EL61 LAB1 Algoner Matias 2024-01

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EL232 SENSORES Y ACONDICIONADORES

LABORATORIO 1

MEDICION DE TEMPERATURA

SECCIÓN: EL61

CODIGO APELLIDOS, Nombres PARTICIPÓ


U202114664 Algoner Romero, Matias Nicolas sí
U201723947 Diaz Torres, Dany Miller sí

Fecha de ejecución del Laboratorio 26/04, 2/05, 9/05


Fecha de entrega del Informe 11/24

SENSORES Y ACONDICIONADORES
ING. MOISÉS GUTIÉRREZ
TOPOLOGÍAS CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES

OBJETIVO:

1. Analizar y familiarizar al estudiante con las diferentes topologías y configuraciones que se


tienen con amplificadores operacionales que se usan con circuitos de muy baja valor de
tensión y alto ruido eléctrico que involucran las señales eléctricas de los sensores.
2. Acondicionamiento de las señales de los sensores analógicos.

Instrumentos y Componentes

POS COMPONENTE CANTIDAD


1 Amplificador operacional TL082 2
2 Fuente variable de 24V, 2 A 1
3 Resistencia de 100 ohm 4
4 Resistencia de 680 ohm 4
5 Resistencia de 1 kohm 4
6 Resistencia de 2.2 kohm 4
7 Resistencia de 10K 4
8 Resistencia de 20 K 4
9 Resistencia de 100 K 4
10 Resistencia de 220 K 4
11 Potenciómetro 2
12 Capacitor 0.015 uf, 12V 2
13 Capacitor 0.022 uf, 12V 2
14 Cautin 1
15 Soldadura, 50 cms 1
16 Peladores 1
17 Protoboard 1

SENSORES Y ACONDICIONADORES
ING. MOISÉS GUTIÉRREZ
Procedimiento

1. Configuración como amplificador inversor.


Valores teóricos
R2 POS Ui Uo R1 R2
(mV) (V)
+ R1
_- 8 +12 V 1 10 -1.0 1K 100K
1 2 50 -1.2 10K 24K
Ui +
3 3 500 -6.0
+ Uo 10K 12K
- 4 -12 V - 4 700 -15.6 1K 22 K
R1 ½ TL082
𝑅2
𝑈𝑜 = − 𝑥𝑈𝑖
𝑅1
Cálculos

𝑉𝑜
𝑅2 = − ∗ 𝑅1
𝑉𝑖

−1
1) 𝑅2 = − 10∗10−3 𝑥1 ∗ 103 = 100𝑘Ω
−1.2
2) 𝑅2 = − 50∗10−3 𝑥1 ∗ 103 = 2,4𝑘Ω
−6.0
3) 𝑅2 = − 500∗10−3 𝑥1 ∗ 103 = 1.2𝑘Ω
700𝑥10−3 𝑥22𝐾
4) 𝑉𝑜 = − = −15.6𝑉
1𝐾

Valores experimentales (valores reales) medidos en el laboratorio

POS Ui (mV) Uo (V) R1 R2


1 9.9 -1.092 1k 100K
2 50.3 -1.216 1k 24K
3 0.499 -5.74 1k 12K
4 0.640 -11.47 1k 22K

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2. Configuración como amplificador inversor y retardador.

Valores teóricos
C1
POS Ui (mV) Uo (V) f (Hz) R1 C1
1 10 -1.0 500 100 31.85nF
R1
+ 8 +12 V
2 50 -1.2 1.0 K 680 10nF _-
1
3 500 -6.0 1.2 K 1K 10nF
Ui +
3 Uo
4 700 -8.0 633 1K 22nF + 4 -12 V
- -
R1 ½ TL082
𝑗
𝑈𝑜 = 𝑥𝑈𝑖
2𝑥𝜋𝑥𝑓𝑥𝐶1𝑥𝑅1

