Condiciones de Polarizacion

Condiciones de
polarización
Katerin Barros Barrios

Ing. Biomedica
Unireformada
Sin polarización
 Cuando los materiales semiconductores del tipo N y del tipo

P se juntan, ocurre un fenómeno muy importante en la unión
debido al exceso de huecos en el material y electrones en el
otro lado, una interacción se lleva a cabo entre los dos tipos
de materiales.
 Algunos electrones se difunden a través de la unión y
similarmente pasa por los huecos del material tipo P, esta
iteración o difusión lleva al equilibrio formando un campo
eléctrico e donde la corriente total es cero.
Polarización directa
 Si el terminal positivo de la fuente está conectado al

material tipo p y el terminal negativo de la fuente está
conectado al material tipo n, diremos que estamos en
“Polarización Directa”. En este caso, la batería disminuye la
barrera de potencial de la zona de carga espacial,
permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de
la unión; es decir, el diodo polarizado directamente conduce
la electricidad
 Si ahora aplicamos a dicha unión una tensión exterior de signo
contrario a la barrera de potencial interna, ésta irá disminuyendo en
anchura. A mayor tensión aplicada externamente corresponderá
una barrera interna menor y podremos llegar a conseguir que dicha
barrera desaparezca totalmente.
 En este momento los electrones (portadores mayoritarios) de la
zona N están en disposición de pasar a la zona P. Exactamente
igual están los huecos de la zona P que quieren "pasar" a la zona N.
<------------>
Región agotada
o---- ----o
zona P zona N
barrera interna de
potencial
Sin polarización
Región
Iones negativos que han Iones positivos que han
agotada
"recuperado" sus huecos "recuperado" sus electrones
<--->
+ o-- --o -
zona P zona N
barrera interna de
potencial
Polarización directa débil, región agotada
reducida, pero no eliminada
 Al aumentar la polarización directa, la zona agotada

y su barrera de potencial interna asociada han sido neutralizadas
+ o-- --o -
zona P zona N
Polarizar directamente es como se
muestra en la figura
 Puede observarse que la polarización directa provocó una

disminución del ancho de la barrera de potencial de la zona de
agotamiento. El lado p tiene una diferencia de potencial positiva
respecto al lado n. Los electrones y huecos tienen ahora mayor
facilidad para cruzar la barrera. La corriente de difusión aumenta y
la de deriva disminuye, teniendo así una corriente neta en el diodo
que circula desde el lado p hacia el lado n
Polarización inversa
El polo negativo de la
batería se conecta a la
zona p y el polo positivo
a la zona n, lo que hace
aumentar la zona de carga
espacial, y la tensión en
dicha zona hasta que se
alcanza el valor de la
tensión de la batería.
POLO POSITIVO DE
LA BATERIA
Los cuales Atraen electrones A medida que

salen del libres de la zona abandonan la
cristal “n” “n” zona “n”
Los átomos
Se introducen en pentavalentes antes
el conductor llamados neutros
Se desplazan hasta
llegar a la batería
Al desprenderse de su
de +Tienen 8 electrones
Se convierte en iones electrón en orbital de
de valencia en una conducción adquieren
positivos carga neta 1 estabilidad
POLO NEGATIVO Se convierten en
DE LA BATERIA iones negativos
Cede electrones libres Tiene una carga

en los átomos eléctrica neta de -1
trivalentes de la zona
“p”
Cuenta con 8
electrones en su orbita
Solo tienen 3 electrones de valencia
de valencia
Caen dentro de estos
Al formar los enlaces “huecos” los cuales los
covalentes con los átomos trivalentes
átomos de silicio adquieren estabilidad
Siendo el electrón que Cuando los electrones

Tienen solamente 7
falta el denominado libres cedidos entran a
electrones de valencia
“hueco” la zona “p”
Este proceso se repite una y otra vez hasta
que la zona de carga espacial adquiere el
mismo potencial eléctrico que la batería.
El diodo NO debería conducir la corriente; sin

P
embargo, debido al efecto de la temperatura se
R
formarán pares electrón-hueco.
O
C
E
S
En ambos lados de la unión produciendo una pequeña
O
corriente se denomina corriente inversa de saturación.
S
Corriente superficial de fugas: conduce una pequeña corriente

por la superficie del diodo; porque, los átomos de silicio NO
están rodeados de suficientes átomos para realizar los 4 enlaces
covalentes necesarios para obtener estabilidad.

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 Cuando los materiales semiconductores del tipo N y del tipo

 Si el terminal positivo de la fuente está conectado al

 Al aumentar la polarización directa, la zona agotada

 Puede observarse que la polarización directa provocó una

Los cuales Atraen electrones A medida que

Cede electrones libres Tiene una carga

Siendo el electrón que Cuando los electrones

El diodo NO debería conducir la corriente; sin

Corriente superficial de fugas: conduce una pequeña corriente

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