INFORME 7

LABORATORIO DE INDUCCIÓN INGENIERÍA ELECTRONICA

GRUPO-7

FREDDY ALEXANDER ACOSTA TAFUR

RICARDO MIRANDA CARDONA

ING. JAIRO AUGUSTO ORTEGON BOLIVAR

FUNDACIÓN UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE COLOMBIA

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA
PREGRADO DE ELECTRONICA
BOGOTÁ D.C.
2010
Es un elementos de dos terminales formado por una unión p-n

DISIPADOR DE
CALOR

Ánodo Cátodo
 MATERIALES SEMICONDUCTORES: Ge,
Si Y GaAS

La construcción de cualquier dispositivo electrónico discreto (individual) de estado

sólido (estructura de cristal duro) o circuito integrado, se inicia con un material
semiconductor de la más alta calidad.
Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya conductividad se
encuentra entre la de un buen conductor y la de un aislante.
En general, los materiales semiconductores caen dentro de una de dos clases: de un solo
cristal y compuesto. Los semiconductores de un solo cristal como el germanio (Ge) y el
silicio (Si) tienen una estructura cristalina repetitiva, en tanto que compuestos como el
arseniuro de galio (GaAs), el sulfuro de cadmio (CdS), el nitruro de galio (GaN) y el
fosfuro de galio y arsénico (GaAsP) se componen de dos o más materiales
semiconductores de diferentes estructuras atómicas.
Los tres semiconductores más frecuentemente utilizados en la construcción de
dispositivos electrónicos son Ge, Si y GaAs.
DIODO SEMICONDUCTOR
Ahora que los materiales tanto tipo n como tipo p están disponibles,
podemos construir nuestro primer dispositivo electrónico de estado
sólido. El diodo semiconductor, con aplicaciones demasiado numerosas
de mencionar, se crea uniendo un material tipo n a un material tipo p,
nada más que eso; sólo la unión de un material con un portador
mayoritario de electrones a uno con un portador mayoritario de huecos.
La simplicidad básica de su construcción refuerza la importancia del
desarrollo de esta área deCaracterísticas.
estado sólido. Símbolo
 Diodo semiconductor: unión PN.
Referencia: diodos de silicio (Si)
 Elemento biterminal. Terminales
diferentes
Ánodo + – Cátodo
 Sin polarización aplicada (V=0 V)

En el momento en que los dos materiales se “unen”, los electrones y los

huecos en la región de la unión se combinan y provocan una carencia de
portadores libres en la región próxima a la unión, como se muestra en la
figura 1.12a. Observe en la figura 1.12a que las únicas partículas mostradas
en esta región son los iones positivos y negativos que quedan una vez que
los portadores libres han sido absorbidos.
Si se aplica un potencial externo de V volts a través de la unión p-n con la terminal
positiva conectada al material tipo n y la negativa conectada al material tipo p como
se muestra en la figura 1.13, el número de iones positivos revelados en la región de
empobrecimiento del material tipo n se incrementará por la gran cantidad de
electrones libres atraídos por el potencial positivo del voltaje aplicado. Por las
mismas razones, el número de iones negativos no revelados se incrementará en el
material tipo p . El efecto neto, por consiguiente, es una mayor apertura de la región
de empobrecimiento, la cual crea una barrera demasiado grande para que los
portadores mayoritarios la puedan superar, por lo que el flujo de portadores
mayoritarios se reduce efectivamente a cero
La corriente en condiciones de polarización en inversa se llama corriente de
saturación en inversa y está representada por Is.
Se puede demostrar por medio de la física de estado sólido que las características
generales
de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la siguiente ecuación,
conocida como
ecuación de Shockley, para las regiones de polarización en directa y en inversa:
(1.1)

Donde
Is es la corriente de saturación en inversa
VD es el voltaje de polarización en directa aplicado a través del diodo
n es un factor de idealidad, el cual es una función de las condiciones de operación y
construcción física; varía entre 1 y 2 según una amplia diversidad de factores.
(se supondrá n1 en todo este texto a menos que se indique de otra manera).
El voltaje VT en la ecuación (1.1) se llama voltaje térmico y está determinado por
(1.2)

donde
K es la constante de Boltzmann 1.38 1023J/K
T es la temperatura absoluta en Kelvin 273 la temperatura en °C.
q es la magnitud de la carga del electrón 1.6 1019C.
• La dirección definida de la corriente convencional en la región de voltaje
positivo corresponde a la punta de flecha del símbolo de diodo.
• Por lo común, la corriente de saturación en inversa real de un diodo
comercial será medible a un valor mayor que la que aparece como la
corriente de saturación en inversa en la ecuación de Shockley.
• Hay una correspondencia directa entre el área de contacto en la unión y el
nivel de corriente de saturación en inversa.
Región Zener

