Tarera 2

Universidad de El Salvador Facultad de Ingeniera y Arquitectura Escuela de Ingeniera Elctrica Electrnica de potencia
Tarea # 2:
TRABAJO SOBRE TIRISTORES
Catedrtica: Ing. Wilber Caldern Presenta: Apellidos

Alvares Martnez Bojrquez Flores Rivas Garca
Nombre
Gerson Joel Mario Ernesto William Alcides
Ciudad Universitaria, 17 de Mayo de 2013
EDP-115
CONTENIDO
INTRODUCCIN ..............................................................................................................................................2 OBJETIVOS ........................................................................................................................................................3 MARCO TEORICO...........................................................................................................................................4 CONMUTACIN FORZADA ....................................................................................................................... 23 SCR COMERCIALES ..................................................................................................................................... 33 TRIAC COMERCIALES.................................................................................................................................. 41 MODELOS DE TIRISTORES PARA SPICE OPUS ........................................................................................ 47 SIMULACIN DE RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA MONOFSICOS Y TRIFSICOS UTILIZANDO TIRISTORES ............................................................................................................................... 51 CONCLUSIONES ........................................................................................................................................... 70 ANEXOS .......................................................................................................................................................... 71
ELECTRNICA DE POTENCIA
EDP-115
INTRODUCCIN
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los Tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones. Los tiristores son considerados componentes cuya principal aplicacin es la de servir como interruptor accionado elctricamente. Por lo general cuentan con tres terminales, llamados la compuerta, el nodo y el ctodo; entre los dos ltimos se conecta el circuito en el que ellos actuarn como interruptor, mientras que el terminal de compuerta sirve generalmente para hacer posible la iniciacin del paso de corriente. Comparado con un interruptor electromecnico, un tiristor tiene una vida til muy larga, puede operar a muy altas velocidades, no genera chispas, trabaja silenciosamente, y es insensible a la gravedad y a las vibraciones. Adems, una vez disparado, su resistencia de conduccin es muy baja. Para obtener voltajes de salida controlados, se usan tiristores con control por fase en lugar de diodos. El voltaje de salida de los rectificadores de tiristor se vara controlando el ngulo de retardo o de disparo de los tiristores. Un tiristor controlado por fase se activa aplicando un pulso corto a su compuerta, y se desactiva por conmutacin natural o de lnea; en caso de que la carga sea muy inductiva, se desactiva disparando otro tiristor del rectificador durante el medio ciclo negativo del voltaje de entrada. Estos rectificadores controlados por fase son sencillos y menos costosos, y su eficiencia es, en general, superior al 95%. Como convierten de ca a cd, a esos rectificadores controlados se les llama tambin convertidores ca-cd, y se usan en forma extensa en aplicaciones industriales, en especial en propulsores de velocidad variable, desde potencia fraccionaria hasta niveles de megawatts. En el presente trabajo se muestra las caractersticas que presentan los tipos de tiristores as como tambin se implementa una simulacin para rectificadores de onda completa monofsica y trifsica usando modelos comerciales.
EDP-115
OBJETIVOS
Objetivo General Conocer las diferentes caractersticas que presentan los tipos de tiristores, y comprender las caractersticas de los circuitos ratificadores controlados por medio de la simulacin en Spice Opus. Objetivos Especficos Conocer los diferentes tipos de tiristores existentes. Comprender la operacin y las caractersticas de los rectificadores controlados. Aprender los tipos de rectificadores controlados. Aprender las tcnicas para simular rectificadores controlados usando Spice Opus. Comparar los resultados de la simulacin con los mostrados en el libro de texto. Comprender el comportamiento de los tiristores cuando se encuentra bloqueados o en conduccin.
EDP-115
MARCO TEORICO Tiristor
Figura 1. Smbolo de un tiristor
El tiristor, es un componente electrnico constituido por elementos semiconductores que utiliza realimentacin interna para producir una conmutacin. Los materiales de los que se compone son de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como aislantes o como conductores. Son dispositivos unidireccionales porque solamente transmiten la corriente en un nico sentido. Se emplea generalmente para el control de potencia elctrica.
Figura 2. Componente Fsico de un tiristor
EDP-115
Figura 3. Esquema de uniones de un tiristor. El dispositivo consta de un nodo y un ctodo, donde las uniones son de tipo PNPN entre los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores tpicos PNP y NPN, por eso se dice tambin que el tiristor funciona con tensin realimentada. Se crean as 3 uniones (denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta est conectado a la unin J2 (unin NP).
Figura 4. Curva Caracterstica de Voltaje-Corriente de un tiristor (SCR) Algunas fuentes definen como sinnimos al tiristor y al rectificador controlado de silicio (SCR); otras definen al SCR como un tipo de tiristor, a la par que los dispositivos DIAC y TRIAC. Este elemento fue desarrollado por ingenieros de General Electric en los aos 1960. Aunque un origen ms remoto de este dispositivo lo encontramos en el SCR creado por William Shockley (premio Nobel ELECTRNICA DE POTENCIA
5
EDP-115
de fsica en 1956) en 1950, el cual fue defendido y desarrollado en los laboratorios Bell en 1956. Gordon Hall lider el desarrollo en Morgan Stanley para su posterior comercializacin por G.E.'s Frank W. "Bill" Gutzwiller. Funcionamiento Bsico: El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente electrnico de los interruptores mecnicos; por tanto, es capaz de dejar pasar plenamente o bloquear por completo el paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno, aunque no son capaces de soportar grandes sobrecargas de corriente. Este principio bsico puede observarse tambin en el diodo Shockley. El diseo del tiristor permite que ste pase rpidamente a encendido al recibir un pulso momentneo de corriente en su terminal de control, denominada puerta (o en ingls, gate) cuando hay una tensin positiva entre nodo y ctodo, es decir la tensin en el nodo es mayor que en el ctodo. Solo puede ser apagado con la interrupcin de la fuente de voltaje, abriendo el circuito, o bien, haciendo pasar una corriente en sentido inverso por el dispositivo. Si se polariza inversamente en el tiristor existir una dbil corriente inversa de fugas hasta que se alcance el punto de tensin inversa mxima, provocndose la destruccin del elemento (por avalancha en la unin). Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado activo, debe generarse una corriente de enganche positiva en el nodo, y adems debe haber una pequea corriente en la compuerta capaz de provocar una ruptura por avalancha en la unin J2 para hacer que el dispositivo conduzca. Para que el dispositivo siga en el estado activo se debe inducir desde el nodo una corriente de sostenimiento, mucho menor que la de enganche, sin la cual el dispositivo dejara de conducir. A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de disparo. Se puede controlar as la tensin necesaria entre nodo y ctodo para la transicin OFF -> ON, usando la corriente de puerta adecuada (la tensin entre nodo y ctodo dependen directamente de la tensin de puerta pero solamente para OFF -> ON). Cuanto mayor sea la corriente suministrada al circuito de puerta IG (intensidad de puerta), tanto menor ser la tensin nodo-ctodo necesaria para que el tiristor conduzca. Tambin se puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe intensidad de puerta y la tensin nodo-ctodo es mayor que la tensin de bloqueo. ELECTRNICA DE POTENCIA
6
EDP-115
Formas de activar un Tiristor: Luz: Si un haz de luz incide en las uniones de un tiristor, hasta llegar al mismo silicio, el nmero de pares electrn-hueco aumentar pudindose activar el tiristor. Corriente de Compuerta: Para un tiristor polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo entre compuerta y ctodo lo activar. Si aumenta esta corriente de compuerta, disminuir el voltaje de bloqueo directo, revirtiendo en la activacin del dispositivo. Trmica: Una temperatura muy alta en el tiristor produce el aumento del nmero de pares electrn-hueco, por lo que aumentarn las corrientes de fuga, con lo cual al aumentar la diferencia entre nodo y ctodo, y gracias a la accin regenerativa, esta corriente puede llegar a ser 1, y el tiristor puede activarse. Este tipo de activacin podra comprender una fuga trmica, normalmente cuando en un diseo se establece este mtodo como mtodo de activacin, esta fuga tiende a evitarse. Alto Voltaje: Si el voltaje directo desde el nodo hacia el ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo, se crear una corriente de fuga lo suficientemente grande para que se inicie la activacin con retroalimentacin. Normalmente este tipo de activacin puede daar el dispositivo, hasta el punto de la destruccin del mismo. dv/dt: Si la velocidad en la elevacin del voltaje nodo-ctodo es lo suficientemente alta, entonces la corriente de las uniones puede ser suficiente para activar el tiristor. Este mtodo tambin puede daar el dispositivo.
EDP-115
Descripcin de Algunos Tiristores:
SCR:
Figura 5. Smbolo del SCR
Figura 6. Smbolo a nivel de transistor
El rectificador controlado de silicio (en ingls SCR: Silicon Controlled Rectifier) es un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unin de Tiratrn (tyratron) y Transistor. Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y gate (puerta). La puerta es la encargada de controlar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona bsicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensin en la puerta del SCR no se inicia la conduccin y en el instante en que se aplique dicha tensin, el tiristor comienza a conducir. Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien interrumpir el circuito. El pulso de disparo ha de ser de una duracin considerable, o bien, repetitivo si se est trabajando en corriente alterna. En este ltimo caso, segn se atrase o adelante el pulso de disparo, se controla el punto (o la fase) en el que la corriente pasa a la carga. Una vez arrancado, podemos anular la tensin de puerta y el tiristor continuar conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento (en la prctica, cuando la onda senoidal cruza por cero).
EDP-115
Figura 7 Curva Caracterstica del SCR Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo y ctodo de un tiristor, ste puede dispararse y entrar en conduccin an sin corriente de puerta. Por ello se da como caracterstica la tasa mxima de subida de tensin que permite mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al condensador parsito existente entre la puerta y el nodo. Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrnica de potencia, en el campo del control, especialmente control de motores, debido a que puede ser usado como interruptor de tipo electrnico.
TRIAC:
Figura 8 Smbolo del TRIAC
Figura 9. Smbolo equivalente con SCR
EDP-115
Un TRIAC (TRIode for Alternative Current) es un SCR bidireccional que se comporta como dos SCR en paralelo e invertidos, de tal manera que este dispositivo puede controlar corriente en cualquier direccion. Normalmente, tiene una tension de ruptura alta y el procedimiento normal de hacer entrar en conduccin a un TRIAC es a travs de un pulso de disparo de puerta (positivo o negativo). Ejemplos tpicos de TRIACS: BT136 (de 5 A) y el BT138 (16A) de Philips y la serie MAC de Motorola con corrientes de 8 (MAC97-8) hasta 350 A (MAC224A4).
Figura10.Curva caracterstica de un TRIAC
TIRISTOR GTO:
Figura 11 . Smbolo de tiristor GTO
10
EDP-115
Un Tiristor GTO o simplemente GTO (del ingls Gate Turn-Off Thyristor) es un dispositivo de electrnica de potencia que puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal; pero en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el mismo terminal. Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado, son controlados por la corriente en la puerta (G). El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las caractersticas de apagado son un poco diferentes. Cuando un voltaje negativo es aplicado a travs de las terminales puerta (G) y ctodo (C o K), la corriente en la puerta (ig), crece. Cuando la corriente en la puerta (G) alcanza su mximo valor, IGR, la corriente de nodo comienza a caer y el voltaje a travs del dispositivo (VAK), comienza a crecer. El tiempo de cada de la corriente de nodo (IA) es abrupta, tpicamente menor a 1 us. Despus de esto, la corriente de nodo vara lentamente y sta porcin de la corriente de nodo es conocido como corriente de cola. La razn (IA/IGR) de la corriente de nodo IA a la mxima corriente negativa en la puerta (IGR) requerida para el voltaje es baja, comnmente entre 3 y 5. Por ejemplo, para un voltaje de 2500 V y una corriente de 1000 A, un GTO normalmente requiere una corriente negativa de pico en la puerta de 250 A para el apagado.
DIAC
Figura 12.Simbolo de un tirisot DIAC.
El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos conexiones. Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente slo tras haberse superado su tensin de disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor caracterstico para ese dispositivo. El comportamiento es fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayora de los DIAC tienen una tensin de disparo de alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lmpara de nen. ELECTRNICA DE POTENCIA
11
EDP-115
Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los triac, otra clase de tiristor. Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados nodo y ctodo. Acta como un interruptor bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre sus terminales alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts segn la referencia.
Figura 13. Curva caracterstica de un DIAC
INTERRUPTOR CONTROLADO POR PUERTA

