à dix fois la
noyau magnétique. De ce fait, elle ne touche que certains élé-
fréquence de travail du montage. Ceci n’est pas simple lorsque les
ments du circuit équivalent, l’inductance magnétisante, en parti-
composants comptent trois, quatre, cinq enroulements ou plus.
culier, et on conçoit qu’un transformateur puisse se comporter de
façon linéaire ou non linéaire, suivant l’utilisation qui en est faite. ■ Lorsqu’on observe le comportement d’un transformateur en
La représentation linéaire ne doit donc pas être rejetée en bloc. régime harmonique, on remarque que, jusqu’à des fréquences
assez élevées vis-à-vis de la fréquence de travail, les effets capaci-
• Les transformateurs HF canalisent le flux magnétique, soit dans
tifs sont négligeables. Ceci incite à adopter, pour la représentation
l’air, soit dans du ferrite. Sauf quand l’induction est proche de la satu-
des effets magnétiques et électrostatiques, des circuits indépen-
ration, la description linéaire convient bien à ces matériaux, alors
dants connectés en parallèle. Cette décomposition facilite beau-
qu’elle est moins pertinente pour les matériaux ferromagnétiques.
coup la recherche des circuits équivalents. Pour illustrer le
■ Ce dossier souhaite montrer comment s’élabore la topologie du cheminement correspondant, observons la variation fréquentielle
circuit équivalent d’un transformateur à n enroulements. de l’impédance d’une simple inductance (figure 1).
• Le circuit équivalent élaboré est un circuit à constantes localisées. Le circuit équivalent à cette inductance réelle s’obtient en asso-
Contrairement à l’hypothèse de linéarité, cela ne réduit pas la généralité ciant des éléments discrets (constantes localisées). À l’inductance
de l’approche. On sait en effet que, sous réserve d’un morcellement Ls il faut ajouter, non seulement une résistance série rs, pour
spatial suffisant, même une ligne de transmission admet une représen- représenter la résistance de son fil, mais aussi, si le fil est bobiné
tation par constantes localisées. La représentation par un circuit équiva- sur un noyau magnétique, une résistance de pertes parallèles Rf,
lent à constantes localisées présente, en revanche, l’avantage d’être pour rendre compte, sommairement, des pertes dues au circuit
compatible avec l’utilisation de tous les logiciel de simulation électroni- magnétique. Enfin, lorsque la fréquence augmente, la tension qui
que, en particulier temporelle, comme PSpice, Saber, Simplorer, ... [25]. apparaît entre spires proches est responsable d’un courant capaci-
Grâce à cette représentation, on peut étudier le comportement tempo- tif de moins en moins négligeable, lequel justifie le placement
rel du composant au sein d’un convertisseur ou, plus généralement, au d’une capacité Cfil en parallèle sur le reste du circuit.
sein de n’importe quel montage électronique.
On obtient alors le circuit équivalent à 4 constantes de la
• Soulignons, au passage, que ceci est le seul objectif du circuit figure 2. La figure 1 permet de comparer la courbe mesurée à celle
équivalent. L’étude qui suit ne constitue pas, à elle seule, une modé- relative au circuit proposé. La superposition observée autorise à
lisation complète du composant. Elle ne permet pas de savoir com- penser que ce modèle traduit bien le comportement de ce compo-
ment il rayonne, quelles températures atteignent les enroulements, sant en régime quelconque, tant que le spectre des signaux impli-
ou comment se répartit le courant entre les brins d’un fil de Litz. qués ne s’étend pas au-delà de 2 MHz.

D 3 058 – 2 est strictement interdite. – © Editions T.I.
ＴＰ
ｄＳＰＵＸ
____________________________________________________________________________________________ TRANSFORMATEURS HF À N ENROULEMENTS
105
V1 Couplage V2
inductif + pertes
104
103
Couplage
capacitif
102
V3
10
Figure 3 – Séparation couplage électrostatique
1
r1 r2
Couplage
10 –1 V1 inductif + pertes V2
10 102 103 104 105 106 107
dynamiques
Mesure Modèle à 4 constantes
Figure 1 – Variation de l’impédance (en Ω) d’une inductance en fonc-
tion de la fréquence (en Hz) Couplage
capacitif
Cfil V3
Figure 4 – Séparation des pertes statiques
Rf I1 I2
η
Ls rs
V1 V2
Figure 2 – Circuit équivalent d’une inductance

Figure 5 – Transformateur parfait (le rapport η est, en général, égal au
■ Comme le montre la figure 3, cette approche peut être étendue rapport des nombres de spires N2 /N1)
à des composants comportant plusieurs enroulements. Le circuit
équivalent complet se décompose en deux parties connectées en ■ En définitive, le comportement magnétique des transformateurs
parallèle : un circuit pour le couplage inductif, un autre pour le est masqué, en basse fréquence, par des résistances série et, en
couplage capacitif. En basse et moyenne fréquence, seule la partie haute fréquence, par des capacités parallèle. Il faudra avoir ceci à
magnétique, qui inclut les pertes, est impliquée. En revanche, en l’esprit lors de la caractérisation expérimentale. Comme le montre
haute fréquence, la partie capacitive est prépondérante. la figure 1, le comportement inductif n’est clairement visible que
dans une gamme bornée de fréquence. Hors de cette zone, l’iden-
Voici la remarque d’un spécialiste de haute puissance : tification expérimentale de la partie magnétodynamique sera for-
« ... des pertes électrostatiques surviennent également en raison cément moins précise, mais aussi moins importante....
des imperfections des matériaux diélectriques. Elles ont un impact
important sur le comportement des transformateurs haute puis-
sance (> 1 M VA) et sur ceux (LCT) qui exploitent des diélectriques
de qualité médiocre... » 3. Représentations
Nous négligerons cet effet jusqu’à une prochaine étude. traditionnelles
Le circuit de la figure 3 est celui d’un transformateur à deux du couplage magnétique
enroulements et il faut souligner que, si le système magnéti-
que présente deux entrées, le système électrostatique en pos-
sède trois. En effet, en raison de la présence des capacités, un 3.1 Transformateur parfait
courant peut passer d’un enroulement à l’autre...
Depuis longtemps, les électrotechniciens ont compris que, pour
traduire l’isolation galvanique apportée par un composant passif, il
leur fallait un composant spécial : ils ont introduit le transforma-
2.2 Séparation des pertes statiques teur parfait ([26] et [27]).
Pour le moment, nous avons localisé toutes les pertes dans la Les tensions entrant et sortant de cet élément (figure 5) sont dans un
partie « couplage inductif ». Ces pertes incluent les pertes fer et les rapport η, identique à celui des courants sortant et entrant (1). Ce rap-
pertes cuivre (pertes Joule et pertes dues aux courants induits). port, appelé « rapport de transformation », est très souvent identifié à
un rapport de nombres de spires, il est réel et indépendant de la fré-
■ Les pertes Joule se représentent d’une façon triviale, en plaçant quence. Le sens des flèches associées aux signaux est ici purement
une résistance de valeur fixe en série avec chaque enroulement (r1 conventionnel : il indique le sens dans lequel les tensions et courants
et r2 sur la figure 4). Ces pertes sont les seules qui subsistent à fré- sont comptés positivement. Pour η, la flèche indique la direction dans
quence nulle : ce sont des pertes statiques. laquelle la tension est multipliée par η selon (1). Le signe de η, qui peut
être négatif aussi bien que positif, est définit par (1), sous réserve que
■ Le reste du circuit associé à la partie magnétique représente le cou-
les flèches des courants et des tensions soient dirigées vers les points
plage magnétique et les pertes dynamiques. Notons que les pertes de
du transformateur parfait. Le signe de η est changé par le déplacement
cette partie sont toujours positives puisque, on le sait, les pertes
d’un des deux points et le renversement de sa flèche inverse sa valeur.
« cuivre » sont minimales lorsque le courant se répartit uniformé-
ment, comme en continu, sur la section de chacun des conducteurs. V2 = ηV1 et I1 + η I2 = 0 (1)

