Resumen videos Semiconductores ____Jorge Lopez

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Semiconductores 01, Estructura atómica, Intrínseco,

Extrínseco, Impurezas pentavalentes, trivalentes
Los semiconductores juegan un papel fundamental en la electrónica
moderna porque todos los aparatos electrónicos de hoy en día
tienen en su interior un sinfín de componentes semiconductores.
La estructura atómica, se sabe que todos los materiales tienen un
número atómico y que nos indica ese número atómico a bueno es el
que nos provee información de cómo es la estructura de los átomos
de los materiales en otras palabras nos indica la cantidad de
electrones y protones con los que se conforman cada uno de los
átomos del material en cuestión cada átomo se conforma por
órbitas formalmente llamadas capas de valencia.
Estas líneas en forma de óvalo donde se encuentran girando dichos
electrones como si fuesen planetas y girando alrededor del sol.
los protones las cargas positivas y haciendo la aclaración que las
cargas de signos opuestos se atraen así que la función principal de
estos protones es mantener cierta fuerza de atracción para que los
electrones no escapen de sus órbitas.
Este equilibrio natural de los átomos se debe a que la misma
cantidad de protones en el núcleo es la misma cantidad de
electrones que giran sobre las líneas de valencia toda vez que el
átomo se encuentra en reposo que quiere decir que el átomo se
encuentra a temperatura envía sin excitación alguna verdad y
entonces es evidente que los electrones que están en las líneas de
valencia más próximas al núcleo experimentan una fuerza de
atracción mayúscula al núcleo que los electrones que se encuentran
en las líneas de valencia más alejadas de él por lo tanto un electrón
en la última línea de valencia resultará sencillo sacarlo de su órbita
con una pequeña excitación debido a la leve fuerza de atracción
que experimenta con el núcleo.
A estos electrones que se desprenden de sus órbitas se llaman
electrones libres porque ya no están atados a ningún átomo. Son
libres de irse a cualquier otro lado y en su lugar dejan un hueco en
la línea de valencia donde salieron.
Los electrones estando ya sea en sus respectivas capas de
valencia o como electrones libres nunca se tocan nunca chocan uno
con él otro. El número máximo de electrones que puede haber en
cada capa de valencia por una ecuación donde n representa el
número de la capa de valencia.
El cobre tiene un electrón en la última capa de valencia resulta
sencillo que se vuelva un electrón libre ante una excitación mínima
y es por ello por lo que el cobre es un excelente conductor de flujo
de electrones alias corriente eléctrica. En la electrónica tenemos
interés en los electrones que se encuentran en la última capa de
valencia.
En 1917 Gilbert Newton Lewis anunció la regla del octeto que dice
que cuando los átomos completan sus últimas capas de valencia
con 8 electrones la forma que adquiere es una estructura muy
estable que nos da luz a que haya electrones libres y a este efecto
le llamo saturación de valencia.
Un semiconductor intrínseco es aquel que nos da lugar a huecos y
electrones libres y por lo tanto por está como un perfecto aislante. a
diferencia de un semiconductor extrínseco un semiconductor
extrínseco incrementa la conductividad en el semiconductor.
Semiconductores 02, La unión PN, Semiconductor tipo P,
Semiconductor tipo N
Un semiconductor tipo n es un semiconductor extrínseco de
germanio o de silicio topado con impurezas de fósforo o arsénico
que donan un electrón por cada átomo porque son átomos
pentavalentes. El resultado de este semiconductor tipo n en reposo
es que tiene muchos electrones libres, unos cuantos huecos
producto de la emisión térmica al tener en su mayoría electrones
libres tiene una resistencia baja porque sus impurezas que son
donadoras.
el semiconductor tipo p del cual se sabe es un semiconductor
extrínseco de germanio o de silicio dopado con impurezas de boro
aluminio o galio que donan un hueco por cada átomo porque son
átomos trivalentes. El resultado de este semiconductor tipo p en
reposo, así como esta es que tiene muchos huecos debido a las
impurezas trivalentes y unos cuantos electrones libres producto de
la emisión térmica. En su mayoría algunos de estos huecos
mayoritarios son atraídos por la placa negativa ayudándose de los
electrones vecinos que haya en su vecindad.
el semiconductor tipo p ahora por al izado se comporta como un
conductor que permite amigablemente el flujo de electrones o
corriente eléctrica, en resumen, un material tipo n tiene impurezas
con electrones mayoritarios que al ejercer una corriente eléctrica a
través de él se comporta como un aislante perfecto y por lo tanto
tendrá una resistencia muy grande un material tipo p tiene
impurezas con huecos mayoritarios es decir tiene impurezas.
Un material tipo n y la otra mitad de tipo p y unir estos dos cristales
extrínsecos a esta unión se le denomina unión p n y justo donde se
encuentra la unión de dichos cristales se conforma una línea
llamada acertadamente línea de unión los electrones libres del lado
del material n se mueven en todas direcciones, que cuando un
electrón es libre ya no está atado a ningún átomo y por lo tanto
tiene la libertad de moverse a donde quiera incluso algunos que
otros de estos electrones puede llegar a traspasar la línea de unión.