Una de las mejoras que se le puede aplicar un tiristor es la de apagado por compuerta. Bsicamente tiene la misma estructura y funcionamiento que el SCR salvo que puede desactivarse por una pulsacin en su compuerta, sea cual sea el estado del dispositivo, esta pulsacin debe ser de una magnitud lo suficientemente elevada. Tambin suelen usarse para el control de motores. Su uso se expandi en los 70. En circuitos de corriente continua, este tipo de dispositivos no necesitan agentes externos en orden a apagar el dispositivo. Un tiristor de este tipo necesita una mayor corriente de compuerta para encenderse que un SCR normal. Para grandes aparatos de potencia se necesitan corrientes de compuerta del orden de 10A. Para apagar el dispositivo se necesita una pulsacin de corriente negativa que debe oscilar entre 20 y 30 s de duracin. La magnitud de la corriente negativa de pulsacin debe ser de un cuarto o un sexto de la corriente que fluye por el tiristor.
12
EDP-115
Convertidor Monofsico de Tiristor con una carga resistiva:
Figura 14. Circuito de un convertidor
monofsico con carga resistiva de media onda
Figura 15 Cuadrante correspondiente al circuito convertidor monofsico
b) Figura 16.Formas de onda del circuito monofsico con carga resistiva de media onda
a)
13
EDP-115
Funcionamiento:
Durante el medio ciclo positivo del voltaje de alimentacin, el nodo del tiristor es positivo con respecto a su ctodo, y se dice que el tiristor est polarizado en forma directa. Cuando se dispara el tiristor T1 en wt = , ese tiristor conduce y a travs de la carga aparece el voltaje de entrada. Cuando el voltaje de entrada comienza a ser negativo en wt = , el nodo del tiristor es negativo con respecto a su ctodo, y se dice que el tiristor T1 tiene polarizacin inversa y se desactiva. El tiempo transcurrido despus de que el voltaje de entrada comienza a ser positivo y se dispara el tiristor en wt = , se llama ngulo de retardo o de disparo .
Secuencia de disparo. La secuencia de disparo para el tiristor es la siguiente: Generar un pulso de seal en el cruce con cero positivo del voltaje de alimentacin VS Retardar el pulso el ngulo deseado y aplicarlo entre las terminales de compuerta y ctodo de T1 a travs de un circuito de aislamiento de compuerta.
Convertidor Monofsico Completo
Figura 16.Circuito Electrnico del rectificador monofsico completo.
14
EDP-115
Figura 17.Cuadrante del rectificador monofsico completo
a)
b)
Figura 18.Formas de onda del rectificador monofsico completo
Funcionamiento: Durante el medio ciclo positivo, los tiristores T1 y T2 tienen polarizacin directa, y cuando se disparan en forma simultnea esos dos tiristores, en wt = , la carga se conecta a la fuente de alimentacin a travs de T1 y T2 . Debido a la carga inductiva, los tiristores TI y T2 continan conduciendo despus de wt = aun cuando el voltaje de entrada sea ya negativo. Durante el medio ciclo negativo del voltaje de entrada, los tiristores T3 y T4 tienen polarizacin directa, y el disparo de esos tiristores aplica el voltaje de alimentacin a travs de los tiristores T1 y T2 en forma de voltaje de bloqueo inverso. T1 y T2 se desactivan por conmutacin de lnea o natural, y la corriente de carga es transferida de T1 y T2 a T3 y T4. Durante el periodo de a , el voltaje de entrada VS y la corriente de entrada iS son positivos, y la potencia pasa de la fuente a la carga. Se dice que el convertidor se opera en modo de rectificacin. Durante el periodo de a + , el ELECTRNICA DE POTENCIA
15
EDP-115
voltaje de entrada VS es negativo y la corriente de alimentacin iS es positiva, y pasa potencia inversa de la carga a la fuente. Se dice que el convertidor est operado en modo de inversin. Convertidor Monofsico DUAL
Figura 19.Circuito Electrnico del convertidor monofsico DUAL.
Figura 20. Cuadrantes del convertidor monofsico DUAL.
16
EDP-115
a)
b)
Figura 21. Formas de onda del convertidor monofsico DUAL
Funcionamiento: Si se conectan en cascada, "espalda con espalda", dos convertidores completos como esos, como se ve en el circuito electrnico, se pueden invertir tanto el voltaje de salida como el paso de la corriente en la carga. El sistema proporciona una operacin de cuatro cuadrantes, y se llama convertidor dual. Los convertidores duales se usan, en el caso normal, en propulsores de velocidad variable de alta potencia. Si 1 y 2 son los ngulos de retardo de los convertidores 1 y 2, respectivamente, los voltajes promedio correspondientes de salida son Vcd1 y Vcd2. Los ngulos de retardo se controlan de modo que un convertidor funcione como rectificador y el otro como inversor; pero ambos convertidores producen el mismo voltaje de salida. Secuencia de disparo. La secuencia de disparo es la siguiente: Disparar el convertidor positivo con un ngulo de retardo 1 = Disparar el convertidor negativo con un ngulo de retardo 2 = - a travs de circuitos aisladores de compuerta.
17
EDP-115
Convertidor Trifsico de Media Onda.
Figura 22.Circuito Electrnico rectificador trifsico de media onda
Figura 23.Cuadrante del Circuito Electrnico rectificador trifsico de media onda
18
EDP-115
Figura 24. Formas de Onda del Circuito Electrnico rectificador trifsico de media onda Secuencia de disparo. La secuencia de disparo es la siguiente: Generar un pulso de seal en el cruce del voltaje positivo de la fase Van con cero. Retardar el pulso del ngulo deseado a + /6, aplicarlo a las terminales de compuerta y ctodo de T1 a travs de un circuito aislador de compuerta. Generar dos pulsos ms de ngulos de retardo + /6 y + 9/6, para disparar T2 y T3, respectivamente, a travs de circuitos aisladores de compuerta.
19
EDP-115
Convertidor Trifsico Completo.
Figura 25. Circuito Electrnico rectificador trifsico completo
Figura 26. Formas de Onda del Circuito Electrnico rectificador trifsico completo
20
EDP-115
Secuencia de disparo. La secuencia de disparo es la siguiente: Generar un pulso de seal en el cruce del voltaje de fase Van con cero. Retardar el pulso en el ngulo deseado + /6, y aplicarlo a las terminales de compuerta y ctodo de T1, a travs de un circuito aislador de compuerta. Generar cinco pulsos ms, cada uno retardado /6 respecto al anterior, para disparar T2,T3, ... , T6, respectivamente, mediante circuitos aisladores de compuerta.
Convertidor Trifsico Dual.
Figura 27. Circuito Electrnico rectificador trifsico DUAL.
21
EDP-115
Figura 28. Formas de Onda del Electrnico rectificador trifsico DUAL.
Secuencia de disparo. La secuencia de disparo es la siguiente: En forma parecida al convertidor monofsico dual, disparar el convertidor positivo con un ngulo de retardo 1 = . Disparar el convertidor negativo con un ngulo de retardo 2 = - , a travs de circuitos aisladores de compuerta.
Conmutacin forzada ELECTRNICA DE POTENCIA

