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    Diodes Lasers

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    Ali AlFiguigui
    Ce document décrit les diodes lasers, y compris leur définition, applications, éléments composants, principe de fonctionnement et types comme les VCSEL. Il fournit des détails sur les matériaux composés, la structure de base, la création de rayonnement cohérent et les avantages et inconvénients des VCSEL.

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    ceci est un document sur les diodes

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    LES DIODES LASERS

    Dfinition
    Applications
    Caractristiques
    Elments composants
    Principe de fonctionnement
    Les matriaux composs.
    Structure de base.
    Cration de rayonnement cohrent .
    Des types de Diodes Lasers
    A cavit verticale mettant par la surface (VCSEL).
    Conclusion
    Dfinition:
    Une diode laser est un composant
    optolectronique base de matriaux
    semi-conducteurs.
    Elle met de la lumire monochromatique
    destine :

    transporter un signal contenant des


    informations sur de longue distances.
    apporter de l'nergie lumineuse
    pour le pompage de certains lasers et
    amplicateurs optiques.
    Applications:
    Lecteurs et graveurs de disques optiques.
    Les dispositifs lectroniques de mesure de distance, de vitesse.
    Domaine biomdical
    ..
    Les lments composants:
    Electrique

    Caractristiques

    Dpendance
    de
    temprature
    Ses caractristiques sont proches de celles des lasers conventionnels. La plus
    faible longueur de la cavit, quelques centaines de micromtres au lieu de
    quelques dizaine de centimtres, entrane une plus grande divergence du
    faisceau et des raies d'mission plus loignes les unes des autres, ce qui
    facilite la cration de lasers monomodes (une seule raie d'mission) par
    filtrage. Les tats nergtiques se rpartissent dans la structure de bandes du
    semi-conducteur la place d'tats nergtiques bien dfinis dans un gaz, par
    exemple, impliquant l'mission de raies moins fines.
    Electrique
    La caractristique d'une diode laser ressemble celle d'une diode. En dessous d'une
    valeur d'intensit seuil, la diode est absorbante, au-del, l'mission stimule est
    proportionnelle l'intensit du courant lectrique.
    Dpendance de la temprature
    La caractristique lectrique d'une diode laser dpend de la temprature de la diode. En
    effet, la population de l'tat haut de la diode dpend de la temprature suivant une
    fonction de Fermi. La temprature modifie l'intensit de seuil et translate donc la
    caractristique .
    Principe de fonctionnement
    les matriaux composants:
    L'mission lumineuse base sur le phnomne de l'lectroluminescence.
    Exemple : L'arsniure de gallium (GaAs) .
    On l'appelle un compos binaire III-V car Ga appartient la colonne III du
    tableau priodique des lments et As la colonne V. Avec une largeur de
    bande interdite de 1,424 eV, il gnre une longueur d'onde de 870 nm.
    Structure de base

    Une couche de connement de type n.


    Une zone active.
    Une couche de connement de type p.
    Les couches de confinement permettent d'optimiser l'utilisation du courant
    dans la diode et d'augmenter le rendement. La zone active est forme d'un
    guide d'onde encadrant le lieu de l'mission laser :
    matriau massif ou quantique (puits, botes ou fil). Lorsque cette diode est
    polarise en direct, elle laisse passer un fort courant qui peuple la bande de
    conduction et peut raliser l'inversion de population. En ralit, une couche
    intermdiaire d'indice optique suprieur joue le rle de guide optique,
    comme dans une fibre. Les extrmits sont clives et donnent des faces
    parfaitement planes jouant le rle de miroirs semi-rflchissants, crant la
    cavit rsonante. Le dioptre entre le semi-conducteur d'indice 3,5 environ et
    l'air d'indice 1 possde ainsi un coefficient de rflexion de 30 %. Ce coefficient
    peut tre diminu sur les deux cts par l'application d'un revtement anti-
    rflchissant afin d'obtenir une puissance de sortie plus importante.
    Cration de rayonnement cohrent

    Le gain sur un aller-retour doit tre suprieur aux pertes.


    Le dphasage sur un aller-retour doit tre un multiple de 2.

    2
    D = 2n L Tel que : 0 =

    On obtient ainsi lespacement en longueur donde entre les diffrentes raies.


    Lintervalle spectrale libre :

    = + _ = Tel que : =
    2


    = =

    Diode Laser cavit verticale
    mettant par la surface
    (VCSEL)
    Dfinition:

    Une diode laser cavit verticale


    mettant par la surface, ou VCSEL
    (pour l'anglais vertical-cavity surface
    -emitting laser) est un type de diode
    laser semi-conducteur mettant un
    rayon laser perpendiculairement
    surface.
    Historique :
    Le premier VCSEL a t prsent en 1979 par Soda, Iga, Kitahara et Suematsu,
    mais il a fallu attendre 1989 pour voir des dispositifs dont le courant de seuil
    tait infrieur 1 mA. En 2005, les VCSEL ont dj remplac les lasers mettant
    par la tranche pour les applications de communication par fibre optique
    courte porte telles que les protocoles Gigabit Ethernet et Fibre Channel.

    Avantage des VCSELs :

    Lavantage principal rside dans le faible encombrement qui permet une


    forte densit dintgration. Initialement prvus pour produire de fortes
    puissances optiques.
    il est possible de raliser directement des composants plus complexes en
    intgrant par exemple la technologie CMOS. Cette possibilit ntait pas
    ralisable avec des lasers mission par la face.
    Cette intgration hybride diminue la taille des systmes et contribue au
    succs des VCSELs.
    Inconvnients :

    Toutefois, il existe un inconvnient majeur lutilisation de VCSELs dans les


    tlcommunications. De nos jours, il est facile de produire des VCSELs ayant
    une longueur donde de ~840 nm. Pour les applications grandes publiques, il
    serait intressant de porter cette valeur 1,3 ou 1,5 m. En effet, lattnuation
    et la dispersion dans les fibres optiques est minimale lintrieur de ces
    fentres. De plus, on remarquera que la puissance optique est assez faible
    pour les applications recherches.
    Conclusion

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