SEP SES

INSTITUTO TECNOLGICO DE LEN

INGENIERA ELECTROMECNICA

Prof. Miguel Rosales Cicea

Alumnos: Ral Contreras Barrn Jorgue Guerrero Michel
Fernando Cruz Zrate Hctor I. Padilla Garca

4 SEMESTRE

Grupo: 3101 Periodo: Ene-Jun 2012

Horario: Mar-Jue 8:45-10:35 Mier 14:00-14:50

REPORTE DE PRCTICA 4
EL TRANSISTOR BJT COMO INTERRUPTOR




PRCTICA 4
EL TRANSISTOR BJT COMO INTERRUPTOR

OBJETIVO
Utilizar el transistor BJT como interruptor para activar cargas resistivas e
inductivas.

Objetivos especficos:
Armar un circuito para activar o desactivar la tensin en una resistencia
mediante un transistor BJT que opera en la regin de corte o saturacin.
Armar un circuito para activar la bobina de un relevador electromecnico y
encender un foco incandescente o un motor de baja potencia mediante un
transistor BJT.

INTRODUCCION
En circuitos electrnicos de control y potencia industrial el transistor se utiliza
generalmente como interruptor. Es decir, conmuta de un estado (o zona) de
saturacin a un estado de corte o viceversa. Como interruptor, el transistor puede
activar o desactivar la bobina de un relevador de bajo voltaje o funcionar
simplemente como un inversor. Cuando el transistor se encuentra en saturacin la
tensin colector-emisor es casi cero. Por el contrario, cuando el transistor est en
corte la tensin entre estas mismas terminales es igual a la tensin que tiene la
fuente de alimentacin.

MARCO TERICO

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus
siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de
la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que
la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en
gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos
su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan
generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones
de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.

FUNCIONAMIENTO
En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la
unin base-colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de
carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a
la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados
por el campo elctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del
nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada
en directa y la unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor
NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base-
emisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo
elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los
electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos
electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin
cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos
electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base
est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores
mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para
que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo
que la vida til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el
porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unin base-
colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los
electrones.
Cuando un transistor se utiliza en un circuito, el comportamiento que ste tenga
depender de sus curvas caractersticas.
En el diagrama que se muestra hay varias curvas que representan la funcin de
transferencia de Ic (corriente de colector) contra VCE (voltaje colector emisor)
para varios valores de Ib (corriente de base).
Cuando el transistor se utiliza como amplificador, el punto de operacin de ste
se ubica sobre una de las lneas de las funciones de transferencia que estn en la
zona activa. (las lneas estn casi horizontales).

Transistor en corte y saturacin
Cuando un transistor se utiliza como interruptor o switch, la corriente de base
debe tener un valor para lograr que el transistor entre en corte y otro para que
entre en saturacin
- Un transistor en corte tiene una corriente de colector (Ic) mnima
(prcticamente igual a cero) y un voltaje colector emisor VCE) mximo (casi igual
al voltaje de alimentacin). Ver la zona amarilla en el grfico
- Un transistor en saturacin tiene una corriente de colector (Ic) mxima y un
voltaje colector emisor (VCE) casi nulo (cero voltios). Ver zona en verde en el
grfico

Para lograr que el transistor entre en corte, el valor de la corriente de base debe
ser bajo o mejor an, cero.
Para lograr que el transistor entre en saturacin, el valor de la corriente de base
debe calcularse dependiendo de la carga que se est operando entre encendido y
apagado (funcionamiento de interruptor)
Si se conoce cual es la corriente que necesita la carga para activarse (se supone
un bombillo o foco), se tiene el valor de corriente que habr de conducir
el transistor cuando este en saturacin y con el valor de la fuente de alimentacin
del circuito, se puede obtener la recta de carga. Ver grfico anterior.
Esta recta de carga confirma que para que el transistor funcione en saturacin, Ic
debe ser mximo y VCE mnimo y para que est en corte, Ic debe ser el mnimo y
VCE el mximo.