22
EDP-115
CONMUTACIN FORZADA
En algunos circuitos de tiristor, el voltaje de entrada es de cd, para desactivar al tiristor, la corriente en sentido directo del tiristor se obliga a pasar por cero utilizando un circuito adicional conocido como circuito de conmutacin. Esta tcnica se conoce como conmutacin forzada y por le comn se aplica en los convertidores de cd a cd (pulsadores) y en convertidores de cd a ca (inversores). La conmutacin forzada de un tiristor se puede lograr de siete maneras diferentes, que pueden clasificarse como:

Autoconmutacin Conmutacin por impulso Conmutacin por pulso resonante Conmutacin complementaria Conmutacin por pulso externo Conmutacin del lado de la carga Conmutacin del lado de la lnea
Esta clasificacin de las conmutaciones forzadas se basa en la disposicin de los componentes del circuito de conmutacin y en la forma en que la corriente de un tiristor se fuerza a cero. El circuito de conmutacin est formado por lo general de un capacitar, un inductor y uno o ms tiristores y/o diodos. Autoconmutacn
Figura 29 En este tipo de conmutacin, el tiristor es desactivado debido a las caractersticas naturales del circuito. En el circuito de la figura 1a, con la hiptesis de que el capacitar est inicialmente sin carga. Cuando se activa el tiristor T1, la corriente de carga el capacitar i est dada por: ELECTRNICA DE POTENCIA
23
EDP-115
Con condiciones iniciales vc(t = 0) = 0 e i(t = 0) = 0, la solucin de la ecuacin da la corriente de carga i como:
y el voltaje del capacitar como Donde: . Despus del tiempo t = to = , la corriente de carga se convierte en cero y el tiristor T1 se interrumpe por s mismo. Una vez que el tiristor T1 es disparado, existe un retraso de to segundos antes de que T1 sea desactivado, por lo que to puede llamarse el tiempo de conmutacin del circuito. Este mtodo de desactivacin de un tiristor se conoce como autoconmutacin y se dice que el tiristor T1 est autoconmutado. Cuando la corriente del circuito se abate hasta cero, el capacitor se carga hasta 2Vs. Las formas de onda se muestran en la figura 1b. En la figura 2a aparece un circuito tpico en el que el capacitor tiene un voltaje inicial -Vo. Cuando se dispara el tiristor T1, la corriente que fluir a travs del circuito est dada por:
Con un voltaje inicial vc(t = 0) = -Vo e i(t = 0) = 0, la ecuacin anterior da la corriente del capacitor como
y el voltaje del capacitar como
Despus del tiempo t = tr = to = , la corriente se convierte en cero y el voltaje del capacitor se invierte a Vo. tr se conoce como el tiempo de inversin. Las formas de onda se muestran en figura 2b.
24
EDP-115
Figura 30 Conmutacin por impulso
Figura 31 En la figura 3 se muestra un circuito conmutado por impulso. El capacitar est cargado inicialmente a un voltaje de -Vo con la polaridad que se muestra. Supongamos que el tiristor T1 est inicialmente conduciendo y tiene una corriente de carga Im. Cuando se dispara el tiristor auxiliar T2, el tiristor T1 queda con polarizacin inversa, debido al voltaje del capacitor, y T1 se desactiva. La corriente a travs del tiristor T1 dejar de fluir y el capacitor conducir la corriente de carga. El capacitor se descargar desde -Vo hasta cero y a continuacin cargar al voltaje de cd de entrada Vs, cuando la corriente del capacitar pase por cero y el tiristor T2 se desactive. La inversin de carga del capacitar desde Vo(=Vs) hasta -Vo ocurre entonces al disparar el tiristor T3. El tiristor T3 es autoconmutado en forma similar al circuito de la figura 2.
25
EDP-115
Figura 32 El circuito equivalente durante el perodo de conmutacin aparece en la figura 4a. Los voltajes del tiristor y del capacitar se muestran en la figura 4b. El tiempo requerido para que se descargue el capacitar desde -Vo hasta cero se conoce como tiempo de desactivacin del circuito toff y debe ser mayor que el tiempo de desactivacin del tiristor tq. toff tambin se conoce como tiempo disponible de desactivacin. El tiempo de descarga depender de la corriente de la carga; suponiendo una corriente de carga constante I m, toff est dado por:
es decir
Dado que se aplica un voltaje inverso de Vo a travs del tiristor T1 inmediatamente despus del disparo del tiristor T2, esto se conoce como conmutacin por voltaje. Debido a la utilizacin del tiristor auxiliar T2, este tipo de conmutacin tambin se conoce como conmutacin auxiliar. El tiristor T1 a veces se denomina tiristor principal porque conduce la corriente de carga. Se puede observar de la ecuacin de toff que el tiempo de desactivacin del circuito, toff, es inversamente proporcional a la corriente de carga; as, para una carga muy pequea (o una corriente de carga baja) el tiempo de desactivacin ser muy grande, y para una corriente de carga alta el tiempo de desactivacin ser pequeo. En un circuito ideal de conmutacin, el tiempo de desactivacin deber ser independiente de la corriente de carga, a fin de garantizar la conmutacin del tiristor T1. La descarga del capacitor se puede acelerar conectando un diodo D1 y un inductor Ll a travs del tiristor principal, tal y como se muestra en la figura 5.
26
EDP-115
Figura 33 Conmutacin por pulso resonante La conmutacin por pulso resonante se puede explicar mediante la figura 6a. En la figura 6b se muestran las formas de onda para la corriente y el voltaje del capacitor. El capacitar se carga inicialmente con la polaridad como se muestra estando el tiristor T1 en modo de condicin, con una corriente de carga I m. Cuando se dispara el tiristor de conmutacin T2, se forma un circuito resonante constituido; por L, C, T1 y T2. Se puede deducir la corriente resonante como:
y el voltaje del capacitor es: donde Ip es el valor pico permisible de la corriente de resonancia. Debido a la corriente de resonancia, la corriente en sentido directo del tiristor T1 se reduce a cero en t = t1, cuando la corriente de resonancia se iguala con la corriente de carga Im. El tiempo t1 debe satisfacer la condicin i(t = t1) = Im en la ecuacin i(t), y se determina como:
El valor correspondiente del voltaje del capacitor es:
La corriente a travs del tiristor T1 dejar de fluir y el capacitar se volver a cargar a una velocidad determinada por la corriente de carga I m. El capacitar se descargar desde su voltaje empezar a elevarse hasta el voltaje en cd de la fuente Vs, en cuyo momento empezar a conducir el diodo Dm., con un tiempo igual a to. Esto se muestra en la figura 6b. La energa almacenada en el inductor L ELECTRNICA DE POTENCIA
27
EDP-115
