ECUACIONES SIGNIFICATIVAS

1 Diodos semiconductores W = QV, 1 eV = 1.6 * 10-19 J, ID = Is 1eVD>nVT - 12, VT = kT>q, TK = TC + 273°,

2 Aplicaciones del diodo Silicio: VK ⬵ 0.7 V, germanio: VK ⬵ 0.3 V, GaAs: VK ⬵ 1.2 V; media onda: Vcd = 0.318Vm;
onda completa: Vcd = 0.636Vm

3 Transistores de unión bipolar IE = IC + IB, IC = ICmayoritario + ICOminoritario , IC ⬵ IE, VBE = 0.7 V, acd = IC>IE, IC = aIE + ICBO,
aca = ¢IC>¢IE, ICEO = ICBO>11 - a2, b cd = IC>IB, b ca = ¢IC>¢IB, a = b>1b + 12, b = a>11 - a2, IC = bIB, IE = 1b + 12IB,
PCmáx = VCEIC

4 Polarización de cd de los BJT En general: VBE = 0.7 V, IC ⬵ IE , IC = bIB; polarización fija: IB = 1VCC - VBE2>RB,VCE = VCC - ICRC,
ICsat = VCC>RC; estabilizado por el emisor: IB = 1VCC - VBE2>1RB + 1b + 12RE2, Ri = 1b + 12RE , VCE = VCC - IC1RC + RE2,
ICsat = VCC>1RC + RE2; divisor de voltaje: exacto: RTh = R1 7R2, ETh = R2VCC>1R1 + R22, IB = 1ETh - VBE2>1RTh + 1b + 12RE2,
VCE = VCC - IC1RC + RE2, aproximado: bRE  10R2, VB = R2VCC>1R1 + R22, VE = VB - VBE, IC ⬵ IE = VE>RE; realimentación de voltaje:
IB = 1VCC - VBE2>1RB + b1RC + RE22; base común: IB = 1VEE - VBE2>RE; transistores de conmutación: tencendido = tr + td , tapagado = ts + tf ;
estabilidad: S1ICO2 = ¢IC>¢ICO; polarización fija: S1ICO2 = b + 1; polarización de emisor: S1ICO2 = 1b + 1211 + RB>RE2>11 + b + RB >RE2;
divisor de voltaje: S1ICO2 = 1b + 1211 + RTh>RE2>11 + b + RTh>RE2; polarización por realimentación: S1ICO2 = 1b + 1211 + RB>RC2>11 + b + RB>RC2,
S1VBE2 = ¢IC>¢VBE; polarización fija: S1VBE2 = - b>RB; polarización de emisor: S1VBE2 = - b>1RB + 1b + 12RE2; divisor de voltaje: S1VBE2 =
- b>1RTh + 1b + 12RE2; polarización por realimentación: S1VBE2 = - b>1RB + 1b + 12RC2, S1b2 = ¢IC>¢b; polarización fija: S1b2 = IC1>b 1;
polarización de emisor: S1b2 = IC111 + RB>RE2> 1b 111 + b 2 + RB>RE22; divisor de voltaje: S1b2 = IC111 + RTh>RE2>1b 111 + b 2 + RTh>RE22;
polarización por realimentación: S1b2 = IC111 + RB>RC2>1b 111 + b 2 + RB>RC22, ¢IC = S1ICO2 ¢ICO + S1VBE2 ¢VBE + S1b2 ¢b

