Unidad I. 1er Parcial

UNIDAD I .
INTRODUCCIÓN A LA ELECTRÓNICA DE
POTENCIA Y CIRCUITOS DE DISPARO
CONTENIDO
1.1. Antecedentes de la Electrónica de Potencia.
1.1.1. Terminología y principios de operación de la familia de los tiristores, ( SCR, TRIAC, UJT,
PUT,ETC.).
1.1.2. Clasificación y características voltaje corriente de los tiristores, (dispositivos, símbolo,
características eléctricas y su clasificación en unidireccionales y bidireccionales.
1.2. Circuitos de Disparo.
1.2.1. Circuitos de disparo sin aislamiento: Redes Pasivas, (resistivas y RC).
1.2.2. Circuitos de disparo con aislamiento.
1.2.2.1. Acoplados ópticamente.
1.2.2.2. Acoplados magnéticamente.
1.2.3. Circuitos de disparo con dispositivos Digitales.
1.2.3.1. Timer.
1.2.3.2. Divisores de frecuencia.
1.2.3.3. Detectores de cruce por cero.
1.2.3.4. Microcontroladores.
1.2.3.5. Moduladores de Ancho de Pulso.
1.2.3.6. Módulos de potencia características y aplicación.
Dr. Juan Alfonso Salazar Torres

UNIDAD I . INTRODUCCIÓN A LA ELECTRÓNICA DE
1.1 INTRODUCCIÓN DE LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA.
• No controlados: Aquellos que su estado de conducción y apertura depende solo del
circuito de potencia, no dispone de un control externo (diodo de potencia).
Semiconductores de potencia • Semi controlados: Aquellos en que su estado de conducción es controlado por una
Se caracterizan porque trabajan con tensiones terminal externa y la apertura por el circuito de potencia (Tiristores como el SCR y
y corrientes medias y altas (Diodos TRIAC).
Transistores, tiristores, etc.). Se pueden
clasificar de acuerdo a su modo de control en: • Controlados: Aquellos que tanto su estado de conducción como de apertura son
controlados por una terminal externa Gate (BJT, MOSFET, IGBT, GTO).

1.1.1 y 1.1.2 SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Circuito equivalente
Símbolo Estructura
Encapsulados

1.1.1 y 1.1.2 SCR Características y parámetros estáticos

VDSM:Tensión de pico no repetitivo en estado de bloqueo directo. (Non -repetitive peak off
- state voltage). Valor máximo de tensión en sentido directo que se puede aplicar durante
un determinado periodo de tiempo con la puerta abierta sin provocar el disparo.
VDRM: Tensión de pico repetitivo en estado de bloqueo directo. (Repetitive peak off-state
voltage). Expresa el valor máximo de voltaje repetitivo para el cual el fabricante garantiza
que no hay conmutación, con la puerta en circuito abierto.
VDWM: Tensión máxima directa en estado de trabajo. (Crest working off - state voltage).
Valor máximo de tensión en condiciones normales de funcionamiento.
VRWM : Tensión inversa máxima de trabajo. (Crest working reverse voltage). Tensión
máxima que puede soportar el tiristor con la puerta abierta, de forma continuada, sin
peligro de ruptura.
VRRM: Tensión inversa de pico repetitivo. (Repetitive peak reverse voltage). Valor máximo de tensión que se puede aplicar durante un cierto
periodo de tiempo con el terminal de puerta abierto.
VRSM: Tensión inversa de pico no repetitivo. (Non - repetitive peak reverse voltage). Valor máximo de tensión que se puede aplicar con el
terminal de puerta abierto.