debido a la corriente de pico de la carga I m se transfiere al capacitor, haciendo que se sobrecargue. El voltaje del capacitar se invierte desde Vc(=Vo) hasta -Vo mediante el disparo de T3. T3 est autoconmutado en forma similar al circuito de la figura 2. Este circuito puede no ser estable debido a la acumulacin de energa en el capacitar de conmutacin. El circuito equivalente para el perodo de carga es similar al de la figura 4a. El tiempo de desactivacin del circuito es:
Se define un parmetro x que es la relacin entre la corriente de pico resonante I p y la corriente de pico de carga Im. Entonces:
Para reducir hasta cero la corriente hacia adelante de T1, el valor de x debe ser mayor que 1. En la prctica, se seleccionan los valores de L y C de tal forma que x = 1.5. El valor de t1 es por lo general pequeo, y V1 Vo. El valor de toff obtenido deber aproximarse al obtenido a partir de la ecuacin toff. En el tiempo t2, la corriente del capacitar baja hasta la corriente de carga I m. Durante el tiempo tc, se descarga el capacitar C y se recarga hasta el voltaje de alimentacin V s. Durante el tiempo to, la energa almacenada en el inductor L es devuelta al capacitar C, haciendo que se sobrecargue el capacitor con respecto al voltaje de alimentacin Vs.
Figura 34 Debido al uso de un pulso resonante de corriente para reducir la cd del tiristor T 1 hasta cero, este tipo de conmutacin tambin se conoce como conmutacin por corriente. El tiempo de desactivacin del circuito toff tambin es dependiente de la corriente de la carga. La descarga del voltaje del capacitar se puede acelerar, ELECTRNICA DE POTENCIA
28
EDP-115
conectando el diodo D2 tal y como se muestra en la figura 7a. Sin embargo, una vez reducida a cero la corriente del tiristor T1, el voltaje inverso que aparece a travs de T1 es la cada directa del voltaje del diodo D2, que es pequea. Esto reduce la velocidad de recuperacin del tiristor y hace necesario un tiempo de polarizacin inversa ms largo de no existir el diodo D2. La corriente del capacitar ic(t) y del voltaje del capacitor vc(t) se muestran en la figura 7b.
Figura 35 Conmutacin complementaria La conmutacin complementaria se utiliza para transferir corriente entre dos cargas; una disposicin como sta aparece en la figura 8. El disparo de un tiristor conmuta a otro. Cuando se dispara el tiristor T1, la carga con R1 se conecta al voltaje de alimentacin, Vs, y al mismo tiempo se carga el capacitor C hasta Vs, a travs de la otra carga con R2. La polaridad del capacitor C es como la que aparece en la figura 8. Cuando se conecta el tiristor T2, el capacitor queda colocado a travs del tiristor T1 y la carga con R2 se conecta al voltaje de alimentacin, Vs. T1 adquiere polarizacin inversa y se desactiva mediante la conmutacin por impulso. Una vez desactivado el tiristor T1, el voltaje del capacitar se invierte a -Vs a travs de R1, T2 y la alimentacin. Si el tiristor T1 se vuelve a disparar, el tiristor T2 se desactiva y el ciclo se repite. Por lo general, los dos tiristores conducen con iguales intervalos de tiempo. Las formas de onda de los voltajes y las corrientes aparecen en la figura 9 para R1=R2=R. Dado que cada tiristor se desconecta debido a la conmutacin por impulso, este tipo de conmutacin a veces se conoce como conmutacin complementaria por impulso.
29
EDP-115
Figura 36
Figura 37 Conmutacin por pulso externo Para desactivar un tiristor que est conduciendo, se utiliza un pulso de corriente que se obtiene de un voltaje externo. En la figura 10 se muestra un circuito de tiristor mediante la conmutacin por pulso externo y dos fuentes de alimentacin. Vs es el voltaje de la alimentacin principal y V es el voltaje de la fuente auxiliar. Si se dispara el tiristor T3, el capacitor se cargar a partir de la fuente auxiliar. Suponiendo que inicialmente el capacitor no estaba cargado, un pulso resonante de corriente de pico V(CL), similar al circuito de la figura 1, fluir a travs de T3, y el capacitor se cargar hasta 2V. Si el tiristor T1 est conduciendo y se aplica una corriente de carga a partir de la fuente principal Vs, el disparo del tiristor T2 aplacar un voltaje inverso Vs - 2V a travs del tiristor T1; y T1 se desactivar. Una vez desactivado el tiristor T1, el capacitor se descargar a travs de la carga a una velocidad determinada por la magnitud de la corriente de carga, I m.
30
EDP-115
Figura 38 Conmutacin del lado de la carga En la conmutacin del lado de la carga, la carga forma un circuito en serie con el capacitor; descarga y recarga del capacitor se efectan a travs de la carga. El rendimiento de los circuitos de conmutacin del lado de la carga depende de la carga y los circuitos de conmutacin no pueden probarse sin conectar la carga. Las figuras 3, 5, 6 y 7 son ejemplos de conmutacin lado de carga. Conmutacin del lado de la lnea En este tipo de conmutacin, la descarga y recarga del capacitar no se llevan a cabo a travs de carga, por lo que el circuito de conmutacin se puede probar sin conectarla. La figura 11a muestra un circuito como stos. Cuando se dispara el tiristor T2, el capacitar C se carga hasta 2Vs, y T2 se autoconmuta en forma similar al circuito de la figura 1. El tiristor T3 se dispara para invertir el voltaje del capacitor hasta -2Vs, y T3 tambin queda autoconmutado. Si suponemos que el tiristor T1 est conduciendo y lleva una corriente de carga I m, el tiristor T2 se dispara para desactivar T1. El disparo del tiristor T2 dar polarizacin directa al diodo Dm. y aplicar un voltaje inverso de 2Vs a travs de T1; T1 se desactivar. La descarga y la recarga del capacitar se efectuarn a travs de la alimentacin. Para probar el circuito de conmutacin no se requiere de la conexin de la carga. El inductor L lleva la corriente de carga; el circuito equivalente durante el perodo de conmutacin aparece en la figura 12. La corriente del capacitar se expresa como:
con condiciones iniciales i(t = 0) =I m y vc(t = 0) = -2Vs. La solucin de la ecuacin da la corriente y el voltaje del capacitar como: ELECTRNICA DE POTENCIA
31
EDP-115
donde
El tiempo de desactivacin del circuito, toff, se obtiene de la condicin vc(t = toff) = 0 de la ecuacin vc(t), y despus de simplificar se resuelve como:
donde
Figura 39 El tiempo de conduccin del tiristor T2, que se puede determinar a partir de la condicin i(t = t1) = 0 en la ecuacin i(t), est dado por
Bajo condiciones de no carga, Im = 0 y x es infinito. La ecuacin vc(t) da el valor de toff como:
32
EDP-115
Nota. Si Im= 0 y , el voltaje del capacitor de la ecuacin vc(t) se convierte en vc(t = t1) = Vo = 4Vs, y habr una elevacin continua del voltaje del capacitor. A fin de limitar la sobrecarga del capacitor, por lo comn el inductor L se reemplaza por un transformador de recuperacin de energa con un diodo, tal y como se muestra en la figura 11b.
Figura 40
SCR COMERCIALES BTW67 and BTW69 Series (STANDARD 50A SCRs)

