Equipo 2 Transistores de Potencia

UNIDAD DE APRENDIZAJE: ELECTRONICA DE POTENCIA
PROFESORA: MARÍA GUADALUPE TORQUEMADA GONZALEZ
INTEGRANTES:
LARRALDE CHILPA JOSE ARTURO
LINARES MENDOZA HECTOR MANUEL
LOPEZ ESPINOZA ALFREDO
MARQUEZ MARQUEZ ISAEL JAHIR
PACHECO GARCIA ARELI
GRUPO: 6AM1
TRANSISTORES DE POTENCIA
INTRODUCCIÓN.
Es llamado transistor un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones
de oscilador, amplificador, conmutador o rectificador. Dicho termino (transistor) es la contracción
en inglés de transfer resistor lo que en español significa resistencia de transferencia. El transistor
se utiliza para controlar el flujo de electrones, controla la corriente de entrada, obteniendo así
mayor corriente en la salida, y es construido con materiales semiconductores de germanio y
silicio.
Los transistores son formados por la unión de dos diodos. Estos son empleados
en conversores estáticos de potencia, para control de motores y llaves de alta potencia
(principalmente inversores), siendo su uso principal la amplificación de corriente dentro de un
circuito cerrado. Por lo que hace lo mismo que un transistor normal, sólo que puede trabajar de 2
modos: modo común (IB) y modo de iluminación (IP).
SIMBOLOGÍA.
ESTRUCTURAS VERTICALES DE TRANSISTORES DE POTENCIA.
• El transistor de potencia tiene una estructura vertical de

cuatro capas de dopaje alternante de tipo p y tipo n.
• En la mayoría de las aplicaciones de potencia, la base es

la terminal de entrada, el colector es la terminal de salida y
el emisor se comparte entre entrada y salida
(configuración de emisor común).
• La región que forma la mitad de colector de la unión

colector- base suele llamarse región de arrastre del
colector, y tiene un nivel de dopaje leve.
• La región n que termina la región de arrastre tiene un nivel

de dopaje parecido al del emisor. Esta región sirve como
contacto del colector con el mundo exterior.
• El espesor de la región de arrastre determina la tensión de

ruptura del transistor
• Los transistores de potencia prácticos tienen sus
emisores y bases intercalados, este arreglo nos
sirve para reducir los efectos de la saturación de
corriente.
• Este diseño de emisores múltiples también reduce

la resistencia óhmica parasítica en la ruta de la
corriente básica, lo que ayuda a reducir la disipación
de potencia en el transistor.
• La base relativamente gruesa, ocasiona que la ganancia de la
corriente, β =IC /IB, sea muy pequeña. Para algunas
aplicaciones esto es muy poco, y por esta razón se
desarrollaron diseños monolíticos para pares de BJT de
conexión Darlington.
• Es una configuración en Emisor Común (o también en

Colector Común) que tiene una altísima ganancia de
corriente.
• La ganancia de la corriente de un par Darlington está dada

por .
• Se agrega el diodo discreto D1 para acelerar el tiempo de

apagado del transistor principal, y el diodo discreto D2 para
aplicaciones de circuitos de medio puente o de puente
completo.
• Un "transistor Darlington" es el dispositivo idóneo para

controlar cargas grandes de corriente con corrientes muy
pequeñas.
CARACTERÍSTICAS I-V.
• Las diversas curvas se distinguen entre sí por el valor de la
corriente de la base.
• Análisis 1: Hay un voltaje máximo de colector-emisor que se

sustenta a través del transistor cuando lleva una corriente
sustancial del colector. Este voltaje suele denominarse .
• Análisis 2: El máximo voltaje entre colector y emisor aumenta un

poco hasta un valor denominado el voltaje de ruptura de colector-
emisor cuando la base está en circuito abierto.
• Análisis 3: La tensión es el voltaje de ruptura de colector-base

cuando el emisor está en circuito abierto. Se aprovecha que esta
Las características de salida (vs ) de un
tensión sea mayor que en los llamados circuitos de apagado de
transistor habitual de potencia npn.
transistores de emisores abiertos.
• Análisis 4: La zona denominada ruptura primaria se
debe a la ruptura convencional de avalancha de la unión
de C-B y el flujo grande de corriente que conlleva.
• Análisis 5: La zona denominada ruptura secundaria, la

