Reporte Tecnico/Elementos de estado sólido

Alexander Vazquez Marquez, David Mejía Catillo, Bryan Arturo Soledad Canto y Luis Miguel Leon Lopez.
Email: [email protected], [email protected],
[email protected], [email protected]
Ingeniería en Mecatrónica, 8 “A”.
Universidad Tecnológica de Puebla. Puebla, Puebla.

Se realizo una investigación detallada sobre los tipos de comunes es en el control de velocidad de motores eléctricos. En
dispositivos de estados solido utilizados en electrónica de potencia, este documento, se investigará sobre los elementos SCR, las
diferentes técnicas de disparo, sus características de técnicas de control de velocidad de motores eléctricos que
funcionamiento, construcción y aplicaciones, utilizados en el involucran estos dispositivos, así como sus características de
control de velocidad de motores eléctricos funcionamiento, construcción y aplicaciones.
Keywords—Estado sólido, SCR, TRIAC, MOSFET, darlington, Los SCR son dispositivos semiconductores de tres
técnicas, IGBT, Opto Triac, potencia, disparo, aplicaciones terminales que consisten en tres uniones PN conectadas en serie.
Los más comunes son de tipo n-p-n-p, donde n y p representan
I. INTRODUCCIÓN materiales semiconductores tipo n (negativo) y tipo p (positivo),
El uso de elementos de estado sólido en el control de velocidad respectivamente. Los principales componentes de un SCR son
de motores eléctricos representa un avance significativo en la el ánodo (A), el cátodo (K) y la compuerta (G).
tecnología de accionamiento eléctrico, ofreciendo un rendimiento
superior, una mayor eficiencia energética y una mayor flexibilidad Cuando se aplica un voltaje positivo entre el ánodo y el cátodo
en comparación con los métodos de control convencionales. En los y se aplica un impulso positivo a la compuerta, el SCR se activa
siguientes apartados, profundizaremos en los aspectos técnicos y y permite el flujo de corriente. Una vez que se activa, el SCR
prácticos de estos elementos, destacando su importancia en el permanece encendido incluso si el voltaje entre el ánodo y el
panorama actual de la automatización industrial cátodo se reduce a cero, hasta que la corriente a través del
dispositivo disminuya por debajo de un cierto umbral, lo que se
II. INTRODUCTION (ESTADOS SOLIDOS) conoce como corriente de mantenimiento. (Fig. 1.1)
En el ámbito de la ingeniería eléctrica y la
automatización industrial, el control preciso de la velocidad de
los motores eléctricos es esencial para una amplia gama de
aplicaciones, desde maquinaria industrial hasta sistemas de
tracción en vehículos eléctricos. En este contexto, los elementos
de estado sólido desempeñan un papel fundamental al
proporcionar tecnologías avanzadas para el control eficiente y
efectivo de la velocidad de los motores eléctricos. Los elementos
de estado sólido, como los dispositivos semiconductores de
potencia, han revolucionado el panorama del control de motores
eléctricos al ofrecer ventajas significativas en términos de
eficiencia energética, precisión de control y confiabilidad
operativa. Estos dispositivos permiten una modulación precisa Figura 1.1: SCR
de la energía eléctrica suministrada al motor, lo que resulta en
un control suave y preciso de su velocidad de rotación, así como A. Técnicas de Control de Velocidad de Motores
una respuesta dinámica mejorada. En esta introducción,
exploraremos algunos de los elementos de estado sólido más 1. Control de Fase: En esta técnica, se controla la cantidad
comúnmente utilizados en el control de velocidad de motores de energía entregada al motor eléctrico variando el ángulo de
eléctricos, así como sus características, aplicaciones y beneficios fase de la onda de voltaje aplicada al SCR. Al retrasar el ángulo
en diversos contextos industriales y comerciales. Desde los de fase, se reduce la cantidad de energía entregada al motor, lo
tradicionales tiristores hasta los modernos dispositivos de que disminuye su velocidad. Este método es simple, pero puede
electrónica de potencia como los transistores. causar distorsión de la forma de onda y pérdidas de energía.
2. Modulación de Ancho de Pulso (PWM): En este enfoque,
III. SCR se aplica una señal de voltaje pulsante de ancho de pulso
Los rectificadores controlados de silicio (SCR, por sus siglas variable al SCR. Al variar el ancho de pulso de la señal, se
en inglés) son dispositivos semiconductores de estado sólido controla la cantidad de energía entregada al motor, lo que
ampliamente utilizados en la electrónica de potencia para permite un control más preciso de la velocidad. La PWM es
controlar la corriente eléctrica. Una de sus aplicaciones más

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más eficiente que el control de fase y produce menos distorsión C. Aplicaciones de los SCR
de la forma de onda. • Control de velocidad de motores de tracción en
vehículos eléctricos y trenes.
B. Características de Funcionamiento y Construcción • Control de velocidad de motores en maquinaria
Tensión Directa de Encendido (Vd): Es la tensión mínima industrial.
requerida entre el ánodo y el cátodo para activar el SCR. • Control de velocidad de motores en sistemas de
ventilación y HVAC (calefacción, ventilación y aire
Corriente Directa de Encendido (Id): Es la corriente mínima acondicionado).
requerida en la compuerta para activar el SCR.
• Control de velocidad de motores en ascensores y
Corriente de Mantenimiento (Im): Es la corriente mínima escaleras mecánicas.
que debe mantenerse a través del SCR para mantenerlo
encendido después de haber sido activado.
IV. TRIAC
Las técnicas de disparo se refieren a los métodos utilizados
para activar o encender un SCR en un momento específico del El TRIAC es un componente electrónico semiconductor de
ciclo de la señal de alimentación. Estos métodos son esenciales tres terminales para controlar la corriente. Su nombre viene del
para controlar el flujo de corriente a través del SCR y, por lo término Triode for Alternating Current = Triodo Para Corriente
tanto, controlar el funcionamiento de los dispositivos Alterna. Podríamos decir que un TRIAC se utiliza para controlar
conectados. Aquí hay algunas técnicas de disparo comunes una carga de CA (corriente alterna), semejante a como un
utilizadas en aplicaciones de electrónica de potencia: transistor se puede utilizar para controlar una carga de CC
(corriente continua). En definitiva, es un interruptor electrónico,
1. Disparo por Tensión (Tensión en la Compuerta): En este pero para corriente alterna. Los triac se utilizan en muchas
método, el SCR se activa aplicando un impulso de voltaje a la
ocasiones como alternativas al relé.
compuerta del dispositivo. El voltaje aplicado debe ser mayor
que la tensión mínima de disparo (Vd) del SCR. Esta técnica es Su funcionamiento básico es cerrar un contacto entre dos
simple y comúnmente utilizada en aplicaciones donde se terminales (ánodo 1 y 2) para dejar pasar la corriente (corriente
necesita un control básico. de salida) cuando se le aplica una pequeña corriente a otro
terminal llamado "puerta" o Gate (corriente de activación). Se
2. Disparo por Corriente (Corriente en la Compuerta): En seguirá permitiendo que la corriente fluya hasta que la corriente
este método, se suministra una corriente a la compuerta del SCR de salida disminuya por debajo de un valor determinado,
para activarlo. La corriente aplicada debe ser mayor que la llamada corriente umbral, o se corte la corriente totalmente de
corriente mínima de disparo (Id) del SCR. Este método puede alguna forma, por ejemplo, con un interruptor o pulsador como
ser útil en aplicaciones donde se requiere un control más preciso luego veremos. (Fig. 2.1)
sobre el momento de activación del SCR.
3. Disparo por Luz (Fotodisparo): En esta técnica, un
dispositivo optoelectrónico como un LED o un fototransistor se
utiliza para activar el SCR. Cuando la luz adecuada incide en el
dispositivo optoelectrónico, se genera una corriente que activa
el SCR. Esta técnica es útil en aplicaciones donde se requiere un
aislamiento eléctrico entre el circuito de control y el SCR.
4. Disparo por Corriente Alternativa (AC Triggering): En
este método, se utiliza la propia corriente alterna de la línea de
alimentación para activar el SCR. El SCR se activa en cada ciclo
de la señal de alimentación cuando la corriente y el voltaje
alcanzan ciertos valores específicos. Esta técnica es común en
aplicaciones donde se necesita una activación sincronizada con
la señal de alimentación.
5. Disparo por Puerta Sincrónica (Gate Synchronization): En Figura 2.1: TRIAC
este método, se utiliza una señal de control externa para
sincronizar el disparo del SCR con una señal específica. Esta En el ánodo 1 y 2 se coloca el elemento de salida que queremos
técnica es útil en aplicaciones donde se necesita un control controlar con el triac (una lámpara, motor, etc.). Es un circuito
preciso sobre el momento de activación del SCR, como en muy básico, pero que nos sirve para entender su funcionamiento.
aplicaciones de control de velocidad de motores. (Fig. 2.2)
Los SCR están construidos con materiales semiconductores
como silicio y germanio, y su construcción se basa en la difusión
y la deposición de materiales dopantes para formar las uniones
PN necesarias.