ＴＱ
ｄＳＰＵＸ
TRANSFORMATEURS HF À N ENROULEMENTS ____________________________________________________________________________________________
3.2 Transformateur à deux enroulements 1 L22

I1 L11(1 – xk) L11x (x – k) x L11 I2
3.2.1 Modèle en T
Le couplage magnétique d’un transformateur à deux enroule- V1 L11xk V2
ments se caractérise par la relation matricielle (2).
Rappelons que la matrice inductance est toujours réelle et

symétrique. Le coefficient de couplage k, défini par (3) et de Figure 6 – Circuit équivalent d’un transformateur à deux enroulements
valeur absolue inférieure à 1, caractérise l’intensité du couplage.
Ceci met en lumière le fait que, localiser les fuites sur un enrou-
⎡V1 ⎤ ⎡L11 L12 ⎤ ⎡ I1 ⎤ lement plutôt qu’un autre, est en général arbitraire, surtout en
⎢V ⎥ = j ω ⋅ ⎢L ⎥⎢ ⎥ (2) l’absence de circuit magnétique. La seule réalité, c’est que les fui-
⎣ 2⎦ ⎣ 12 L22 ⎦ ⎣ I2 ⎦ tes prennent place entre les deux enroulements. Pour justifier leur
L12 répartition, on met souvent en avant une hypothétique carte de
k = (3) champ, difficile à conforter par une mesure.
L11L22
D’après [29], certains préfèrent utiliser le coefficient de dispersion σ Les hypothèses de ce genre, solides en basse fréquence,
qui lui est lié : deviennent aléatoires en haute fréquence, lorsque les cou-
σ = 1 − k2 rants induits rendent les conducteurs imperméables au flux
■ Les trois éléments indépendants de la matrice inductance peu- magnétique. Nous éviterons donc les spéculations de ce
vent être déduits de trois mesures. Deux s’obtiennent type.
directement : L11 est égal à l’inductance à vide vue du primaire (L0)
et L22 est égal à celle vue du secondaire (L0′ ) . Le troisième élé- Si x est choisi en dehors de l’intervalle [k ; 1/k], ce qui peut
ment, l’inductance mutuelle L12, est très lié au couplage du trans- arriver si η est pris égal au rapport des nombres de spires, une
formateur. Pour l’évaluer, on compare les inductances vues d’un des inductances de fuites est négative. Ceci n’est pas choquant,
même enroulement lorsque l’autre est à vide (L0), ou en court-cir- car seules les inductances directement mesurables sont confor-
cuit (Lcc). L’expression (4), qui découle directement de (2), jointe à mes à la définition physique habituelle et sont astreintes à être
la définition (3), indique comment mesurer k en pratique (5).
positives. Les inductances de fuites, qui ne peuvent pas être
En revenant à (3), la connaissance de L0, L0′ et k mène à celle de mesurées individuellement, peuvent être négatives (voir [29]).
L12. Nous pouvons donc caractériser ce couplage magnétique par Nous y reviendrons.
trois mesures d’inductances :
En pratique, accéder aux nombres de spires peut nécessiter un
2
L12
Lcc = L11 − (4) démontage, voire s’avérer impossible (surmoulage). À l’opposé,
L22 tel qu’il est défini ici, le rapport de transformation (6) est toujours
accessible à la mesure. Il s’obtient en partant des inductances,
Lcc (5) directement mesurables, L11 et L22, et en se fixant le paramètre
k = ± 1−
L0 arbitraire x.
■ Pour un transformateur à deux enroulements, il est toujours Pour la simplicité, nous donnons toujours à x une des trois
possible de placer les flèches de tensions et les points, de façon à valeurs évoquées ci-dessus. Cela conduit, soit à ne placer qu’une
ce que L12 et k soient positifs. Ceci lève l’indétermination de signe inductance de fuite, soit à en introduire deux identiques.
découlant de l’utilisation de (5).
Le circuit équivalent (figure 6), couramment utilisé pour représenter En se rappelant que les inductances de bobines, portées par
un transformateur à deux enroulements, est parfois nommé : « modèle la même colonne de circuit magnétique sont proportionnelles
en T ». Il inclut un transformateur parfait et trois inductances : aux carrés de leurs nombres de spires, on comprend que,
– une inductance magnétisante ; lorsque x = 1, le rapport donné par (6) est très proche du rap-
– une inductance de fuite primaire ; port des nombres de spires.
– une inductance de fuite secondaire [29].
Pour un transformateur fortement couplé, cette affirmation
Les valeurs des éléments de ce circuit commun sont données reste vraie, même pour les deux autres valeurs de x.
sur la figure 6 [1].
Les éléments de ce circuit sont exprimés en fonction des deux
inductances à vide L0 = L11 et L0′ = L22 du transformateur, du coef-
ficient de couplage k et d’un paramètre x, choisi arbitrairement 3.3 Transformateur à trois enroulements
conformément à (6). Ce dernier a été introduit car ce circuit équiva-
lent comporte quatre grandeurs ajustables, alors que la matrice 3.3.1 Modèle en T
inductance (2) ne compte que trois éléments indépendants.
1 L22 Pour représenter le couplage magnétique d’un transformateur à
η12 = (6) trois enroulements, le circuit de la figure 7 est communément uti-
x L11
lisé ([2] et [28]). C’est une extension du modèle en T présenté pour
deux enroulements. Comme lui, il inclut une inductance magnéti-
3.2.2 Localisation des fuites sante et une inductance de fuite pour chaque enroulement. De
Bien que cette représentation soit strictement équivalente à la façon globale, il est décrit par quatre inductances et deux rapports
relation (2) indépendamment de la valeur de x, on remarque que de transformation, soit six paramètres, ce qui correspond au nom-
les inductances de fuite du transformateur dépendent fortement de bre d’éléments indépendants de la matrice inductance (7) qui est
ce paramètre (voir [29]). Suivant qu’il est pris égal à k, 1 ou 1/k, les toujours symétrique (Lij = Lji). Il n’est donc plus justifié d’introduire
fuites semblent respectivement localisées sur l’enroulement pri- un paramètre arbitrairement ajustable et les valeurs des éléments
maire, partagées équitablement entre les deux enroulements, ou du circuit (8) s’expriment exclusivement en fonction des éléments
totalement attribuées au secondaire du transformateur. de la matrice inductance.