falla del transistor bipolar a menudo se asocia a la
ruptura secundaria.
• La diferencia observable más importante entre las

características i- v de un transistor de potencia y las de
un transistor de nivel lógico es la zona denominada
cuasisaturación.
Las características de salida (vs ) de un
transistor habitual de potencia npn.
CURVA CARACTERÍSTICA.
FÍSICA DE LA OPERACIÓN BJT.
CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN.
TENSIONES DE RUPTURA.
RUPTURA SECUNDARIA.
PÉRDIDAS EN ESTADO ACTIVO.
ÁREAS DE OPERACIÓN SEGURA.
TIPOS DE TRANSISTORES DE POTENCIA.
Existen tres tipos de transistores de potencia:

• Transistor bipolar (BJT): es un dispositivo de tres terminales denominados emisor, base y
colector. La propiedad más destacada de este dispositivo es que aproxima una fuente
dependiente de corriente: dentro de ciertos márgenes, la corriente en el terminal de colector es
controlada por la corriente en el terminal de base.
• Transistor unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo): Como definición, los FET son
transistores que usan el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la conductividad
de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por eso se conocen como
unipolares.
• Transistor IGBT: Componente electrónico diseñado para controlar principalmente altas
potencias, en su diseño está compuesto por un transistor bipolar de unión BJT y transistor de
efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.
LIMITACIONES.
Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los
transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conducción y viceversa no se hace
instantáneamente, sino que siempre hay un retardo (ton , toff). Las causas fundamentales de
estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector - base y base - emisor y los
tiempos de difusión y recombinación de los portadores.
Algunas otras limitaciones son:
• Tienen un consumo importante en la polarización, ya que estos transistores funcionan a partir
de corriente.
• Su respuesta en frecuencia tiende a ser peor que en los MOS.
• Impedancia de entrada baja.
• Generan un nivel de ruido mayor que los FET.
• Son menos estables con la temperatura.
• Más difíciles de fabricar.
APLICACIONES.
• Amplificación de diferentes tipos, como radio, instrumentación, televisión…

• Función como fototransistores, por ejemplo, detección de radiación luminosa.
• Generar señales, como generador de ondas, emisión de radiofrecuencia, osciladores…
• Actúan como conductores (conmutar).
• Control de relés, fuentes de alimentación conmutadas, control de lámparas, modulación por
anchura de impulsos…
REFERENCIAS.
ELECTRONICA DE POTENCIA; Convertidores, aplicaciones y diseño; Ned Mohan,

Tore M. Undeland, William P. Robbins; Mc Graw Hill; Tercera Edición.
https://sites.google.com/site/transistoresfototransistores/extra-credit
https://www.fceia.unr.edu.ar/microelectronica/archivos/Transist%20de%20potencia.p
df
https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/Transistor_Bipolar_de
_Potencia/Par%C3%A1metros_Caracter%C3%ADsticas_de_funcionamiento

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PROFESORA: MARÍA GUADALUPE TORQUEMADA GONZALEZ

• El transistor de potencia tiene una estructura vertical de

• En la mayoría de las aplicaciones de potencia, la base es

• La región que forma la mitad de colector de la unión

• La región n que termina la región de arrastre tiene un nivel

• El espesor de la región de arrastre determina la tensión de

• Este diseño de emisores múltiples también reduce

• Es una configuración en Emisor Común (o también en

• La ganancia de la corriente de un par Darlington está dada

• Se agrega el diodo discreto D1 para acelerar el tiempo de

• Un "transistor Darlington" es el dispositivo idóneo para

• Análisis 1: Hay un voltaje máximo de colector-emisor que se

• Análisis 2: El máximo voltaje entre colector y emisor aumenta un

• Análisis 3: La tensión es el voltaje de ruptura de colector-base

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• Amplificación de diferentes tipos, como radio, instrumentación, televisión…

ELECTRONICA DE POTENCIA; Convertidores, aplicaciones y diseño; Ned Mohan,

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