Cálculos

𝑗
1) 𝐶 = 2𝑥𝜋𝑥𝑓𝑥𝑈𝑜𝑥𝑅1 𝑥𝑈𝑖
𝑗
𝐶= 𝑥10𝑥10−3
2𝑥𝜋𝑥500𝑥 − 1𝑥100
𝐶 = 31,85𝑛𝐹
2)
𝑗
𝐶= 𝑥50𝑥10−3
2𝑥𝜋𝑥1000𝑥 − 1.2𝑥680
𝐶 = 10𝑛𝐹
3)
𝑗
𝐶= 𝑥500𝑥10−3
2𝑥𝜋𝑥1200𝑥 − 6𝑥680
𝐶 = 10𝑛𝐹
4)

𝑗
22𝑛𝐹 = 𝑥700𝑥10−3
2𝑥𝜋𝑥𝑓𝑥 − 8𝑥680
𝑓 = 633𝐻𝑧

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Valores experimentales (valores reales) medidos en el laboratorio

POS Ui (mV) Uo (V) f (Hz) R1(Ω) C1


1 10.5 -0.96 500 99.8
29.1nF
2 50.1 -1.18 1000 663
11.9nF
3 480 -5.39 1200
0.993k 11.9nF
4 727 -8.33 633 993
21.1nF

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3. Configuración como amplificador no inversor:
Valores teóricos
R2
POS Ui Uo R1 R2 R3
(mV) (V)
1 10 1.0 1k 100k 1K
R1 2 50 1.2 4.7k 110K 6K
8 +12 V
_- 3 500 6.0 10K 110K 10 K
1
R3 + 4 800 12.8 1K 15 K 22 K
+ 3
+ Uo
4 -12 V -
Ui
- ½ TL082
𝑅2
𝑈𝑜 = (1 + )𝑥𝑈𝑖
𝑅1

Cálculos

1) Para Uo=1,Ui=10mV,R3=1K,R2=100K. Entonces, R1:


𝑈𝑜
𝑅1 = 𝑅2/( − 1)
𝑈𝑖
100𝑘
𝑅1 = 1 =1k Ω
−1
10𝑚𝑉

2) Para Uo=1.2V , Ui=50mV,R3=6K,R2=110K. Entonces, R1:


𝑈𝑜
𝑅1 = 𝑅2/( − 1)
𝑈𝑖

110𝑘
𝑅1 = 1.2 =4.7kΩ
−1
50𝑚𝑉

3) Para Uo=6V , Ui=500mV,R3=10K,R2=110K. Entonces, R1:


𝑈𝑜
𝑅1 = 𝑅2/( − 1)
𝑈𝑖

110𝑘
𝑅1 = 6 =10kΩ
−1
500𝑚𝑉

4) Para Uo=1.2V , Ui=50mV,R3=10K,R2=110K. Entonces, R1:


𝑈𝑜
𝑅1 = 𝑅2/( − 1)
𝑈𝑖

15𝑘
𝑅1 = 12.8 =1kΩ
−1
800𝑚𝑉

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Valores experimentales (valores reales) medidos en el laboratorio

POS Ui Uo R1 R2 R3
(mV) (V)
1 9.97 0.988 1K 99K 1K
2 50.25 1.192 4.7k 108.1K 4.7K
3 501 5.94 10K 110k 10K
4 803 12.45 1K 15K 22k

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4. Configuración como seguidor emisivo:
Valores teóricos
POS Ui (mV) Uo (V) R1
1 100 2 8 +12 V
100 1k _-
2 500 1
500 10k R1 +
3 1200 1200 20K + 3
+ 4 -12 V Uo
4 2000 2000 60k Ui -
-
½ TL082
𝑈𝑜 = 𝑈𝑖

Cálculos

1) Para Ui=100mV, se tiene: Uo=100mV.


2) Para Ui=500mV, se tiene: Uo=500mV.
3) Para Ui=1200mV, se tiene: Uo=1200mV.
4) Para Ui=2000mV, se tiene: Uo=2000mV.