ＴＲ
ｄＳＰＵＸ
____________________________________________________________________________________________ TRANSFORMATEURS HF À N ENROULEMENTS
I1 L2 I2
ᐉ *1 ᐉ *2 η12
I1 η12 I2
L6 L4 V2
V1 ᐉm V2
V1 L1 L3 I3
η13
ᐉ *3 I3
η13
L5 V3
V3
Figure 8 – Modèle « aux admittances » d’un transformateur

à trois enroulements
1 : n2 I2
Figure 7 – Circuit équivalent habituel d’un transformateur
à trois enroulements L12 +
I1
+ v2
Comme pour le transformateur à deux enroulements, certaines L13
inductances de ce circuit peuvent être négatives. Cela ne constitue v1 –
L11
plus un réel problème car, depuis quelques années, les logiciels de L14 L23 W2
simulation acceptent l’introduction de valeurs négatives pour les –
inductances et capacités. Le recours à des astuces de contourne- W1
L24
ment de cette règle limitative n’est donc plus d’actualité.
⎡L11 L12 L13 ⎤ L34
I4 n4 : 1 1 : n3 I3
[L ] = ⎢⎢L12 L22 L23 ⎥⎥ (7) + +
⎢⎣L13 L23 L33 ⎥⎦
v4 v3
L L L L L L ⎫
ᐉ*1 = L11 − 12 13 ᐉ*2 = L22 − 12 23 ᐉ*3= L33 − 13 23 ⎪ – –
L23 L13 L12 ⎪ W4 W3
⎬ (8)
L12L13 L23 L23 ⎪
ᐉm = η12 = η13 =
L23 L13 L12 ⎪⎭ Figure 9 – Circuit « cantilever étendu » pour un transformateur
à quatre enroulements
3.3.2 Insuffisance de la notion d’inductance Il ne reste plus, dans un second temps, qu’à dessiner un circuit
de fuites inductif à n + 1 bornes (incluant la référence), aussi général que
possible, pour relier les bornes de la partie non isolée. Cela peut se
Nous avons vu que, pour deux enroulements, les fuites pou- faire en reliant toutes les paires de bornes par une inductance.
vaient arbitrairement être réparties entre primaire et secondaire, ce À l’évidence, le courant pénétrant dans chaque entrée d’un tel cir-
qui va à l’encontre des habitudes. Pour trois enroulements, le cuit est une combinaison linéaire des tensions appliquées à toutes
modèle en T introduit une inductance de fuite par enroulement les entrées, ce qui se justifie à partir des relations aux admittances.
mais, si l’une d’elles est négative, aucun paramètre ajustable ne Ce circuit comporte n(n + 1)/2 inductances ajustables (dont certaines
nous permettra d’y remédier. peuvent être négatives), ce qui correspond au nombre d’éléments
En fait, les modèles en T, qui comportent une inductance magnéti- indépendants de la matrice. Toutefois, pour recenser les paramètres
sante et une inductance de fuite en série avec chaque enroulement, ajustables, il faut ajouter à ce nombre les n − 1 rapports de transfor-
sont simples, mais trompeusement intuitifs. Basés sur une notion mations, sauf si ceux-ci sont tous choisis égaux à 1.
imprécise (l’inductance de fuite) ([29]), ils ne sont pas utilisables au-
delà de trois enroulements sauf, parfois, en tant qu’approximation.
3.4.2 Modèle « cantilever étendu »
Pour un transformateur à quatre enroulements, par exemple, le
modèle en T inclurait : Ce modèle (figure 9 [4]) est une variante de l’approche précé-
– 3 transformateurs parfaits ; dente et il est aussi général.
– 1 inductance magnétisante ;
De nombreux autres auteurs ont abordé la représentation du
– 4 inductances de fuites.
couplage magnétique. Pour une bibliographie complète, on se
Il serait donc caractérisé par 8 paramètres ajustables, alors que sa reportera avec intérêt à [5].
matrice inductance possède 10 éléments indépendants...
3.4 Circuits équivalents pour 4. Représentation actuelle

transformateurs à n enroulements du couplage magnétique
3.4.1 Circuits découlant de la matrice admittance ■ Depuis 1988, notre équipe travaille à l’élaboration de circuits
Plusieurs auteurs ont proposé des circuits pour représenter les cou- équivalents aptes à représenter le couplage magnétique d’un nom-
plages de 4 enroulements ou plus. Une première catégorie de modè- bre quelconque d’enroulements. Afin d’obtenir des résultats aussi
les se déduit de la matrice impédance [3]. Dans un premier temps, on généraux que possible, nous avons basé notre approche sur l’équi-
assure l’isolation galvanique en intercalant un transformateur parfait valence énergétique. Nous reviendrons souvent sur cet aspect.
sur n − 1 entrées du composant (figure 8) et on relie les références des Certains résultats, présentés ici, proviennent de travaux
primaires de ces transformateurs parfaits à celle de l’entrée non isolée. antérieurs [3], [6], [7], [8], d’autres sont très récents [9], [10].