Aun cuando la escala de la figura 1.15 está en décimas de volts en la región

negativa, hay un punto donde la aplicación de un voltaje demasiado negativo
producirá un cambio abrupto de las características, como se muestra en la
figura 1.17. La corriente se incrementa muy rápido en una dirección opuesta a
la de la región de voltaje positivo. El potencial de polarización en inversa que
produce este cambio dramático de las características se llama potencial Zener y
su símbolo es VZ.

El máximo potencial de polarización en inversa que se puede aplicar antes

de entrar a la región Zener se llama voltaje inverso pico (conocido como
valor PIV) o voltaje de reversa pico (denotado como valor PRV).
A una temperatura fija, la corriente de saturación en inversa de un diodo se
incrementa con un incremento de la polarización en inversa aplicada.
 Efectos de la temperatura
La temperatura puede tener un
marcado efecto en las
características de un diodo
semiconductor como lo
demuestran las características de
un diodo de silicio mostradas en la
figura 1.19:
• En la región de polarización en
directa las características de un
diodo de silicio se desplazan a
la izquierda a razón de 2.5 mV
por grado centígrado de
incremento de temperatura.
• En la región de polarización en
inversa la corriente de
saturación en inversa de un
diodo de silicio se duplica por
cada 10°C de aumento de la
temperatura.
• El voltaje de saturación en
inversa de un diodo
semiconductor se incrementará
o reducirá con la temperatura
Ge: El germanio se encuentra en producción limitada debido a su
sensibilidad a la temperatura y alta corriente de saturación en inversa.
Sigue estando comercialmente disponible aunque está limitado a
algunas aplicaciones de alta velocidad (debido a su factor de movilidad
relativamente alto) y a aplicaciones que utilizan su sensibilidad a la luz
y al calor, tales como fotodetectores y sistemas de seguridad.

Si: Sin duda el semiconductor más frecuentemente utilizado en todo tipo de

dispositivos electrónicos. Tiene la ventaja de su disponibilidad a bajo costo
y sus corrientes de saturación inversa son relativamente bajas; tiene buenas
características ante la temperatura y excelentes niveles de voltaje de
ruptura. También se ha beneficiado de las décadas de enorme atención al
diseño de circuitos integrados a gran escala y a la tecnología de
procesamiento.

GaAs: Desde principios de la década de 1990 el interés en el GaAs ha crecido a

pasos agigantados y con el tiempo se apropiará de una buena parte del
desarrollo de dispositivos de silicio, sobre todo en circuitos integrados a
gran escala. Sus características de alta velocidad tienen más alta demanda
cada día, con las características adicionales de bajas corrientes de
saturación en inversa, excelentes sensibilidades a la temperatura y altos
voltajes de ruptura. Más de 80% de su aplicación se da en la
optoelectrónica con el desarrollo de diodos emisores de luz, celdas solares y
otros dispositivos fotodetectores, pero probablemente todo esto cambie
dramáticamente a medida que se reduzcan sus costos de fabricación y
continúe creciendo su uso en el diseño de circuitos integrados; tal vez sea el
material semiconductor del futuro.
Característica real de un diodo
 Modelado de diodos
Modelo Ideal:
ID

VD

Modelo Simplificado: ID

VT

VD

Modelo de segmentos líneales: ID

VT
VD
 NIVELES DE RESISTENCIA

Cuando el punto de operación de un diodo se mueve desde una

región a otra, la resistencia del diodo también cambia debido a la
forma no lineal de la curva característica.
La aplicación de una tensión de corriente continua a un circuito que
contiene un diodo tendrá como resultado un punto de operación
sobre la curva característica que no cambia con el tiempo. La
resistencia del diodo puede encontrarse localizando los niveles de
VD e ID como se muestra en la figura y aplicando la fórmula:

Los niveles de resistencia en corriente continua en el punto de

inflexión y hacia abajo serán mayores que los niveles de resistencia
que se obtienen para la sección de crecimiento vertical de las
características. Como es natural, los niveles de resistencia en la región
de polarización inversa serán muy altos.
 Si se aplica una tensión senoidal en
lugar de una continua, la situación
cambia por completo. La tensión
variable desplaza de manera
instantánea el punto de operación
hacia arriba y hacia abajo en una
región de las características y, por
tanto, define un cambio específico en
intensidad y tensión como muestra
la figura.