Profesor: Dr. Carlos Javier Morales Pérez pág. 2

Asignatura: Control de Motores II.
 Cuando tenemos polarizado el MT1 al positivo y el
MT2 al negativo (representado en la imagen de color rojo).
Hemos llamado a los dos tiristores SCR1 y SCR2. Podemos
pensar también que son dos diodos, aunque sean dos tiristores.
Si pensamos como si tuviéramos dos diodos (scr1 y scr2),
resulta que el scr2 está polarizado directamente y conduce, el
scr1 está polarizado inversamente y no conduce o no permite el
paso de la corriente a través de él. (Electronica-teoricada-de-
circuitos-y-dispositivos-electronicos_10ed-Boylestad.pdf, s. f.)

En este caso el sentido de la corriente de salida será hacia arriba,

representada de color rojo. Si ahora cambiamos la polaridad del
triac, es decir ponemos el - en MT1 y el + en MT2 (de color
azul) ahora el que conduce es el scr1 y scr2 no conduce. La
Figura 2.2: Ejemplo foco corriente de salida tendrá el sentido hacia abajo o la
representada de color azul. Como ves, cualquiera que sea la
El Triac es un desarrollo más avanzado del famoso SCR o dirección (o polaridad) de la corriente de salida que intenta
tiristor, pero a diferencia del tiristor, que sólo es capaz de pasar por el triac, esta puede pasar. Cualquiera que sea la
conducir en una dirección (desde el ánodo al cátodo), el TRIAC dirección de la corriente que intenta pasar por el triac, si el triac
es un dispositivo bidireccional. está activado, se comportará como un conductor, dejando que
esta fluya. Se comporta como un interruptor cerrado. Si
A. Símbolo del Triac y Circuito Equivalente trabajamos con una corriente alterna, la polaridad del triac irá
cambiando según el ciclo de la onda senoidal de la ca, pero en
Se puede observar que en el símbolo es como si fueran dos
ambos casos el triac funciona. Por este motivo es ideal para
tiristores o scr (son lo mismo) en antiparalelo (o dos diodos).
utilizar en c.a. (Fig. 2.5)
(Fig. 2.3)

Figura 2.3: Simbologia

El triac tiene 3 patillas, Puerta, A1, A2 (Ánodo 1 y Ánodo 2,

en este caso no se llaman ánodo y cátodo). Es muy común llamar
a los ánodos Terminal o Main Terminal (terminal principal) y a
la Puerta Gate.
Figura 2.5: Funcionamiento

B. Funcionamiento del Triac Como se observa en la imagen el triac conduce en las zonas
marrones de la gráfica. Al principio no conduce ya que al ser
El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente a la dos scr o tiristores necesitan un corriente mínimo para que se
patilla puerta. Un pulso (corriente) en la puerta y el triac comporten como conductores. Ojo esta corriente mínima no
funcionará como un conductor. Conducirá corriente en una u tiene nada que ver con la de activación (Igt). (Electronica-
otra dirección. (Fig. 2.4) teoricada-de-circuitos-y-dispositivos-electronicos_10ed-
Boylestad.pdf, s. f.)

Es una corriente que necesita el tiristor para comportarse como

conductor. La onda de corriente alterna senoidal tiene una
frecuencia (se repite) de 50Hz, es decir se repita 50 veces cada
segundo, por lo que ese pequeño espacio que no conduce casi
no se nota.

¿Cuándo dejará de circular corriente por el triac? Solo cuando

Figura 2.4: Corrientes la corriente que pasa por los diodos caiga por debajo de un
cierto valor llamado corriente umbral o de mantenimiento, o si

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de alguna forma somos capaces de cortar la corriente
totalmente. Esta segunda forma se podría hacer colocando a la
salida del triac un pulsador o interruptor cerrado y al pulsarlo
que se abra y corte la corriente por el triac (Fig. 2.6).

Figura 2.6: Triac con pulsador Figura 2.8: Curva de Disparo

Lógicamente un triac no tiene solo una tensión de disparo,

¡OJO! Aunque ahora dejemos otra vez el interruptor cerrado, a partir de la mínima podemos activarlo con cualquier otra
en su posición inicial, ya no circulará corriente por el triac hasta tensión o corriente por gate. Pero todo esto explicado con las
que de nuevo volvamos a meter la corriente de activación por tensiones lo puedes ver mucho mejor explicado en el video de
la puerta. Entonces tenemos una corriente de activación, la parte de abajo.
necesaria para activar el triac a través de la puerta. Esta
corriente se suele llamar Igt. También tenemos una corriente de
salida que pasa por el triac, que puede ser en un sentido o en C. Aplicaciones del Triac
otro. Esta corriente se suele llamar Ih, positiva o negativa en El triac es fácil de usar y ofrece ventajas de coste sobre el
función de su sentido. Esta se suele llamar corriente normal de uso de dos tiristores para muchas aplicaciones de baja potencia.
trabajo. Cuando se necesitan potencias superiores, casi siempre se
utilizan dos tiristores colocados en "anti-paralelo".
Estos valores dependen de cada triac y se pueden ver Son múltiples los usos del triac, pero por citar algunos:
en la hoja de datos proporcionada por el fabricante. Es
importante conocerlas y saber las corrientes máximas que • Para reguladores de luz.
puede soportar el triac para no sobrepasarlas ya que podríamos • Para controles de velocidad de un ventilador eléctrico.
quemar el triac. También conocer las patillas sin son el ánodo • Para el control de motor pequeños.
1, el 2 o la puerta. (Fig. 2.7). • Para el control de pequeños electrodomésticos.
• Para el control de temperatura, control de iluminación,
control de nivel de líquido, los circuitos de control de
fase, interruptores de potencia, etc.
Estas son algunas de sus principales aplicaciones.

D. Tiristor Vs Triac
Mientras que el tiristor solo puede controlar la corriente en
uno de los dos ciclos de una onda de corriente alterna (onda
senoidal, el positivo o el negativo) el triac puede controlar la
Figura 2.7: Triac real corriente en los dos ciclos de la onda.
En definitiva podemos usar el triac en el ciclo completo de
Todo esto que hemos dicho para corrientes podría la onda senoidal de corriente alterna. El tiristor solo puede
trasladarse de idéntica manera para las tensiones. Por ejemplo, controlar una de las dos ondas, en la otra no hay corriente (onda
corriente mínima de activación, se podría trasladar a tensión negativa), y el Triac puede controlar el estado en las dos ondas
mínima de activación entre la puerta y otro de los dos (+ y -). (Fig. 2.9)
terminales del triac o que el triac dejará de conducir cuando la
tensión entre los dos ánodos baje por debajo de un umbral.
Fíjate en la curva de disparo para tensión y corriente en un triac.
(Fig. 2.8).

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 Estado de no conducción: El MOSFET está en estado
de no conducción: ninguna corriente fluye entre fuente y
drenador, aunque se aplique una diferencia de potencial entre
ambos

Conducción lineal: Al polarizarse la puerta con una

tensión negativa (pMOS), o positiva (nMOS) se crea una región
de deplexion en la región que separa la fuente y el drenador. Si
esta tensión crece lo suficiente, aparecerán portadores
minoritarios (electrones en pMOS) en la región de deplexion
quedarán lugar a un canal de conducción. El transistor pasa
Figura 2.9: Triac vs Tristor entonces a estado de conducción, de modo que una diferencia
de potencial entre fuente y drenador dará lugar a una corriente.
El transistor se comporta como una resistencia controlada por
Como ves en la curva de la izquierda (tiristor) se activa la tensión de puerta.
y permite el paso de la corriente durante el ciclo positivo de la
onda (ciclo de arriba) en el negativo no hay paso de corriente,
solo tenemos onda positiva de salida. B. En dónde se encuentran los Mosfet

Los mosfets son pequeños transistores que se encuentran en

componentes que necesitan regular el voltaje que reciben, como
V. MOSFET
CPUs, tarjetas gráficas y fuentes de alimentación. Lo más
frecuente es hablar de mosfets en placas base, que es además
Un mosfet es un transistor, el mosfet se encarga de regular la donde mejor pueden verse. Estos elementos se encuentran
salida de voltaje a partir de una tensión de entrada dada. En el alrededor del socket y es habitual que estén ocultos bajo un
mundo de la electrónica los mosfet regulan la señal de salida en disipador, ya que es necesaria la evacuación del calor que
voltaje. (Fig. 3.1) generan.

