Electrónica Analógica I

Tema I. Diodos semiconductores y circuitos amplificadores.

Conferencia 1. Introducción a la asignatura (contenidos y horas por temas, sistema de

evaluación). Breve historia de la Electrónica. Recordar: Clasificación de los
materiales en conductores, semiconductores y aislantes según las bandas de energía.
Estructura cristalina del semiconductor de silicio. Semiconductores intrínsecos y
extrínsecos. Formación de semiconductores N y P. El diodo semiconductor: La
unión PN. Simbología. Funcionamiento en circuito abierto, polarización directa,
polarización inversa. Característica V-A. Voltaje umbral. Ejemplo de diodos que
trabajan en directa (Diodo rectificador) e inversa (Diodo Zener). Capacidades de la
unión. Fenómenos de ruptura y de avalancha. Parámetros termo sensibles. Medición
de los diodos rectificadores.

La electrónica es la rama de la física y especialización de la ingeniería, que estudia y

emplea sistemas cuyo funcionamiento se basa en el movimiento de partículas
cargadas eléctricamente (electrones o huecos), así como el control del flujo de
dichas partículas.

La historia se divide en dos periodos de tiempo denominados: la era del tubo de

vacío y la era del transistor.

En 1904 John Ambrose Fleming inventó un dispositivo con dos elementos al que
llamó válvula. Consistía en un filamento calentado que emitía electrones y que
estaba situado próximo a una placa metálica. El conjunto de esta estructura estaba
encapsulada en vacío. Una tensión positiva de placa a filamento (cátodo) producía
una corriente electrónica mientras que una tensión negativa la anulaba.

El otro gran paso lo dio Lee de Forest en 1906 cuando inventó el triodo. Este
dispositivo consiste en intercalar un tercer electrodo (rejilla) entre la placa y el
càtodo de la válvula de Fleming. La tensión de rejilla regula la circulación de
corriente entre cátodo y placa. Éste fue un paso importante para la fabricación de los
primeros amplificadores de sonido, receptores de radio, televisores, etc.
Conforme pasaba el tiempo las válvulas de vacío se fueron perfeccionando y
mejorando, apareciendo otros tipos, los tetrodos (válvulas con cuatro electrodos
para mejorar la respuesta en frecuencia), los pentodos (cinco electrodos, otras
válvulas para aplicaciones de alta potencia) etc. Dentro de los perfeccionamientos
estaba su miniaturización.

Sin embargo, los tubos de vacío tenían sus limitaciones: eran voluminosos,
consumían potencia aun cuando no estaban en servicio, y los filamentos se
quemaban exigiendo la sustitución del tubo.

Fue definitivamente en 1948 con el transistor creado por Bardeen y Brattain, de la

Bell Telephone, cuando se permitió aun una mayor miniaturización de aparatos tales
como las radios. El transistor de unión apareció algo más tarde. Éste es el
dispositivo utilizado actualmente para la mayoría de las aplicaciones de la
electrónica. Sus ventajas respecto a las válvulas son entre otras: menor tamaño y
fragilidad, mayor rendimiento energético, menores tensiones de alimentación. El
transistor no funciona en vacío como las válvulas sino en estado sólido
(semiconductor silicio).

En 1958 se desarrolló el primer circuito integrado que alojaba 6 transistores en un

solo chip de silicio.

Actualmente se pueden fabricar en un solo chip de silicio, además de circuitos

individuales, subsistemas e incluso sistemas completos conteniendo millares de
componentes. La microelectrónica se refiere al diseño y fabricación de estos
circuitos integrados con gran densidad de componentes.