VBO: Voltaje de ruptura directo. Es el voltaje por arriba del cual el SCR
entra a la región de conducción.
VBR: Tensión inversa de ruptura. (Breakdown voltage). Valor límite que si
es alcanzado un determinado tiempo en algún momento, puede destruir o
al menos degradar las características eléctricas del tiristor.
VG ó VGT : Tensión de disparo de puerta. (Gate voltage to trigger). Voltaje

de encendido de compuerta que asegura el disparo con tensión ánodo -
cátodo en directo.
VT: Tensión en extremos del tiristor en estado de conducción. (Forward
on - state voltage).
VGNT: Tensión de puerta que no provoca el disparo. (Non - triggering gate
voltage). Voltaje de puerta máximo que no produce disparo, a una
temperatura determinada.
VRGM: Tensión inversa de puerta máxima. (Peak reverse gate voltage).
Máxima tensión inversa que se puede aplicar a la puerta.


IT(AV): Corriente directa promedio. (Average on - state current). Valor máximo de la
corriente media en el sentido directo, para unas condiciones dadas de temperatura,
frecuencia, forma de onda y ángulo de conducción.
IT(RMS): Corriente directa eficaz. (R.M.S. on state current).
ITSM: Corriente directa de pico no repetitiva. (Peak one cycle surge on - state
current). Corriente máxima que puede soportar el tiristor durante un cierto periodo
de tiempo.
ITRM: Corriente directa de pico repetitivo. (Repetitive peak on - state current).

Intensidad máxima que puede ser soportada por el dispositivo por tiempo indefinido a
una determinada temperatura.
IDRM: Corriente directa en estado de bloqueo. (Off - state current).
IRRM: Corriente inversa máxima repetitiva. (Corriente inversa). (Reverse current). Valor
de la corriente del tiristor en estado de bloqueo inverso.

IL: Corriente de enganche. (Latching current). Corriente de ánodo mínima que

hace cambiar al tiristor del estado de bloqueo al estado de conducción.
IH: Corriente de mantenimiento. (Holding current). Mínima corriente de ánodo

que conserva al tiristor en su estado de conducción.
IGT: Corriente de disparo de puerta. (Gate current to trigger). Corriente de

puerta que asegura el disparo con un determinado voltaje de ánodo.
IGNT: Corriente de puerta que no provoca el disparo. (Non-triggering gate

current).

1.1.1 y 1.1.2 SCR Características y parámetros dinámicos
tON: tiempo de encendido o tiempo en pasar de corte a conducción, se

puede dividir en dos tiempos: Tiempo de retardo, td y Tiempo de subida,
tr
tON= td+tr
td: Tiempo de retardo. (Delay time). Es el tiempo que transcurre desde

que el flanco de ataque de la corriente de puerta alcanza la mitad de su
valor final (50%) hasta que la corriente de ánodo (IA) alcanza el 10% de
su valor máximo para una carga resistiva
tr: Tiempo de subida (Rise time.). Es el tiempo necesario para que la

corriente de ánodo IA pase del 10% al 90% de su valor máximo para una
carga resistiva. Este tiempo se corresponde también con el paso de la
caída de tensión en el tiristor del 90% al 10% de su valor inicial.

tOFF: Tiempo de apagado. Es el tiempo que tarda del estado

de conducción al estado de bloqueo. El tiempo de apagado, se
puede subdividir en dos tiempos parciales: el tiempo de
recuperación inversa, trr y el tiempo de recuperación de
puerta, tgr
tOFF = trr +tgr
trr= Tiempo de recuperación inversa. Tiempo que trascurre

desde que la tensión aplicada al elemento cambia de sentido y
lo polariza inversamente, hasta que la corriente directa se
anula, y alcanzá un valor débil de corriente inversa Irr (t1 a t3)
tgr= Tiempo de recuperación de puerta. Tiempo que trascurre

en que la puerta recupera su capacidad de control, es decir
vuelve a aplicarse la tensión directa sin riesgo de un nuevo
cebado. (t3 a t6)


di/dt: Valor mínimo de la pendiente de la intensidad por debajo de la cual no se
producen puntos calientes.
dv/dt: Valor mínimo de la pendiente de tensión por debajo de la cual no se

produce el cebado sin señal de puerta.
(dv/dt)C: Valor mínimo de la pendiente de tensión por debajo de la cual no se