C. Utilización de los mosfets en el control de velocidad de

motores eléctricos:

Variadores de frecuencia (VFD): Los mosfets son

componentes clave en los variadores de frecuencia utilizados
Figura 3.1: MOSFET para controlar la velocidad de motores de inducción trifásicos.
En estos sistemas, los mosfets se utilizan para convertir la
energía de corriente alterna (CA) en corriente continua (CC)
A. El transistor mosfet tiene tres estados de funcionamiento mediante rectificación y luego generar una señal de CA de
frecuencia variable para alimentar el motor. Al ajustar la
Estado de Saturación: Cuando la tensión entre drenador y frecuencia y el voltaje suministrados al motor, se puede
fuente supera cierto límite, el canal de conducción bajo la controlar su velocidad de forma precisa.
puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador
y desaparece. La corriente entre fuente y drenador no se Control de velocidad variable: En sistemas de control de
interrumpe ya que es debida al campo eléctrico entre ambos, velocidad variable, como en máquinas herramienta, sistemas de
pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre transporte y ventiladores industriales, los mosfets se utilizan en
ambos terminales. (FIG. 3.2) circuitos de control para modular la velocidad del motor. Al
ajustar la señal de control aplicada al mosfets, se puede variar
la cantidad de energía entregada al motor, lo que permite
cambiar su velocidad según sea necesario.

Control de motores de corriente continua (CC): En

aplicaciones que requieren control de velocidad en motores de
corriente continua, como en vehículos eléctricos, drones y
sistemas de automatización, los mosfets se utilizan en circuitos
Figura 3.2. Estado de saturacion de control de inversores para modular la corriente que alimenta
el motor. Al ajustar la modulación de ancho de pulso (PWM)

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aplicada al mosfets, se puede controlar la velocidad del motor corriente y el par motor. Los mosfets se utilizan en inversores
de manera eficaz. de frecuencia vectorial para controlar tanto la magnitud como
la fase de la corriente suministrada al motor, lo que permite un
Control de motores paso a paso: En sistemas que control preciso de la velocidad y el par motor en tiempo real.
requieren un control preciso del movimiento, como en
impresoras 3D, máquinas CNC y equipos de automatización, Mosfets utilizados en electrónica de potencia:
los mosfets se utilizan en circuitos de control de motores paso MOSFETs de Potencia de Canal N: Estos mosfets tienen una
a paso. Estos circuitos generan secuencias de pulsos de control estructura P-N-P-N y operan con una tensión de control
que activan los bobinados del motor paso a paso, permitiendo negativa en la puerta para activar el dispositivo. Son
un control preciso de la velocidad y la posición del motor. ampliamente utilizados en aplicaciones donde la tensión del
voltaje de alimentación es positiva en relación con la tierra,
Control de motores de corriente alterna (CA): En como en circuitos de conmutación de carga. MOSFETs de
aplicaciones que requieren control de velocidad en motores de Potencia de Canal: Estos MOSFETs tienen una estructura N-P-
corriente alterna, como en sistemas de calefacción, ventilación N-P y operan con una tensión de control positiva en la puerta
y aire acondicionado, sistemas de bombeo y sistemas de para activar el dispositivo. Se utilizan en aplicaciones donde la
transporte, los mosfets se utilizan en combinación con circuitos tensión del voltaje de alimentación es negativa en relación con
de control de fase o inversores de frecuencia para modular la la tierra, y se pueden emplear como interruptores de carga en
velocidad del motor de manera eficiente. aplicaciones de conmutación de potencia.

Mosfet de Potencia de Alta Tensión: Estos mosfets

están diseñados para soportar altos voltajes de drenaje, lo que
D. Técnicas utilizadas para controlar la velocidad de los
los hace adecuados para aplicaciones de alta tensión, como en
motores eléctricos con el mosfet:
sistemas de alimentación de alto voltaje, inversores solares y
sistemas de transmisión de energía.
Modulación de ancho de pulso: Esta es una de las técnicas
más utilizadas para controlar la velocidad de los motores Mosfet de Potencia de Alta Corriente): Estos
eléctricos. En este método, los mosfets se utilizan para modular MOSFETs están diseñados para soportar altas corrientes de
el ancho de los pulsos de una señal de voltaje aplicada al motor. drenaje, lo que los hace ideales para aplicaciones de alta
Al variar la duración de los pulsos, se ajusta el promedio de la potencia, como en sistemas de accionamiento de motores,
tensión aplicada al motor, lo que controla su velocidad. Esta fuentes de alimentación conmutadas y sistemas de carga de
técnica es ampliamente utilizada en aplicaciones de motores de baterías de alta capacidad.
corriente continua y motores de corriente alterna mediante
inversores de frecuencia.
E. Diferentes técnicas de disparo con mosfets:
Control de corriente: En esta técnica, los mosfets se Disparo por tensión directa (DC): Esta es la técnica más
utilizan para controlar la cantidad de corriente que fluye hacia simple de disparo de mosfets. En este método, se aplica una
el motor. Al modular la corriente suministrada al motor, se tensión continua (DC) adecuada entre la puerta y la fuente del
puede ajustar su velocidad. Esta técnica es particularmente útil mosfet para activarlo. Esta técnica es común en aplicaciones
en aplicaciones de motores de corriente continua, donde el donde se requiere un funcionamiento continuo del mosfet con
control de corriente permite una regulación precisa de la una tensión de control constante.
velocidad.
Disparo por señal de nivel lógico: En esta técnica, se
Control de voltaje: En lugar de controlar la corriente, esta utiliza una señal de nivel lógico (como 5V o 3.3V) para activar
técnica modula el voltaje suministrado al motor utilizando el mosfet. Esto es útil en circuitos de lógica digital, donde se
mosfets. Al ajustar el nivel de voltaje aplicado al motor, se controla el mosfet con la salida de un microcontrolador o un
puede controlar su velocidad. Esta técnica se utiliza a menudo circuito lógico.
en aplicaciones de motores de corriente alterna mediante
inversores de voltaje o variadores de frecuencia. Disparo por corriente: En lugar de aplicar una tensión a la
puerta del mosfet, se puede activar mediante la aplicación de
Control de fase: En aplicaciones de motores de corriente una corriente suficiente a la puerta. Esta técnica es útil en
alterna, el control de fase implica ajustar el ángulo de fase de la aplicaciones donde se necesita una alta velocidad de
señal de alimentación aplicada al motor. Los mosfets se utilizan conmutación y se prefiere evitar los tiempos de carga y
para controlar la activación de los dispositivos de conmutación descarga de la capacitancia de la puerta.
en el circuito de potencia, lo que permite variar el ángulo de
fase y, por lo tanto, controlar la velocidad del motor. Disparo por puerta flotante: En algunas aplicaciones, se
utiliza una puerta flotante en el mosfet, que se carga mediante
Control vectorial: Esta técnica avanzada de control de un pulso de tensión aplicado entre la puerta y la fuente. Una vez
motores eléctricos implica el control independiente del flujo de cargada, la puerta flotante se descarga a través de la

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capacitancia de la puerta interna del mosfet, lo que activa el Control de dirección: En sistemas de control de motores
dispositivo. eléctricos que requieren inversión de dirección, los mofets se
utilizan en circuitos de puente H. Estos circuitos permiten
Disparo por señal de radiofrecuencia (RF): En invertir la polaridad de la corriente que fluye a través del motor,
aplicaciones de alta frecuencia, como en circuitos de RF, los lo que permite controlar la dirección de rotación del motor.
mosfets se pueden activar mediante señales de radiofrecuencia.
Esto se logra mediante el acoplamiento capacitivo o inductivo Frenado regenerativo: En aplicaciones donde se necesita
de la señal RF con la puerta del mosfet. remade regenerativo para recuperar energía durante la
desaceleración o frenado del motor, los mofets se utilizan en
circuitos de control de frenado regenerativo. Estos circuitos
F. Construcción:
permiten desviar la energía generada durante el frenado hacia
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales una carga resistiva o hacia la red eléctrica para su reutilización.
llamados puerta (G), sustrato (B), fuente (S) y drenador (D). Sin
embargo, el sustrato generalmente está conectado internamente Protección contra sobrecargas: Los mofets también se
al terminal de fuente y por este motivo se pueden encontrar utilizan en sistemas de protección contra sobrecargas en
dispositivos mosfet de tres terminales. (Fig. 3.3) motores eléctricos. Pueden integrarse en circuitos de protección
que monitorean la corriente y la temperatura del motor,
desconectando automáticamente la alimentación en caso de
condiciones de funcionamiento anormales para evitar daños al
motor o al sistema.

El mosfet se utilizan para realizar acciones de conmutación

en el caso de convertidores reductores básicos utilizados en
fuentes de alimentación. Aquí, un interruptor mosfet almacena
la energía en el inductor mientras que el otro la libera en la
carga, en ciclos alternos.
Figura 3.3: Pines del mosfet
Amplificadores: Los mosfets de canal n de mejora están en su
El transistor mosfet, como veremos, está basado en la estructura estado apagado cuando no se aplica voltaje de puerta a fuente.
MOS. En los mosfet de enriquecimiento, una diferencia de Sin embargo, cuando se polariza con un voltaje positivo
tensión entre el electrodo de la Puerta y el substrato induce un adecuado, comienza a conducir permitiendo el flujo de
canal conductor entre los contactos de Drenador y Surtidor, corriente de drenaje a través de él. Se ve que esta corriente
gracias al efecto de campo. (Fig.3.4) aumenta en magnitud a medida que aumenta el voltaje de
polarización, lo que a su vez conduce al aumento del voltaje de
salida. Por lo tanto, los mofets sirven como amplificadores. Los
amplificadores mofet se utilizan en aplicaciones de
radiofrecuencia y en sistemas de sonido.

