Fundamentos de Eletrónica Analógica Verano

Fundamentos de Electrónica Analógica
Introducción a la electrónica y semiconductores

Introducción
OBJETIVO: Explicar la importancia de la electrónica en el

ámbito de los diferentes sistemas y equipos, así como los
principios básicos de la mismas a nivel de los elementos que se
utilizan para la fabricación de dispositivos.
Introducción a la electrónica
Una de las cosas notables de este campo de la electrónica, como en muchas otras áreas de la
tecnología, es lo poco que cambian los principios fundamentales con el tiempo. Los sistemas son
increíblemente más pequeños, las velocidades de operación actuales son en verdad
extraordinarias y cada día aparecen nuevos artefactos que hacen que nos preguntemos hacia
dónde nos está llevando la tecnología.
Procesamiento electrónico del sonido
2. Semiconductores
La construcción de cualquier dispositivo electrónico discreto (individual) de estado sólido

(estructura de cristal duro) o circuito integrado, se inicia con un material semiconductor de la más
alta calidad.
Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya conductividad se encuentra entre
la de un buen conductor y la de un aislante.
Los semiconductores de un solo cristal como el germanio (Ge) y el silicio (Si) tienen una estructura cristalina
repetitiva, en tanto que compuestos como el arseniuro de galio (GaAs), el sulfuro de cadmio (CdS), el nitruro
de galio (GaN) y el fosfuro de galio y arsénico (GaAsP) se componen de dos o más materiales
semiconductores de diferentes estructuras atómicas.
Los tres semiconductores más frecuentemente utilizados en la construcción de dispositivos electrónicos son
Ge, Si y GaAs.
2. Semiconductores
2. Semiconductores
2. Semiconductores
Las características de un material semiconductor se pueden modificar de manera significativa con la adición
de átomos de impureza específicos al material semiconductor relativamente puro. Estas impurezas, aunque
sólo se agregan en 1 parte en 10 millones, pueden alterar la estructura de las bandas lo suficiente para cambiar
del todo las propiedades eléctricas del material.
Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado se conoce como material extrínseco.
Hay dos materiales extrínsecos de inmensurable importancia en la fabricación de dispositivos

semiconductores: materiales tipo n y tipo p. Cada uno se describe con algún detalle en las siguientes
subsecciones.
2. Semiconductores
Tanto los materiales tipo n como el tipo p

se forman agregando un número
predeterminado de átomos de impureza a
una base de silicio.
Un material tipo n se crea introduciendo

elementos de impureza que contienen cinco
electrones de valencia (pentavelantes),
como el antimonio, el arsénico y el
fósforos.
2. Semiconductores
El material tipo p se forma dopando un

cristal de germanio o silicio puro con
átomos de impureza que tienen tres
electrones de valencia.
Los elementos más utilizados para este

propósito son boro, galio e indio.
2. Semiconductores
2. Semiconductores
Ahora que los materiales tanto tipo n como tipo p están disponibles, podemos construir nuestro primer dispositivo
electrónico de estado sólido: El diodo semiconductor, con aplicaciones demasiado numerosas de mencionar.
2. Semiconductores
Polarización
inversa
2. Semiconductores
Polarización
Directa
2. Semiconductores
2. Semiconductores
2. Semiconductores
Prueba con un óhmetro

2. Semiconductores
DIODOS EMISORES DE LUZ
Como su nombre lo implica, el diodo emisor de luz es un diodo

que emite luz visible o invisible (infrarroja) cuando se energiza.
En cualquier unión p–n polarizada en directa se da, dentro de la
estructura y principalmente cerca de la unión, una recombinación
de huecos y electrones.
Esta recombinación requiere que la energía procesada por los

electrones libres se transforme en
otro estado. En todas las uniones p-n semiconductoras una parte
de esta energía se libera en forma de calor y otra en forma de
fotones.
2. Semiconductores
DIODOS EMISORES DE LUZ
Chip On Board
2. Semiconductores
DIODOS
Los diodos se clasifican en las siguientes categorías

