Integrantes:

-Ascuña Cepedes, Leonardo

-Manrique Julca, Luis
-Quesada Rojas, Alvaro
-Silva Puma, Henry
-Toribio Ruiz, Marcelo
RAM (Random Access Memory)
• Almacena
información
• Lectura/Escritura
• Acceso aleatorio
• Carga instrucciones
• Volátil
• Relación con POST
Tipos de RAM
SRAM (Static Random Access
Memory)
• Usa 6 seis transistores
(MOSFET) para almacenar un
bit.
• Existen no volatiles (NVSRAM)
• Es más veloz y consume
menos energía.
• Su capacidad no es tan alta.
• Es costosa.
 Funcionamiento
• Reposo: Si el bus de control (WL) no
está activado, los transistores
de acceso M5 y M6 desconectan la celda
de los buses de datos. Los dos biestables
formados por M1 – M4 mantendrán los
datos almacenados, en tanto dure la
alimentación eléctrica.
• Lectura: Se asume que el contenido de
la memoria es 1, y está almacenado en
Q. El ciclo de lectura comienza cargando
los buses de datos con el 1 lógico, y
luego activa WL y los transistores de
control. A continuación, los valores
almacenados en Q y Q se transfieren a
los buses de datos, dejando BL en su
valor previo, y ajustando BL a través de
M1 y M5 al 0 lógico. En el caso que el
dato contenido en la memoria fuera 0,
se produce el efecto contrario: BL será
ajustado a 1 y BL a 0.
• Escritura: El ciclo de escritura se inicia
aplicando el valor a escribir en el bus de
datos. Si se trata de escribir un 0, se
ajusta, almacena, se activa el bus WL, y
el dato queda almacenado.
Usos de la SRAM
• Como producto de propósito general:
• Con interfaces asíncronas como chips 32Kx8 de 28 pines
(nombrados XXC256), y productos similares que ofrecen
transferencias de hasta 16Mbit por chip.
• Con interfaces síncronas, principalmente como caches y
otras aplicaciones que requieran transferencias rápidas, de
hasta 18Mbit por chip.
• Integrados en chip:
• Como memoria RAM o de cache en micro-controladores.
• Como cache primaria en micro controladores, como por
ejemplo la familia x86.
• Para almacenar los registros de microprocesadores.
• En circuitos integrados.
DRAM (Dynamic Random Access
Memory)
• Se basa en condensadores.
• Pierde carga
progresivamente.
• Ciclo de refresco.
• Volátil.
• Tiene mayor capacidad que
SRAM.
• Menos costoso.
Usos de DRAM
• Se usa principalmente como módulos de memoria
principal RAM de ordenadores y otros dispositivos. Ya
que, principal ventaja es la posibilidad de construir
memorias con una gran densidad de posiciones y que
todavía funcionen a una velocidad relativamente alta: en
la actualidad se fabrican integrados con millones de
posiciones y velocidades de acceso medidos en millones
de bit por segundo
 1970 DRAM 1990 1997
(Intel 1103) FPM RAM BEDO RAM

1950 Núcleo 1988 1994 2000

Magnetico Flash Memory EDO RAM DDR
 2008
DDR3

2006 2013
DDR2 DDR4
1950
Núcleo Magnético

La memoria de núcleos
magnéticos, fue una forma de
memoria principal de los
computadores, fue usada hasta
comienzos de 1970. A
diferencia de la RAM basada
en tecnologías DRAM, se basa
en las propiedades magnéticas
de su componente activo, el
núcleo de ferrita y era una
memoria no volátil.
 1970
DRAM (Intel 1103)
El Intel 1103 es el primer chip
de memoria RAM conocido. El
1103 no tuvo una
disponibilidad comercial
amplia hasta mediados de
1971 cuando fue integrado en
los nuevos sistemas diseñados
por las grandes empresas del
momento como Motorola,
Fairchild, National y Signetics.
 1988
Memoria Flash
La memoria flash permite la
lectura y escritura de múltiples
posiciones de memoria en la
misma operación. Se trata de
la tecnología empleada en los
dispositivos denominados
memoria USB.
1990
FPM RAM (Fast Page Mode)
Fue inspirado en técnicas como el
Burst Mode usado en
procesadores como el Intel 486. Se
implantó un modo
direccionamiento en el que el
controlador de memoria envía una
sola dirección y recibe a cambio
esa y varias consecutivas sin
necesidad de generar todas las
direcciones. Esto supone un ahorro
de tiempos ya que ciertas
operaciones son repetitivas
cuando se desea acceder a muchas
posiciones consecutivas.
1994
EDO RAM (Extended Data Output)
Fue lanzada al mercado en
1994 y con tiempos de accesos
de 40 o 30 ns suponía una
mejora sobre FPM, su
antecesora. La EDO, también
es capaz de enviar direcciones
contiguas pero direcciona la
columna que va a utilizar
mientras que se lee la
información de la columna
anterior, dando como
resultado una eliminación de
estados de espera.
1997 BEDO RAM (Burst Extended Data Output)