Figura 3.4: Estructura Mos VI. OPTO TRIAC (OPTOACOPLADOR)

Un optoacoplador también llamado optoaislador, es un

G. Aplicaciones en motores circuito electrónico que funciona como un interruptor aislado
ópticamente. Es decir, que permite una conexión eléctricamente
Control de velocidad: Los mofets se utilizan en circuitos aislada entre dos circuitos que operan a distintos voltajes. Esta
de control de velocidad de motores eléctricos. Al modular la construido por un led y un circuito de control activado por luz
señal de entrada que controla la tensión aplicada al MOSFET, infrarroja. Entre otras cosas, una de las ventajas principales de
es posible ajustar la velocidad del motor de forma precisa y los optoacopladores es su aislación eléctrica entre la carga y la
continua. electrónica de control. La única conexión entre ambos elementos
Arranque suave: En aplicaciones donde se necesita un es la luz del led que activa al foto-transistor. (Fig. 4.1) muestra
un diagrama general para un optoacoplador con salida a foto-
arranque suave para evitar golpes mecánicos o picos de
transistor.
corriente, los mofets se utilizan en circuitos de arranque suave.
Controlando gradualmente la corriente que fluye hacia el motor
durante el arranque, se puede lograr un arranque suave y
controlado.

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 B. Diferentes técnicas de disparo de un opto-triac

hay varias técnicas de disparo que se pueden utilizar con un

opto-triac para activar el triac y controlar la carga conectada.
Disparo por corriente directa (DC): En esta técnica, el opto-
triac se activa mediante una corriente directa aplicada al LED
del optoacoplador. Cuando la corriente alcanza un nivel
suficiente, el LED emite luz infrarroja, que a su vez activa el
triac. Esta técnica es simple y comúnmente utilizada en
Figura 4.1: Optoacoplador diagrama general con salida aplicaciones de baja potencia.
a opto-transistor Disparo por corriente alterna (AC): En lugar de aplicar una
corriente continua al LED, se puede utilizar una señal de
A. Optoacoplador y sus componentes corriente alterna para activar el opto-triac. Esto puede lograrse
conectando el LED a través de una resistencia limitadora y un
condensador en serie. Cuando la señal de corriente alterna
Un optoacoplador está diseñado con dos elementos alcanza un nivel suficiente, el LED se enciende, activando el
principalmente. El primero es un LED infrarrojo, este triac.
dispositivo activa remotamente al opto-transistor. El segundo
elemento es el dispositivo electrónico de control. Dependiendo Disparo por puerta (gate): Algunos opto-triacs están
del tipo, este puede ser un opto-transistor, un TRIAC, un diseñados para ser activados por una señal de voltaje aplicada a
transistor Darlington, SCR o una compuerta digital [1][2]. Por su gate. En este caso, se utiliza un circuito adicional para generar
ejemplo, un optoacoplador común es el 4N25, este incluye como una señal de voltaje que se aplica al gate del triac cuando se
dispositivo para controlar, a un opto-transistor. Por el contrario, activa el opto-triac.
el MOC3011 incluye a un TRIAC activado ópticamente. Disparo por ángulo de fase (phase angle control): Esta
Finalmente, el propósito de led es el activar al elemento de técnica implica el control preciso del momento en que se activa
control. el triac durante cada ciclo de la forma de onda de corriente
Como se puede apreciar los optoacopladores se pueden alterna. Se utiliza un circuito de control para detectar el ángulo
clasificar de acuerdo al tipo de elemento de controlador que de fase de la forma de onda de corriente alterna y luego activar
tengan. De hecho, la (Fig. 4.2) muestra el diagrama eléctrico o el opto-triac en el momento adecuado para controlar la potencia
electrónico de los distintos tipos. suministrada a la carga.

• TRIAC (3) C. Caracteristicas

• Transistor (1)
Las características de funcionamiento de un opto-triac
• TRIAC con detector de cruce por cero son importantes para comprender cómo se comporta y cómo se
puede utilizar en un circuito.
• Transistor Darlington (4)
Corriente de activación LED (IF): Es la corriente necesaria
• Lógica para activar el LED del optoacoplador. Esta corriente suele estar
• Mosfet (2) especificada en el datasheet del opto-triac y es importante para
determinar cómo se debe diseñar el circuito de control.
Voltaje directo LED (VF): Es el voltaje requerido para
encender el LED del optoacoplador. También está especificado
en el datasheet y es importante para seleccionar los componentes
adecuados del circuito de control.
Corriente de salida máxima (ITRM): Es la corriente máxima
que puede conducir el opto-triac cuando está activado. Esta
corriente está limitada por el triac interno y es importante para
determinar si el opto-triac es adecuado para la carga que se desea
controlar.
Voltaje de aislamiento (VISO): Es el voltaje máximo que
puede soportar el aislamiento entre la parte de control y la parte
de potencia del opto-triac. Este voltaje es importante para
garantizar la seguridad eléctrica del circuito.
Figura 4.2: Optoacoplador y sus distintos diagramas Tiempo de respuesta: Es el tiempo que tarda el opto-triac en
eléctricos activarse después de que se aplica una señal de control al LED.
Un tiempo de respuesta más rápido puede ser deseable en

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algunas aplicaciones, especialmente en aquellas que requieren
una conmutación rápida de la carga.
Disparo máximo de corriente de compuerta (IGM): Es la
corriente máxima que se puede aplicar al gate del triac sin
dañarlo. Este parámetro es importante para asegurar que el opto-
triac pueda manejar las condiciones de disparo adecuadamente.

D. Construcción

Construir un opto-triac desde cero requeriría conocimientos

avanzados en diseño de circuitos electrónicos y fabricación de Figura 4.3: Opto Triac
dispositivos semiconductores. Sin embargo, puedo darte una
descripción básica de los componentes y el funcionamiento de
un opto-triac para que puedas entender cómo se construye y E. Optoacoplador y sus apliacaciónes
cómo opera.

Un opto-triac típicamente consiste en dos componentes Las aplicaciones de optoacopladores incluyen el de activar
principales. (Fig. 4.3) cargas que puedan inducir ruido eléctrico al sistema de control.
Cuando una carga inductiva como un motor se activa y
Optoacoplador (LED y fototriac): Esta parte del dispositivo desactiva produce perturbaciones como por ejemplo eléctricas
proporciona el aislamiento eléctrico entre la parte de control y en la alimentación del sistema. Incluso cargas que consumen
la parte de potencia. Incluye un LED infrarrojo que se utiliza mucha potencia de la fuente pueden drenar momentáneamente
para emitir luz, y un fototriac o fotodiodo sensible a la luz el voltaje o la corriente que dicha fuente sumista. Los
infrarroja emitida por el LED. Cuando el LED se activa, la luz optoacopladores se usan para aislar a estas perturbaciones
infrarroja activa el fototriac, permitiendo que fluya la corriente electrónicas.
a través del opto-triac.
Comúnmente se usan a los optoacopladores con otros
Triac: El triac es un dispositivo semiconductor de tres elementos de control como MOSFET’s, TRIACS, transistores
terminales que actúa como un interruptor bidireccional para de potencia, relevadores mecánicos ó relevadores de estado
corriente alterna. Cuando se activa el fototriac del sólido. En este caso, cuando se usan en conjunto con otros
optoacoplador, este a su vez activa el gate del triac, permitiendo circuitos electrónicos, el objetivo es aislar a la fuente del
que la corriente alterna fluya a través del dispositivo. sistema de control de las perturbaciones que puedan ocasionar
el encendido o apagado de los actuadores como motores, luces,
La construcción de estos componentes implica procesos de etc.
fabricación complejos que requieren tecnologías
especializadas, como la deposición de materiales Generalmente no se usan solos debido a que no tienen
semiconductor y la fotolitografía. Para construir un opto-triac demasiada capacidad para disipar mucha potencia. En otras
funcional, sería necesario diseñar y fabricar tanto el palabras, está limitada en cuanto a la corriente y el voltaje que
optoacoplador como el triac, integrarlos en un solo paquete y pueden pasar por sus terminales de control, es por eso que se
proporcionar conexiones eléctricas adecuadas. Además, se recomienda usarlos en conjunto con otros elementos de mayor
necesitarían pruebas exhaustivas para garantizar que el potencia de operación como lo sería un relevador o un TRIAC.
dispositivo funcione correctamente y cumpla con las
especificaciones de rendimiento. F. Algunos optoacopladores más usados