produce el nuevo cebado del SCR cuando pasa de conducción a corte.
Tstg: Temperatura de almacenamiento. (Storage temperature range). Margen de

temperatura de almacenamiento.
Tj: Temperatura de la unión. (Juntion temperature). Indica el margen de la

temperatura de la unión, en funcionamiento.
I2t: Valor límite para protección contra sobreintensidades. (I2t Limit value). Se
define como la capacidad de soportar un exceso de corriente durante un tiempo
inferior a medio ciclo. Permite calcular el tipo de protección. Se debe elegir un
valor de I2t para el fusible de forma que:
I2t (fusible) < I2t (tiristor)

1.1.1 y 1.1.2 SCR Operación

El SCR puede operar en las siguientes zonas: Zonas de operación
Avalancha: Destrucción del elemento. (Zona A-B)
Bloqueo inverso: Actúa con un interruptor abierto, para entrar a esta zona
el voltaje ánodo – cátodo se encuentra polarizado inversamente (Vak < 0).
(Zona B-C)
Bloqueo directo: el voltaje ánodo – cátodo esta polarizado directamente

(Vak>0) pero en esta zona no existe una corriente de disparo en la compuerta
(Gate). (ZonaC - D)
Resistencia Negativa. Conforme aumenta IG se reduce el voltaje de

bloqueo directo y cuando llega al valor de corriente de enganche entra a
conducir. (Zona D – E)
Conducción: el voltaje ánodo – cátodo esta polarizado directamente (Vak>0)

y también existe una corriente de disparo en la compuerta (Gate), actúa como
un interruptor cerrado. (Zona E – F).

Formas de disparo indeseado:

• Por di/dt
• Por dv/dt Métodos de disparo
Control de fase Cruce por cero
• Por radiación de luz


Conmutación forzada
Conmutación Natural

Ejemplo:
El circuito de la figura representa un circuito simple de control de potencia que utiliza un tiristor como elemento de control de
una carga resistiva. Determinar: a) el valor de V necesario para producir el disparo del tiristor, b) la intensidad por el SCR
cuando conduce IA y, c) Suponiendo que se abre el interruptor, una vez disparado el tiristor, calcular el valor mínimo de tensión,
VE que provoca el apagado del mismo.
Datos:
VE = 300V, R = 500Ω, RL = 20Ω
SCR:VT = 2V, IH = 100mA,VG = 0.75V, IG = 10mA
Solución:
a) 𝑉 = 𝑉𝑅 + 𝑉𝐺 = 𝐼𝐺 𝑅 + 𝑉𝐺 = 10𝑚𝐴 (500Ω) + 0.75𝑉 = 5𝑉 + 0.75𝑉 ≥ 𝟓. 𝟕𝟓𝐕

𝑉𝐸 − 𝑉𝑇 300𝑉 − 2𝑉
b) 𝐼𝐴 = = = 𝟏𝟒. 𝟗𝐀
𝑅𝐿 20Ω
𝑉𝐸 − 𝑉𝑇 𝑉𝐸 − 2𝑉
c) 𝐼𝐴 = → 𝐼𝐴 = ⇒ 𝑉𝐸 = 20Ω 𝐼𝐴 + 2𝑉 = 20Ω 10𝑚𝐴 + 2𝑉 ≤ 𝟒𝐕
𝑅𝐿 20Ω Dr. Juan Alfonso Salazar Torres
1.1.1 y 1.1.2 DIAC (Diode of Alternating Current) Características y parámetros

Elemento semiconductor bidireccional compuesto por dos tiristores antiparalelo sin la terminal de control con la característica en particular
de conducir en dos sentidos cuando se supera su tensión de ruptura
Características
• Es utilizado como elemento de disparo de un SCR o un TRIAC.
• La tensión que produce para el cebado es mucho menor que los tiristores (alrededor de 30V)
• Se comporta como dos diodos Zener conectados en paralelo pero orientados en formas opuestas. Conduce cuando se supera la tensión
del zener conectado en sentido opuesto.
• Normalmente no conduce, sino que tiene una pequeña corriente de fuga, la conducción aparece cuando la tensión de disparo se alcanza.
Símbolo
Estructura
Circuito Equivalente
1.1.1 y 1.1.2 DIAC Características y parámetros