Una recta dibujada tangencialmente a la

curva en el punto Q como muestra la
figura, definirá un cambio en particular
en la tensión, así como en la intensidad
que pueden ser utilizados para
determinar la resistencia en corriente
alterna o dinámica para esta región en
las características del diodo.
Mientras mayor sea la pendiente menor será el valor
de ΔVd para el mismo cambio en ΔId y menor será la
resistencia. La resistencia dinámica en la región
decrecimiento vertical es por tanto, muy pequeña,
mientras que la resistencia dinámica es mucho más
alta en niveles de corriente bajos
CIRCUITOS EQUIVALENTES DEL
DIODO
H O JAS D E E S P E C I F I C AC I O N E S
D E DIODOS
A).En este caso, el diodo permite el paso de la corriente sin restricción,
provocando una caída de potencial que suele ser de 0,7 V. Este voltaje de 0,7
V se debe a que usualmente se utilizan diodos de silicio. En el caso del
germanio, que es el segundo mas usado el voltaje es de 0,3 V

B)En este caso, el diodo no conduce, quedando el circuito abierto. La tensión

de salida es nula, al igual que la intensidad de la corriente
ES UN DISPOSITIVO CAPAS DE VARIAR SU RESISTENCIA
INTERNA EN FUNCIÓN DE LA TENCIÓN APLICADA EN SUS
TERMINALES. EL DIODO ZENER, RECIBE ESTE NOMBRE POR
SU INVENTOR, EL DR. CLARENCE MELVIN ZENER, ES UN DIODO
DE SILICIO QUE SE HA CONSTRUIDO PARA QUE FUNCIONE EN
LAS ZONAS DE RUPTURAS.
ESTOS DISPOSITIVOS NO ESTÁN CONSTITUIDOS POR UNA
UNIÓN P–N, EL DIODO SCHOTTKY TIENE UNA UNIÓN METAL-
N. ESTOS DIODOS SE CARACTERIZAN POR SU VELOCIDAD
DE CONMUTACIÓN, UNA BAJA CAÍDA DE VOLTAJE CUANDO
ESTÁN POLARIZADOS EN DIRECTO.LA TENCIÓN UMBRAL DE
LOS DIODOS SCHOTTKY DE SILICIO OSCILA ENTRE LOS 0,3
Y 0,7V.
ES UN SEMICONDUCTOR CONSTRUIDO CON UNA UNIÓN PN,
SENSIBLE A LA INCIDENCIA DE LA LUZ VISIBLE O INFRARROJA.
PARA QUE SU FUNCIONAMIENTO SEA CORRECTO SE POLARIZA
INVERSAMENTE, CON LO QUE SE PRODUCIRÁ UNA CIERTA
CIRCULACIÓN DE CORRIENTE CUANDO SEA EXCITADO POR LA
LUZ. DEBIDO A SU CONSTRUCCIÓN, LOS FOTODIODOS SE
COMPORTAN COMO CÉLULAS FOTOVOLTAICAS, ES DECIR, EN
AUSENCIA DE LUZ EXTERIOR GENERAN UNA TENSIÓN MUY
PEQUEÑA CON EL POSITIVO EN EL ÁNODO Y EL NEGATIVO EN
EL CÁTODO. ESTA CORRIENTE PRESENTE EN AUSENCIA DE LUZ
RECIBE EL NOMBRE DE CORRIENTE DE OSCURIDAD.
ES UN TIPO DE DIODO QUE BASA SU FUNCIONAMIENTO EN EL
FENÓMENO QUE HACE QUE LA ANCHURA DE LA BARRERA DE
POTENCIAL EN UNA UNIÓN PN VARÍE EN FUNCIÓN DE LA TENSIÓN
INVERSA APLICADA ENTRE SUS EXTREMOS. AL AUMENTAR DICHA
TENSIÓN, AUMENTA LA ANCHURA DE ESA BARRERA,
DISMINUYENDO ASÍ LA CAPACIDAD DEL DIODO. DE ESTE MODO SE
OBTIENE UN CONDENSADOR VARIABLE CONTROLADO POR
TENSIÓN.

