TRABAJO PRÁCTICO

INDIVIDUAL
DE ELECTRONICA
BASICA

TEMA: DIODOS

Alumno: Pedro Fariña

Prof: Cristhian Escurra
1.1 Enlace covalente y materiales intrínsecos

1. Bosqueje la estructura atómica del cobre y explique por qué es un buen

conductor y en qué forma su estructura es diferente de la del germanio, el
silicio y el arseniuro de galio.

El cobre tiene 20 electrones orbitando con solo 1 electrón en su capa más externa y
distante del núcleo nos dice que este electrón esta débilmente ligado a su átomo
principal y puede ser tomado fácilmente con la aplicación de un campo eléctrico
externo.

Cuentan con un gran número de electrones libres que se mueven a través del
material, facilitando la transmisión de la carga de un objeto a otro.

En cambio el Silicio (Si) y el Germanio (Ge) tienen capas exteriores completas

debido al intercambio (covalente unión) de electrones entre átomos.

Electrones que son parte de una estructura de caparazón completa requieren

mayores niveles de fuerzas atractivas para ser eliminados de su átomo padre.
2. Con sus propias palabras, defina un material intrínseco, coeficiente de
temperatura negativo y enlace covalente.

Un material intrínseco es un material que ha sido refinado para eliminar la mayoría

de las impurezas para que quede lo más puro posible.
 El coeficiente de temperatura negativo: significa que el nivel de resistencia va
disminuyendo cuando la temperatura va en aumento.
El enlace covalente es la combinación de electrones entre los átomos más cercanos
para complete las capas externas y formar una estructura más estable, es decir, a
como están enlazados los átomos entre sí para formar una estructura más cristalina.

2.1 Materiales extrínsecos: materiales tipo n y tipo p

Los semiconductores del tipo p y del tipo n son semiconductores extrínsecos. El

semiconductor se puede clasificar en base a su dopaje; como intrínseco y extrínseco
según la relación de pureza de sí mismos.

Un semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado

añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el
número de portadores de carga libres (en este caso negativas o electrones).

El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores

en el material.

Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo

un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de
portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos)

El propósito del dopaje tipo p es el de crear abundancia de huecos.

3. Describa la diferencia entre materiales semiconductores tipo n y tipo p.

Los principales factores que provocan las diferencias entre los semiconductores de tipo P y
los semiconductores de tipo N.

Para la elaboración del material semiconductor del tipo p; se realizar agregando los
elementos del grupo III de la tabla periódica química.
Para la elaboración del material semiconductor del tipo n; se logran agregando los
elementos del grupo V de la tabla periódica química.

• Son elementos del grupo III ver en la imagen de la tabla periódica química Al, Ga,
In, etc.
• El semiconductor de tipo P normalmente se forman agregando impurezas
trivalentes.
• Debido a la concentración de agujeros es alta, este semiconductor llevará una carga
preferentemente +Ve.
• Tendremos que el movimiento del portador de carga mayoritario será de alto
potencial a bajo potencial.
• Se denominan aceptadores debido a la formación de agujeros en este
semiconductor.
• La conductividad que poseen los del tipo P se deberá por la presencia que tienen
los portadores de carga mayoritarios debido a los agujeros.
• En el proceso de dopaje cuando se le agrega la impureza, como resultado se
obtendrán huecos (espacio sin electrones). El cual se nombrará como átomo aceptor.
• Aquí tenemos que los portadores de cargas mayoritarios son los huecos y que los
portadores de cargas minoritarias serán los electrones.
• Tenemos que el nivel de Fermi del semiconductor de tipo P; se encuentra entre el
nivel de energía del aceptor y con el de la banda de valencia.
• La densidad que poseen los huecos serán mucho mayor a la densidad de
los electrones; la cual se representa (nh >> ne).
• El nivel de concentración en los portadores de carga mayoritarios será superior.
• En el caso del tipo P; encontramos que el nivel de energía del aceptor está
muy cerca de la banda de valencia y ausente de la banda de conducción

- Diferencias Generales del Semiconductor tipo N

Son elementos del grupo V ver en la imagen de la tabla periódica química As, Sb, P, Bi,
etc.

El semiconductor de tipo N normalmente se forman agregando impurezas pentavalentes.

Debido a la concentración de electrones, este semiconductor llevará una carga

preferentemente -Ve.

Tendremos que el movimiento del portador de carga mayoritario será de bajo potencial a
alto potencial.

Se denominan aceptores debido a la formación de electrones en este semiconductor.

La conductividad que poseen los del tipo N se deberá por la presencia que tienen los
portadores de carga mayoritarios ya que son electrones.
En el proceso de dopaje cuando se le agrega la impureza, se obtendrán unos electrones
adicionales extras. El cual se nombrará como átomo donante.