5 Análisis de ca de un BJT re = 26 mV>IE; CE polarización fija: Zi ⬵ bre, Zo ⬵ RC, Av = -RC>re; polarización de divisor de voltaje: Zi = R1 7 R2 7 bre,
Zo ⬵ RC, Av = -RC>re; CE polarización de emisor: Zi ⬵ RB 7 bRE, Zo ⬵ RC, Av ⬵ -RC>RE; emisor seguidor: Zi ⬵ RB 7 bRE, Zo ⬵ re, Av ⬵ 1;
base común: Zi ⬵ RE 7re, Zo ⬵ RC, Av ⬵ RC>re; realimentación del colector: Zi ⬵ re>11>b + RC>RF2, Zo ⬵ RC 7RF, Av = -RC>re; realimentación de
cd del colector: Zi ⬵ RF1 7 bre, Zo ⬵ RC 7 RF2, Av = -1RF2 7 RC2>re; efecto de la impedancia de carga: Av = RLAvNL>1RL + Ro2, Ai = -Av Zi>RL;
efecto de la impedancia de la fuente: Vi = RiVs>1Ri + Rs2, Avs = Ri AvNL >1Ri + Rs2, Is = Vs>1Rs + Ri2; efecto combinado de la carga y la impedancia
de la fuente: Av = RLAv NL >1RL + Ro2, Avs = 1Ri>1Ri + Rs221RL >1RL + Ro22AvNL, Ai = -Av Ri>RL, Ais = -Avs1Rs + Ri2>RL; conexión
cascodo: Av = Av1Av2; conexión de Darlington: b D = b 1 b 2; configuración en emisor seguidor: IB = 1VCC - VBE2>1RB + b DRE2,
IC ⬵ IE ⬵ b DIB, Zi = RB||b 1 b 2RE, Ai = b DRB>1RB + b DRE), Av ⬵ 1, Zo = re1>b 2 + re2; configuración de amplificador básica: Zi = R1||R2||Zi ,
Zi  = b 11re1 + b 2re22, Ai = b D1R1||R22>1R1||R2 + Zi 2, Av = b DRC>Zi , Zo = RC||ro2; par de realimentación: IB1 = 1VCC - VBE12>1RB + b 1 b 2RC2,
Zi = RB||Zi , Zi  = b 1re1 + b 1 b 2RC, Ai = - b 1 b 2RB>1RB + b 1 b 2RC2 Av = b 2RC>1re + b 2RC2 ⬵ 1, Zo ⬵ re1>b 2.

6 Transistores de efecto de campo IG = 0 A, ID = IDSS11 - VGS>VP22, ID = IS , VGS = VP 11 - 2ID>IDSS2, ID = IDSS>4 1si VGS = VP>22,
ID = IDSS>2 1si VGS ⬵ 0.3 VP2, PD = VDSID , rd = ro>11 - VGS>VP22; MOSFET: ID = k1VGS - VT22, k = ID1encendido2 >1VGS1encendido2 - VT22

7 Polarización de los FET Polarización fija: VGS = -VGG, VDS = VDD - IDRD; autopolarización: VGS = -IDRS, VDS = VDD - ID1RS + RD2,
VS = IDRS; divisor de voltaje: VG = R2VDD>1R1 + R22, VGS = VG - ID RS, VDS = VDD - ID1RD + RS2; configuración en compuerta común:
VGS = VSS - IDRS, VDS = VDD + VSS - ID1RD + RS2; caso especial: VGSQ = OV: IIQ = IDSS, VDS = VDD - IDRD, VD = VDS, VS = 0 V. MOSFET tipo
enriquecimiento: ID = k1VGS - VGS1Th222, k = ID1encendido2 >1VGS1encendido2 - VGS1Th222; polarización por realimentación: VDS = VGS, VGS = VDD - IDRD;
divisor de voltaje: VG = R2VDD>1R1 + R22, VGS = VG - IDRS; curva universal: m = ƒ VP ƒ >IDSSRS, M = m * VG> ƒ VP ƒ ,VG = R2VDD>1R1 + R22

