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    Borrador Presentacion Grupal

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    RESUMEN

    Se presenta el desarrollo de la compuerta seleccionada para dar solucin


    al problema planteado, donde por medio de dispositivos CMOS se
    implementa utilizando las herramientas sugeridas em el curso, en este caso
    el programa Microwind y DSCH. De la misma manera en el documento
    encontraremos los aspectos mas relevantes de las lecturas del curso,
    discusin del caso de estudio y sus respectivas conclusiones.
    ORDEN DEL DA (TABLA DE
    CONTENIDO)
    1. Aspectos importantes y relevantes de las lecturas
    2. Discusin del caso de estudio
    3. Retroalimentaciones de los compaeros
    4. Conclusiones.
    5. Referencias Bibliogrficas
    ASPECTOS IMPORTANTES Y
    RELEVANTES DE LAS LECTURAS
    Breve historia de la Electrnica

    AUTOR POSTULADO AO

    Lorentz Existencia de cargas discretas denominadas electrones 1895

    Thompson Experimental mostro la existencia de los electrones 1897

    Millikan Midi con precisin la carga del electrn Siglo XX

    Fleming Invento del Diodo 1904

    De Forest Creacin del tubo Trodo Audion 1906


    ASPECTOS IMPORTANTES Y RELEVANTES
    DE LAS LECTURAS
    La Electrnica y los semiconductores

    AUTOR POSTULADO AO

    Hall Trabajo sobre los primeros semiconductores, su trabajo se conoce como efecto Hall el cual se basa en la aparicin de un campo elctrico por separacin de 1879
    cargas, en el interior de un conductor por el que circula una corriente en presencia de un campo magntico con componente perpendicular al movimiento de las
    cargas.

    Estudio de los primeros rectificadores de unin metal-semiconductor 1920 a 1930

    Shottky y Mott Estudio sistemtico sobre las propiedades de estos dispositivos. teora del espacio de carga. 1938

    se obtiene la primera unin P-N sobre cristal nico de silicio 1943

    Brattain y Bardeen Diseo del amplificador de estado slido (en forma de transistor de contacto). 1947

    Shockley Propuesta del transistor de unin de efecto de campo 1951

    Dummer construir un circuito completo de estado slido en un bloque semiconductor 1952

    Kilby construir un circuito completo en germanio o silicio 1958

    Hoerni de Fairchild primer transistor de difusin moderno 1958

    Kahng y Atalla Primer transistor de efecto de campo de puerta aislada 1960

    Fairchild y Texas Instrument Comercializacin de los circuitos integrados 1961

    Hofstein y Heiman la nueva tecnologa MOS para fabricar un circuito integrado con ms de mil elementos activos 1962
    ASPECTOS IMPORTANTES Y RELEVANTES
    DE LAS LECTURAS
    Diferencias entre estas tecnologas
    TTL CMOS
    Es basada sobre transistores Bipolares Transistores del tipo pMos y nMos

    Transistores NPN Transistores de efecto de campo


    Transistores PPN
    Smbolos Smbolos
    Controlados por corriente Controlados por voltaje
    Son ms lentos susceptibles con la energa esttica
    54L504 Militar Manipulacin con guantes o pulsera electroesttica

    74L504 Comercial Son ms rpidos


    Voltaje alto (1) 3-5 V 74HCT04 Comercial
    54HCT04 Comercial
    Voltaje bajo (0) 0-0.5V Voltaje alto (1) 3-18 V
    Voltaje bajo (0) 0-0.8V
    DISCUSIN DEL CASO DE ESTUDIO
    DISCUSIN DEL CASO DE ESTUDIO
    RETROALIMENTACIONES DE LOS
    COMPAEROS
    RETROALIMENTACIONES DE LOS
    COMPAEROS
    CONCLUSIONES
    REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS
    Robayo, F. (2009). Introduccin a la Microelectrnica y
    Procesos de Fabricacin. Bogot D.C. Universidad Nacional
    Abierta y/a Distancia. Recuperado
    de http://hdl.handle.net/10596/11264
    Robayo, F. (2009). Repaso de Electrnica Digital y Circuitos
    Combinacionales. Bogot D.C. Universidad Nacional Abierta
    y/a Distancia. Recuperado de http://hdl.handle.net/10596/11265
    GRACIAS.

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