Fue la evolución de la EDO-RAM y

competidora de la SDRAM, fue
presentada en 1997. Era un tipo de
memoria que usaba generadores
internos de direcciones y accedía a
más de una posición de memoria en
cada ciclo de reloj, de manera que
lograba un 50 % de beneficios, mejor
que la EDO. Nunca salió al mercado,
dado que Intel y otros fabricantes se
decidieron por esquemas de
memoria sincrónicos que si bien
tenían mucho del direccionamiento
MOSTEK.
2000
DDR (Double Data Rate)
Creadas a principios del año 2000,
nacen como el sucesor directo de
las memorias SDRAM ya que
producto de que los computadores
se volvían mas populares y mas
complicados, y por lo tanto, la
complejidad y frecuencia de las
solicitudes a la memoria
aumentaban; las limitaciones de
las memorias SDRAM estaban
disminuyendo el desempeño.
2006
DDR2 (Double Data Rate 2)
Funcionan con 4 bits por ciclo,
mejorando sustancialmente el ancho de
banda potencial bajo la misma
frecuencia de una DDR SDRAM
tradicional.

Las memorias DDR2 son una mejora de

las memorias DDR que permiten que los
búferes de entrada/salida funcionen al
doble de la frecuencia del núcleo,
permitiendo que durante cada ciclo de
reloj se realicen cuatro transferencias.
2008
DDR3 (Double Data Rate 3)
DDR3 SDRAM permite usar
integrados de 1 GB a 8 GB, siendo
posible fabricar módulos de hasta
16 GB. Da la posibilidad de hacer
transferencias de datos más
rápidamente, y con esto obtener
velocidades de transferencia y de
bus más altas que las versiones
DDR2.
Proporcionando significativas
mejoras de rendimiento en niveles
de bajo voltaje, lo que conlleva una
disminución global del consumo
eléctrico.
2013
DDR4 (Double Data Rate 4)
Brinda una tasa más alta de
frecuencias de reloj y de
transferencias de datos,​ la
tensión es también menor a
sus antecesoras (1,2 a 1,05
para DDR4 y 1,5 a 1,2 para
DDR3) DDR4 también apunta
un cambio en la topología
descartando los enfoques de
doble y triple canal, cada
controlador de memoria está
conectado a un módulo único.
ANTECEDENTES- MÓDULOS DE MEMORIA

• SIMM
Se fabricaban con 30 y 72 contactos y con diferentes capacidades de (4Mb,8Mb,16Mb)
• DIMM y RIMM
168 Contactos
-13cm longitud
MEMORIA ESTÁTICA