Aquí tenemos que los portadores de cargas mayoritarias son los electrones y los portadores
de cargas minoritarios son los huecos.

Tenemos que el nivel de Fermi en los semiconductores tipo N; se encuentra entre el nivel
de energía del donante y con la banda de conducción.

La densidad que poseen los electrones será mucho mayor que la densidad que poseen lo
huecos; la cual se representa (ne >> nh).

El nivel de concentración en los portadores de carga mayoritarios es superior.

En el caso del tipo N; encontramos que el nivel de energía del donante está muy cerca de la
banda de conducción y ausente de la banda de valencia.

4. Describa la diferencia entre impurezas de donadores y aceptores.

Las impurezas de donadores son difundidas con cinco (5) electrones de valencia, mientras
que las impurezas de aceptores son difundidas con tres (3) electrones de valencia.
 5. Describa la diferencia entre portadores mayoritarios y minoritarios.

Los portadores mayoritarios son los huecos, mientras que los portadores minoritarios son
los electrones. El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo
que estos electrones se dirigen hacia la unión p- n.

6. Bosqueje la estructura atómica del silicio e inserte una impureza de arsénico

como se demostró para el silicio en la figura 1.7.

7. Repita el problema 6, pero ahora inserte una impureza de indio.

1.3 Diodo semiconductor

Un diodo es un dispositivo semiconductor que actúa esencialmente como un

interruptor unidireccional para la corriente. Permite que la corriente fluya en una
dirección, pero no permite a la corriente fluir en la dirección opuesta.

8. Describa con sus propias palabras las condiciones establecidas por condiciones
de polarización en directa y en inversa en un diodo de unión p_n y cómo se ve
afectada la corriente resultante.

Al conectar el terminal positivo al material tipo n y el negativo conectado al

material tipo p ya que el número de iones positivos en la región de empobrecimiento
 del material tipo n se incrementara para la gran cantidad de electrones libres
atraídos por el voltaje aplicado. La aplicación de un potencial de polarización en
directa VD "presionará" a los electrones en el material tipo n y a los huecos en el
material tipo p para que se recombinen con los iones próximos al límite y reducirá
el ancho de la región de empobrecimiento

1.4 Lo ideal vs. lo práctico

El diodo semiconductor se comporta como un interruptor mecánico en el sentido de que

puede controlar el flujo de corriente entre sus 2 terminales, pero a la vez es diferente del
interruptor mecánico en el sentido de que cuando éste se cierra sólo permite que la corriente
fluya en una dirección.

9. Describa con sus propias palabras el significado de la palabra ideal como se

aplica a un dispositivo o a un sistema.

Se dice que un diodo es ideal cuando esta tiene una buena aproximación de la respuesta
general del diseño es decir, las tolerancias de fabricación cuando este es más preciso a sus
características reales de funcionamiento.

10. ¿Cómo se verifica si un diodo está funcionando correctamente? Describir.

Un diodo defectuoso (abierto) no permite que la corriente fluya en ambos sentidos. El

multímetro mostrará OL en ambas direcciones cuando el diodo esté abierto.

EJERCICIOS 2.1 Análisis por medio de la recta de carga

1. a. Utilizando de las características de la figura 2.147, determine ID, VD y VR para el

circuito de la figura 2.147a.
 𝐸
a) ID=
𝑅

8√
ID= 330Ω
0,33 𝐾𝛺 →

0,02424 A

ID= 24,24 mA

VD= 8V QVD=0,92V

VR= E – VD

VR= 8V -0,92 V

VR= 7,08 V

b. Repita la parte (a) utilizando el modelo aproximado del diodo y compare los
resultados.

1 Diodo de Silicio= 0,7 voltios

VD= 0,7

VR= E – VD

VR= 8V – 0,7 V

VR= 7,3 V

En a el VR fue de 7,08 V y en b el VR fue de 7,3 V, los niveles de

voltaje son bastante aproximados, cercanos.

c. Repita la parte (a) utilizando el modelo ideal del diodo y compare los
resultados.

c) Modelo ideal del Diodo

VD= 0

VR= EV – 0V

VR= 8V
2. a. Con las características de la figura 2.147b, determine ID y VD para el circuito de la
figura 2.148.