ＴＳ
ＴＴ
ｄＳＰＵＹ
Transformateurs HF à n enroulements
Identification expérimentale
par Jean-Pierre KÉRADEC
Professeur à l’Université Joseph Fourier de Grenoble
Chercheur au Laboratoire de génie électrique de Grenoble (G2 Elab/UMR 5269 INPG UJF-
CNRS)
1. Mesures à entreprendre................................................................. D 3 059 – 3

1.1 Caractérisation d’un système linéaire passif à entrées multiples .... — 3
1.2 Intérêt des mesures à vide et en court-circuit ................................... — 3
2. Choix du matériel et précautions expérimentales ................... — 4
2.1 Choix des appareils et des techniques mises en œuvre ................... — 4
2.2 Compensation de court-circuit et impédance du court-circuit ......... — 5
2.3 Intérêt des mesures redondantes. Indice de confiance .................... — 8
3. Identification expérimentale de la partie inductive ................ — 10
3.1 Circuit équivalent avec pertes............................................................ — 10
3.2 Transformateur à deux enroulements ............................................... — 11
3.3 Transformateur à trois enroulements ................................................ — 15
4. Identification expérimentale de la partie capacitive .............. — 17
4.1 Circuits équivalents sans et avec coupleurs ..................................... — 17
4.2 Choix des mesures et indétermination.............................................. — 18
4.3 Chronologie des mesures électrostatiques ....................................... — 19
5. Identification complète d’un transformateur planar
à 3 enroulements ............................................................................ — 19
5.1 Présentation. Mesures préliminaires. Stratégie d’acquisition .......... — 19
5.2 Correction de l’erreur de court-circuit secondaire ............................ — 20
5.3 Identification et modélisation du couplage magnétique .................. — 22
5.4 Identification et modélisation du couplage électrostatique ............. — 25
6. Conclusion........................................................................................ — 28
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. D 3 059
C e dossier est la suite du dossier [D 3 058]. Tous deux visent, principale-

ment, les transformateurs à n enroulements transmettant de 1 W à 10 kW
et fonctionnant entre 10 kHz et 10 MHz. Le dossier [D 3 058] présente des circuits
équivalents à constantes localisées, exploitables par les logiciels de simulation
électronique, qui traduisent le comportement électrique de ces composants.
Dans le présent dossier [D 3 059], des méthodes permettant d’identifier tous
les éléments de ces circuits sont décrites. Elles s’appuient exclusivement sur
des mesures d’impédances ne necessitant aucun démontage du composant.
Les transformateurs sont présents dans de très nombreux domaines de l’élec-
tricité et de l’électronique. Ces composants passifs permettent d’adapter, avec
un fort rendement énergétique, les niveaux de tension et de courants aux
besoins de l’utilisation et, qui plus est, ils procurent une isolation galvanique
entre leur entrée et leur sortie. Ces deux propriétés, jointes au fait qu’il peuvent
temporairement stocker de l’énergie, en font des composants clés de l’électro-
nique de puissance. Dans le dossier [D 3 058], nous avons appris à décrire le
comportement électrique de ces composants, dans toutes les conditions ren-
contrées en électronique, par des circuits équivalents à constantes localisées.
Bien que ces circuits concernent essentiellement les transformateurs utilisés
dans les convertisseurs de l’électronique de puissance, la généralité des
ｐ｡ｲｵｴｩｯｮ＠Ｚ＠ｦ￩ｶｲｩ･ｲ＠ＲＰＰＹ
Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie

ＴＵ
ｄＳＰＵＹ
TRANSFORMATEURS HF À N ENROULEMENTS –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
approches adoptées est telle qu’ils ont déjà été appliqués avec succès à des
domaines très éloignés de celui des convertisseurs comme la réponse d’un
transformateur de 1 MVA aux ondes de foudre ou la réponse fréquentielle
d’une tête de lecture submillimétrique de disque dur.
La représentation obtenue ne constitue pas une modélisation complète du
composant. Elle permet ni de savoir comment il rayonne, ni quelle température
atteignent les enroulements ni comment se répartit le courant entre les brins
d’un fil de Litz. En revanche, ce circuit constitue une représentation synthétique
et précise du comportement électrique du composant au sein d’un montage,
bien utile dans de nombreuses circonstances. Il présente notamment l’avantage
d’être compatible avec l’utilisation de tous les logiciels de simulation électro-
nique comme PSpice, Simplorer, Portunus,…, (cf. [Doc. D 3 059]). Avec lui, on
peut étudier le comportement temporel du composant au sein de n’importe
quel montage électronique.
Dans ce dossier, nous allons montrer comment on identifie les éléments de
ces circuits équivalents, en partant de mesures d’impédances relevées sans
démonter le composant. Tous les aspects pratiques de cette identification sont
abordés : quels paramètres mesurer, quel matériel de mesure choisir, comment
s’assurer de la qualité des mesures, quelle précision espérer dans le meilleur
des cas. Toutes ces questions sont abordées. Pour illustrer la démarche, deux
transformateurs sont identifiés. Un transformateur à deux enroulements, pré-
sentant des impédances faciles à mesurer, illustre l’identification de la partie
magnétique. Cet exemple montre aussi comment on peut tenir compte de la
variation fréquentielle d’une inductance.
Pour conclure ce dossier, nous procédons à l’identification complète (incluant
celle du couplage capacitif) d’un transformateur à trois enroulements, dont les
impédances sont difficiles à mesurer. Cette étude met l’accent sur les limites
expérimentales, sur les précautions permettant de les repousser aussi loin que
possible et sur la précision obtenue. Une très bonne précision est obtenue, du
continu jusqu’à 30 MHz, avec un circuit défini par seulement 29 paramètres.
Toutefois, lorsque l’exigence de précision est moins pressante ou que le
domaine fréquenciel à couvrir est moins large, l’identification présentée peut-
être arrêtée avant la fin. Le circuit obtenu se caractérise alors par moins de
paramètres.
Afin d’éviter ou de limiter la construction de prototypes, on peut envisager
d’étudier un transformateur en le simulant à l’aide d’un logiciel à éléments
finis ou en résolvant des équations de façon analytique. Dans les deux cas, il
faut savoir comment conclure une telle étude. Pour parvenir à des conclusions
pratiques, connaı̂tre un champ ou une énergie ne suffit pas. En revanche,
déduire de ces études les valeurs des éléments du circuit équivalent ouvre la
possibilité d’exploiter ce circuit dans une simulation électronique pour prévoir
le comportement du composant dans les conditions où il est utilisé. Le circuit
équivalent apparaı̂t ainsi comme le maillon irremplaçable par lequel les études
électromagnétiques communiquent efficacement avec la simulation électro-
nique. Plus précisément, les diagrammes de Bode d’impédances (que nous
relevons expérimentalement dans ce dossier) peuvent être déduits d’études
(informatiques ou analytiques) d’électromagnétisme. Les méthodes d’identifica-
tion expérimentale exposées ici, qui s’appuient sur ces diagrammes, peuvent
être utilisées pour conclure les calculs d’électromagnétisme par les valeurs
des éléments du circuit équivalent.