SRAM - Static Random Access Memory

• Acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos.
Async SRAM
• velocidades entre 20 y 12 ns.
Sync SRAM
• velocidad entre 12 y 8,5 ns.
Pipelined SRAM
• Opera a velocidades entre 8 y 4,5 ns.
Synchronous Dynamic Random-Access
Memory - SDRAM
DDR2
https://www.youtube.com/watch?v=w7EKG4jJYmI
https://www.youtube.com/watch?v=JJS6p9jc_sQ
https://pcel.com/hardware/memorias/memori
as-ddr/Patriot-PSD416G24002H-174862
4. Componentes
críticos
MEMORIA RAM
 Cantidad de
memoria
• Dependiendo del
chipset que integre la
placa base, se definirá el
limite máximo de
memoria RAM que se
podrá instalar en una
PC.
• Consultar con las
especificaciones
técnicas, que ofrece el
fabricante de la placa
base.
 Chips de memoria
• Los chips de memoria
almacenan la memoria y por
tanto se deben refrigerar
para que no sufran daños
• Algunos módulos
incorporan disipadores de
aluminio que mejoran la
refrigeración de los chips de
memoria, pero también
elevan su altura y pueden
llegar a tocar con el
disipador que refrigera el
procesador.
Frecuencia de trabajo
• Cada módulo de memoria RAM está formado por varios
chips de memoria que funciona a una determinada
frecuencia de trabajo. Esta frecuencia, al igual que en los
procesadores, afecta directamente al rendimiento y se
mide en Megahercios (MHz).
• Al elegir la memoria RAM que instalarás en tu PC, debes
asegurarte de que la placa base soporta la frecuencia de
trabajo de la memoria RAM.
• Algunas placas base cuentan con soporte para perfiles
XMP (Extreme Memory Profile). Si tanto los módulos de
memoria, como la placa base, soportan esta función de
configuración, al instalarlos, la placa detectará
automáticamente la frecuencia de la memoria RAM y la
configurará para obtener el máximo rendimiento.
Latencia
• La estructura interna de la memoria RAM es como la de
un tablero de ajedrez tridimensional en el que cada
cuadro del tablero es una celda en la que se escriben los
datos que se almacenan.
• La latencia es el tiempo que tarda la memoria RAM en
situarse en una determinada celda para leer o escribir su
contenido. Cuanto mayor sea la latencia de la memoria
RAM, mayor es el tiempo que “pierde” en llegar a una
determinada celda y, por lo tanto, menos eficiente en su
trabajo.
• El parámetro de latencia en los módulos acostumbra a
mostrarse tras las siglas CL (CAS Latency) que expresa el
valor de la latencia CAS de la memoria, que a su vez es
uno de los valores más importantes a la hora de
establecer la eficiencia de la memoria RAM.
Contactos del conector con la placa base
• Los módulos de las memorias DDR4 tienen 288
contactos (o pines) a diferencia de los 240
contactos que tiene la DDR3. Esto se traduce en
una mayor velocidad de transferencia de datos
que se sitúa en un máximo de 4.266 MT/s,
mientras que la memoria DDR3 se mantiene en
2.133 MT/s.
Voltaje
• Aunque la mayoría de los módulos DDR3 disponibles
están diseñados para consumir un máximo de 1,5 voltios,
existen algunos que rebajan esa cuota de consumo y la
sitúan en torno a los 1,35 voltios.
• Estos consumos, en situaciones normales simplemente
implican un menor consumo energético.
• Pero si quieres llevar al límite a tus memorias RAM y subir
sus frecuencias de trabajo, este margen de voltaje te
permitirá sobrealimentar los chips de memoria para
alcanzar el límite de voltaje recomendado de 1,5 voltios y
obtener así un mayor rendimiento. Por supuesto, esta
operación de Overclocking debe realizarse con la mayor
de las cautelas o podrías dañar las memorias y otros
componentes de la placa base.
 Ejemplo
• La memoria DDR4 ha conseguido optimizar el consumo
fijando su voltaje entre 1,05 y 1,2 V., frente a los 1,5 V. que
necesitan la mayoría de los módulos DDR3.
• Esta optimización también afecta de forma directa a la
generación de calor, que se reduce en la misma proporción
que el voltaje. Por lo tanto, también afectará a la
refrigeración general del equipo.
• Los módulos de memoria DDR4 funcionan a una
frecuencia de reloj mucho más alta que la de las
memorias DDR3.
• Así, mientras que solo los módulos DDR3 más extremos
eran capaces de alcanzar frecuencias de hasta 2.933 MHz,
los módulos DDR4 más básicos ya alcanzan los 2.133 MHz,
mientras que los más extremos son capaces de alcanzar
los 4.000 MHz.
• Pero no todo iban a ser bondades en la nueva tecnología.
La parte negativa es que las latencias de la memoria
DDR4 es más lenta que la de la memoria DDR3.
• La latencia media de los módulos DDR3 es de CL9,
mientras que en las memorias DDR4 lo más común es
encontrar una latencia de CL15. Por suerte esto se
compensa gracias a que el resto de valores que afectan al
rendimiento son muy superiores.
5.Últimos avances
 Memoria RAM y los juegos de PC

Existen dos términos que van ligados y estrechamente relacionados uno con
otro y es la memoria RAM y los juegos de PC, el porqué de esta relación, es
más que sencillo, de una buena memoria RAM depende la óptima velocidad y
desempeño de todas las funcionalidades del juego en sí.
El factor de forma DDR4, muy popular en la actualidad, ha sido desarrollado
para los últimos sistemas de módulos DDR4 ofreciendo mayores frecuencias,
mayor ancho de banda y menor consumo de energía que los módulos DDR3.
5.1 Kingston HyperX Fury Black
Dentro de sus características encontramos:
• Bajo consumo energético, tan solo de 1,2V
en comparación con la memoria DDR3
• Optimizada para chipsets de la serie 200 y
X99 de Intel
• Plug and Play
• Elegante disipador de calor de bajo perfil
A nivel técnico, la HyperX Fury Black nos
ofrece:
• Capacidades: Módulos de 4GB-16GB y kits
de 8GB–64GB
• Velocidades de frecuencia de 2133MHz,
2400MHz, 2666MHz1
• Latencia CAS CL14-CL16
• Voltaje de 1,2V
• Temperatura operativa de 0°C a 85°C
• Temperatura de almacenamiento a -55
• Su precio actual es:
• Módulo de 8 GB (2133 MHz): 101, 30 € https://www.youtube.com/watch?v=z7tMTgsg
• Módulo de 16 GB: 195.05 €
 5.2 Corsair Dominator Platinum
Características Dominator
Dentro de sus diversas características tenemos:
• Soporte de XPM 2.0
• Mejoras para sacar el máximo provecho del
overclocking
• Dispone de la capacidad de cambiar los LED
incorporados del rojo predeterminado a cualquiera
de 16,8 millones de colores que permiten indicar la
velocidad del ventilador, temperatura ambiente del
sistema o temperatura de la GPU.
• Garantía de por vida
Técnicamente encontramos:
• Tamaño de la memoria: Kit de 16GB (2 x 8GB)
• Latencia probada: 15-17-17-35
• Voltaje probado: 1.35V
• Velocidad probada: 3000MHz
• Esparcidor de calor: DHX
• Formato de memoria del paquete: DIMM https://www.youtube.com/watch?v=GlU
• Perfil de rendimiento: XMP 2.0
• Pin de memoria del paquete: 288
• Su precio actual oscila entre los 117 euros y los 807
en función del kit elegido.
5.3 G.Skill Trident Z RGB

