ELEC 3 : TD transistor bipolaire (V 3.

0)

1/5

Transistor Bipolaire
1 Rseau de caractristiques
Sur le rseau de caractristiques statiques du transistor 2N2222 (montage metteur commun) :
1. Dterminer le type du transistor (NPN ou PNP) et la nature de son matriau.

VCE = 15 V.
Tracer l'hyperbole de dissipation maximale, PM AX = 50 mW.
Dterminer le gain en courant pour IC = 5 et 10 mA.
Dterminer IC et VBE pour IB = 66 A et VCE = 15 V.
Dterminer VCE et VBE pour IB = 96 A et IC = 13 mA.

2. Tracer
3.
4.
5.
6.

IC = f (IB )

pour

VCE = 5 V

et

2 Commutation
On souhaite commander l'allumage d'une LED partir
d'un signal

VB

prenant deux valeurs : 0 ou 5

V.

On donne

RC

E = 12 V.
La LED est modlise par

VD = 1, 6 V

et

rD = 10 .

Le

transistor a un gain de 200, une tension base-metteur de

0, 6 V et
0, 4 V.

RB

une tension collecteur-metteur en saturation de

1. Calculez

RC

pour que le courant circulant dans la

LED lorsque le transistor est satur soit gal

RB pour saturer
VB = 5 V(IC /IB = /2).

2. Calculez

20 mA.

IB

VB

le transistor lorsque

3 Polarisation
3.1

Montage 1

Pour le montage metteur commun suivant, ralis avec un transistor

E = 20 V, RB = 550 k, RC = 1 ou 2 k. On
VBE = 0, 6 V. Calculer IB , tracer les droites de
charge correspondantes RC = 1 et 2 k sur le rseau de caractristique
2N2222. On donne :
considre

IB << IC

et

RB

RC

utilis pour l'exercice 1. Dterminer alors les points de fonctionnement

du transistor. Quel point de fonctionnement doit-on choisir ?

3.2

Montage 2

Dterminer le point de fonctionnement du transistor.

On donne

E = 10 V, RB = 110 k, RE = 500 , VBE = 0, 6 V

et

= 130.

RB

RE

3.3

Montage 3

R1

RC

Dterminer le point de fonctionnement du transistor dans

le cas de polarisation cicontre :

On nglige le courant de base devant les courants circulants

R2 .
E = 15 V, R1 = 12, 5 k, R2 = 2, 5 k, RC = 400 ,
RE = 200 , VBE = 0, 6 V et = 200.

dans

R1

et

On donne

R2

RE

ELEC 3 : TD transistor bipolaire (V 3.0)

3.4

2/5

Montage 4

RE

R1

Dterminer le point de fonctionnement du transistor dans

le cas de polarisation cicontre :

E
On nglige le courant de base devant les courants circulants
dans

R1

et

R2 .

On donne E = 15 V, R1 = 5 k, R2 = 10 k, RE = 1000 ,
VBE = 0, 6 V et = 150.

3.5

R2

Montage 5

RC

On nglige le courant de base devant les courants circulants

dans

R1

et

R2 .

E = 15 V, R1 = 5 k, R2 = 5 k, RC = 1000 ,
RE = 1000 . On considre VBE ngligeable et IC >> IB .
On donne

Que peuton dire de

UR1

et

UR2 ?
VCE

En dduire une relation entre

Calculer

VCE

et

et

R1

R2

URE .

IC .

RE

4 Montage metteur commun

On

considre

le

E = 15 V, RC = 1 k
4.1

montage
et

ci-contre,

avec

R1

RE = 250 .

Etude statique

ie

RC
is

CL

1. Aprs avoir trac la droite de charge

CL
T

statique et dni la pente de la droite

de charge dynamique, dterminer

vs

ve

l'excursion maximale de la tension de

R2

sortie dans le cas o les coordonnes du

RE

CE

point de fonctionnement sont :

(a)

VCE = 5 V.

(b)

VCE = 10 V.

2. Dterminer maintenant le point de fonctionnement que l'on doit choisir pour obtenir en rgime
dynamique, une excursion maximale de la tension sans crtage.
3. Tracer

Ic = f (IB )

pour

VCE = VCE0

puis dterminer le courant de base pour le point de repos.

R1 et R2 permettant d'obtenir ce point de fonctionnement. On

R1 + R2 = 10 k. Vrier que le courant IB est ngligeable devant le courant de pont (dans
R2 ). On ngligera IB devant IC . VBE = 0, 6 V.

4. Dterminer la valeur des rsistances

donne

R1

et

5. Dterminer autour du point de fonctionnement dtermin en 3, les valeurs des paramtres hybrides
du transistor.

4.2

Etude dynamique

1. Dessiner un schma quivalent au montage, valable en rgime dynamique (schma petits signaux).
On considre l'impdance des condensateurs nulle et

h12 = 0.