Dicho esto, la mayoría de los opto-triacs disponibles Algunos de los optoacopladores más usados para
comercialmente son productos fabricados en masa por aplicaciones educativas son:
empresas especializadas en la fabricación de dispositivos
semiconductores. Estos opto-triacs están diseñados para • 4N25 – Salida para transistor
cumplir con estándares de calidad y rendimiento, y están • MOC3011 – Optoacoplador con salida para TRIAC
disponibles en una variedad de configuraciones para satisfacer • MOC3010 – Salida a TRIAC
diversas necesidades de aplicación. • 4N35 – Salida a un transistor
• PC817 – Salida a transistor
El optacoplador que uses depende de la carga que quieras
controlar, el tipo de control que quieras realizar y el voltaje de
la lógica de control.

pág. 9
 G. Ejemplo

Se quiere realizar un circuito de control por ángulo con el

optotriac moc3021. Se usará también un triac bt139-600e, una
fuente ac de 220vrms, y el voltaje VIN es de 5 voltios. Realice
el diseño.
Solución. Para poder hallar el valor de R1 se debe tener los
valores de VFMAX y de IFT. Para ello se revisa el datasheet Figura 4.4: Circuito del Opto Triac
del moc3021, el valor de VFMAX es de 1.5 voltios, y el valor
de IFT debe estar entre 15mA y 60mA, se escoge que IFT sea
VII. IGBT
de 15mA. Tenemos entonces:
El IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor, Transistor
Bipolar de Compuerta Aislada) es un dispositivo de
conmutación de potencia que combina características positivas
del BJT y del MOSFET, con límites de tensión y corrientes muy
superiores a los de dichos dispositivos. Según lo expuesto en
capítulos anteriores, el BJT posee un bajo nivel de perdidas en
estado de conducción aun cuando es utilizado para bloquear
Ahora hallamos la potencia de R1: altas tensiones. Por otro lado, tiene tiempos de conmutación
largos, especialmente en el apagado. En contraposición, el
MOSFET posee tiempos de conmutación muy cortos, pero
cuando es utilizado para bloquear altas tensiones sus pérdidas en
conducción resultan excesivamente altas. Para el desarrollo del
IGBT se conjugan las características de ambos dispositivos de
tal forma que se obtiene un componente adecuado para trabajar
De R1 se usará una resistencia de 220Ω de 0.25W. Para hallar en circuitos con altas tensiones, que ostenta tiempos de
R2 se revisa en el datasheet del triac bt139-600e cuál es el valor conmutación mucho más cortos que los de un BJT y bajas
de IGTMAX en el primer y tercer cuadrante, en ambos es de pérdidas en conducción. Actualmente los tiempos de
10mA. Ahora podemos hallar el valor de R2: conmutación son del orden de 100ns, pudiendo sustituir al
MOSFET en aplicaciones de muy alta frecuencia.

A. Estructura y principio de funcionamiento.

En la figura 5.1 se presenta la estructura general de un IGBT
de canal n. Como puede observarse, la misma es básicamente la
de un MOSFET en el cual la capa n + de contacto del drain con
el electrodo de conexión se ha sustituido por una capa p +. La
metalización de contacto de esta capa con el circuito externo se
denomina “colector” (C) por analogía del dispositivo resultante
con el transistor bipolar npn. Por la misma razón, la metalización
Se usara una resistencia de 3.9kΩ a 0.25W. Para poder hallar el de contacto de las zonas n + y p, correspondiente
valor de R3 se debe conocer el valor de VGTMAX que es de 1 estructuralmente al source del MOSFET se denomina “emisor”
voltio. Entonces tenemos: (E). El tercer electrodo se denomina compuerta o gate igual que
en el MOSFET. El funcionamiento básico.

De R3 se usará una resistencia de 2.2kΩ de 0.25W. El circuito

queda de la siguiente manera (Fig. 4.4)

Figura 5.1: Estructura de un IGTBz

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 Se ilustra en las figuras 5.2, 5.3 y 5.4. Supongamos que el tiene por lo tanto una caída de tensión en conducción mucho
dispositivo está conectado a un circuito externo como en la menor que la de un MOSFET de igual rating de corriente (´área
figura 1.2. Si la tensión UGE es igual a Ugth (tensión de umbral de chip) y de tensión de bloqueo (espesor de la capa n −), caída
para la formación del canal del MOSFET) el dispositivo bloquea de tensión que además tiene mucho menor dependencia de la
la tensión. corriente total. La disipación térmica en conducción es mucho
menor y se obtiene una mejor utilización del chip de silicio.
UCE aplicada con la juntura n −p, ya que la juntura p +n −
actúa como un diodo en directo. Al igual que en el MOSFET y Además, al desaparecer la zona de alta resistividad en el
en otros dispositivos, la tensión de bloqueo queda determinada camino de conducción, se puede aumentar el espesor de la zona
por el espesor y el dopaje de la capa n − Si se aplica una tensión n −, pudiéndose implementar dispositivos de muy alta tensión
UGE adecuada el MOSFET formado por las zonas n +, p y n − de bloqueo (del orden de 6 kV). La desventaja principal radica
se prende de acuerdo a lo visto y una corriente de electrones en los mayores tiempos de conmutación, sobre todo de apagado.
circula por las zonas n del dispositivo, por el circuito externo y Mediante el gate se puede cortar la corriente del canal y por lo
el diodo en directo p +n − (figura 5.3). tanto la del MOSFET, corriente de base del transistor pnp. El
dispositivo se convierte en un transistor bipolar en conducción
Hasta aquí el funcionamiento es esencialmente el de un al cual se le dejó la base abierta, y su apagado se produce por
MOSFET1. Pero entonces la juntura p +n − se comporta como
recombinación del exceso de portadores, con el consiguiente
un diodo polarizado en directo, inyectando desde la capa p + retardo en la estructura del IGBT indicando este transistor y el
huecos que se difunden por la capa n − llegando a la zona p del transistor parasito npn+. Estos dos transistores forman
emisor. El transistor pnp formado por la capa p +, la capa de drift evidentemente un tiristor parasito Este tiristor parasito tiene su
n − y el body p pasa a estado de conducción. La corriente del gate (zona p o body) cortocircuitado con el catodo (zona n +)
MOSFET, además de ser parte de la corriente de carga, actúa mediante la metalización del emisor del IGBT
entonces como corriente de base de un transistor bipolar pnp
(figura 5.4). La corriente total del dispositivo puede considerarse
la suma de la corriente del MOSFET, formada por electrones, y
la corriente del transistor pnp formada por huecos. Es de
destacar la trayectoria de los huecos en el body p, debido a la
atracción por parte de los electrones en el canal. La capa de drift,
que constituye una zona de alta resistividad en el MOSFET, se
convierte en el IGBT.

Figura 5.3:Encendido del MOSFET

Figura 5.2: IGTB en bloqueo directo

En la base de un transistor bipolar en conducción, con alta

inyección de portadores. Como es una base ancha debido a su
función de bloqueo de tensión en estado de corte, el transporte
de portadores se produce mediante difusión y conducción. Los Figura 5.4: Escondido del complete IGBT
huecos atraen electrones de la zona del emisor y muchos de ellos
se recombinan también con electrones provenientes de la
conducción del MOSFET y presentes en el material n. El B. Funcionamiento
resultado es que en la capa de drift se produce un aumento Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta, el
drástico de la concentración de portadores y por lo tanto de la IGBT enciende inmediatamente, la corriente de colector IC es
conductividad. Este comportamiento suele llamarse conducida y el voltaje VCE se va desde el valor de bloqueo
“modulación de la conductividad”. El dispositivo resultante hasta cero. La corriente IC persiste para el tiempo de encendido

pág. 11
en que la señal en la puerta es aplicada. Para encender el IGBT, or, Electrodoméstico, Televisión, Domótica, Sistemas de
el terminal C debe ser polarizado positivamente con respecto a Alimentación Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS), etc.
la terminal E. La señal de encendido es un voltaje positivo VG
que es aplicado a la puerta G.
Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud
aproximada de 15 volts, puede causar que el tiempo de
encendido sea menor a 1 s, después de lo cual la corriente de
colector ID es igual a la corriente de carga IL (asumida como
constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene así
por una señal de voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del
control de voltaje la disipación de potencia en la puerta es muy
baja.
El IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de
voltaje VG de la terminal G. La transición del estado de
conducción al estado de bloqueo puede tomar apenas 2
microsegundos, por lo que la frecuencia de conmutación puede
Figura 5.7: Tensión UCE para IGBT
estar en el rango de los 50 kHz.
EL IGBT requiere un valor límite VGE (TH) para el estado
de cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es E. Caracteristicas de operación
usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VCE cae a un
valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de
encendido se mantiene bajo, el G debe tener un voltaje arriba
de 15 V, y la corriente IC se autolimita.