8 Amplificadores con FET gm = yfs = ¢ID>¢VGS, gm0 = 2IDSS > ƒVP ƒ, gm = gm011 - VGS>VP2, gm = gm0 1ID>IDSS, rd = 1>yos =
¢VDS>¢ID ƒ VGS = constante ; polarización fija: Zi = RG, Zo ⬵ RD, Av = -gmRD; autopolarización (RS con puenteo): Zi = RG, Zo ⬵ RD, Av = -gmRD; autopolarización
(RS sin puenteo): Zi = RG, Zo = RD, Av ⬵ -gmRD>11 + gmRs2; polarización de divisor de voltaje: Zi = R1 7 R2, Zo = RD, Av = -gmRD; fuente seguidor:
Zi = RG, Zo = RS 71>gm , Av ⬵ gmRS>11 + gmRS2; compuerta común: Zi = RS 71>gm, Zo ⬵ RD, Av = gmRD; MOSFET tipo enriquecimiento:
gm = 2k1VGSQ - VGS1Th22; configuración por realimentación del drenaje: Zi ⬵ RF>11 + gmRD2, Zo ⬵ RD, Av ⬵ -gmRD; polarización por medio del divisor
de voltaje: Zi = R1 7 R2, Zo ⬵ RD, Av ⬵ -gmRD.
9 Respuesta en frecuencia de transistores BJT y FET logea = 2.3 log10a, log101 = 0, log10 a>b = log10 a - log10 b, log101>b = -log10b,
log10ab = log10 a + log10 b, GdB = 10 log10 P2>P1, GdBm = 10 log10 P2>1 mWƒ 600 Æ , GdB = 20 log10 V2>V1, GdBT = GdB1 + GdB2 + Á # + GdBn
PoHPF = 0.5Pomed , BW = f1 - f2; baja frecuencia: fLS = 1>2p1Rs + Ri2Cs, fLC = 1>2p1Ro + RL2CC, fLE = 1>2pR eCE,
Re = RE 71R¿s>b + re2, R¿s = Rs 7R1 7 R2, FET: fLG = 1>2p1Rsig + Ri2CG, fLC = 1>2p1Ro + RL2CC , fLS = 1>2pReqCS,
Req = RS 71>gm1rd ⬵ q Æ2; efecto Miller: CMi = 11 - Av2Cf , CMo = 11 - 1>Av2Cf ; alta frecuencia (BJT): fHi = 1>2pRThi Ci,
RThi = Rs 7R1 7 R2 7 Ri, Ci = Cwi + Cbe + 11 - Av2Cbc, fHo = 1>2pRThoCo, RTho = RC 7 RL 7ro, Co = CWo + Cce + CMo,
fb ⬵ 1>2pb med re1Cbe + Cbc2, fT = b med fb; FET: fHi = 1>2pRThiCi, RThi = Rsig 7 RG, Ci = CWi + Cgs + CMi, CMi = (1 - Av)Cgd
fHo = 1>2pRThoCo, RTho = RD 7 RL 7 rd, Co = CWo + Cds + CMo; CMO = 11 - 1>Av2Cgd; múltiples etapas: f1¿ = f1> 221>n - 1,
f 2¿ = 1221>n - 12f2; prueba de onda cuadrada: fHi = 0.35>t r, % Inclinación = %P = 11V - V¿2>V2 * 100%, fLo = 1P>p2fs

10 Amplificadores operacionales CMRR = Ad >Ac; CMRR1log2 = 20 log101Ad >Ac2; Multiplicador de ganancia constante: Vo >V1 = -Rf >R1;
amplificador no inversor: Vo >V1 = 1 + Rf >R1; seguidor unitario: Vo = V1; amplificador sumador: Vo = - 31Rf>R12V1 + 1Rf>R22V2 + 1Rf>R32V34;
integrador: vo1t2 = - 11>R1C12 1v1dt

11 Aplicaciones del amplificador operacional Multiplicador de ganancia constante: A = - Rf>R1; no inversor: A = 1 + Rf>R1: sumador de voltaje:
Vo = - 31Rf>R12V1 + 1Rf>R22V2 + 1Rf>R32V34; filtro activo pasoaltas: foL = 1>2pR1C1; filtro activo pasobajas: foH = 1>2pR1C1