Curva Característica Característica del DIAC y línea de carga
En la curva característica se observa que cuando:
+V o – V es menor que la tensión de disparo, el DIAC se comporta Parámetros Importantes

como un circuito abierto
+V o – V es mayor que la tensión de disparo, el DIAC se comporta VBO : Tensión de disparo positivo de 20 a 40volts
como un cortocircuito IBO: Corriente de disparo positivo de 10 a 200 µA.
IB: Corriente de fuga
EP,VR,VF: Tensión de recuperación Dr. Juan Alfonso Salazar Torres
1.1.1 y 1.1.2 DIAC Características y parámetros
Ejemplo:
1. En el circuito de la figura R1 = 600 Ω, VBO = 30V, Ep = 5V, Pmáx = 500mW. a)¿Que corriente pasa por el circuito en el
momento que la tensión de la fuente de alimentación E se iguala a VBO?. b) ¿Cuál es el valor máximo que puede alcanzar la fuente
de alimentación sin que se rompa el DIAC?
R1
E DIAC
Solución
𝐸 − 𝑉𝐷𝐼𝐴𝐶 𝐸 − (𝑉𝐵𝑂 −𝐸𝑃 ) 30𝑉 − 30𝑉 + 5𝑉
a) Sí E = VBO 𝐼= = = = 𝟖. 𝟑𝟑𝐦𝐀
𝑅1 𝑅1 600Ω
𝑃𝑚á𝑥 𝑃𝑚á𝑥 500𝑚𝑊

b) 𝐸𝑚á𝑥 = 𝑅1 𝐼𝑚á𝑥 + 𝑉𝐷𝐼𝐴𝐶 = 𝑅1 + 𝑉𝐷𝐼𝐴𝐶 = 𝑅1 + (𝑉𝐵𝑂 −𝐸𝑃 ) = (600Ω) + (30𝑉 − 5𝑉) = 𝟑𝟕𝐕
𝑉𝐷𝐼𝐴𝐶 (𝑉𝐵𝑂 −𝐸𝑃 ) 30𝑉 − 5𝑉

1.1.1 y 1.1.2 TRIAC (Triode of Alternating Current) Características y parámetros

Curva Característica
Elemento semiconductor bidireccional con tres terminales (MT1, MT2, G)
c
eléctricamente compuesto por dos tiristores anti-paralelo.
Características
• El circuito de control es mucho más sencillo al no existir más que un
electrodo de mando.
• Puede cambiar al estado conducción independientemente de la polaridad de
la tensión aplicada al terminal de control.
Estructura Símbolo Circuito equivalente

1.1.1 y 1.1.2 TRIAC Características y parámetros (MT2-, G+) (MT1+, G+)

MODOS DE DISPARO DEL TRIAC
• Disparo por impulsos siempre positivos (cuadrantes 1y
IV): Es la forma más cómoda si se dispone de una fuente de señal
de disparo suficientemente potente, ya que presenta el
inconveniente de la menor sensibilidad al cebado del elemento en
el cuadrante IV.
• Disparo por impulsos siempre negativos (cuadrantes II y

lII): Presenta el inconveniente de la mayor intensidad de cebado IL
(-MT2, G -) (+MT2, G-)
requerida en el cuadrante II.
• Disparo por impulsos alternativamente positivos y

negativos (cuadrantes 1 y IIl): Es el caso más favorable, sobre
todo si la polaridad de los impulsos coincide con la polaridad de la
tensión del circuito principal.