El transistor como interruptor
Un transistor funciona como un interruptor para el circuito conectado al colector
(Rc) si se hace pasar rpidamente de corte a saturacin y viceversa. En corte es
un interruptor abierto y en saturacin es un interruptor cerrado. Los datos para
calcular un circuito de transistor como interruptor son: el voltaje del circuito que se
va a encender y la corriente que requiere con ese voltaje. El voltaje Vcc se hace
igual al voltaje nominal del circuito, y la corriente corresponde a la corriente Icsat.
Se calcula la corriente de saturacin mnima, luego la resistencia de base mnima:

IB
SAT

min
= Ic
sat
/ b
R
BMax
= Von/IB
sat min


Donde V
on
es el voltaje en la resistencia de base para encender el circuito, el
circuito debe usar una RB por lo menos 4 veces menor que RBmax.

Adicionalmente se debe asegurar un voltaje en RB de apagado V
off
que haga que
el circuito entre en corte.


MATERIAL Y EQUIPO
Equipo:
1 Multmetro
1 Fuente fija o variable de 12 voltios de c.c.

Material:
1 tablilla de conexiones (project board)
1 transistor NPN BC547 o equivalente
1 diodo 1N4001
Varias resistencias (de acuerdo al diseo)
1 relevador electromecnico para circuito impreso de 12 voltios
1 lmpara de 120 voltios con base (socket)
1 interruptor pequeo
1 clavija
cinta de aislar

DESARROLLO DE LA PRCTICA
Antes de armar el circuito en el protoboard, se deben realizar ciertos clculos para
asegurar el funcionamiento del circuito para as lograr el objetivo de la prctica.
Tales clculos se refieren a: el valor de la resistencia para limitar la corriente que
entra al transistor y la corriente que debe circular a travs de la bobina para
energizarla.
Ya determinado esos valores ahora se prosigue con el armado del circuito:

Se comprueba que efectivamente, el transistor acta como un interruptor.




He aqu el circuito funcionando:

INTERRUPTOR ABIERTO


INTERRUPTOR CERRADO


CLCULOS
Como se mencion anteriormente, se debe calcular el valor de la resistencia que
limitar la corriente que atraviese por el transistor.
Por hoja de especificaciones se sabe que:
Ic=100 mA
B= 120
Por hoja de especificaciones del relevador se sabe:

La potencia de la bobina =250 mW.

El voltaje con que trabaja el relevador es de 12 V. Aplicando la frmula de
potencia tenemos que la corriente de la bobina es:


La corriente I
L
se puede considerar igual que la corriente I
C
por lo tanto:

Con este valor se calcula el valor de la resistencia mediante Ley de Ohm

RESULTADOS Y ANLISIS DE RESULTADOS:
El circuito funciono de la manera deseada:

Cuando se tiene el interruptor abierto, el voltaje pasa por la resistencia, pero no
por el transistor por lo que la bombilla se mantiene apagada.

Cuando el interruptor est cerrado el voltaje pasa por la resistencia y por la base
del transistor el cual deja pasar la corriente necesaria para que el relevador
funcione. De esta manera la bobina crea un campo magntico que hace que hace
que el interruptor del relevador se cierre y de as la bombilla se encienda.

En el desarrollo de la prctica se apoy con el uso de un relevador para encender
un foco de 120v y el transistor NPN BC547, se comprob que cuando el transistor
se encuentra en saturacin la tensin colector-emisor es casi cero, esto quiere
decir que esta actuando como un interruptor encendido y se comprueba cuando el
relevador enciende el foco.

Por el contrario, cuando el transistor est en corte la tensin entre estas mismas
terminales es igual a la tensin que tiene la fuente de alimentacin, en este caso el
relevador junto con el transistor actan como un interruptor abierto, por
consiguiente y como comprobacin el foco no se enciende.

CONCLUSIONES
El valor de la resistencia debe ser bien calculada, ya que si es ms pequea, el
circuito trabajar, pero despus de cierto tiempo, la corriente afectar y daara el
transistor y al relevador.

Como la bobina recibe un voltaje, aunque no est conectada a tierra, se crea un
campo magntico (no tan grande como para accionar el interruptor del relevador)
pero lo suficiente para llegar a daar al transistor, por lo que por eso se puso el
diodo, para proteger al transistor.

BIBLIOGRAFA
(s,a), transistor como interruptor o switch, Recuperado: 20/05/2012, De:
www.unicrom.com/tut_transistor_como_switch.asp
(s,a),TRANSISTOR BJT COMO CONMUTADOR, Recuperado: 20/05/2012, De:
www.itescam.edu.mx/principal/sylabus/fpdb/recursos/r5290.DOC