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ｄＳＰＵＹ
––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– TRANSFORMATEURS HF À N ENROULEMENTS
1. Mesures à entreprendre et électriques stockées dans de tels circuits ne peuvent, en aucun

cas, être négatives. Cela évite que des constantes de temps négati-
ves apparaissent furtivement lors de la simulation temporelle et la
1.1 Caractérisation d’un système linéaire fassent diverger.
passif à entrées multiples Nous voulons aussi que le composant puisse être entièrement
identifié de façon expérimentale sans le démonter et sans recourir
1.1.1 Linéarité des transformateurs, à des données physiques ou géométriques. Nous allons donc
matrice impédance et circuit équivalent apprendre à exploiter des mesures, acquises en régime harmonique,
pour en déduire, aussi précisément que possible, les valeurs des
Les non-linéarités des transformateurs sont, pour l’essentiel, composants du circuit équivalent. Ces mesures nécessitent, exclusi-
imputables à leur circuit magnétique. Contrairement à leurs homolo- vement, l’accessibilité des bornes extérieures du composant.
gues BF dont le circuit magnétique exploite des matériaux ferroma-
gnétiques, les transformateurs HF font appel à des ferrites ou ils À terme, c’est certain, la caractérisation expérimentale sera évi-
fonctionnent sans circuit magnétique. De ce fait, leur comportement tée aussi souvent que possible : des calculs analytiques ou des
est quasiment linéaire tant que le matériau magnétique n’est pas simulations électromagnétiques conduiront de la description phy-
trop proche de la saturation. En omettant de très rares exceptions, sique du composant à son comportement harmonique. Restera
on peut affirmer que, durant le fonctionnement normal des circuits, alors à extraire de ces résultats un circuit équivalent apte à être
ces transformateurs ont un comportement linéaire. Le fonctionne- exploité par un logiciel de simulation électronique, ce qui étend la
ment normal exclut également les situations où un diélectrique, pro- portée des méthodes exposées dans ce dossier.
che du claquage, se comporterait de façon non linéaire.
Aussi longtemps qu’il se comporte linéairement, un transforma-
1.1.2 Caractérisation harmonique :
teur à n enroulements apparaı̂t comme un circuit électrique linéaire type de paramètres à mesurer en HF
à 2n – 1 entrées. Il se caractérise donc, en régime harmonique, par On peut caractériser le comportement d’un circuit linéaire passif
sa matrice impédance (1). Le circuit étant passif, la matrice est à n entrées, en régime harmonique, en relevant différents lots de
symétrique ; elle possède n (2n – 1) éléments indépendants qui rapports de tension ou de courants (impédances, mutuelles impé-
varient suivant la fréquence. dances, gains en tension, transadmittances…). Nous pensons
3 2Z 3 2 3 cependant que, pour atteindre plusieurs MHz ou dizaines de MHz,
11 Z 12 … Z 1n
2
V1 I1 il est préférable de n’exploiter que des mesures d’impédances. En
6 V2 7 6 ... 7 6 I2 7
7 6 Z 21 Z 22
7
7·6 . 7 effet, insérer plusieurs appareils électroniques qui flottent l’un par
6 .. 7 = 6 avec Z ij = Z ji (1)
6 6
4 . 5 6 4 ... .. 7 4 . 7
5 . 5 rapport à l’autre dans un même circuit cause toujours des perturba-
tions et, qui plus est, des impédances parasites (capacités en parti-
.
Vn Z n1 … Z nn In
culier) offrent aux courants la possibilité de circuler entre les appa-
La connaissance du comportement harmonique, sur une large reils. Dès qu’un appareil électronique est placé entre deux bornes
plage de fréquences, permet de prévoir le comportement d’un cir- distinctes de celles alimentées (par un autre appareil électronique),
cuit linéaire soumis à des formes d’ondes quelconques. Pour fixer l’introduction involontaire de ces impédances mal connues pro-
les idées, l’expérience montre que la prévision précise du compor- voque des erreurs très difficiles à évaluer et à corriger. Les mesures
tement en onde carrée requiert la connaissance de la matrice jus- d’impédances ne souffrent pas de ce handicap car tous les appa-
qu’à au moins 10 fois la fréquence du carré. Ainsi, si un transforma- reils utiles sont connectés au même couple de bornes. En outre,
teur doit être inclus dans un convertisseur fonctionnant à quelques bien mises en œuvre, les corrections (en court-circuit, à vide,…)
centaines de kHz, il faut connaı̂tre son comportement harmonique prévues pour corriger les effets des connections sur les mesures
jusqu’à quelques MHz au moins. D’autres considérations, telles que d’impédances s’avèrent très efficaces.
la conformité avec les normes de compatibilité électromagnétique
CEM, exigent parfois d’élever cette limite fréquentielle.
1.2 Intérêt des mesures à vide
et en court-circuit
Pour résumer, on pourrait dire que l’objectif de l’utilisateur du
transformateur consiste à connaı̂tre la matrice impédance de son
composant du continu jusqu’à, au minimum, quelques MHz.
1.2.1 Impédances à connaı̂tre précisément
En électronique de commutation, les transformateurs sont pério-
Cependant, décrire un transformateur à n enroulements de cette diquement connectés à des charges très différentes et chaque
façon en vue d’étudier un convertisseur à l’aide d’un logiciel de enroulement fonctionne successivement presque à vide (Zcharge = •)
simulation électronique, nécessiterait d’introduire n (2n – 1) fonc- ou presque en court-circuit (Zcharge = 0). Il faut donc que les modè-
tions complexes de la fréquence, ce qui serait lourd et difficile à les mis en œuvre soient précis, y compris dans ces conditions
exploiter lors des simulations temporelles. Notre but est en effet extrêmes. C’est pourquoi caractériser un transformateur en
de mener des simulations temporelles précises sur tout montage s’appuyant sur des mesures directes d’impédances à vide et en
électronique incluant un transformateur. court-circuit semble tout indiqué.
Pour alléger la description et simplifier le traitement temporel, 1.2.2 Lien entre les 4 impédances extrêmes
nous exploitons les circuits équivalents à constantes localisées d’un quadripôle
élaborés au cours de la première partie de cette étude (dos-
sier [D 3 058]). Dès que les valeurs de leurs éléments sont cor- Les impédances mesurables à vide et en court-circuit, ne sont
rectement choisies, le comportement de ces circuits en régime pas toutes indépendantes. Pour un quadripôle passif (figure 1),
harmonique, sur toute la plage fréquentielle visée, est très pro- ces impédances sont liées par la relation (2).
che de celui décrit par la matrice impédance et la description Z 0 Z ¢cc = Z ¢0 Z cc (2)
du composant se résume alors par un petit nombre de paramè-
tres : les valeurs des éléments du circuit. avec Z0 impédance à vide vue de ’1’,
Zcc impédance vue de ’1’, ’2’ étant court-circuité,
Afin de garantir la conformité aux lois physiques fondamentales,
nous ferons appel aux représentations qui n’incluent que des Z ¢0 impédance à vide vue de ’2’,
inductances et des capacités positives. Les énergies magnétiques Z ¢cc impédance vue de ’2’, ’1’ étant court-circuité.