12 Amplificadores de potencia
Entrada de potencia: Pi = VCCICQ
Salida de potencia: Po = VCEIC = IC2RC = VCE 2
>RC rms
2 2
= VCEIC>2 = 1IC>22RC = VCE >12RC2 pico
2 2
= VCEIC>8 = 1IC>82RC = VCE >18RC2 pico a pico
eficiencia: %h = 1Po>Pi2 * 100%; eficiencia máxima: Clase A, alimentado en serie = 25%; transformador acoplado clase A = 50%;
push-pull, clase B = 78.5%; relación de transformación: V2>V1 = N2>N1 = I1>I2, R2 = 1N2>N122R1; salida de potencia: Po = 31VCE máx - VCE mín 2
1IC máx - IC mín 24>8; amplificador de potencia clase B: Pi = VCC312>p2Ipico 4; Po = VL21pico 2>12RL2; %h = 1p>423VL1pico 2>VCC4 * 100%;
2 2 2
PQ = P2Q>2 = 1Pi - Po2>2; Po máxima = VCC >2RL; Pi máxima = 2VCC >pRL; P2Q máxima = 2VCC >p 2RL; % de distorsión armónica
2
total (%THD) = 2D2 + D3 + D4 +2 2 Á * 100%; disipador de calor: TJ = PDuJA + TA, uJA = 40°C/W (aire libre);
PD = 1TJ - TA2>1uJC + uCS + uSA2

13 Circuitos integrados digitales líneales Red en configuración de escalera: Vo = 31D0 * 20 + D1 * 21 + D2 * 22 + Á + Dn * 2n2>2n4Vref;

14 Realimentación y circuitos osciladores Af = A>11 + bA2; realimentación en serie: Zif = Zi11 + bA2; realimentación en derivación;
Zif = Zi>11 + bA2; realimentación de voltaje: Zof = Zo>11 + bA2; realimentación de corriente; Zof = Zo11 + bA2; estabilidad de la ganancia:
dAf>Af = 1>1ƒ1 + bAƒ21dA>A2; oscilador; bA = 1; corrimiento de fase: f = 1>2pRC16, b = 1>29, A 7 29; desplazamiento de fase de FET:
ƒAƒ = gm RL, RL = RDrd>1RD + rd2; desfasamiento de transistor: f = 11>2pRC231> 26 + 41RC>R24, hfe 7 23 + 291RC>R2 + 41R>RC2; Puente de Wien:
R3>R4 = R1>R2 + C2>C1, fo = 1>2p1R1C1R2C2; sintonizado: fo = 1>2p 1LCec , Cec = C1C2>1C1 + C22, Hartley: Lec = L1 + L2 + 2M, fo = 1>2p 1Lec C

15 Fuentes de alimentación (reguladores de voltaje) Filtros: r = Vr1rms2>Vcd * 100%, V.R. = 1VNL - VFL2>VFL * 100%, Vcd = Vm - Vr1p-p2>2,
Vr1rms2 = Vr1p-p2>213, Vr1rms2 ⬵ 1Icd>41321Vcd>Vm2; onda completa, carga ligera Vr1rms2 = 2.4Icd>C, Vcd = Vm - 4.17Icd>C, r =
12.4IcdCVcd2 * 100% = 2.4>RLC * 100%, Ipico = T>T1 * Icd; RC filtro: V¿cd = RL Vcd>1R + RL2, XC = 2.653>C1media onda2, XC =
1.326>C 1Onda completa2, V¿r1rms2 = 1XC> 2R2 + X2C2; reguladores: IR = 1INL - IFL2>IFL * 100%, VL = VZ11 + R1>R22, Vo =
Vref 11 + R2>R12 + IadjR2

16 Otros dispositivos de dos terminales Diodo varactor: CT = C102>11 + ƒVr>VT ƒ2n, TCC = 1¢C>Co1T1 - T022 * 100%; fotodiodo:
W = hf, l = v>f, 1 lm = 1.496 * 10-10 W, 1 Å = 10-10 m, 1 fc = 1 lm>ft2 = 1.609 * 10-9 W>m2

17 Dispositivos pnpn y otros dispositivos Diac: VBR1 = VBR2 ; 0.1 VBR2 UJT: RBB = 1RB1 + RB22ƒ IE = 0 , VRB = hVBB ƒ IE = 0,h = RB1>1RB1 + RB22ƒ IE = 0 ,
1

VP = hVBB + VD; fototransistor: IC ⬵ hfeIl; PUT: h = RB1>1RB1 + RB22,VP = hVBB + VD