 1951: Transistores discretos

 1960: Integración a pequeña escala SSI (menos de 100 componentes)
 1966: Integración a media escala MSI ( entre 100 y 1000) componentes)
 1969: Integración a gran escala LSI (entre 1000 y 10000 componentes)
 1975: Integración a muy gran escala VLSI (más de 10000 componentes)
Desde la invención del circuito integrado muchas son las innovaciones que han contribuido
al auge de la microelectrónica

 Transistores de efecto de campo (tecnología MOS). Estos actualmente son

los transistores más universalmente empleados.
 Circuitos integrados digitales: tuvo gran aplicación la tecnología MOS,
permitiendo desarrollar las memorias RAM, ROM, PROM, EPROM y el
primer microprocesador Intel 4004 en 1971.
 Circuitos integrados analógicos: el mayor desarrollo de éstos se produjo con
la invención del amplificador operacional en 1964.

Aplicaciones de la Electrónica:

 Comunicaciones: Sistemas telefónicos, satélites de comunicaciones, redes de

telecomunicaciones.
 Control: Regulación de velocidades de motores, rectificadores e inversores
de alta potencia, la automatización de procesos industriales.
 Cálculo: Lo más notable en la revolución de la microelectrónica es la
invención de una industria totalmente nueva, la industria de las calculadoras.
La primera calculadora electrónica estaba basada en válvulas. Sin embargo,
pronto empezaron a utilizarse los transistores, dando lugar a la invención de
la primera computadora transistorizada de propósito general en 1959..Y de
ahí en lo adelante han seguido evolucionando.

Teoría de bandas de energía

Los materiales que existen en la naturaleza presentan una estructura de 3 bandas de

energía. Estas son, la banda de valencia, la prohibida y la de conducción.
En función de la separación entre las bandas de Valencia y de Conducción (es decir,
el ancho de la Banda Prohibida) los materiales se clasifican en Conductores,
Semiconductores y Aislantes.

Conductores, semiconductores y aislantes

Conductores: No existe separación entre la banda de valencia y la de conducción

por lo que los portadores (electrones) no necesitan, prácticamente ninguna energía
para pasar de la banda de valencia a la de conducción.

Semiconductores: La separación entre las bandas de valencia y de conducción

determina la cantidad de energía, en forma de calor, luz o diferencia de potencial
que hay que aplicar a los portadores para que puedan saltar de la banda de valencia
a la de conducción.

Aislantes: Existe la máxima separación posible entre las bandas de valencia y de

conducción. Los portadores nunca pueden saltar de la banda de valencia a la de
conducción.
Impurezas

Son sustancias que al añadirse a los materiales modifican la conductividad de los

mismos.

Semiconductores intrínsecos

Son aquellos que no poseen impurezas o el número de ellas es tal que no modifican
sus características conductoras.

Semiconductores extrínsecos

Son aquellos a los que se les ha añadido impurezas

Impurezas trivalentes (concepto y ejemplos)

Son sustancias cuyos átomos poseen, en el subnivel más externo de la banda de

valencia, tres electrones de valencia. Ejemplos: Boro, Galio e Indio.

Impurezas pentavalentes (concepto y ejemplos)

Son sustancias cuyos átomos poseen, en el subnivel más externo de la banda de

valencia, cinco electrones de valencia. Ejemplos: Antimonio, Fósforo y Arsénico.

El semiconductor más empleado en la actualidad es el silicio, este posee, en el

subnivel más externo de la banda de valencia, cuatro electrones de valencia.
Formación de un semiconductor N

Se forma al añadir al semiconductor intrínseco impurezas pentavalentes. En este

caso, los cuatro electrones de cada átomo de silicio forman enlaces covalentes con
cuatro de los cinco electrones de cada átomo de la impureza añadida quedando un
electrón libre, por lo que se dice que, en este semiconductor la conducción se realiza
fundamentalmente por electrones.

Formación de un semiconductor P
Se forma al añadir al semiconductor intrínseco impurezas trivalentes. En este caso,
tres electrones de los cuatro de cada átomo de silicio forman enlaces covalentes con
los tres electrones de cada átomo de la impureza añadida quedando un enlace
 incompleto, formando un hueco, por lo que se dice que, en este semiconductor la
conducción se realiza fundamentalmente por huecos.