ＴＷ
ｄＳＰＵＹ
I1 I2
V1 Quadripôle V2
passif
Figure 1 – Quadripôle passif
Dans un circuit linéaire passif à n entrées, cette relation est appli-

cable à tout quadripôle défini par le choix d’un couple quelconque
d’entrées. Connaissant ces liens, on peut s’efforcer de minimiser le
Figure 2 – Analyseur Agilent 4294A
nombre de mesures à effectuer pour abréger l’identification. On
peut aussi exploiter la redondance pour évaluer la cohérence et,
finalement, la fiabilité des mesures. Nous illustrons cette possibilité
plus loin.
2. Choix du matériel et
précautions expérimentales
2.1 Choix des appareils et des techniques

mises en œuvre
2.1.1 Ordres de grandeurs des impédances
et des fréquences
En basse fréquence, les impédances à mesurer s’échelonnent
couramment entre quelques dizaines de mW (impédance d’un
enroulement lorsque les autres sont en court-circuit) et quelques
dizaines de MW (isolation entre enroulements). Ces deux valeurs Figure 3 – Micro-ohmmètre AOIP
extrêmes se rapprochent lorsque la fréquence s’élève car, en pra-
tique, une impédance élevée est toujours shuntée par une capacité H L
parasite et l’influence d’une inductance série, même faible, ne peut
pas être négligée devant une petite résistance. I1 Zx R I2
Le spectre des signaux qui traversent les transformateurs des
convertisseurs de l’électronique de puissance s’étend du continu
jusqu’à plusieurs MHz. Nos appareils de mesure doivent donc, au Osc V1 V2
A
minimum, couvrir ce domaine. Soulignons que, pour identifier les
paramètres du circuit, il est indispensable que les impédances
soient mesurées sur toute l’étendue fréquentielle afin de s’assurer
que les grandeurs supposées constantes (valeurs des inductances,
capacités,…) ne varient pas avec la fréquence. Au-delà du méga-
hertz, il est rare que l’hypothèse d’invariance soit acceptable si Figure 4 – Mesure d’impédance par méthode du pont autocalibré
bien que la valeur à 100 MHz d’une capacité ou d’une inductance
ne permet pas d’en déduire celle à 5 MHz. C’est pourquoi, pour 2.1.3 Pont autoéquilibré. Mesure 4 fils
mesurer une faible capacité (disons 10 pF) ou une faible inductance Des méthodes sophistiquées ont été mises au point pour mesu-
(100 nH), choisir une fréquence où son impédance est proche de rer des impédances avec précision. Elles présentent toutes des
50 W ne convient pas. On est donc souvent contraint de mesurer avantages et des inconvénients [1], [2]. Le choix entre ces différen-
des impédances très fortes ou très faibles. tes techniques se fait en fonction de la gamme de fréquences, de
l’ordre de grandeur des impédances à mesurer, de la précision
2.1.2 Choix d’un type d’appareil de mesure désirée et, aussi, de la simplicité de mise en œuvre. Cependant, il
Finalement, pour mesurer, entre le continu et 10 MHz ou plus, n’est pas inutile d’insister sur le fait que, quelle que soit la méthode
des impédances comprises entre des limites très différentes, un choisie, des précautions d’utilisation appropriées sont requises
appareil s’impose : l’analyseur d’impédances. pour obtenir des résultats précis.
En définitive, nous utilisons deux appareils de mesure :
En définitive, notre identification des éléments du circuit équiva-
lent s’appuie sur des mesures large bande d’impédances com- – un analyseur d’impédance Agilent 4294A (figure 2) ;
plexes relevées lorsque les autres entrées du composant sont à – et un micro-ohmmètre AOIP OM10 (figure 3).
vide ou en court-circuit. Ces mesures sont réalisées à l’aide d’un Les méthodes mises en œuvre par ces deux appareils, à savoir la
analyseur d’impédances couvrant un large domaine fréquentiel. Le méthode du pont autoéquilibré et la méthode 4 fils, sont briève-
principe de fonctionnement de l’analyseur que nous avons utilisé ment exposées ci-après.
est présenté ci-après (§ 2.1.3). Nous dirons également quelques
mots d’un micro-ohmmètre qui nous permet d’affiner, si néces- & Méthode du pont autoéquilibré
saire, les mesures des résistances d’enroulements en continu lors- Le schéma de principe du pont auto équilibré est présenté sur la
qu’elles sont très faibles (< 10 mW). figure 4.

ＴＸ
ｄＳＰＵＹ
Détection du rapport vectoriel

Amplificateur
Source de signal adaptateur d’impédance
Mélangeur Amplificateur
Amplificateur Hp Résistance ATT CAN

DUT Lc étalon
Résistance Hc Signal
Lp
interne Détecteur Amplificateur local
Oscilloscope de zéro adaptateur
d’impédance
0°/90° Détecteur
de phase
Intégrateur Noms des 4 bornes
Hc Hcur courant : point haut
Modulateur Hp Hpot tension : point haut

Amplificateur
DUT Device Under Test (composant testé) de puissance Lp Lpot courant : point bas
ATT Atténuateur
Lc Lcur tension : point bas
CAN convertisseur analogique numérique Pont auto-équilibré
Figure 5 – Schéma analogique de fonctionnement du 4294A
Le courant I1 traversant le composant à mesurer Zx est opposé au