C. Características técnicas
• ICmax Limitada por efecto Latch-up.
• VGEmax Limitada por el espesor del óxido de
silicio.
Se diseña para que cuando VGE = VGEmax la corriente de
cortocircuito sea entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con
VCE=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10 us. y pueda
actuar una protección electrónica cortando desde puerta.
• VCEmax es la tensión de ruptura del transistor
pnp. Como α es muy baja, será VCEmax=BVCB0 Figura 5.6: Transferencia - IC vs UGE
Existen en el mercado IGBTs con valores de 600,
1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (Anunciados La forma general de la característica de salida es muy
de 6.5 kV). similar a la que se presentó para el transistor bipolar común Las
• La temperatura máxima de la unión suele ser de dos diferencias principales son que las curvas son paramétricas
150ºC (con SiC se esperan valores mayores) en una tensión (la tensión UGE) y no en una corriente, y que la
• Existen en el mercado IGBTs encapsulados que tensión entre el colector y el emisor cuando el IGBT está en
soportan hasta 400 o 600 Amp. conducción siempre tiene incorporada la caída de tensión
En la actualidad es el dispositivo más usado para potencias correspondiente al diodo base - emisor del transistor pnp
entre varios kW y un par de MW, trabajando a frecuencias (juntura J1), por lo que las curvas no parten de un valor UCE
desde 5 kHz a 40kHz. igual a cero. Como se mencionó anteriormente, el IGBT podría
llegar a bloquear la misma tensión polarizado en inverso o en
directo. Esto implica que la tensión URM puede ser tan grande
como la tensión BVCES. Según se puede apreciar en la figura
D. Aplicaciones 1.11, en el caso de polarización directa el bloqueo del
El IGBT es un dispositivo electrónico que generalmente se dispositivo será soportado por la juntura J2 mientras que en el
aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la caso de polarización inversa el bloqueo será soportado por la
conmutación en sistemas de alta tensión. Se usan en los juntura J1. La curva 1.15 es igual a la que presenta el MOSFET.
Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en En ella se indica el valor UGEth que es el mínimo valor de
maquinas eléctricas y convertidores de potencia que nos tensión que se debe aplicar entre el gate y el emisor para que
acompañan cada día y por todas partes, sin que seamos comience a circular corriente entre el colector y el emisor del
particularmente conscientes de IGBT.
eso: Automóvil, Tren, Metro, Autobús, Avión, Barco, Ascens

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 corriente eléctrica si el voltaje aplicado supera su voltaje de
ruptura.

F. Ejemplo A. Existen dos tipos de DIAC:

Diac de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin

Ejercicio 2. Diseñar un circuito de excitación para un IGBT,
que mantenga una corriente de puerta de 40A cuando este conexión de base y con las regiones de colector y emisor iguales
activado y tenga un pico de 100A en el paso a conducción. La y muy dopadas. El dispositivo permanece bloqueado hasta que
tensión Vi soporta una tensión de 1000V con un ciclo de trabajo se alcanza la tensión de avalancha en la unión del colector. Esto
del 50% y una frecuencia de conmutación 1000kHz. inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor,
Suponemos que V_GE es de 20V cuando el transistor está en produciéndose un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo
conducción. El valor de R1 viene determinado por la necesidad simétrico, funciona igual en ambas polaridades,
del pico inicial de corriente. Despejando R1 en la siguiente intercambiando el emisor y colector sus funciones.
fórmula:
Diac de cuatro capas: Consiste en dos didoes Shockley
𝑅1 = 𝑅2 conectados en antiparalelo, lo que le da la característica
bidireccional.
𝑉𝑖 − 𝑉𝐺𝐸𝐼𝐺1
1000 − 20100 B. Técnicas para controlar un motor usando un diac
𝑅1 = 9.8Ω
1. Control de Fase: En este enfoque, se utiliza un diac junto
con un triac para controlar la velocidad del motor mediante la
modulación de la fase de la señal de corriente alterna que se
suministra al motor. El DIAC se utiliza para disparar el triac,
que luego conmuta la corriente hacia el motor. Al variar el
ángulo de fase en el que se dispara el triac, se puede controlar
la cantidad de potencia que se entrega al motor y, por lo tanto,
su velocidad.

2. Control de Ancho de Pulso (PWM): Otra técnica

común es utilizar el diac junto con un circuito de modulación
de ancho de pulso (PWM). En este caso, el diac se utiliza para
activar un circuito de control que genera pulsos de ancho
La corriente de puerta en conducción en régimen permanente variable. Estos pulsos se aplican al triac para controlar la
determina el valor de R2: cantidad de tiempo durante el cual se permite que la corriente
𝑅2 = 𝑉𝑖 − 𝑉𝐺𝐸 − 𝑅1 fluya hacia el motor en cada ciclo de la señal de corriente
alterna. Al ajustar el ancho de los pulsos pwm, se puede variar
= 14.7Ω 𝜇𝐹 ∗ 𝐶 la velocidad del motor.
El valor de C se calcula a partir de la constante de tiempo
necesaria. Para un ciclo de trabajo del 50% a 1000 kHz, el 3. Control de Tensión: Otra técnica es utilizar el diac como
transistor conduce durante 0,5μs. Haciendo que el tiempo de parte de un circuito de control de tensión. Aquí, el diac se utiliza
conducción del transistor sea cinco veces la constante de para activar un circuito de control que ajusta la tensión
tiempo, t=0,1μs: 𝜏 = 𝑅𝐸 ∗ 𝐶 = suministrada al motor. Al variar la tensión aplicada al motor, se
puede controlar su velocidad.
𝑅1 ∗ 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2
4. Control de Frecuencia: En algunos casos,
(5.88)𝐶 = 0.1𝜇𝑠𝐶 = 0.017 𝜇𝐹 ∗ 𝐶
especialmente en motores de corriente alterna trifásica, se
puede utilizar un diac en un circuito de control de frecuencia
para controlar la velocidad del motor. Al ajustar la frecuencia
VIII. DIAC de la corriente alterna suministrada al motor, se puede controlar
su velocidad.
El Diac es un interruptor semiconductor bidireccional que
puede ser operado hacia delante tanto como en reversa. Este
componente electrónico es un tipo de tiristor que se usa
principalmente para activar los triac y otros circuitos basados
en tiristores. Este tipo de transistor comienza a conducir

pág. 13
C. Técnicas de disparo de un diac E. Estructura del Diac
La construcción de diac es bastante similar a la estructura
1. Activación por Voltaje: La técnica más común para de un transistor. Pero viene con algunas diferencias, el diac no
activar un diac utilizando un diac es mediante la aplicación de tiene ninguna terminal base, Las 3 capas contienen la misma
un voltaje de disparo adecuado a través del diac. Cuando se cantidad de dopaje y ofrece propiedades de conmutación
alcanza este voltaje de disparo, el diac se activa y proporciona simétricas en ambas polaridades del voltaje aplicado. (Fig. 6.1)
la corriente de disparo necesaria para activar el triac conectado
en el circuito.

2. Control de la Tensión de Disparo: Para controlar el

momento exacto de la activación del triac, se puede ajustar la
tensión aplicada al diac. Esto se logra mediante el uso de
circuitos de control que pueden variar la tensión de disparo
aplicada al diac, lo que a su vez controla el momento en que el
triac se activa durante el ciclo de la señal de corriente alterna.

3. Uso en Circuitos de Temporización: El diac también se

puede utilizar en circuitos de temporización donde se requiere
una activación controlada en el tiempo. En estos circuitos, el
diac se activa después de que se alcance cierto nivel de tensión
o corriente en el circuito, lo que permite iniciar una secuencia
de eventos controlados. Figura 6.1: Terminales del Diac

4. Activación por Corriente: Aunque menos común que la

activación por voltaje, el diac también puede activarse mediante El diagrama anterior muestra la estructura típica de estos
el paso de una corriente suficiente a través de él. Este enfoque dispositivos. Él diac tiene 2 terminales (MT1 y MT2) y
se utiliza en algunos circuitos de control donde se prefiere puede entregar flujo de corriente en ambas direcciones. El diac
activar el diac mediante el flujo de corriente en lugar de aplicar está hecho de una estructura de 5 capas; las capas más cercanas
un voltaje específico. a los terminales son la combinación de capas positivas (+) y
negativas (-). Cuando el voltaje pasa a los terminales, la capa
5. Circuitos de Protección: Además de su uso en la con la polaridad respecto al voltaje se activa; esta combinación
activación de triacs, los diacs también se utilizan en circuitos de de ambas polaridades (+ y -) ayuda a operar el diac en ambas
protección contra sobretensiones. Cuando se alcanza un voltaje direcciones.
de sobretensión, el diac se activa y proporciona una ruta de baja
resistencia para desviar la corriente de sobretensión,
protegiendo así otros componentes del circuito. F. Funcionamiento del DIAC
El funcionamiento del diac con respecto a las
polaridades. Considere que el terminal MT1 es positivo, luego
D. Símbolo se activará la capa P1 cerca de MT1; por lo que la conducción
El símbolo viene dado por la estructura de se llevará a cabo en el orden de P1-N2-P2-N3. Cuando la
dos diodos conectados en paralelo y opuestos entre sí con 2 corriente fluye de MT1 a MT2, la unión entre P1-N2 y P2-N3
terminales. El DIAC es bidireccional, asi que no se pueden está polarizada hacia adelante; la unión entre N2-P2 tiene
nombrar estos terminales como ánodo y cátodo (como un polarización inversa. (Fig. 6.2)
diodo); los terminales del DIAC se pueden denominar (A1 y
A2) o (MT1 y MT2), donde MT significa terminales
principales. Las conexiones del DIAC son reversibles como las
de una resistencia. Se podría haber dado cuenta, aunque
pertenece a la familia de tiristores, no posee un terminal de
puerta de control; porque se pueden encender o apagar
simplemente reduciendo el nivel de voltaje por debajo
del voltaje de ruptura de avalancha y se puede hacer en ambas
polaridades.