2. Calculer le gain en tension, l'impdance d'entre et l'impdance de sortie.

3. On considre le montage charg par une rsistance
gain en tension.
4. Refaire les applications numriques pour

h22 = 0.

Rch

de

2 k.

Calculer le gain en courant et le

ELEC 3 : TD transistor bipolaire (V 3.0)

4.3

3/5

Montage charges rparties

On considre maintenant le montage sans le condensateur

CE .

Reprendre l'tude prcdente et comparer les rsultats. On ngligera le terme

5 Montage collecteur commun

On considre le montage ci-contre,

avec

5.1

E = 15 V

et

h22 .

R1

RE = 2 k.

ie

CL

Schma petits signaux

1. Dessiner un schma quivalent au

ve

montage, valable en rgime

CL i
s
vs

RE

R2

dynamique. On considre

Rch

l'impdance des condensateurs nulle,

h12 = 0

et

h22 = 0.

2. En dduire l'quation liant

5.2

vce

et

ic

(On nglige

ib ).

Etude statique

1. Tracer la droite de charge statique.

2. Dterminer le point de repos que l'on doit choisir pour obtenir une excursion maximale de la tension
de sortie sans crtage vide.
3. Dterminer ensuite le point de repos que l'on doit choisir pour obtenir une excursion maximale de
la tension de sortie sans crtage lorsque l'on charge le montage avec une rsistance
4. Dterminer la valeur des rsistances

R1 + R2 = 100 k.
VBE = 0, 6 V.

donne

R2 ).

R1

Rch

de

4 k.

R2 permettant d'obtenir ce point de fonctionnement. On

IB devant IC et IB devant le courant de pont (dans R1 et

et

On ngligera

5. Dterminer autour du point de fonctionnement la valeur des paramtres hybrides du transistor en

montage metteur commun.

5.3

Etude dynamique

1. Calculer le gain en tension, l'impdance d'entre et l'impdance de sortie vide.

2. Calculer le gain en tension et le gain en courant avec la charge.

6 Montage base commune

Le montage ci-contre est aliment sous

E = 15 V.
de

repos

On

dsire

dni

par

VCE = 7, 5 V

obtenir

IC

un

= 10 mA

RC

R1

point

is

et

pour lequel on dtermine les

CL

paramtres hybrides du transistor suivants :

h11 = 1250 , h12 = 0, h21 = 250

et

h22 = 0.

ie

1. Dessiner un schma quivalent au

montage, valable en rgime dynamique (schma petits signaux).

CB

On considre l'impdance des

ve

R2

vs
CL

RE

Rch

condensateurs nulle.
2. Exprimez le gain en tension.
3. Dterminer les valeurs des rsistances

RC

et

RE

pour que le transistor soit polaris au point de

fonctionnement choisi et pour que le gain en tension soit gal +100.

R1

et

On ngligera

IB

4. Dterminer la valeur des rsistances

R1 + R2 = 10 k.
VBE = 0, 6 V.

donne

R2 ).

R2

permettant d'obtenir ce point de fonctionnement. On

devant

IC

et

IB

devant le courant de pont (dans

5. Calculer l'impdance d'entre et l'impdance de sortie.

6. On considre le montage charg par une rsistance

Rch

de

1 k.

Calculer le gain en courant.

R1

et

ELEC 3 : TD transistor bipolaire (V 3.0)

4/5

7 Comparaison
Prsenter dans un tableau pour les trois montages : le gain en tension, l'impdance d'entre, l'impdance de sortie, le gain en courant et le gain en puissance.
Comparez.

8 Amplicateur deux tages

On considre l'amplicateur deux tages ci dessous.

E
R1
ie

i1

CL

R2

On donne

is
i2

CL

ve

RC

R3

CL
vs
R4

R1 = 50 k, R2 = 2 k, R3 = 20 k, R4 = 300 , RC = 4 k

R ch

CD
et

Rch = 4 k.

1. Dessiner un schma quivalent au montage, valable en rgime dynamique (schma petits signaux)
avec

h11 = 1 k, h12 = 0, h21 = 100 et h22 = 0 pour les deux transistors. On considre l'impdance

des condensateurs nulle.

2. Calculer

vs /v , v/ve ,

puis

3. Calculer

is /i2 , i2 /i1

et

vs /ve .

i1 /ie ,

puis

is /ie .

4. Dans quel cas utilise-t-on ce montage. Expliquez.

9 Montage deux transistors

E

On considre le montage ci-dessous. Les deux

transistors sont supposs identiques, ils ont une tension

VBE

de

0, 6 V.

Leur gain en courant est de 100.