CARACTERSTICAS PRINCIPALES:
DESCRIPCIN Disponible en paquetes de alta potencia, el / BTW67 BTW69 serie puede ser utilizada en aplicaciones en las de manejo de potencia y disipacin de la energa son fundamentales, tales como rels de estado slido, equipos de soldadura alto poder de control del motor.
33
EDP-115
Basado en una tecnologa de montaje clip, que ofrecen una un rendimiento superior en el manejo de sobretensin capacidades. Gracias a su plataforma de cermica interna, que proporcionan el aislamiento de alto voltaje (2500V RMS), cumpliendo con las normas UL (legajo: E81734).
Los valores absolutos (valores lmite)
Caractersticas elctricas (Tj = 25 C, a menos que se especifique lo contrario)
INFORMACIN DE PEDIDO
34
EDP-115
Curvas caractersticas
Fig. 1: promedio de mxima disipacin de potencia
Fig. 2: Promedio y D.C. en el estado actual
Fig. 3: Por las caractersticas de estado (mxima los valores).
UTC BT169 SCR

DESCRIPCIN El BT169 UTC es de cristal pasivo, tiristores sensibles de compuerta en una envoltura de plstico, diseado para su uso en conmutacin de propsito general y de control de fase aplicaciones. Estos dispositivos estn destinados a ser interconectar directamente a los microcontroladores, lgica integrada circuitos y otros circuitos de baja potencia de compuerta de activacin.
Datos de referencia
35
EDP-115
CURVAS CARACTERISTICAS
36
EDP-115
Nmero de ciclos de la mitad a 60 Hz La figura 1. Mxima permitido no repetitiva de pico en el estado actual ITSM, en funcin del nmero de ciclos, para corrientes sinusoidales, f = 60Hz.
FIG.2 mxima admisible no repetitiva de pico en el estado actual ITSM, frente al ancho de pulso tp, para corrientes sinusoidales, la parte superior <= 10 ms.
TYN612M
12 A SCR
CARACTERSTICAS PRINCIPALES
Descripcin El SCR TYN612M es adecuado para adaptarse a los modos de controlar encontrado en aplicaciones tales como tensin circuitos de regulacin para motos, sobretensin barra de hierro de proteccin, circuitos de control de motores en el
37
EDP-115
poder instrumentos y ayudas de cocina, limitacin de corriente de irrupcin circuitos de encendido de descarga capacitiva. El Paquete FULLPACK aislamiento permite un regreso a la posterior configuracin.
CURVAS CARACTERISTICAS
38
EDP-115
Figura 1. Potencia media mxima la disipacin respecto a la media en el estado actual
Figura 2. Promedio y D.C. en el estado actual funcin de la temperatura caso (A-220)
Figura 9. En estado caractersticas (valores mximos)
SCR/SCR and SCR/Diode (MAGN-A-PAKTM Power Modules), 170/250 A

CARACTERSTICAS Alta tensin La base de la placa de aislamiento galvnico 3500 VRMS de aislamiento de tensin Industrial paquete estndar Simplificacin de los diseos mecnicos, el montaje rpido Alta capacidad de la demanda Las grandes lneas de fuga Plomo (Pb) sin Diseado y calificado para nivel industrial
DESCRIPCIN
39
EDP-115
Esta nueva serie de VSK MAGN-A-PAKTM utiliza mdulos de alta tiristor de potencia de voltaje / tiristor y tiristor / diodo en siete configuraciones bsicas. Los semiconductores son elctricamente aislados de la base de metal, permitiendo comn disipadores y los conjuntos compactos que se construir. Pueden ser interconectados para formar una sola fase o fase tres puentes o como AC-interruptores cuando los mdulos estn conectados en modo anti-paralelo. Estos mdulos estn diseados para uso general aplicaciones de uso, tales como cargadores de bateras, soldadoras, variadores de velocidad, UPS, etc Los valores absolutos (valores lmite)
Caractersticas elctricas
40
EDP-115
Curvas caractersticas
Fig. 1 - Caractersticas puntuaciones actuales
Fig. 2- En el Estado las caractersticas de prdida de potencia
TRIAC COMERCIALES
Caractersticas: o Capacidad de di/dt=100A/us o bajas prdidas de conmutacin o baja tensin de voltaje en estados altos de corriente o baja resistencia trmica
41
EDP-115
Fig.1 caracterstica principal de voltaje y corriente
fig.2 potencia disipada vrs estado de estado actual
42
EDP-115
SENSITIVE GATE TRIAC 2N6071, A, B 2N6073, A, B 2N6075, A, B 4.0 AMPS, 200 THRU 600 VOLTS
DESCRIPCIN: La Central Semiconductor 2N6071, A, B, tipos de series son triacs sensibles de silicio de puerta diseado para aplicaciones tales como reguladores de luz, los controles del motor, controles de calefaccin y de energa suministros.
43
EDP-115
BT134 series Triacs

Triac de Vidrio pasivado en una envoltura de plstico, diseado para su uso en aplicaciones que requieren alta capacidad bidireccional tensin transitoria y de bloqueo y de alto rendimiento ciclos trmicos. Las aplicaciones tpicas incluyen el control motor, industrial y domstico de iluminacin, calefaccin y conmutacin esttica.
Datos de referencia
44
EDP-115
Los valores absolutos (valores lmite
45
EDP-115
Curvas Caractersticas
46
EDP-115
MODELOS DE TIRISTORES PARA SPICE OPUS

********************************** ********************************** ** ** Littelfuse, LP ** SCR SPICE Models ** Sxx65x-Sxx70x ** ** T. Chenoski ** Irving Technical Center ** ** A 06/13/08 ** ********************************** ********************************** .SUBCKT S4065K 1 2 * TERMINALS: A G Qpnp 6 4 1 Qnpn 4 6 5 Rfor 6 4 500MEG Rrev 1 4 500MEG Rshort 6 5 10 Rlat 2 6 2.64 Ron 3 5 1.7m Dfor 6 4 Zbrk Drev 1 4 Zbrk Dgate 6 5 Zgate .MODEL Zbrk D (IS=10F .MODEL Zgate D (IS=10F .MODEL Pfor PNP(IS=10P .MODEL Nfor NPN(IS=10P CJC=250p TF=0.3U) .ENDS .SUBCKT S4065J 1 2 * TERMINALS: A G Qpnp 6 4 1 Qnpn 4 6 5 Rfor 6 4 500MEG Rrev 1 4 500MEG Rshort 6 5 10 Rlat 2 6 2.64 Ron 3 5 1.7m Dfor 6 4 Zbrk Drev 1 4 Zbrk Dgate 6 5 Zgate .MODEL Zbrk D (IS=10F .MODEL Zgate D (IS=10F .MODEL Pfor PNP(IS=10P .MODEL Nfor NPN(IS=10P CJC=250p TF=0.3U) .ENDS .SUBCKT S6065K 1 * TERMINALS: A Qpnp 6 4 2 G 1
3 K Pfor Nfor
OFF OFF
IBV=1U IBV=100U BF=3.5 ISE=1E-9
BV=400) BV=10 CJE=250p BF=100.0
VJ=0.3) CJC=250p RC=13.6M
TF=0.3U) CJE=1250p
3 K Pfor Nfor
OFF OFF
BV=400) BV=10 CJE=250p BF=100.0
VJ=0.3) CJC=250p RC=13.6M
TF=0.3U) CJE=1250p
3 K Pfor
OFF
47

Qnpn 4 6 5 Rfor 6 4 500MEG Rrev 1 4 500MEG Rshort 6 5 10 Rlat 2 6 2.64 Ron 3 5 1.7m Dfor 6 4 Zbrk Drev 1 4 Zbrk Dgate 6 5 Zgate .MODEL Zbrk D (IS=10F .MODEL Zgate D (IS=10F .MODEL Pfor PNP(IS=10P .MODEL Nfor NPN(IS=10P CJC=250p TF=0.3U) .ENDS .SUBCKT S6065J 1 2 * TERMINALS: A G Qpnp 6 4 1 Qnpn 4 6 5 Rfor 6 4 500MEG Rrev 1 4 500MEG Rshort 6 5 10 Rlat 2 6 2.64 Ron 3 5 1.7m Dfor 6 4 Zbrk Drev 1 4 Zbrk Dgate 6 5 Zgate .MODEL Zbrk D (IS=10F .MODEL Zgate D (IS=10F .MODEL Pfor PNP(IS=10P .MODEL Nfor NPN(IS=10P CJC=250p TF=0.3U) .ENDS .SUBCKT S8065K 1 2 * TERMINALS: A G Qpnp 6 4 1 Qnpn 4 6 5 Rfor 6 4 500MEG Rrev 1 4 500MEG Rshort 6 5 10 Rlat 2 6 2.64 Ron 3 5 1.7m Dfor 6 4 Zbrk Drev 1 4 Zbrk Dgate 6 5 Zgate .MODEL Zbrk D (IS=10F .MODEL Zgate D (IS=10F .MODEL Pfor PNP(IS=10P .MODEL Nfor NPN(IS=10P CJC=250p TF=0.3U) .ENDS .SUBCKT S8065J 1 * TERMINALS: A 2 G Nfor OFF
EDP-115
BV=600) BV=10 CJE=250p BF=100.0
VJ=0.3) CJC=250p RC=13.6M
TF=0.3U) CJE=1250p
3 K Pfor Nfor
OFF OFF
BV=600) BV=10 CJE=250p BF=100.0
VJ=0.3) CJC=250p RC=13.6M
TF=0.3U) CJE=1250p
3 K Pfor Nfor
OFF OFF
BV=800) BV=10 CJE=250p BF=100.0
VJ=0.3) CJC=250p RC=13.6M
TF=0.3U) CJE=1250p
3 K
48