1.1.1 y 1.1.2 TRIAC Características y parámetros

Formas básicas de controlar potencia en un TRIAC
a) Por variación del ángulo de conducción

b) Por paquetes de semi-ondas a tensión cero. Ángulo de disparo
Ángulo de Conducción
APLICACIONES
Como regulador de la potencia media entregada a una carga que no requieran rectificación de la corriente alterna y en cargas que no
puedan ser controladas mediante corriente continua

1.1.1 y 1.1.2 UJT (Unijuntion Transistor) Características y parámetros

Transistor unijuntura o monounión, es un tipo de transistor que consiste en una solo unión PN, contiene dos zonas
semiconductoras, una tipo N ligeramente dopada y colocada entre las terminales B1 y B2, y otra tipo P fuertemente dopada,
en la que se difunde la corriente (emisor).
Símbolo Circuito Equivalente Estructura
B1
E
B2
Aplicaciones
• Circuito de disparo de tiristores
• Circuito oscilador
• Generador de pulsos de diente de sierra

1.1.1 y 1.1.2 UJT Características y parámetros
Parámetros
Circuito Interno Base Resistencia de interbase (RBB): es la suma de las resistencias intrinsecas rB1 and
rB2 cuando la corriente de emisor IE es cero.
𝑅𝐵𝐵 = 𝑟𝐵1 + 𝑟𝐵2
Indice intrinseco(η): o relación de separación intrinseca, es la relación entre la
resistencia intrinseca rB1 y la resistencia interbase RBB.
𝑟𝐵1
𝜂=
𝑅𝐵𝐵
Por tanto, el voltaje en el punto C VC, se puede determinar como:

𝑟𝐵1
𝑉𝐶 = 𝑉𝐵1𝐵2 = 𝑉𝐵1𝐵2 𝜂
𝑅𝐵𝐵
Voltaje de saturación del Emisor (VEB1(sat)): Es el voltaje que existe en el emisor cuando el UJT esta operando en la region de
saturación.


La tensión de pico VP en el UJT viene definida por la siguiente ecuación:
𝑉𝑃 = 𝜂𝑉𝐵2𝐵1 + 𝑉𝐹
Donde la VF varía entre 0.35 V a 0.7 V con un valor típico de 0.5 V. y representa la caída de voltaje del diodo en polarización directa y
VB2B1 es el voltaje interbase el cual, en este caso se puede calcular a través del divisor de tensión formado por R1, RBB y R2 es decir:
𝑉𝑠
𝑉𝐵1𝐵2 = 𝐼𝑆 𝑅𝐵𝐵 = 𝑅
𝑅𝐵𝐵 + 𝑅2 + 𝑅1 𝐵𝐵
Corriente máxima del emisor (IP): o corriente pico, es la corriente necesaria para activar el UJT, Si la Resistencia de la fuente de
voltaje del emisor es muy alta, la corriente del emisor disminuye y por tanto el UJT simplemente no se activara. La Resistencia
maxima de la fuente de alimentación del emisor, se puede detreminar mediante:
𝑉𝐵1𝐵2
𝑅𝐸𝑚𝑎𝑥 =
𝐼𝑃
Corriente del punto de Valle (IV): IV es importante en algunos circuitos como limite superior de la corriente de emisor IE. Si la
resistencia de la fuente de voltaje del emisor es tan baja que IE es igual o mayor que IV, el UJT permanecerá encendido una vez que
se active; No se apagará. Entonces, la resistencia mínima de la fuente de voltaje del emisor es:
𝑉𝐵1𝐵2 − 𝑉𝐸𝐵1(𝑠𝑎𝑡)
𝑅𝐸𝑚𝑖𝑛 =
𝐼𝑉


Región de corte Curva Característica
En esta región, la tensión de emisor es baja de forma que la
tensión intrínseca mantiene polarizado inversamente el diodo
emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE <
VP e IE < IP.
Región de resistencia negativa

Si la tensión de emisor es suficiente para polarizar el diodo de
emisor, es decir, VE = VP entonces el diodo entra en conducción e
inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1
debido a procesos de recombinación. Desde el emisor, se observa
como el UJT disminuye su resistencia interna con un
comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE <
0). En esta región, la corriente de emisor está comprendida entre
la corriente de pico y de valle (IP < IE < IV).
Región de saturación
Esta es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relación lineal de muy
baja resistencia entre la tensión y la corriente de emisor. En esta región, la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si
no se verifica las condiciones del punto de valle, el UJT entrará de forma natural a la región de corte.