Fig. 2.147

2. a 2,2 KΩ
5V

Figura 2148
VD= 5V
𝐸
ID= 𝑅

5𝑉
ID= 2,2𝐾𝛺

ID= 2,27 mA
b. Repita la parte (a) con R = 0.47 k ohm

b Repita la parte a con R= 0,47 KΩ

VD= 5V
𝐸
ID= 𝑅

5𝑉
ID= 0,47 𝐾𝛺

ID= 10,63 mA

c. Repita la parte (a) con R = 0.18 k ohm

c Repita la parte a con R= 0,18 𝐾𝛺

VD= 5V
𝐸
ID= 𝑅

5𝑉
ID= 0,18 𝐾𝛺

ID= 27,7 mA

d. ¿El nivel de VD es relativamente cercano a 0,7 V en cada caso? ¿Cómo se

comparan los niveles resultantes de ID? Comente

Los valores resultantes de VD son bastante cercanos

3. Determine el valor de R para el circuito de la figura 2.148 que producirá una

corriente a través del diodo de 10 mA si E _ 7 V. Use las características de la figura
2.147b para el diodo.
I= 10mA VD= 0,7V

VR= 7V – 0,7 V= 6,3 V

V= I R

V= I R

6,3 V = 10mA . R 7V R

6,3 𝑉= 6,3 𝑉
R = I= 10 mA
10𝑚𝐴 10 𝑋 10−3

630 𝛺 = R

4. a. Con las características aproximadas del diodo de Si, determine VD, ID y VR

para el circuito de la figura 2.149.

VD= 0,7 v VR = 30 V – 0,7 V

 30 𝑉−0,7 𝑉
I= VR= 29,3V
2200𝛺

I = 0,01331 A
I= 13.33 mA
b. Realice el mismo análisis de la parte (a) con el modelo ideal para el diodo.

b Consumo ideal no consume nada!

VD= 0

30 𝑉−
I= VR= 30V
2200𝛺

I= 0,01363 A

I= 13,63mA

c. ¿Sugieren los resultados obtenidos en las partes (a) y (b) que el modelo ideal puede
ser una buena aproximación de la respuesta real en algunas condiciones?

Sí, desde E V T los niveles de ID y VR son bastante cercanos.

5. Determine la corriente I para cada una de las configuraciones de la figura 2.150
utilizando el modelo equivalente del diodo para los casos a y b.
 Polarizado en forma inversa

VD= 0,7 V (Diodo Silicio)

R 10 𝛺
12
E= 20 V
I

VR= 20 V – 0,7 V
I= OA
VR= 19,3 V
IC= OmA

25 b
𝑉𝑅 19,3𝑉
I= = = 0,965 A
𝑅 20 𝑉

25 c I = 965 mA

𝑽
I= =
𝑹

𝟏𝟎 𝑽
I= = 1A
𝟏𝟎

6. Determine Vo e ID para las redes de la figura 2.151.

a Vo= SV – 0,7 V
b ID = 8V – 0,7 V = 1,24 mA Vo= 4,3 V

12 KΩ + 4,7 KΩ 4,3 𝑉
ID=
2,2 𝐾𝛺

ID= 1,9 mA

Vo= V 4,7 KΩ + VD= (1,24 mA . 4,7 KΩ) + 0,7 V = 6,𝟓𝟑 𝑽

7. Determine el nivel de Vo para cada una de las redes de la figura 2.152.

Si = 0,7 V

𝐺𝑒𝑣 = 0,3 V

2𝐾𝛺 (20𝑣−0,7𝑣−0,3𝑉)
𝑉𝑅1 + 𝑉𝑅2 = 20v – 0,7V – 0,3 V 𝑉𝑜 =
2𝐾𝛺+2𝐾𝛺

1 1
𝑉𝑅1 + 𝑉𝑅2 = 19 V 𝑉𝑜 = (20v – 1v) = 2 (19 v)
2

𝑉𝑅1 = 𝑉𝑅2

𝑉𝑅2 Vo= 9,5 V 𝑉𝑜 = 9,5 𝑉

8. Determine Vo e ID para las redes de la figura 2.153.

Para el circuito a), se tiene que la cte. de la fuente de 10 mA, va a buscar entrar en el ánodo del
diado del silicio, por lo tanto esta en directo la cte. fluirá por el circuito, haciendo una trasformación
de la fuente.

Valor de
22 𝑉−0,7𝑣
E ID=
2,2 𝐾+1,2 𝐾
V= I . R

E= 10m A (2,2 KΩ) = ID= 6,26mA

E= 22 V
Vo= IdR

Vo= 6,26 mA . (1,2 KΩ)

20𝑣+5𝑣 .0,7𝑣
Id = Vo= 7,5v
6,8 𝐾𝛺

Id= 3,58 mA
Vo= 0,7v + 5v=0

Vo= 4,3 v
REFERENCIA BIBLIOGRÁFICA

o (s.f.) Recuperado el 24 de setiembre de 2024, de

https://prezi.com/p/hw4lbuttgo94/tarea-grupal-1/

o G.A. Ruiz (2009): «Electrónica básica para ingenieros». Servicio de Publicaciones de

la Universidad de Cantabria.