TAMBIÉN SE CONOCEN COMO DIODOS ESAKI, EN HONOR DEL

HOMBRE QUE DESCUBRIÓ QUE UNA FUERTE CONTAMINACIÓN
CON IMPUREZAS PODÍA CAUSAR UN EFECTO DE TUNELIZACIÓN
DE LOS PORTADORES DE CARGA A LO LARGO DE LA ZONA DE
AGOTAMIENTO EN LA UNIÓN. UNA CARACTERÍSTICA
IMPORTANTE DEL DIODO TÚNEL ES SU RESISTENCIA NEGATIVA
EN UN DETERMINADO INTERVALO DE VOLTAJES DE
POLARIZACIÓN DIRECTA. CUANDO LA RESISTENCIA ES
NEGATIVA, LA CORRIENTE DISMINUYE AL AUMENTAR EL
VOLTAJE.
ESTE DIODO TIENE CARACTERÍSTICAS MUY DIFERENTES A LOS
ANTERIORES, YA QUE NO ES RECTIFICADOR. SE TRATA DE UN
GENERADOR DE MICROONDAS, FORMADO POR UN SEMICONDUCTOR
DE DOS TERMINALES QUE UTILIZA EL LLAMADO EFECTO GUNN. ESTE
EFECTO GUNN SÓLO SE DA EN MATERIALES TIPO N (MATERIAL CON
EXCESO DE ELECTRONES) Y LAS OSCILACIONES SE DAN SÓLO
CUANDO EXISTE UN CAMPO ELÉCTRICO.

LOS DIODOS EMISORES DE LUZ SON UN TIPO

ESPECIAL DE DIODO, QUE TRABAJA COMO UN
DIODO COMÚN, PERO QUE AL SER ATRAVESADO
POR LA CORRIENTE ELÉCTRICA, EMITE LUZ.EXISTEN
DIODOS LED DE VARIOS COLORES QUE DEPENDEN
DEL MATERIAL CON EL CUAL FUERON
CONSTRUIDOS. HAY DE COLOR ROJO, VERDE,
AMARILLO, ÁMBAR, INFRARROJO, ENTRE OTROS.
ELÉCTRICAMENTE EL DIODO LED SE COMPORTA
IGUAL QUE UN DIODO DE SILICIO O GERMANIO.
UN PUENTE DE DIODOS O RECTIFICADOR ES EL ELEMENTO O
CIRCUITO QUE PERMITE CONVERTIR LA CORRIENTE ALTERNA EN
CORRIENTE CONTINUA.
EL RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA ES UN CIRCUITO EMPLEADO
PARA ELIMINAR LA PARTE NEGATIVA O POSITIVA DE UNA SEÑAL DE
CORRIENTE ALTERNA DE ENTRADA (VI) CONVIRTIÉNDOLA EN
CORRIENTE DIRECTA DE SALIDA (VO).ES EL CIRCUITO MÁS SENCILLO
QUE PUEDE CONSTRUIRSE CON UN DIODO.

UN RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA ES UN CIRCUITO EMPLEADO

PARA CONVERTIR UNA SEÑAL DE CORRIENTE ALTERNA DE ENTRADA (VI)
EN CORRIENTE DIRECTA DE SALIDA (VO) PULSANTE. A DIFERENCIA DEL
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA, EN ESTE CASO, LA PARTE NEGATIVA DE
LA SEÑAL SE CONVIERTE EN POSITIVA O BIEN LA PARTE POSITIVA DE LA
SEÑAL SE CONVERTIRÁ EN NEGATIVA, SEGÚN SE NECESITE UNA SEÑAL
POSITIVA O NEGATIVA DE CORRIENTE CONTINUA.
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA TIPO PUENTE DOBLE DE GRATZ

SE TRATA DE UN RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA EN EL

QUE, A DIFERENCIA DEL ANTERIOR, SÓLO ES NECESARIO
UTILIZAR TRANSFORMADOR SI LA TENSIÓN DE SALIDA DEBE
TENER UN VALOR DISTINTO DE LA TENSIÓN DE ENTRADA.