Ejemplo:
1. Las características del UJT del circuito son:
Iv = 7mA
Vv = 1v
η = 0.85
a) ¿En qué estado se encuentra el UJT?
b) ¿Qué valor tiene la corriente de entrada cuando el UJT está conduciendo? (considerar que
VRB1=0V en conducción)
c) ¿A qué valor debe disminuirse la tensión de entrada (Ve) para que el UJT deje de conducir?
Solución
a) 𝑉𝑝 = 𝑉𝐵1𝐵2 ∙ 𝜂 + 0.5 = 10𝑉 0.85 + 0.5 = 9V 𝑉𝑒 ≥ 𝑉𝑝 → 𝒆𝒔𝒕𝒂 𝒆𝒏 𝒄𝒐𝒏𝒅𝒖𝒄𝒄𝒊ó𝒏
b) Por LVK 𝑉𝑒 − 𝑉𝑅𝐵1 20𝑉 − 0

𝐼𝐸 = = = 𝟓𝟎𝐦𝐀
𝑅1 400Ω
c) Por LVK 𝑉𝐸 ≤ 𝑉𝑉 − 𝐼𝑉 𝑅1 = 1𝑉 + 7𝑚𝐴 400Ω ≤ 𝟑. 𝟖𝐕

1.2 Circuitos de disparo

También llamados Triggers o excitadores están formados por un conjunto de elementos (pasivos, activos) encargados de crear las
condiciones necesarias y adecuadas para controlar la activación de un semiconductor o convertidor de potencia y obtener la
salida deseada, es decir , son todos aquellos arreglos de elementos, ya sean pasivos o activos, necesarios para controlar la
activación y/o desactivación de un elemento semiconductor semicontrolado o controlado.
Elementos de un circuito de disparo

1.2 Circuitos de disparo

Elementos de un circuito de disparo 4. Generación de los pulsos de disparo: Para la
generación de los pulsos, se disponen de muchas
1. Circuito sincronizador: Se encarga de iniciar la base de tiempo en
variantes de circuitos, con aplicación de transistores
sincronismo con la frecuencia de red, de manera tal de retrasar el mismo
bipolares o mediante semiconductores específicos,
ángulo (respecto al cruce por cero de la tensión de red), el pulso de disparo,
que generan, cortos pulsos de disparo.
en todos los semiciclos.
5. Circuito de aislamiento entre el generador de
2. Entrada señal de control: Es la que determina el retraso pulsos y el circuito convertidor: fundamentalmente se
del ángulo de disparo, señal generada en forma manual o a utilizan dos técnicas. Una es la de utilizar un transformador
través de un sistema realimentado. Para este último caso, la aislador de pulsos y la otra un dispositivo semiconductor foto
señal se genera por la interacción de la señal de referencia, la controlado de silicio, también llamado opto acoplador. Otra
señal realimentada y el algoritmo de control (P, PI, etc.). técnica utilizada es a través de las fibras ópticas con emisor en
el circuito de disparo y receptor en el circuito de compuerta.
3. Circuito base de tiempo: En los circuitos analógicos, la base de
tiempo se genera por medio de un circuito tipo RC, o sea a través de la
carga de un condensador, con una constante de tiempo τ=CR., hasta una 6. Protección de la compuerta: Se utilizan circuitos de
tensión que genera un pulso de disparo. En los sistemas programables, la protección contra disparos por tensiones espurias o
base de tiempo se genera por programación o por medio de un indeseadas
temporizador interno que se carga también por programación. .

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UNIDAD I .

