Scribd Logo
Importer

Bienvenue sur Scribd !

  • 190 vues

    TD3 - Transistor Bipolaire PDF

    Transféré par

    Lacina Bakayoko

    Droits d'auteur :

    © All Rights Reserved
    Téléchargez comme PDF, TXT ou lisez en ligne sur Scribd

    TD3 - Transistor Bipolaire PDF

    Transféré par

    Lacina Bakayoko
    190 vues3 pages

    Titre original

    TD3_Transistor Bipolaire.pdf

    Copyright

    © © All Rights Reserved

    Formats disponibles

    PDF, TXT ou lisez en ligne sur Scribd

    Avez-vous trouvé ce document utile ?

    Ce contenu est-il inapproprié ?

    Droits d'auteur :

    © All Rights Reserved
    Téléchargez comme PDF, TXT ou lisez en ligne sur Scribd
    Télécharger au format pdf ou txt
    190 vues3 pages

    TD3 - Transistor Bipolaire PDF

    Transféré par

    Lacina Bakayoko

    Droits d'auteur :

    © All Rights Reserved
    Téléchargez comme PDF, TXT ou lisez en ligne sur Scribd
    Télécharger au format pdf ou txt
    sur 3

    Exercice I

    Soit le montage de la figure ci-dessous.


    1) On donne : U0 = 9 V, RC = 2,7 k, RB = 470 k,  = 100.
    Pour un transistor en silicium, VBE = 0,6 V
    Calculer IB, IC et VCE
    2) On reconsidère le montage avec U0 = 6 V, IC = 1 mA,
    VCE = 2,5 V et  = 50, VBE = 0,6 V
    Calculer RB, RC

    Exercice II
    Calculer R et R
    C B
    Soit le montage de la figure ci-dessous.

    On donne : U0 = 6V, RC = 1,5 k, RB = 100 k,  = 80 et


    VBE = 0,6 V
    Calculer IB, IC et VCE

    Exercice III
    Soit le montage de la figure ci-dessous.

    On donne : U0 = 12V, RC = 3,9 k, RE = 1 k, R1 = 82 k,


    R2 = 18 k,  = 49 et VBE = 0,6 V
    1) Calculer IB et IC
    2) Calculer VEM, VCM, VCE
    3) Calculer I2 et I1
    Exercice IV
    On se propose d’étudier la polarisation par pont de base d’un transistor bipolaire NPN :
    - La base sera polarisée par un pont de résistances R1 et R2 (R2 entre la base et la masse).
    - On insère une résistance RE entre l’émetteur et la masse (amélioration de la stabilité
    thermique du point de repos) ;
    - RC est la résistance insérée dans le circuit collecteur ;
    - On dispose d’une seule source de polarisation E.
    Le transistor est défini par le réseau de caractéristiques ci-joint.
    1) On impose E = +12V, RC = 1,8 k, RE = 330 .
    a) Donner le schéma de polarisation obtenu.
    b) Tracer la droite de charge dans le réseau IC = f(VCE)
    2) On impose qu’au point « P », VCE = +E/2.
    a) Placer le point P sur droite de charge.
    b) En déduire :
    - la valeur du courant collecteur IC au point P.
    - la valeur correspondante du courant de base IB.
    - la tension VBE correspondante (on admettra qu’on puisse utiliser la caractéristique
    d’entrée IB = f(VBE) tracée pour VCE = 10 V.
    3) On impose que le courant parcourant R2 soit égal à 10.IB. Calculer les valeurs des résistances
    R1 et R2.
    4) Tracer l’hyperbole de dissipation maximale H pour Pmax = 30 mW.

    Vous aimerez peut-être aussi