Explicación funcional del rectificador de media onda, onda completa y onda

completa en puente.

Funcionamiento en circuito abierto

Cuando se une un semiconductor N con uno P se genera un movimiento de difusión. Los electrones
de N se mueven hacia P y los huecos de P se mueven hacia N. Ese movimiento de portadores
origina la corriente de difusión o corriente de portadores mayoritarios.
Los átomos más cercanos a la zona de la unión son los primeros en perder los portadores libres (los
que no estaban formando enlaces covalentes), de modo que en la zona de la unión comienza a
formarse una región sin portadores libres llamada región de carga espacial.

Los átomos de la zona N, al perder un electrón o carga negativa que antes poseían, se convierten en
iones positivos.

Los átomos de la zona P, al perder un hueco o carga positiva que antes poseían, se convierten en
iones negativos.

Al fortalecerse la región de carga espacial se forma una barrera de potencial para los portadores que
se quieren mover por difusión. Los electrones que se mueven de N hacia P, por difusión, chocan
con los iones negativos de la región de carga espacial o barrera de potencial que los hace regresar
hacia la parte N formando, con este movimiento de regreso, la corriente de deriva o de portadores
minoritarios. Los huecos que se mueven de P hacia N, por difusión, chocan con los iones positivos
de la región de carga espacial o barrera de potencial que los hace regresar hacia la parte P
formando, con este movimiento de regreso, la corriente de deriva o de portadores minoritarios.

Según crece la barrera de potencial, crece la corriente de deriva hasta el punto que se iguala con la
corriente de difusión. Cuando estas dos corrientes en sentido contrario se igualan, la corriente en el
dispositivo se hace cero.

Funcionamiento en polarización directa

Se produce cuando se le aplica al diodo semiconductor una diferencia de potencial tal que, el mayor
potencial esté en la parte P (Ánodo) y el menor potencial en la parte N (Cátodo).

En este caso, la polarización directa de la unión favorece a la corriente de difusión o de portadores

mayoritarios. El mayor potencial aplicado a P (representado por el positivo de la batería), repele a
los huecos de P y le da la suficiente energía para que atraviesen la barrera y sean atraídos por la
parte N
El menor potencial aplicado a N (representado por el negativo de la batería), repele a los electrones
de N y le da la suficiente energía para que atraviesen la barrera y sean atraídos por la parte P.

Bajo estas condiciones, la unión P-N o diodo semiconductor presenta una baja resistencia al paso de
la corriente.

Funcionamiento en polarización inversa

Se produce cuando se le aplica al diodo semiconductor una diferencia de potencial tal que, el mayor
potencial esté en la parte N (Cátodo) y el menor potencial en la parte P (Ánodo).

En este caso, la polarización inversa de la unión

hace que aumente la región de carga espacial
favoreciendo a la corriente de deriva o de portadores
minoritarios. El mayor potencial aplicado a N (representado por el positivo de la batería), atrae a los
electrones de N y el menor potencial aplicado a P (representado por el negativo de la batería), atrae
a los huecos de P.

Bajo estas condiciones, la unión P-N o diodo semiconductor presenta una alta resistencia al paso de
la corriente.

El diodo ideal. Característica Volt-Ampèrica

Observando la curva se ve que la corriente en este dispositivo circula sólo en una dirección por lo
que el diodo ideal resulta ser un elemento de circuito unilateral. Esta cualidad tiene interés en la
conmutación ya que de ella se deriva una característica ON-OFF (cerrado-abierto). Observe que
cuando Vo es cero, i puede tener cualquier valor positivo, y que con cualquier valor negativo de V, i
es cero, condiciones que corresponden a un interruptor. Esta propiedad del diodo se utiliza
ampliamente para la rectificación y formación de ondas ya que es la única apropiada para la
transmisión y procesado de señales de la polaridad adecuada.
El diodo real. Característica Volt-Ampèrica

Comparando la característica volt-ampèrica real con la ideal se ve que el diodo real tiene una
pequeña pero no nula corriente inversa y que existe una caída de tensión con la polarización directa
conocida como tensión umbral Vɤ=0.6.