Características Trident Z
Técnicamente tenemos lo siguiente:
• Serie Trident Z RGB
• Tipo de memoria DDR4
• Capacidad 16GB (8GBx2)
• Kit de canales múltiples Kit de canal
doble
• Velocidad probada de 4266MHz
• Latencia probada de 19-19-19-39
• Voltaje probado 1.40v
• Registrado / sin búfer sin búfer
• SPD Velocidad 2133MHz
• SPD Voltaje de 1.20v
• Ventilador incluido: No
• Altura 44 mm / 1.73 pulgadas https://www.youtube.com/watch?v=0sr_0HU1
• Garantía limitada de por vida
• Características Intel XMP 2.0 (Extreme
Memory Profile)
• Para el modelo de 16 GB tendremos un
G.Skill logra 5000MHz con memorias DDR4 Dual
Channel refrigeradas por aire

Este gran avance es la primera

instancia del mundo en donde dos
módulos de memoria RAM DDR4 RGB
rompen la barrera de los 5000 MHz
con solo refrigeración por aire, al
considerar que esta velocidad de clase
mundial solo se podía lograr con
refrigeración por nitrógeno líquido
extrema hace solo dos años. Esta
proeza tecnológica masiva se logra con
los circuitos integrados de alta
resolución de Samsung DDR4 B-die y
la ejecucion sobre una placa madre
MSI Z370I GAMING PRO CARBON AC
junto al procesador Intel Core i7- https://informaticacero.com/g-skill-
8700K. logra-5000mhz-con-memorias-ddr4-
dual-channel-refrigeradas-por-aire/
6 Conclusiones
 Es recomendable buscar módulos de memoria RAM con unas
latencias y unas frecuencias equilibradas (CL10 o CL11 en
DDR3 y CL14 o CL15 en DDR4).
 Si tenemos gráfica integrada que utiliza memoria RAM del
sistema como memoria gráfica la frecuencia de trabajo de la
misma y el uso de doble canal tendrá un gran impacto en el
rendimiento final.
 Es fundamental priorizar cantidad sobre velocidad y
latencias. Si vamos a necesitar 8 GB de RAM y podemos
elegir entre dos módulos de 4 GB a 2.400 MHz o un módulo
de 4 GB a 4 GHz debemos ir a por la primera opción sin
pensarlo.
 Si no vas a utilizar gráfica integrada no es imprescindible el
doble canal.
 Un usuario normal no necesita módulos de memoria RAM a
más de 3 GHz.
Recomendaciones de kits de memoria RAM
Las recomendaciones concretas las vamos a dividir por precio.
Tened en cuenta que aunque una memoria más rápida puede
mejorar el rendimiento cuando superamos el nivel óptimo (2.666
MHz) esa mejora empieza a ser residual.

Gama económica
• Corsair Vengeance PC3-12800 4 GB de DDR3 a 1.600 MHz CL9
por 38 euros.
• G.Skill Aegis DDR4 2400 PC4-19200 4 GB de DDR4 a 2.400 MHz
CL15 por 45,99 euros.
Gama media
• G.Skill Ripjaws X DDR3 a 2.400 MHz PC3-19200 8GB 2x4GB CL11
por 85 euros.
• Corsair Vengeance LPX DDR4 a 3.000 MHZ PC-24000 8GB 2 x 4
GB CL15 por 112 euros.
Gama alta
• Kingston HyperX Fury Blue DDR3 a 1.866MHz 2 x 8GB CL10 por
142 euros.
• G.Skill Ripjaws V Red DDR4 3000 PC4-24000 2 x 8GB CL15 Blanco
por 187 euros.