courant I2 traversant la résistance R. L’amplificateur maintient le Zfil 1
potentiel du point « L » proche de zéro volt, créant ainsi une
masse virtuelle. À l’équilibre, la relation (3) est respectée : I
V1 V2
- =0 (3) V Zmes
Zx R
En pratique, les composants exploités par cet appareil diffèrent Zfil 2
suivant la gamme des fréquences couvertes. Pour des fréquences
inférieures à la centaine de kHz, l’amplificateur A (figure 4) est un
simple amplificateur opérationnel. Pour monter plus haut en fré- Figure 6 – Mesure d’impédance 4 points
quences, un amplificateur dédié, ayant un très grand produit gain
bande, doit être utilisé.
Notre micro-ohmmètre AOIP OM10 fonctionne en continu en
Cette méthode de mesure est mise en œuvre par l’analyseur s’appuyant sur ce principe. Cet appareil s’avère très utile pour mesu-
d’impédance Agilent 4294A que nous employons. Dans une rer les résistances des enroulements en continu. Il permet de réali-
gamme de fréquence allant de 40 Hz à 110 MHz, cet appareil ser des mesures de 10 mW à 50 kW.
(figure 2) fournit le tracé d’impédances variant de 3 mW à 500 MW
en BF, ces limites se rapprochant lorsque la fréquence augmente.
Son schéma de principe est visible sur la figure 5. La manière dont
2.2 Compensation de court-circuit
est réalisé l’autoéquilibrage est conforme à celle présentée par le dia- et impédance du court-circuit
gramme fonctionnel de la figure 4. Des modulateurs suivis de filtres
permettent de connaı̂tre les deux composantes (en phase et en qua- 2.2.1 Principe mis en œuvre
drature avec le courant) de la tension V1 aux bornes de Zx, l’origine Notre analyseur d’impédances est souvent utilisé avec un bor-
des phases étant fixée par la tension V2 aux bornes de R. Cette archi- nier de mesure dans lequel on serre les fils du composant à étudier
tecture donne accès, à chaque fréquence, aux deux parties (réelle et (figure 7). Cependant, le bornier qui assure le lien au composant
complexe) de l’impédance. Un microprocesseur interne se charge introduit, lui aussi, des impédances parasites qui faussent la
ensuite de calculer le module et l’argument, voire même de présen- mesure. En dépit de toutes les précautions prises lors de la réalisa-
ter l’impédance, à chaque fréquence, comme l’association d’un élé- tion de ce dernier, il présente une résistance et une inductance
ment réactif (inductance ou capacité) avec une résistance. série ainsi qu’une capacité parallèle. Une situation analogue se ren-
& Méthode des 4 fils contre, avec des impédances encore plus perturbatrices, lorsque
l’on relie le composant au bornier par des fils. D’une manière géné-
Pour compléter, des mesures précises de faibles résistances peu- rale, la liaison de l’appareil au composant est assurée par un qua-
vent être réalisées, en continu, à l’aide d’un micro-ohmmètre dripôle passif. Pour éliminer, aussi précisément que possible, l’in-
(figure 3) qui met en œuvre la méthode 4 fils (figure 6). fluence de cette liaison, il faut la caractériser avant de soustraire
Le principe de cette méthode (figure 6) consiste à injecter un cou- son incidence par calcul. Deux mesures sont nécessaires si le qua-
rant I à l’aide de deux fils et à prélever la tension induite V directe- dripôle peut être considéré comme symétrique. On les nomme
ment aux bornes du composant à l’aide de deux autres fils (d’où le « compensation en court-circuit » et « compensation à vide ».
nom de la méthode). Les quatre bornes utiles sont visibles sur l’ap- Pour comprendre la procédure et l’utilité de ces compensations,
pareil (figure 3). De cette façon, on s’affranchit des chutes de ten- observons la figure 7 qui présente le circuit de connexion d’un bor-
sions dues aux impédances des fils d’amenées du courant (Zfil1, Zfil2). nier « inconnu » sur lequel est placée l’impédance à mesurer (Zx).
Cette méthode est très efficace en basse fréquence, jusqu’à quel- Ce dispositif « inconnu » se comporte comme un quadripôle passif
ques kHz. En revanche, les fils supplémentaires accroissent les et il peut être décrit par sa matrice impédance (4). Tant que son
capacités parasites, ce qui est peu recommandable en haute impédance série est bien plus petite que son impédance parallèle,
fréquence. l’impédance à vide Z0 ne dépend pas du côté d’observation et le

ＴＹ
ｄＳＰＵＹ
Pour imaginer rapidement (mais approximativement) l’effet de

ces corrections, on peut dire que l’impédance mesurée en présence
du court-circuit est soustraite de la valeur observée en présence de
l’impédance testée alors que l’admittance vue en circuit ouvert est
soustraite de celle relevée lorsque l’impédance est connectée. L’hy-
pothèse de symétrie du quadripôle est à l’origine de quelques
imprécisions, généralement localisées sur un étroit domaine de fré-
quence. La correction open-short-load [1] permet de ne pas recourir
à cette hypothèse. Elle donne de meilleurs résultats sous réserve
de trouver une charge adaptée à la mesure envisagée et parfaite-
ment connue.
Remarque : lorsque le bornier ne permet pas de fixer le com-

posant, il faut ajouter des fils pour réaliser les connexions. Cet
ajout modifie le quadripôle de connexion mais la correction
Bornier «4 points» exposée ci-dessus reste applicable. En revanche, l’hypothèse
inconnu
de symétrie du quadripôle est plus aléatoire…
I1 I2
2.2.2 Limitations pratiques
Instrument Z0 Zm C’est avant la mesure que notre analyseur propose de réaliser les
de mesure : V1 V2 Zx compensations. Pour garantir leur efficacité, il faut veiller à ce que
4294A Zm Z0 les impédances parasites relevées durant les compensations res-
tent constantes jusqu’à la mesure. Il faut donc éviter toute décon-
nection des fils sur le composant à caractériser ou sur le bornier
de mesure ainsi que toute déformation des fils de connexion. Pour
fixer l’espacement des fils, un câble bifilaire (voire coaxial) peut
être utilisé. À l’évidence il faut, lorsque l’ajout de fils est nécessaire,
Figure 7 – Bornier 16047E et son circuit équivalent
privilégier des fils épais, courts et rapprochés, pour réduire les
résistances et inductances parasites. Des précautions inverses peu-
quadripôle peut être considéré comme symétrique quelle que soit vent être nécessaires pour mesurer les fortes impédances capaciti-
la symétrie de sa réalisation pratique. La matrice impédance (4), ves et cela peut mener à acquérir deux fois les mêmes grandeurs :
déjà symétrique, ne comprend plus que deux éléments une fois pour les faibles impédances, une fois pour les fortes.
indépendants :
Au niveau du bornier, le serrage est assuré par deux lames plates
V1 Z0 Zm I1 V 1 = Z 0 I1 + Z m I2 et souples. Avec des fils cylindriques, la répétitivité du contact est
= , (4)
V2 Zm Z0 I2 V 2 = Z m I1 + Z 0 I2 aléatoire car le métal des pinces se déforme, élastiquement ou non.
L’impédance de contact risque de changer entre la compensation et
L’impédance d’entrée de ce quadripôle symétrique, chargé par la mesure. Pour contourner cette difficulté, il est recommandé de
l’impédance à déterminer Zx, s’exprime suivant (5). souder des petites terminaisons planes pour que le contact entre
Z 2m ces plaques et le bornier soit reproductible.
Z xm = Z 0 - (5) Une fois que toutes ces précautions sont prises, les acquisitions
Z0 +Zx
à vide et en court-circuit vues de cet enroulement peuvent être
On peut déduire de cette expression, la valeur Zx , que l’on sou- effectuées. Dans le même esprit, les mesures nécessaires doivent
haite déterminer (6) : être recensées et réalisées dans un ordre précis afin d’éviter les
déconnexions superflues.
Z 2m - Z 20 + Z 0 Z xm
Zx = (6)
Z 0 - Z xm 2.2.3 Deux câblages pour encadrer la mesure
Pour évaluer les deux paramètres du quadripôle (Z0 et Zm), on La compensation en court-circuit est fondamentale lorsque l’im-
réalise deux mesures complémentaires. La « compensation à pédance à mesurer est faible. Pour situer les limites de cette com-
vide » donne l’impédance d’entrée à vide du quadripôle (7). La pensation, un transformateur planar abaisseur de tension, de
« compensation en court-circuit », quant à elle, est égale à l’impé- 250 W, devant fonctionner à 250 kHz a été testé. Le but de cet
dance d’entrée du quadripôle lorsque sa sortie est en court-circuit. essai était de mesurer son impédance de fuite (inductance de fuite
Elle s’exprime selon (8) : + résistance de l’enroulement) vue du secondaire, lorsque son pri-
maire était court-circuité. Pour donner un ordre de grandeur, on
Z om = Z 0 (7) peut dire que la résistance à mesurer était de 1 mW et l’inductance
de 12 nH. Nous avons mis en œuvre les compensations présentées
Z 2m Z 20 - Z 2m au § 2.2.1 avec le dispositif de test présenté sur la figure 8.
Z sm = Z 0 - = (8)
Z0 Z0 Des fils de 0,7 mm de diamètre et de 40 mm de longueur ont été
placés entres le bornier et les connexions de sortie du transforma-
En reportant (7) et (8) dans (6), nous obtenons l’impédance teur. La compensation en court-circuit est mise en œuvre pour
recherchée (Zx) en fonction des trois impédances relevées (9). annuler l’influence de ces fils. La figure 9 présente les deux câbla-
C’est le calcul réalisé automatiquement par notre appareil : ges testés pour effectuer la compensation de court-circuit.
Z xm - Z sm Dans la première (figure 9a), l’impédance de court-circuit est
Zx =
Z (9) mesurée avant que le fil inter bornes soit coupé. Cette technique
1 - xm surestime l’impédance de court-circuit car le fil reliant les pattes
Z om
de sortie du transformateur (13 mm) n’est plus en circuit lors de la
avec Zom impédance de compensation en circuit ouvert, mesure du composant. L’impédance soustraite est donc trop élevée
Zsm impédance de compensation en court-circuit, et la mesure est surcompensée.
Zxm impédance d’entrée du quadripôle chargé par Dans la seconde (figure 9b), les fils de connexion sont déformés,
Zx. le plus près possible du composant, afin de créer deux demi-