Qpnp 6 4 1 Qnpn 4 6 5 Rfor 6 4 500MEG Rrev 1 4 500MEG Rshort 6 5 10 Rlat 2 6 2.64 Ron 3 5 1.7m Dfor 6 4 Zbrk Drev 1 4 Zbrk Dgate 6 5 Zgate .MODEL Zbrk D (IS=10F .MODEL Zgate D (IS=10F .MODEL Pfor PNP(IS=10P .MODEL Nfor NPN(IS=10P CJC=250p TF=0.3U) .ENDS .SUBCKT SK065K 1 2 * TERMINALS: A G Qpnp 6 4 1 Qnpn 4 6 5 Rfor 6 4 500MEG Rrev 1 4 500MEG Rshort 6 5 10 Rlat 2 6 2.64 Ron 3 5 1.7m Dfor 6 4 Zbrk Drev 1 4 Zbrk Dgate 6 5 Zgate .MODEL Zbrk D (IS=10F .MODEL Zgate D (IS=10F .MODEL Pfor PNP(IS=10P .MODEL Nfor NPN(IS=10P CJC=250p TF=0.3U) .ENDS .SUBCKT S4070W 1 2 * TERMINALS: A G Qpnp 6 4 1 Qnpn 4 6 5 Rfor 6 4 500MEG Rrev 1 4 500MEG Rshort 6 5 10 Rlat 2 6 2.64 Ron 3 5 1.2m Dfor 6 4 Zbrk Drev 1 4 Zbrk Dgate 6 5 Zgate .MODEL Zbrk D (IS=10F .MODEL Zgate D (IS=10F .MODEL Pfor PNP(IS=10P .MODEL Nfor NPN(IS=10P CJC=250p TF=0.3U) .ENDS .SUBCKT S6070W 1 2 Pfor Nfor OFF OFF
EDP-115
BV=800) BV=10 CJE=250p BF=100.0
VJ=0.3) CJC=250p RC=13.6M
TF=0.3U) CJE=1250p
3 K Pfor Nfor
OFF OFF
BV=1000) BV=10 CJE=250p BF=100.0
VJ=0.3) CJC=250p RC=13.6M
TF=0.3U) CJE=1250p
3 K Pfor Nfor
OFF OFF
BV=400) BV=10 CJE=250p BF=100.0
VJ=0.3) CJC=250p RC=13.6M
TF=0.3U) CJE=1250p
49

* TERMINALS: A G Qpnp 6 4 1 Qnpn 4 6 5 Rfor 6 4 500MEG Rrev 1 4 500MEG Rshort 6 5 10 Rlat 2 6 2.64 Ron 3 5 1.2m Dfor 6 4 Zbrk Drev 1 4 Zbrk Dgate 6 5 Zgate .MODEL Zbrk D (IS=10F .MODEL Zgate D (IS=10F .MODEL Pfor PNP(IS=10P .MODEL Nfor NPN(IS=10P CJC=250p TF=0.3U) .ENDS .SUBCKT S8070W 1 2 * TERMINALS: A G Qpnp 6 4 1 Qnpn 4 6 5 Rfor 6 4 500MEG Rrev 1 4 500MEG Rshort 6 5 10 Rlat 2 6 2.64 Ron 3 5 1.2m Dfor 6 4 Zbrk Drev 1 4 Zbrk Dgate 6 5 Zgate .MODEL Zbrk D (IS=10F .MODEL Zgate D (IS=10F .MODEL Pfor PNP(IS=10P .MODEL Nfor NPN(IS=10P CJC=250p TF=0.3U) .ENDS K Pfor Nfor
EDP-115
OFF OFF
BV=600) BV=10 CJE=250p BF=100.0
VJ=0.3) CJC=250p RC=13.6M
TF=0.3U) CJE=1250p
3 K Pfor Nfor
OFF OFF
BV=800) BV=10 CJE=250p BF=100.0
VJ=0.3) CJC=250p RC=13.6M
TF=0.3U) CJE=1250p
50
EDP-115 ONDA COMPLETA MONOFSICOS Y
SIMULACIN DE RECTIFICADORES TRIFSICOS UTILIZANDO TIRISTORES
DE
Figura 41 Convertidor Monofsico completo.
Cdigo fuente del archivo convertidor_monofasico_onda_completa.cir
51
EDP-115
*-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+*RECTIFICADOR MONOFASICO DE ONDA COMPLETA*-+-+-+-+-+-+-+-++-+* *-+-+-+-+ SECCION 10.2, FIGURA 10.1 +-+-+-+-+-+-+-+-+-+*
*-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-* * Universidad De El Salvador * * Facultad de Ingenieria Y Arquitectura * * Escuela de Ingenieria Electrica * * Electronica de Potencia * * * * Catedratico: Ing. Wilber Calderon * * * * Tarea #2 * * TIRISTORES Y RECTIFICADORES CONTROLADOS (UNIDAD 4 y 5) * * (CAPITULO 10) * * * * Integrantes: * * Gerson Joel lvarez Martnez AM07046 * * Mario Ernesto Bojrquez Flores BF06006 * * William Alcides Rivas Garca RG07037 * * * * * * * * * * Cuidad Universitaria, 17 de Mayo de 2013 * * * *-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-* ******************************************************************************** * *-------------------------> DEFINICION DE PARAMETROS <-------------------------* * * * El valor de alfa en Grados, lo elige el usuario * * * * retardo = (alfa * (pi/180)) / (2*pi*f) ,obtendremos el valor en segundos * * * ******************************************************************************** * .param .param .param .param .param .param .param .param .param Amplitud = 169.7 f = 60 Rcarga = 0.10 Lcarga = 20m alfa = 0 retardo = (alfa * (pi/180)) / (2 * pi * f) T = (1 / f) AnchoPulso = ( T / 2 ) E = 10
52
EDP-115
****************************************************************** *-----------------> DEFINICION DEL CIRCUITO <--------------------* ****************************************************************** Vcorriente_entrada 1 2 DC 0 R 3 5 {Rcarga} L 5 6 {Lcarga} VIN XT1 XT2 XT3 XT4 V1 V2 V3 V4 Ve 2 4 0 4 3 0 3 2 6 1 0 SIN(0 {Amplitud} {f} ) 3 7 S8070W 0 10 S8070W 3 8 S8070W 2 9 S8070W 7 dc 0 pulse(0 10 dc 0 pulse(0 8 dc 0 pulse(0 9 dc 0 pulse(0 4 DC {E}
10 10 10 10
{retardo} {retardo} {retardo} {retardo}
1p 1p 1p 1p
1p 1p 1p 1p
{AnchoPulso} {AnchoPulso} {AnchoPulso} {AnchoPulso}
{T}) {T}) {T}) {T})
************************************************************** *-----------------> MODELO DEL TIRISTOR <--------------------* ************************************************************** .SUBCKT S8070W 1 2 3 * TERMINALS: A G K Qpnp 6 4 1 Pfor OFF Qnpn 4 6 5 Nfor OFF Rfor 6 4 500MEG Rrev 1 4 500MEG Rshort 6 5 10 Rlat 2 6 2.64 Ron 3 5 1.2m Dfor 6 4 Zbrk Drev 1 4 Zbrk Dgate 6 5 Zgate .MODEL Zbrk D (IS=10F IBV=1U BV=800) .MODEL Zgate D (IS=10F IBV=100U BV=10 VJ=0.3) .MODEL Pfor PNP(IS=10P BF=3.5 CJE=250p CJC=250p .MODEL Nfor NPN(IS=10P ISE=1E-9 BF=100.0 RC=13.6M CJC=250p TF=0.3U) .ENDS ************************************************** *-----------------> CONTROL <--------------------* ************************************************** .control tran 10us 50ms 0.1us 100us plot V(1) +ylabel "[V]" +xlabel "[seg]"
TF=0.3U) CJE=1250p
53