R1

Les condensateurs de liaison et de dcouplage sont

R3

supposs idaux.
On donne

R4 = 1k
9.1

R1 = 20k, R2 = 3k, R3 = 10k

et R5 = 4k.

ie

Etude statique

1. Dterminer la valeur de la rsistance R pour

que les tensions metteur-collecteur des
transistors soient :

VCE1 = 5 Vet VCE2 = 6 V

(on nglige les courants de base devant les

CL

CL

R4

R
ve

R2

courants collecteur).

R5

vs

CD

2. Ce montage est-il stable en temprature ?

9.2

Etude dynamique simplie

On suppose que le fonctionnement dynamique des deux transistors peut tre dcrit en premire approximation, l'aide des deux seuls paramtres

h11 = 1 ket h21 = 100.

1. Dessiner un schma quivalent au montage, valable en rgime dynamique (schma petits signaux).
2. Calculer le gain en tension, l'impdance d'entre et l'impdance de sortie.

ELEC 3 : TD transistor bipolaire (V 3.0)

9.3

5/5

Etude dynamique rigoureuse

Reprendre l'tude prcdente dans le cas o le paramtre

h22 = 0, 4 mS.

Conclure sur la validit de l'tude prcdente.

10 Rsultats
IC = 5 mA : = 128, 135 ; pour IC = 10 mA : = 133, 139.
RC = 490 , RB = 22 k.
3.1 - IB = 35 A, RC = 1 k : VCE = 15, 2 V et IC = 4, 7 mA ; RC = 2 k : VCE = 10, 8 V et IC = 4, 6
mA ; point sous PM AX .
3.2 - VCE = 6, 5 V et IC = 6, 96 mA
3.3 - VCE = 9, 3 V et IC = 9, 5 mA.
3.4 - VCE = 10, 6 V et IC = 4, 37 mA.
3.5 - VCE = 4, 69 V et IC = 4, 69 mA.
4.1 - (a) 8 V (b) 10 V, VCE = 6, 7 V et IC = 6, 7 mA(13.4 V), R1 = 8, 49 k et R2 = 1, 51 k, h11 = 500
h12 = 0 h21 = 139 h22 = 27, 5S.
4.2 - AV = 270 ZE = 360 ZS = 973 ; AV ch = 182 Ai = 33 ; AV = 278 ZE = 360 ZS = 1000
, AV ch = 185, Ai = 118.
4.3 - AV = 3, 9 ZE = 1237 ZS = 1000 , AV ch = 2, 6 Ai = 1, 6 .
5.2 - VCE = 6 V et IC = 4, 5 mA, R1 = 66 k et R2 = 44 k, h11 = 700 h12 = 0 h21 = 139
h22 = 20S.
5.3 - AV = 1 ZE = 21, 3 k ZS = 5 , AV ch = 1 Ai = 6 ,
6 - AV = h21 RC /h11 , RC = 500 RE = 250 , R1 = 7933 et R2 = 2066 , ZE = 4, 6 et ZS = 500
, AV ch = 66, 6 Ai = 0, 18
8 - vs /ve = 200, is /ie = 88.
9 - R = 214 k AV = 53, 9 ZE = 125, 5 k ZS = R3 = 10 k.
1 - pour

2 -

ELEC 3 : TD transistor bipolaire (V 3.0)

6/5

IB = 127 A

IC (mA)

2N2222

15
IB = 96 A

10
IB = 66 A

IB = 35 A

IB = 6 A

IB (A)
80

50

10

1
0,1

10

15

VCE (V)

0,5
IB = 6 A

VBE (V)

IB = 96 A

ELEC 3 : TD transistor bipolaire (V 3.0)

7/5

IB = 127 A

IC (mA)

2N2222

15
IB = 96 A

10
IB = 66 A

IB = 35 A

IB = 6 A

IB (A)
80

50

10

1
0,1

10

15

VCE (V)

0,5
IB = 6 A

VBE (V)

IB = 96 A

ELEC 3 : TD transistor bipolaire (V 3.0)

8/5

IB = 127 A

IC (mA)

2N2222

15
IB = 96 A

10
IB = 66 A

IB = 35 A

IB = 6 A

IB (A)
80

50

10

1
0,1

10

15

VCE (V)

0,5
IB = 6 A

VBE (V)

IB = 96 A

ELEC 3 : TD transistor bipolaire (V 3.0)

9/5

IB = 127 A

IC (mA)

2N2222

15
IB = 96 A

10
IB = 66 A

IB = 35 A

IB = 6 A

IB (A)
80

50

10

1
0,1

10

15

VCE (V)

0,5
IB = 6 A

VBE (V)

IB = 96 A

ELEC 3 : TD transistor bipolaire (V 3.0)

10/5

IB = 127 A

IC (mA)

2N2222

15
IB = 96 A

10
IB = 66 A

IB = 35 A

IB = 6 A

IB (A)
80

50

10

1
0,1

10

15

VCE (V)

0,5
IB = 6 A

VBE (V)

IB = 96 A