Figura 6.2: Funcion del Diac

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De manera similar, si consideramos que el terminal MT2 es Cuando se alcanza un cierto nivel de sobretensión, el diac puede
positivo; entonces se activará la capa P2 cerca de MT2 y la activarse para proporcionar una ruta de baja impedancia para
conducción se llevará a cabo en el orden de P2-N2-P1-N1. La desviar la corriente y proteger otros componentes del circuito
corriente fluirá de MT2 a MT1 y las uniones entre P2-N2 y P1- contra daños.
N1 están polarizadas hacia adelante; y la unión entre N2-P1 está
polarizada hacia atrás. Por tanto, la conducción será posible en Circuitos de Control de Potencia: El diac se utiliza en una
ambas direcciones. (Fig. 6.3) variedad de circuitos de control de potencia donde se requiere
una activación controlada de dispositivos de conmutación como
los triacs. Su capacidad para proporcionar una activación
simétrica en ambas direcciones de la corriente alterna lo hace
adecuado para una amplia gama de aplicaciones de control de
potencia.

Circuitos de Onda Completa: En algunos circuitos

rectificadores de onda completa, el diac se utiliza para
proporcionar una conmutación controlada en ambos semiciclos
de la señal de corriente alterna. Esto es útil en aplicaciones
donde se requiere una rectificación de onda completa para
convertir la corriente alterna en corriente continua.

H. Ejemplo

Circuito. El circuito, representa la forma más elemental de

un control de fase de onda completa que emplean Diac’s para
disparar un triac.
Figura 6.3: Grafica del Diac

El voltaje aplicado en cualquier polaridad exceda el voltaje de

ruptura, la corriente aumenta y el dispositivo conduce de
acuerdo con sus características. El diac actúa como un circuito
abierto cuando el voltaje es menor que su voltaje de ruptura de
avalancha. Cuando es necesario apagar el dispositivo, el voltaje
debe reducirse por debajo de su voltaje de ruptura de avalancha.

G. Aplicaciones

Activación de TRIACs: Una de las aplicaciones principales

del diac es su uso como dispositivo de disparo para activar
Cálculo de los parámetros del circuito La primera
triacs en circuitos de control de potencia ac. El diac permite
consideración que debemos hacer para calcular los valores de
activar el triac en ambos semiciclos de la señal de corriente
los parámetros del circuito, es la que se refiere a los ángulos
alterna, lo que lo hace ideal para aplicaciones de control de
de disparo mínimo y máximo, determinados por el voltaje de
potencia bidireccional, como reguladores de luz, control de
ruptura del Diac.
velocidad de motores, reguladores de temperatura, entre otros.

Circuitos de Temporización y Osciladores: El diac también Para esta práctica utilizaremos un Diac 1N5761, cuyo
se utiliza en algunos circuitos de temporización y osciladores voltaje nominal de ruptura es VBO = 32V. El voltaje de
donde se requiere una activación controlada en el tiempo. Su alimentación es:
comportamiento de activación simétrica en ambas direcciones
de la corriente alterna lo hace útil en aplicaciones donde se
𝐸𝑎𝑐 = 𝐸𝑝 𝑠𝑒𝑛 𝑤𝑡 = √2 𝐸𝑎𝑐 ∗ 𝑠𝑒𝑛 ∗ 𝑤𝑡
necesitan pulsos o señales de temporización precisas.

Protección contra Sobretensiones: En algunos casos, el diac Con un valor rms de 120V. Por lo tanto, su valor pico es:
se utiliza como parte de circuitos de protección contra
sobretensiones en sistemas de alimentación de corriente alterna.
𝐸𝑝 = (1.41)𝐸𝑎𝑐 ∗ 𝑅𝑚𝑠

pág. 15
 𝐸𝑝 = (1.41)(120 𝑉𝑟𝑚𝑠) IX. DARLINGTON
El sistema de Darlington fue propuesto por primera
𝐸𝑝 = 170𝑉 𝑝𝑖𝑐𝑜 vez en 1953 por el científico estadounidense Sídney Darlington.
Su idea era brillante en su simplicidad: Darlington pensó que,
si un solo transistor podía amplificar una señal eléctrica, ¿qué
Nota: 1.41 equivale a decir √2 pasaría si dos o más de esos elementos se conectaran entre sí y,
por lo tanto, aumentaran aún más la ganancia de la señal?
El mínimo ángulo de disparo se produce cuando el voltaje de De esta forma, se creaba un sistema, normalmente
alimentación alcanza el voltaje de ruptura del Diac (Eac= compuesto por dos transistores del mismo tipo conectados de
VBO). Por lo tanto, de la ecuación Eac = Ep sen wt tenemos: tal forma que amplificaran la señal eléctrica de la forma más
eficaz posible. En el caso de los transistores NPN, conecte el
colector y el emisor del primer transistor a la base del segundo.
𝐸𝑎𝑐 Con solo transistores PNP, el esquema se ve un poco diferente,
𝑊𝑡 = 𝛼1 = 𝑠𝑒𝑛 − 1 ( )
𝐸𝑝 los colectores también están conectados, mientras que la base
del primer transistor está conectada al emisor del segundo
elemento. (Fig. 7.1)
32
𝛼1 = 𝑠𝑒𝑛 − 1 ( ) = 10.85°
170𝑉
Figura 7.1: Circuito del Motor

El voltaje de alimentación tiene una frecuencia de 60Hz por lo

que su periodo es T = 1/f T = 1/60Hz = 16.67ms, que
corresponden a 360º de un ciclo completo. Con una regla de
tres, calculamos el tiempo que corresponde a α = 10.85º y por
lo tanto t = 0.5ms

A este valor debe tender, aproximadamente, la constante de

tiempo R3C2 de nuestro circuito. No consideramos la
constante de tiempo (R1+R2)C1) porque para el mínimo
ángulo de disparo R2= 0 y la resistencia fija es muy pequeña
(típicamente 100 ohms).

Ahora bien, el máximo ángulo de disparo se producirá cuando

el voltaje de alimentación caiga por debajo del voltaje de
ruptura al pasar hacia su semiciclo negativo. Puesto que una
onda senoidal es simétrica con respecto a un ángulo de 90º en
que alcanza su máxima amplitud, entonces el máximo ángulo
de disparo α2 será: Para describir la idea detrás del funcionamiento de un
circuito Darlington, en aras de la simplicidad, supongamos que
la corriente del colector es igual a la corriente del emisor,
α2 = 180º - α1
ignorando la corriente de base, y que los transistores utilizados
son del mismo tipo. El funcionamiento de un sistema de este
α2 = 169.15º tipo es bastante simple, la tarea del primer transistor es
amplificar la corriente alimentada a la base, fluye desde su
emisor (IET1 = IBT1 x βT1 = IBT2). Luego va a la base del
A este ángulo, corresponde un tiempo t2 que se calcula, igual segundo transistor y se amplifica por segunda vez, por lo que se
que se calculó t1, Así pues, t2 = 7.83ms. A este valor debe puede decir que la ganancia de tal sistema es el producto de las
tender la constante de tiempo (R1+R2) C1, cuando la ganancias de ambos transistores (β = βT1 x βT2).
resistencia variable R2 está a su valor máximo. El manual Sin embargo, para determinar la corriente total del
Motorola de Tiristores propone el siguiente circuito y los colector, utilice la fórmula IC = βT_1 x βT_2 x IBT, es igual
siguientes valores de los parámetros para un Diac 1N5761. al producto de la ganancia de ambos transistores por la corriente
de base de la primera estructura semiconductora. Gran parte de
la corriente en este tipo de circuito fluye a través del segundo
transistor, por lo que se puede despreciar la corriente de
colector del primer elemento.