•Detector o de baja señal
•Rectificador
•Zener
•Varactor Investigar los diodos enlistados,
•Emisor de luz incluir símbolo y definición.
•Láser
•Estabilizador
•Túnel
•Pin
•Backward
•Schottky
•Fotodiodos.
2. Semiconductores
DIODOS
Conclusiones y conceptos importantes
1. Las características de un diodo ideal son exactamente las de un interruptor simple, excepto por el hecho importante
de que un diodo ideal puede conducir en sólo una dirección.
2. El diodo ideal es un corto circuito en la región de conducción y un circuito abierto en la región de no conducción.
3. Un semiconductor es un material que tiene un nivel de conductividad entre la de un buen conductor y la de un
aislante.
4. Un enlace de átomos, reforzado por la compartición de electrones entre átomos vecinos, se llama enlace
covalente.
5. El aumento de las temperaturas puede provocar un incremento significativo del número de electrones libres en un
material semiconductor.
6. La mayoría de los materiales semiconductores utilizados en la industria electrónica tienen coeficientes de
temperatura negativos; es decir, la resistencia se reduce con un aumento de temperatura.
7. Los materiales intrínsecos son aquellos semiconductores que tienen un nivel muy bajo de impurezas, en tanto que
los materiales extrínsecos son semiconductores que se expusieron a un proceso de dopado.
2. Semiconductores
DIODOS
8. Un material tipo n se forma agregando átomos donadores que tengan cinco electrones de valencia para
establecer un alto nivel de electrones relativamente libres. En un material tipo n, el electrón es el portador
mayoritario y el hueco es el portador minoritario.
9. Un material tipo p se forma agregando átomos aceptores con tres electrones de valencia para establecer un alto
nivel de huecos en el material. En un material tipo n, el hueco es el portador mayoritario y el electrón el minoritario.
10. La región cerca de la unión de un diodo que tiene muy pocos portadores se llama región de empobrecimiento.
11. Sin ninguna polarización externa aplicada, la corriente en el diodo es cero.
12. En la región de polarización en directa, la corriente en el diodo se incrementa exponencialmente con el aumento
del voltaje a través del diodo.
13. En la región de polarización en inversa, la corriente en el diodo es la corriente de saturación en inversa muy
pequeña hasta que se alcanza la ruptura Zener y la corriente fluye en la dirección opuesta a través del diodo.
14. La corriente de saturación en inversa Is casi duplica su magnitud por cada 10 veces de incremento de la
temperatura.
2. Semiconductores
DIODOS
15. La resistencia de cd de un diodo está determinada por la relación del voltaje y la corriente en el diodo en el punto
de interés y no es sensible a la forma de la curva. La resistencia de cd se reduce con el incremento de la corriente o
voltaje en el diodo.
16. La resistencia de ca de un diodo es sensible a la forma de la curva en la región de interés y se reduce con altos
niveles de corriente o voltaje del diodo.
17. El voltaje de umbral es aproximadamente de 0.7 V para diodos de silicio y de 0.3 V para diodos de germanio.
18. El nivel de disipación de potencia nominal máxima de un diodo es igual al producto del voltaje y corriente del
diodo.
19. La capacitancia de un diodo se incrementa exponencialmente con el aumento del voltaje de polarización en
directa. Sus niveles mínimos ocurren en la región de polarización en inversa.
20. La dirección de conducción de un diodo Zener se opone a la de la flecha en el símbolo y el voltaje Zener tiene
una polaridad opuesta a la de un diodo polarizado en directa.
21. Los diodos emisores de luz (LED) emiten luz en condiciones de polarización en directa, pero requieren 2 V a 4 V
para una buena emisión.
2. Semiconductores
“Cambiemos
nuestras
conversaciones y
cambiará nuestra
vida”.
HM
2. Semiconductores
Rectificadores
Para cada configuración primero se tiene que investigar el estado de cada diodo. ¿Cuáles están “encendidos” y
cuáles “apagados”? Hecho esto, se sustituye el equivalente apropiado y determinan los parámetros restantes
de la red.
En general, un diodo está “encendido” si la corriente establecida por las fuentes aplicadas es tal que su
dirección concuerda con la de la flecha del símbolo del diodo y V D= 0.7 V para silicio; VD = 0.3 V para germanio,
y VD = 1.2 V para arseniuro de galio.
Polarización Inversa
2. Semiconductores
Rectificadores
Para cada configuración primero se tiene que investigar el estado de cada diodo. ¿Cuáles están “encendidos” y
cuáles “apagados”? Hecho esto, se sustituye el equivalente apropiado y determinan los parámetros restantes
de la red.
En general, un diodo está “encendido” si la corriente establecida por las fuentes aplicadas es tal que su
dirección concuerda con la de la flecha del símbolo del diodo y V D= 0.7 V para silicio; VD = 0.3 V para germanio,
y VD = 1.2 V para arseniuro de galio.
Polarización Directa
2. Semiconductores
Rectificadores
Reto: Determine las corrientes I1, I2 e ID para la red de la figura siguiente.
2. Semiconductores
Rectificadores
Reto: Determine el nivel de salida para la compuerta AND lógica positiva del circuito siguiente. Implemente en
Tinkercad y compruebe resultados.
2. Semiconductores
Rectificadores
Ahora ampliaremos el análisis de diodos para incluir funciones que varían con el tiempo, como
la forma de onda senoidal y la onda cuadrada.
Rectificador de media onda