ＵＰ
ｄＳＰＵＹ
100
Module de l’impédance (W)

Transformateur 10
2
1
4 mm 13 mm Borne de sortie
5 mm du transformateur
0,1 nH
Soudure 20
ce
an
ct nH
40 mm
0,01 u 4
1 Ind e
anc
ct
0,001 du
In
Ø 0,7 mm 0,0001
10 102 103 104 105 106 107 108
10 mm Fréquence (Hz)
Connecteur 1re méthode 2e méthode
en cuivre plat
– + a
Bornier de mesure
16047E
Phase de l’impédance (°)

Figure 8 – Dispositif de mesures
100
Transformateur 0
Transformateur
2
Surestimation –100
Sous-estimation
10 102 103 104 105 106 107 108

Fréquence (Hz)
1re méthode 2e méthode
– + b
– +
Figure 10 – Mesures de la même impédance après les deux types
a mesure surcompensée b mesure sous-compensée de compensation en court-circuit
Figure 9 – Méthodes de compensation en court-circuit forte. Ces inductances variant avec la fréquence, une telle mesure
ne permettrait pas de déduire la valeur cherchée.
boucles ; le court-circuit est réalisé en plaçant une goutte de sou- La résistance mesurée est étroitement liée aux fils non compen-
dure là où elles se superposent. Dans ce cas, les deux parties sés (figures 8 et 9). Pour donner un ordre de grandeur, indiquons
reliant les bornes du composant à la soudure ne sont pas prises que la résistance d’un fil de cuivre de diamètre 0,7 mm, d’une lon-
en compte lors de l’acquisition de l’impédance en court-circuit. La gueur de 13 mm est d’environ 0,57 mW. Réduire un peu l’écart des
mesure est alors sous-compensée. deux mesures est possible (mais délicat) en utilisant du fil plus
Les effets de ces deux compensations ont été comparés épais ou en faisant appel à un appareil plus précis tel que notre
(figure 10) lors de la mesure de la faible impédance de fuite décrite micro-ohmmètre.
au début du présent paragraphe. Alors que la sous-compensation associée au câblage b (figure 9)
Du coté des basses fréquences, la résistance mesurée est com- est égale à l’impédance Zƒs des fils en série, la surcompensation du
prise entre 0,3 mW et 1,5 mW (cercle 1 sur la figure 10). Avec le câblage a est égale à l’impédance des fils Zƒp en parallèle avec celle
micro-ohmmètre, cette résistance est évaluée à 0,77 mW. Cette mesurée. Dans les deux cas, si l’impédance du fil était connue à
valeur de référence est bien encadrée par les mesures exploitant toute fréquence (rare !), l’impédance cherchée Z pourrait être
les deux compensations différentes. Pour les fréquences élevées, déduite de celle mesurée Zm.
l’inductance série vaut (asymptote HF) : 4 nH avec la première com- Z m = Z + Z ƒs Æ Z = Z m - Z ƒs (10)
pensation et 20 nH avec la seconde. Ces mesures montrent que,
même en utilisant un appareil de mesure très précis avec ses sffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi!
accessoires d’origine et en prenant les précautions supplémentai- Z Z ƒp Z2 Z Z ƒp
res requises, la résistance série peut être évaluée à 0,5 mW près tan- Zm = Z - = ÆZ = m 1 + 1 +4 (11)
Z + Z ƒp Z + Z ƒp 2 Zm
dis que l’inductance est déterminée avec une incertitude d’environ
8 nH. Comme signalé plus haut, pour mesurer l’inductance, il est Lorsque l’impédance du fil est nettement plus petite que celle
illusoire d’élever la fréquence pour que son impédance soit plus mesurée, le calcul (11) équivaut à ajouter l’impédance du fil à celle

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1.2 Contraintes 1.3 Limitations

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Zone A Zone B Zone C Z (Ω) 10

I courant efficace traversant le condensateur

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Énergie massique (Wh/kg)

■ Les condensateurs céramiques sont, traditionnellement, utilisés

Comme on peut faire varier la nature et les dimensions de

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Tableau 1 – Caractéristiques des diélectriques utilisés

Tableau 2 – Diélectriques utilisés. Domaines d’applications

Commutation Meilleur rapport

Polyester Température maximale : 70 ˚C

Polyester métallisé Filtrage θmax = 85 ˚C Pertes élevées 3,2 60

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