El semiconductor que revolucionó a los tubos de vacío también
llamados bulbos y que sin este descubrimiento sin duda muy
probablemente no estaríamos viviendo esta nueva era de revolución
tecnológica en la que hoy nos encontramos. La unión pn y es que el
voltaje que habrá en dicho potencial depende básicamente de tres
cosas:
1- Depende de la cantidad de dopado tanto del material n como del
material p.
2- Depende también de la temperatura a la que esté expuesta este
material.
3- Depende pues obviamente del tipo de material típicamente los
fabricantes hacen que a temperatura ambiente igual a 25 grados
centígrados el potencial de barrera sea aproximadamente punto 7
volts para el silicio y punto 3 volts para el germanio.
Semiconductores 03, Unión PN polarizada en directa, Diodo
polarizado en directa.
El diodo es un elemento de circuito no lineal muy simple.
un circuito lineal es una resistencia tiene una relación lineal entre el
voltaje y la corriente. Por esta razón la ley de ohm se lee como el
voltaje es directamente proporcional a la corriente y está constante
de proporcionalidad se llama resistencia.
Un elemento no lineal como el diodo tiene una relación entre el
voltaje y la corriente que no es una recta. pero esto lo sabremos a
detalle comprendiendo su funcionamiento al polarizar la unión pn,
que se conoce como diodo.
Un diodo es la unión pn que ahora lo polarizamos en directo
polarizar indirecta significa que el lado del material tipo n que tiene
portadores de carga mayoritarios negativos, es decir, electrones
libres colocamos una placa negativa. y del otro lado del material tipo
p que tiene portadores de carga mayoritarios positivos, conocido
como huecos colocamos una placa positiva.
Semiconductores 04, Unión PN polarizada en inversa, Diodo
polarizado en inversa.
Polarizar en inversa significa voltear la fuente de tensión, ahora la
polaridad de la fuente está invertida, es decir, la placa positiva se
encuentra conectada a la región en donde los portadores de carga
mayoritarios son electrones. Y la placa negativa está conectada a la
región donde los portadores de carga mayoritarios son huecos o
cargas positivas.
Al tener la atención en inversa pues ahora, el diodo se comporta de
la siguiente manera los electrones libres del lado del material tipo n
se sientan atraídos por la placa positiva de la fuente al circular por
el exterior forman una pequeña corriente los electrones
provenientes del exterior entran al material tipo p y se van
combinando con los huecos intentando llegar nuevamente a la
placa positiva pero no lo lograrán tan fácil porque se interpone la
barrera de potencial con este hecho ocurren tres cosas relevantes:
La primera es que este movimiento de electrones en el
semiconductor produce decíamos una pequeña corriente de
transición habitualmente llamada IS.
Lo segundo que ocurre es que ahora los iones positivos y los iones
negativos tanto de lado n como del lado p han aumentado en otras
palabras la zona de empobrecimiento ahora tiene más potencial.
Lo tercero, la barrera de potencial pues aumenta.
A medida que las regiones n&p se van quedando sin portadores de
carga mayoritarios la intensidad del campo eléctrico entre las zonas
de empobrecimiento aumenta hasta que el potencial a través de
estas regiones es igual al voltaje de polarización de la fuente, y en
ese momento la corriente de transición esencialmente cesa. Esta
pequeña corriente dura mientras las zonas de empobrecimiento
quedan cargadas al valor de la fuente.
La corriente transitoria a aquella corriente eléctrica en la que el flujo
de cargas o bien tiende a extinguirse por cesar la causa que lo
produce, o bien a estabilizarse en un valor constante tras un
período de oscilación.
El efecto avalancha ocurre en diodos donde un lado de la juntura
está fuertemente dopado respecto del otro. La tensión de ruptura,
en estos casos, es inversamente proporcional a la concentración de
impurezas del lado menos dopado. La tensión de ruptura suele ser
muy grande superior a los 30 ó 40 volts para diodos rectificadores.
la mayoría de los diodos no son operados en condiciones de ruptura
en inversa debido a que la multiplicación de los electrones de
conducción en inversa suele ser muy grande para pequeñas
variaciones de la tensión de la fuente. el mismo calentamiento
puede dañar permanentemente al semiconductor y es por ello por lo
que la mayoría de estos diodos solo se les utiliza con polarización
indirecta.
un diodo se puede utilizar polarizado en inversa para numerosas
aplicaciones la recomendación es de limitar la corriente inversa con
una resistencia adecuada la mayoría de las aplicaciones donde se
utiliza el diodo polarizado en inversa no requieren tanta atención
como los 50 o 60 bolsas de ruptura, sino que se requiere de mucho
menos tensión por ejemplo menos de 10 volts.
pues aproximadamente a mediados del siglo 20 Clarence Melvin
Zener doctor en grado de Harvard fue quien logró la propiedad de
ruptura en inversa atenciones menores a los 10 volts y en honor a él
los diodos fuertemente utilizados en la industria por cierto para
estos propósitos honorablemente llevan su nombre diodo Zener.
Al efecto avalancha que surge a menor tensión apropiadamente se
le denomina voltaje Zener.