pág. 16
A. Transistores de unión bipolar y darlingtons monolíticos estado activo. La ganancia de corriente CC h_FE es
El símbolo de circuito para un NPN BJT se muestra en la normalmente en promedio de sólo 5-10 en transistores de alta
figura 2-7a, y sus características de estado permanente, en la potencia, así que estos dispositivos en ocasiones están
figura 2-7b. Como se muestra en las características de i-v, conectados en una configuración Darlington o triple
resulta una corriente de base lo bastante grande (según la Darlington, como se muestra en la figura 2-8, a fin de lograr
corriente del colector) cuando el dispositivo está una mayor ganancia de corriente.
completamente encendido. Esto requiere que el circuito de En esta configuración se acumulan algunas
control proporcione una corriente de base lo bastante grande, desventajas, como valores generales V_(CE(sat)) un poco más
de modo que altos, así como velocidades de conmutación más lentas. Ya sea
en unidades individuales o elaboradas como una configuración
Darlington en un solo chip [un Darlington monolítico
(monolithic Darlington, MD)], los BJT tienen un tiempo de
almacenamiento significativo durante la transición de
desconexión.
donde h_FE es la ganancia de corriente de CC del dispositivo. Los tiempos normales de conmutación están en el
(Fig. 7.2) rango de unos pocos cientos de nanosegundos a unos cuantos
microsegundos. Los BJT, incluso los MD, están disponibles en
tensiones de hasta 1 400 V y corrientes de varios cientos de
amperios. Pese a un coeficiente de temperatura negativo de
resistencia en estado activo, los BJT modernos, fabricados con
un buen control de calidad, pueden conectarse en paralelo, en
tanto se tenga cuidado en el layout (arreglo) del circuito y se
provea un margen de corriente extra; es decir, donde
teóricamente cuatro transistores en paralelo bastarían para la
compartición igualitaria de corriente, se podrán usar cinco a fin
de tolerar un leve desequilibrio de corriente. (Fig. 7.4)

Figura 7.2: Un BJT: a) símbolo, b)

características i-v,

El voltaje del estado activo V_(CE(sat)) de los

transistores de potencia suele encontrarse en el rango de 12 V,
así que la pérdida de energía de conducción en el BJT es muy
pequeña. Las características idealizadas i-v del BJT al operar
como interrupto. (Fig. 7.3).

Figura 7.3: Características

idealizadas

Figura 7.4: Configuraciones

Darlington: a) Darlington, b) triple
Darlington
B. Desventajas del sistema darlington

A pesar de la indudable ventaja de multiplicar los factores

de ganancia de los transistores, el circuito de Darlington
también tiene dos desventajas bastante significativas. El
primero es el doble del voltaje base-emisor. En un transistor
ordinario es de aproximadamente 0,7 V (transistores de silicio).
En el circuito de Darlington, como puede ver en el diagrama,
tenemos dos uniones de este tipo conectadas en serie, de modo
que el voltaje base-emisor es de 1,4 V. Vale la pena recordarlo
al seleccionar la resistencia adecuada que limita la corriente de
base.
Los transistores de unión bipolar son dispositivos Otra desventaja del sistema Darlington es su
controlados por corriente, y se les tiene que suministrar funcionamiento lento. Esto significa que este tipo de circuito
corriente de base de manera continua para mantenerlos en puede tener problemas a frecuencias más altas. La reacción del
transistor al encenderse, y más aún al apagarse, lleva mucho

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tiempo. Este problema suele solucionarse añadiendo una Alexander: En conclusión, los dispositivos de estado sólido
resistencia adicional al circuito, situada entre la base del primer en electrónica de potencia han revolucionado el campo con su
elemento y el emisor del segundo. Pero debe recordarse que eficiencia, confiabilidad y versatilidad. Desde los diodos
esta solución reduce ligeramente el refuerzo de toda la rectificadores hasta los SCR, TRIAC, MOSFET y
estructura. DARLINGTON cada tipo ofrece características únicas que los
hacen adecuados para diversas aplicaciones. Las técnicas de
disparo, como el PWM y la modulación de ancho de pulso,
C. Sistemas darlington en la práctica permiten un control preciso de la potencia entregada, mejorando
la eficiencia y la estabilidad del sistema. La construcción robusta
Hoy en día, los circuitos de Darlington rara vez se de estos dispositivos, junto con su capacidad para operar en altas
implementan en dos transistores separados. Con mucha más frecuencias y ambientes hostiles, los hace ideales para una
frecuencia puede encontrar elementos listos para usar que amplia gama de aplicaciones, desde fuentes de alimentación
realizan esta función, un ejemplo es el TIP142. Desde el hasta sistemas de tracción eléctrica. En resumen, los dispositivos
de estado sólido han impulsado el desarrollo de la electrónica de
exterior, parece un transistor ordinario, pero por dentro, los
potencia, proporcionando soluciones innovadoras y eficientes
diseñadores colocaron transistores NPN emparejados. También para los desafíos energéticos modernos.
hay diseños mucho más complejos, básicamente circuitos
integrados completos. Como modelo, podemos tomar aquí el David: los dispositivos de estado sólido como el SCR,
sistema con la designación ULN2003. Es un chip con dieciséis TRIAC, MOSFET y Darlington son componentes cruciales en
cables, que tiene hasta siete transistores Darlington en su la electrónica moderna, cada uno con su propio propósito y
interior. aplicaciones específicas. El scr se utiliza para controlar la
potencia en aplicaciones de corriente alterna, como en
reguladores de velocidad de motores y sistemas de control de
D. Aplicación del sistema de Darlington potencia de alta potencia mientras el triac se emplea en el control
de potencia de ca, como en reguladores de luz, controladores de
Los circuitos de Darlington son un diseño bastante popular temperatura y sistemas de control de fase. El mosfet es un se
utilizado en equipos electrónicos. La razón es simple: este tipo utiliza ampliamente en electrónica de potencia digital y en el
de construcción se usa principalmente para alimentar elementos control de motores y circuitos integrados y finalmente el
que consumen más energía, como motores, bobinas o diodos de Darlington que se usa principalmente en aplicaciones de baja
potencia, como en circuitos de control de señales y baja
alta potencia, y prácticamente todos los dispositivos hoy en día
potencia, estos dispositivos de estado sólido desempeñan un
están equipados con un pequeño microcontrolador, cuyos pines papel crucial en una amplia gama de aplicaciones electrónicas y
no son capaces de satisfacer la demanda actual de otros continúan impulsando la innovación en la electrónica gracias a
elementos. Además, los circuitos de Darlington también se sus variadas funciones.
pueden encontrar en una amplia gama de equipos de audio,
donde se utilizan como amplificadores de señales de sonido. Luis: En conclusión, esta investigación sobre los SCR en el
control de velocidad de motores eléctricos nos ha brindado una
comprensión más profunda de la importancia de estos
dispositivos en la industria de la mecatrónica. Desde el control
CONCLUCIONES de fase hasta la modulación de ancho de pulso, hemos
descubierto una variedad de técnicas que nos permiten ajustar
Bryan: Los elementos de estado sólido son componentes con precisión la velocidad de los motores eléctricos para
electrónicos que se utilizan en una variedad de aplicaciones, adaptarse a diversas aplicaciones. Además, al explorar las
incluido el control de velocidad de motores eléctricos. Los técnicas de disparo, hemos aprendido cómo activar los SCR en
elementos de estado sólido, como los transistores de potencia de momentos específicos del ciclo de la señal de alimentación, lo
estado sólido (IGBTs), pueden mejorar la eficiencia energética que nos proporciona un mayor control sobre el funcionamiento
en comparación con los métodos de control de velocidad más de los motores eléctricos.
tradicionales, como el uso de resistencias variables. Los
elementos de estado sólido permiten un control más preciso de Como estudiantes de mecatrónica, esta investigación nos ha
la velocidad del motor eléctrico, lo que puede resultar en un proporcionado una base sólida para comprender cómo los SCR
rendimiento más consistente y una respuesta más rápida a las son elementos clave en el control de sistemas electromecánicos.
demandas de carga. Los dispositivos de estado sólido tienden a Estamos emocionados de aplicar este conocimiento en futuros
ser más compactos y livianos que los dispositivos mecánicos proyectos.
utilizados en los sistemas de control de velocidad tradicionales,
lo que puede ser ventajoso en aplicaciones donde el espacio es
limitado o donde se requiere portabilidad. Debido a su diseño REFERENCES
sin partes móviles, los elementos de estado sólido tienden a tener
una vida útil más larga y requerir menos mantenimiento en
[1] (S/f-a). Com.mx. Recuperado el 23 de marzo de 2024, de
comparación con los dispositivos mecánicos, lo que puede https://www.digikey.com.mx/es/articles/how-to-safely-and-efficiently-
reducir los costos de operación y aumentar la confiabilidad del switch-current-or-voltage-using-ssrs
sistema, lo que permite adaptarse mejor a las necesidades
específicas de la aplicación.

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[2] Electrónicos. Tienda En Línea: Transfer Multisort Elektronik.
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