+title "Voltaje de Entrada"
EDP-115
plot V(3,4) +ylabel "[V]" +xlabel "[seg]" +title "Voltaje de Salida" plot V(1) V(3,4) +ylabel "[V]" +xlabel "[seg]" +title "Vin(Verde) vrs. Vout (Rojo)" plot v(3,7) +ylabel "[V]" +xlabel "[seg]" +title "Sede control" .endc +*********************************************** .end
Fig. 42 Seal de entrada al rectificador
54
EDP-115
Fig. 43 Seal de salida al rectificador
Fig. 44 Seal de salida vrs seal de salida del rectificador
55
EDP-115
Fig. 45 Seal control para el tiristor

RECTIFICADOR TRIFASICO
Figura 46 Rectificador TRIFASICO completo.
56
TRABAJO SOBRE TIRISTORES Cdigo fuente del archivo convertidor_monofasico.cir
EDP-115
*-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+*RECTIFICADOR TRIFASICO DE ONDA COMPLETA CON CARGA RL*-+-++-+-+-+-+-+-+-+* *-+-+-+-+ SECCION 10.5, FIGURA 10.4 +-+-+-+-+-+-+-+-+-+* *-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-* * Universidad De El Salvador * * Facultad de Ingenieria Y Arquitectura * * Escuela de Ingenieria Electrica * * Electronica de Potencia * * * * Catedratico: Ing. Wilber Calderon * * * * Tarea #2 * * TIRISTORES Y RECTIFICADORES CONTROLADOS (UNIDAD 4 y 5) * * (CAPITULO 10) * * * * Integrantes: * * Gerson Joel lvarez Martnez AM07046 * * Mario Ernesto Bojrquez Flores BF06006 * * William Alcides Rivas Garca RG07037 * * * * * * * * * * Cuidad Universitaria, 17 de Mayo de 2013 * * * *-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-* *-------------------------> DEFINICION DE PARAMETROS <-------------------------* * * * Nota: * * El valor de alfa en Grados, lo elige el usuario * * * * retardo = (alfa * (pi/180)) / (2*pi*frec) ,obtendremos el valor en segundos * * * * AP : Ancho del pulso * * * ******************************************************************************** * *----> Definicion de parametros para el voltaje de entrada .param Vmax = 169.705 .param f = 60Hz .param desfase = 120
57

.param .param .param .param .param .param .param .param .param .param .param .param .param .param .param .param .param Rcarga = 0.10 Lcarga = 20m alfa1 = 0 alfa2 = 120 alfa3 = 240 alfa4 = 0 alfa5 = 120 alfa6 = 240 retardo1 = ((alfa1) * (pi/180)) retardo2 = ((alfa2) * (pi/180)) retardo3 = ((alfa3) * (pi/180)) retardo4 = ((alfa4) * (pi/180)) retardo5 = ((alfa5) * (pi/180)) retardo6 = ((alfa6) * (pi/180)) T = (1 / f) AnchoPulso = ( T / 2 ) E = 10
EDP-115
/ / / / / /
(2 (2 (2 (2 (2 (2
* * * * * *
pi pi pi pi pi pi
* * * * * *
f) f) f) f) f) f)
****************************************************************** *-----------------> DEFINICION DEL CIRCUITO <--------------------* ****************************************************************** Van 8 0 SIN( 0 {Vmax} {f}) Vbn 2 0 SIN( 0 {Vmax} {f} 0 0 {desfase}) Vcn 3 0 SIN( 0 {Vmax} {f} 0 0 {desfase*2}) *Fuente de voltaje para medir la *corriente de entrada Vy 8 1 DC 0 *Fuente de voltaje para medir la *corriente de salida Vx 7 5 DC {E} XT1 XT2 XT3 XT4 XT5 XT6 V1 V2 V3 V4 V5 V6 1 2 3 5 5 5 4 4 4 3 1 2 4 8 S8070W 4 9 S8070W 4 10 S8070W 3 11 S8070W 1 12 S8070W 2 13 S8070W 8 dc 0 pulse(0 9 dc 0 pulse(0 10 dc 0 pulse(0 11 dc 0 pulse(0 12 dc 0 pulse(0 13 dc 0 pulse(0
10 10 10 10 10 10
{retardo1} {retardo2} {retardo3} {retardo4} {retardo5} {retardo6}
1p 1p 1p 1p 1p 1p
1p 1p 1p 1p 1p 1p
{AnchoPulso} {T}) {AnchoPulso} {T}) {AnchoPulso} {T}) {AnchoPulso} {T}) {AnchoPulso} {T}) {AnchoPulso} {T})
L 6 7 {Lcarga} R 4 6 {Rcarga} ************************************************************** *-----------------> MODELO DEL TIRISTOR <--------------------* ************************************************************** .SUBCKT S8070W 1 2 3 * TERMINALS: A G K
58

Qpnp 6 4 1 Qnpn 4 6 5 Rfor 6 4 500MEG Rrev 1 4 500MEG Rshort 6 5 10 Rlat 2 6 2.64 Ron 3 5 1.2m Dfor 6 4 Zbrk Drev 1 4 Zbrk Dgate 6 5 Zgate .MODEL Zbrk D (IS=10F .MODEL Zgate D (IS=10F .MODEL Pfor PNP(IS=10P .MODEL Nfor NPN(IS=10P CJC=250p TF=0.3U) .ENDS Pfor Nfor OFF OFF
EDP-115
BV=800) BV=10 CJE=250p BF=100.0
VJ=0.3) CJC=250p RC=13.6M
TF=0.3U) CJE=1250p
************************************************** *-----------------> CONTROL <--------------------* ************************************************** .control *tran 10us 50ms 0.1us 100us tran 10us 2s 0.01us 100us *tran 10us 2.0166667s 2.0s ****parametros de entrada***** plot v(8) V(2) V(3) +ylabel "[Van Vbn Vcn]" +xlabel "[s]" +title "VOLTAJES DE ENTRADA" ****parametros de salida***** plot v(4,5) +ylabel "[Vo]" +xlabel "[s]" +title "VOLTAJE DE SALIDA" plot v(4,8) +ylabel "[V]" +xlabel "[s]" +title "Sede Control" .endc .end
59
EDP-115
Fig. 47 Seal de entrada al rectificador TRIFASICO
Fig. 48 Seal de salida al rectificador TRIFASICO
60
EDP-115
Fig. 49 Seal control para el tiristor