Valores experimentales (valores reales) medidos en el laboratorio

POS Ui (mV) Uo (V) R1


1
100 100.02 1K
2
501 498.01 10K
3
1201.01 1200.04 20K
4
2000 2000.01 60K

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5. Configuración como amplificador no inversor

R2=20 K
R4=100 K
R1=1 K
2 + +12 V
TC _- 8
R3=2 K
1 6
Ui
3 + 7
+ R5=100 K +
1 - 4 -12 V Ua +12 V 5
+ Uo
R1=1 K ½ TL082 ½ TL082
R3=2 K
P01

-12 V

5.1 El circuito mostrado es un acondicionador de tensión de termocupla.


5.2 Trabajar con los valores de resistencia mostrados
5.3 Simular la termocupla con una fuente que varie entre 0 mV a 16 mV

5.4 Valores teóricos


Ui (mV) Ua (mV) Uo (V)
0 0 0
2.0 -40.0 2.0
4.0 -80.0 4.0
6.0 -120.0 6.0
8.0 -160.0 8.0
10.0 -200.0 10.0
12.0 -240.0 12.0
14.0 -280.0 14.0
16.0 -320.0 16.0

Cálculos

Bloke 1
Bloke 2
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En el Bloque 1: La ecuación está dada por la siguiente expresión:
𝑅2
𝑈𝑎 = −𝑈𝑖(𝑅1)
Remplazando R1=1K, R2=20K.
20𝐾
𝑈𝑎 = −𝑈𝑖( 1𝐾 ) 𝑈𝑎 = −20𝑈𝑖

Por lo tanto:
Para:
Ui (mV) Ua (mV)
0 0
2.0 -40.0
4.0 -80.0
6.0 -120.0
8.0 -160.0
10.0 -200.0
12.0 -240.0
14.0 -280.0
16.0 -320.0

En el bloke 2: Se cumple lo siguiente:


𝑅4
𝑈𝑜 = −𝑈𝑎(𝑅3)
Remplazando R1=2K, R2=100K.
100𝐾
𝑈𝑎 = −𝑈𝑖( 2𝐾 ) 𝑈𝑎 = −100𝑈𝑖
Por lo tanto:
Para:

Ua (mV) Uo (V)
0 0
-40.0 2.0
-80.0 4.0
-120.0 6.0
-160.0 8.0
-200.0 10.0
-240.0 12.0
-280.0 14.0
-320.0 16.0

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Valores experimentales (valores reales) medidos en el laboratorio
Ui (mV) Ua (mV) Uo (V)
0 -12.9 0.723
2.0 -56.9 2.9
4.0 -94.0 4.75
6.0 -131.1 6.59
8.0 -184.5 8.5
10.0 -209.1 10.47
12.0 -254.7 11.29
14.0 -295.1 11.29
16.0 -332.7 11.29

OBSERVACIONES
En todas las experiencias:
Los valores de Uo difiere con el teórico por milésima debido al porcentaje de error de las
resistencias.
En la experiencia 1:
Asignándole a la resistencia R2=22kΩ, R=1kΩ yUi=700mV. Se obtuvo como Uo=-15.4V , por lo que
es un valor absurdo. Por lo mismo que el voltaje de alimentación del integrado está entre -12V y
+12V.Para eliminar la saturación se bajó a 640mV en valor de entrada, por ello el valor de salida
siempre quedaba en -11.47V.
En la experiencia 5.
Se pudo observar más aún el voltaje offset de circuito integrado. Cuando
Se colocó 0V en la entrada, la salida teóricamente tenía que ser 0V. Pero no fue así, salió un valor
de -12mV. Ese valor es el offset a consecuencia del material del integrado , en este caso silicio.

CONCLUSIONES.

Tener en cuenta el voltaje de saturación del integrado. Haciendo las respectivas pruebas.
En un un diseño entonces, es importante tener en cuenta el voltaje de saturación de un integrado,
para no dañar los otros componentes o etapas del circuito.

Sirvió de mucho aprender que existe un voltaje offset en un circuito (amplificador operacional) ya
que así para el caso de una termocupla real, podemos saber y buscar una relación entre los
voltajes de salida para una posible calibración del mismo.

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ING. MOISÉS GUTIÉRREZ

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