Fenómeno de ruptura y avalancha

La multiplicación de avalancha y la ruptura Zener son los dos procesos que provocan la zona de
ruptura en la característica con polarización inversa. Los diodos que posean una disipación de
potencia adecuada para trabajar en la región de ruptura se denominan Diodos Zener (la
denominación de «diodo Zener» se emplea independientemente del mecanismo de ruptura). Estos
elementos se emplean como reguladores de tensión así como en otras aplicaciones que requieran
una tensión de referencia constante.

En la práctica, no hay distinción entre los efectos zener y en avalancha, porque ambos llevan a una
gran corriente inversa. Cuando ocurre una ruptura con V< 5 V (como en uniones excesivamente
impurificadas), se trata de una ruptura zener. Cuando ocurre con V> 7 V (aproximadamente), es
una ruptura en avalancha. Cuando la unión se rompe con un voltaje entre 5 y 7 V, la ruptura puede
ser zener o en avalancha, o una combinación de las dos.

Modelos de diodos de pequeña señal. Capacidades de la unión.

En una unión polarizada en directa, algunos huecos se difunden desde el lado p al n. En

consecuencia en el lado n y junto a la unión tenemos una concentración de huecos mayor de lo
normal debido precisamente a esa difusión. Este exceso de densidad de huecos puede
considerarse como una carga almacenada en la vecindad de la unión. La cuantía de ese exceso la
establece el grado de polarización directa. Al irse apartando de la unión decrece el exceso de
huecos por su recombinación con los electrones mayoritarios. Lo mismo puede decirse de los
electrones que pasan al lado p. Si ahora se aplica una señal que incremente la polarización directa,
la mayor difusión de huecos (electrones) provoca una variación en la carga almacenada cerca de la
unión. La variación de la carga almacenada respecto al voltaje de polarización directa define la
capacidad de difusión Cd.

Como modelo del diodo con polarización inversa se utiliza el circuito equivalente de la figura. La
resistencia r, con el subíndice r que significa que el diodo tiene polarización inversa. El elemento
C, llamado capacidad de deplexión, transición, barrera o de carga espacial representa la variación
de la carga almacenada en la región de deplexión respecto a la variación de tensión en la unión. El
aumento del nivel de polarización inversa hacía incrementar el ancho W de la zona de deplexión.
Un aumento en W va acompañado de iones adicionales descubiertos en la región de la carga
espacial. Ya que existen iones positivos en un lado de la unión y negativos en el otro, C, equivale a
un condensador paralelo. Se debe tener en cuenta que W es función de la tensión de polarización
inversa por lo que C, depende de la tensión.

Tanto con polarización directa como con inversa existen las capacidades de deplexión y de
difusión, pero con polarización directa el valor de la capacidad de deplexión es tan pequeño al lado
de Cd que generalmente se desprecia. Análogamente en un diodo con polarización inversa existe
una pequeña difusión de portadores, pero esta capacidad es despreciable frente a Ct.

Parámetros termosensibles

Las variaciones de la temperatura provocan variaciones de los parámetros termosensibles. Éstos

son, el Vd, que disminuye 2.2 mV por grado centígrado y la corriente inversa Is que se duplica por
cada 10 grados de aumento de la temperatura.

Bibliografía.

• Texto básico: Microelectronics, Second Edition.Autores J. Millman and A.Grabel

• Integrated Electronics Analog and digital Systems. Autores Jacob Millman and
Christos Halkias
• Circuitos Microelectrónicos. Análisis y diseño. Autor Rashid
• Multimedia y/o PDF “Temas de Electrónica Analógica I”. Universidad de Oriente.
Facultad de Ingeniería Eléctrica. Departamento de Telecomunicaciones. Autores
MsC. Ing Daniel Iván Garrido Rodríguez. Leandro Fidalgo Busquets.
• Notas de clase