CONVERTIDOR CONTROLADO POR FASE
Circuito:
Fig. 50 circuito controlado por fase
61
EDP-115
Cdigo: ******** ******** ******** ******** ******** SIMULACION DE UN CONVERTIDOR CA-CD NOTA: Las unidades de los parametros son, input [Vpico], f [Hz], rload [ohmios], alfa [grados] Las grficas se muestran solo para dos periodos
************************* LA SALIDA ES V(3) ************************* ********************** PARAMETROS DEL CIRCUITO ********************** .param input .param f .param rload .param alfa = 169.7 = 60 = 10 = 25
.control tran 10US 33.33MS 0.1US 10US plot v(3) v(2,3) *plot v(3) v(1) *plot i(vx) *plot v(1,3) *+ylabel "[V]" *+xlabel "[s]" *+title "Vout (Rojo), Vin (Verde)" .endc
********************** DEFINICION DEL CIRCUITO *********************** V 1 0 SIN(0 {input} {f}) V1 2 3 dc 0 pulse(0 12 {alfa/(360*f)} 1.0P 1.0P 50N {1/f}) XT1 1 2 3 S8070W r 3 4 {rload} **************** PARA VER LA CORRIENTE EN LA CARGA *************** vx 4 0 dc 0 ************************ MODELO DEL TIRISTITOR ********************** *MODELO DE TIRISTOR .SUBCKT S8070W 1 2 3
62
TRABAJO SOBRE TIRISTORES *TERMINALS: A G K
EDP-115
Qpnp 6 4 1 Pfor OFF Qnpn 4 6 5 Nfor OFF Rfor 6 4 500MEG Rrev 1 4 500MEG Rshort 6 5 10 Rlat 2 6 2.64 Ron 3 5 1.2m Dfor 6 4 Zbrk Drev 1 4 Zbrk Dgate 6 5 Zgate .MODEL Zbrk D (IS=10F IBV=1U BV=800) .MODEL Zgate D (IS=10F IBV=100U BV=10 VJ=0.3) .MODEL Pfor PNP(IS=10P BF=3.5 CJE=250p CJC=250p TF=0.3U) .MODEL Nfor NPN(IS=10P ISE=1E-9 BF=100.0 RC=13.6M CJE=1250p CJC=250p TF=0.3U) .ENDS .end
Fig 51 Aqu se muestra el voltaje a la salida obtenido de la simulacin en spice opus.
63
EDP-115
Fig. 52 En esta grafica se muestra de color rojo la Vo y de color verde el pulso de activacin en la compuerta.
Fig. 53 Voltaje de entrada (color verde) y Voltaje de salida (color rojo).
64
EDP-115
Fig. 54 Grafica de corriente Io obtenida de una carga puramente resistiva.
Fig. 55 Voltaje en el tiristor entre nodo y el ctodo.
65
EDP-115
Conmutacin forzada.
Fig. 56 Este circuito se utiliz en la simulacin para demostrar que un SCR en DC despus de activar la compuerta permanece activo.
Fig. 57 De color rojo se muestra Vs de 50VDC, y de color verde los pulsos de activacin en la compuerta, como se puede observar el voltaje a la salida se mantiene activo despus del primer pulso de activacin y la conduccin de este no se muestra interrumpida.
66
EDP-115
Para realizar la conmutacin forzada se simulo un pequeo circuito el cual se muestra a continuacin.
Fig. 58 circuitos a usar en la simulacin.
Cdigo:
***********Simulacion en DC******** **********Conmtacion Forzada************* .param f = 60 .param alfa = 25 .control tran 10US 33.33MS 0.1US 10US plot v(6) v(2,6) V(3,6) plot v(6) v(4) .endc ********************** DEFINICION DEL CIRCUITO *********************** V 1 0 dc 50 V1 2 6 dc 0 pulse(0 12 {alfa/(360*f)} 1.0P 1.0P 10u {1/f}) V2 3 6 dc 0 pulse(0 12 {(10*alfa)/(360*f)} 1.0P 1.0P 10u {1/f}) *XT A G K XT1 1 2 6 S8070W XT2 4 3 6 S8070W RL 6 0 10 R1 5 7 40 C1 1 4 10uF L1 7 6 10mH D1 5 4 D1N
67
EDP-115
.model D1N D (N=1) ************************** MODELO DEL TIRISTITOR ********************** *MODELO DE TIRISTOR .SUBCKT S8070W 1 2 3 *TERMINALS: A G K Qpnp 6 4 1 Pfor OFF Qnpn 4 6 5 Nfor OFF Rfor 6 4 500MEG Rrev 1 4 500MEG Rshort 6 5 10 Rlat 2 6 2.64 Ron 3 5 1.2m Dfor 6 4 Zbrk Drev 1 4 Zbrk Dgate 6 5 Zgate .MODEL Zbrk D (IS=10F IBV=1U BV=800) .MODEL Zgate D (IS=10F IBV=100U BV=10 VJ=0.3) .MODEL Pfor PNP(IS=10P BF=3.5 CJE=250p CJC=250p TF=0.3U) .MODEL Nfor NPN(IS=10P ISE=1E-9 BF=100.0 RC=13.6M CJE=1250p CJC=250p TF=0.3U) .ENDS .end
Fig. 59 Graficas obtenidas del circuito, de color rojo se muestra el voltaje en la carga RL, de color verde el pulso de activacin en la compuerta de T1 y de color azul el pulso de activacin en T2.
68
EDP-115
Fig.60 En estas graficas se muestra de color rojo el voltaje en la carga RL y de color verde el voltaje en el nodo 4.
69
EDP-115
CONCLUSIONES
Los tiristores son dispositivos que son de mucha ayuda en un proceso industrial los cuales pueden sustituir a un contactor a un rel u otro dispositivo semejantes a ellos ya que estos dispositivos requieren de parte mecnica en la cual el ruido y muchos otros factores influyen para su eficiente funcionamiento en industria. Los tiristores son ms eficientes ya que no necesitan una parte mecnica ni necesitan bobinas para su funcionamiento y lo ms y solo necesitan una excitacin en la puerta para que los deje encendidos durante el tiempo mientras no se le quiete la excitacin, lo mejor es que ahorran espacio, dinero y sobretodo son electrnicos. Los tiristores son tambin utilizados como rels estticos, presentando las ventajas de poder trabajar a frecuencias ms altas, tener una vida ms larga, la exencin de rebotes y tiempos de conexin muy cortos con inexistencia de desgastes de contactos. La principal ventaja reside en su baja corriente de mando y su auto desconexin con el paso por cero de la corriente alterna de la carga. Un inconveniente es la cada de tensin directa entre nodo y ctodo que es un aproximado de 1 a 2 V, la circulacin de pequeas corrientes inversas en estado de bloqueo y su baja capacidad para soportar sobrecargas elctricas frente a sus homlogos electromecnicos.
Con la realizacin de esta tarea se ha comprobado que programas como spiceopus son de mucha ayuda a la hora de querer obtener resultados previos antes de tener contacto en la vida prctica y se han enriquecido los conocimientos en lo que respecta a los rectificadores monofsicos y trifsicos realizados con tiristores.
70
EDP-115
ANEXOS
Los modelos para los tiristores en Spice Opus, para diferentes capacidades de voltaje y corriente se pueden encontrar en la siguiente direccin WEB: http://www.littelfuse.com/data/en/PSPICE_Models/SPICE_Littelfuse_SCR-Sxx65xSxx70x_A_lib.htm
71

Tarera 2

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Tarera 2

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Tarera 2

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Universidad de El Salvador Facultad de Ingeniera y Arquitectura Escuela de Ingeniera Elctrica Electrnica de potencia

Catedrtica: Ing. Wilber Caldern Presenta: Apellidos

Ciudad Universitaria, 17 de Mayo de 2013

TRABAJO SOBRE TIRISTORES

TRABAJO SOBRE TIRISTORES

TRABAJO SOBRE TIRISTORES

TRABAJO SOBRE TIRISTORES

MARCO TEORICO Tiristor

Figura 1. Smbolo de un tiristor

Figura 2. Componente Fsico de un tiristor

TRABAJO SOBRE TIRISTORES

TRABAJO SOBRE TIRISTORES

TRABAJO SOBRE TIRISTORES

TRABAJO SOBRE TIRISTORES

Descripcin de Algunos Tiristores:

Figura 5. Smbolo del SCR

Figura 6. Smbolo a nivel de transistor

TRABAJO SOBRE TIRISTORES

Figura 8 Smbolo del TRIAC

Figura 9. Smbolo equivalente con SCR

TRABAJO SOBRE TIRISTORES

Figura10.Curva caracterstica de un TRIAC

Figura 11 . Smbolo de tiristor GTO

TRABAJO SOBRE TIRISTORES

Figura 12.Simbolo de un tirisot DIAC.

TRABAJO SOBRE TIRISTORES

Figura 13. Curva caracterstica de un DIAC

INTERRUPTOR CONTROLADO POR PUERTA

TRABAJO SOBRE TIRISTORES

Convertidor Monofsico de Tiristor con una carga resistiva:

Figura 14. Circuito de un convertidor

monofsico con carga resistiva de media onda

Figura 15 Cuadrante correspondiente al circuito convertidor monofsico

TRABAJO SOBRE TIRISTORES

Convertidor Monofsico Completo

Figura 16.Circuito Electrnico del rectificador monofsico completo.

TRABAJO SOBRE TIRISTORES

Figura 17.Cuadrante del rectificador monofsico completo

Figura 18.Formas de onda del rectificador monofsico completo

TRABAJO SOBRE TIRISTORES

Figura 19.Circuito Electrnico del convertidor monofsico DUAL.

Figura 20. Cuadrantes del convertidor monofsico DUAL.

TRABAJO SOBRE TIRISTORES

Figura 21. Formas de onda del convertidor monofsico DUAL

TRABAJO SOBRE TIRISTORES

Convertidor Trifsico de Media Onda.

Figura 22.Circuito Electrnico rectificador trifsico de media onda

Figura 23.Cuadrante del Circuito Electrnico rectificador trifsico de media onda

TRABAJO SOBRE TIRISTORES

TRABAJO SOBRE TIRISTORES

Convertidor Trifsico Completo.

Figura 25. Circuito Electrnico rectificador trifsico completo

TRABAJO SOBRE TIRISTORES

Convertidor Trifsico Dual.

Figura 27. Circuito Electrnico rectificador trifsico DUAL.

TRABAJO SOBRE TIRISTORES

Figura 28. Formas de Onda del Electrnico rectificador trifsico DUAL.

Conmutacin forzada ELECTRNICA DE POTENCIA

TRABAJO SOBRE TIRISTORES