Dr. Juan Alfonso Salazar Torres

Dr. Juan Alfonso Salazar Torres

1.1.1 y 1.1.2 SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Dr. Juan Alfonso Salazar Torres

1.1.1 y 1.1.2 SCR Características y parámetros estáticos

Dr. Juan Alfonso Salazar Torres

1.1.1 y 1.1.2 SCR Características y parámetros estáticos

VG ó VGT : Tensión de disparo de puerta. (Gate voltage to trigger). Voltaje

Dr. Juan Alfonso Salazar Torres

1.1.1 y 1.1.2 SCR Características y parámetros estáticos

IT(RMS): Corriente directa eficaz. (R.M.S. on state current).

ITRM: Corriente directa de pico repetitivo. (Repetitive peak on - state current).

IDRM: Corriente directa en estado de bloqueo. (Off - state current).

Dr. Juan Alfonso Salazar Torres

1.1.1 y 1.1.2 SCR Características y parámetros estáticos

IL: Corriente de enganche. (Latching current). Corriente de ánodo mínima que

IH: Corriente de mantenimiento. (Holding current). Mínima corriente de ánodo

IGT: Corriente de disparo de puerta. (Gate current to trigger). Corriente de

IGNT: Corriente de puerta que no provoca el disparo. (Non-triggering gate

Dr. Juan Alfonso Salazar Torres

1.1.1 y 1.1.2 SCR Características y parámetros dinámicos

tON: tiempo de encendido o tiempo en pasar de corte a conducción, se

td: Tiempo de retardo. (Delay time). Es el tiempo que transcurre desde

tr: Tiempo de subida (Rise time.). Es el tiempo necesario para que la

Dr. Juan Alfonso Salazar Torres

1.1.1 y 1.1.2 SCR Características y parámetros dinámicos

tOFF: Tiempo de apagado. Es el tiempo que tarda del estado

trr= Tiempo de recuperación inversa. Tiempo que trascurre

tgr= Tiempo de recuperación de puerta. Tiempo que trascurre

Dr. Juan Alfonso Salazar Torres

1.1.1 y 1.1.2 SCR Características y parámetros dinámicos

dv/dt: Valor mínimo de la pendiente de tensión por debajo de la cual no se

(dv/dt)C: Valor mínimo de la pendiente de tensión por debajo de la cual no se

Tstg: Temperatura de almacenamiento. (Storage temperature range). Margen de

Tj: Temperatura de la unión. (Juntion temperature). Indica el margen de la

I2t (fusible) < I2t (tiristor)

1.1.1 y 1.1.2 SCR Operación

Avalancha: Destrucción del elemento. (Zona A-B)

Bloqueo directo: el voltaje ánodo – cátodo esta polarizado directamente

Resistencia Negativa. Conforme aumenta IG se reduce el voltaje de

Conducción: el voltaje ánodo – cátodo esta polarizado directamente (Vak>0)

Dr. Juan Alfonso Salazar Torres

1.1.1 y 1.1.2 SCR Operación

Formas de disparo indeseado:

Control de fase Cruce por cero

• Por radiación de luz

Dr. Juan Alfonso Salazar Torres

1.1.1 y 1.1.2 SCR Operación

Dr. Juan Alfonso Salazar Torres

1.1.1 y 1.1.2 SCR Operación

a) 𝑉 = 𝑉𝑅 + 𝑉𝐺 = 𝐼𝐺 𝑅 + 𝑉𝐺 = 10𝑚𝐴 (500Ω) + 0.75𝑉 = 5𝑉 + 0.75𝑉 ≥ 𝟓. 𝟕𝟓𝐕

1.1.1 y 1.1.2 DIAC (Diode of Alternating Current) Características y parámetros

1.1.1 y 1.1.2 DIAC Características y parámetros

En la curva característica se observa que cuando:

+V o – V es menor que la tensión de disparo, el DIAC se comporta Parámetros Importantes

1.1.1 y 1.1.2 DIAC Características y parámetros

𝑃𝑚á𝑥 𝑃𝑚á𝑥 500𝑚𝑊