2. Semiconductores
Rectificadores
2. Semiconductores
Rectificadores
2. Semiconductores
Rectificadores
2. Semiconductores
Rectificadores
Trace la salida Vo y determine el nivel de cd para la red de la

figura mostrada.
b. Repita la parte (a) con el diodo ideal reemplazado por un
diodo de silicio.
c. Repita las partes (a) y (b) si Vm se incrementa a 200 V, y
compare las soluciones.
2. Semiconductores
Rectificadores
PIV (PRV)
La capacidad de voltaje inverso pico (PIV) [o PRV
(voltaje reverso pico )] del diodo es de primordial
importancia en el diseño de sistemas de rectificación.
Recuerde que no se debe exceder el valor nominal de
voltaje en la región de polarización en inversa o el
diodo entrará a la región de avalancha Zener. El valor
nominal de PIV requerido para el rectificador de
media onda se determina con la figura 2.52, la cual
muestra el diodo polarizado en inversa con un voltaje
máximo aplicado. Aplicando la ley de voltajes de
Kirchhoff, es obvio que el valor nominal de PIV del
diodo debe ser igual a o exceder el valor pico del
voltaje aplicado.
2. Semiconductores
Rectificadores
Rectificador de onda completa
El nivel de cd obtenido a partir de una entrada senoidal se puede mejorar 100% mediante un
proceso llamado rectificación de onda completa.
2. Semiconductores
Rectificadores
2. Semiconductores
Rectificadores
2. Semiconductores
Rectificadores
Con diodo ideal
Considerando voltaje del diodo

2. Semiconductores
Rectificadores
Resolución de
problemas
Referencias Bibliográficas
NASHELSKY, Louis & BOYLESTAD, Robert. Electrónica: Teoría de circuitos y
dispositivos electrónicos. Pearson. 10ma. ed. México, 2009...

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OBJETIVO: Explicar la importancia de la electrónica en el

La construcción de cualquier dispositivo electrónico discreto (individual) de estado sólido

Hay dos materiales extrínsecos de inmensurable importancia en la fabricación de dispositivos

Tanto los materiales tipo n como el tipo p

Un material tipo n se crea introduciendo

El material tipo p se forma dopando un

Los elementos más utilizados para este

Prueba con un óhmetro

Como su nombre lo implica, el diodo emisor de luz es un diodo

Esta recombinación requiere que la energía procesada por los

Los diodos se clasifican en las siguientes categorías

Rectificador de media onda

Rectificador de media onda

Trace la salida Vo y determine el nivel de cd para la red de la

Con diodo ideal

Considerando voltaje del diodo

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