Efecto Early

UNIVERSIDAD
TECNOLGICA NACIONAL
FACULTAD REGIONAL
AVELLANEDA Dispositivos Electrónicos – 2021
Transistor Bipolar de Juntura

Dependencia de ic con respecto a la tensión de colector: efecto Early
Contenidos:
1. Introducción
2. Modulación del ancho de la base
Bibliografía de referencia:
Sedra-Smith, “Microelectronics Circuits” 7th ed, sección 6.2.3
Paul Gray, Paul Hurst, Stephen Lewis, Robert Meyer, “Analysis and
design of analog integrated circuits”, 5th ed, seccion 1.3.2
Tremosa, “Electrónica del estado solido”, sección 9.9
Transistor Bipolar de Juntura – Efecto Early 2
1. Introducción
1
Cuando se opera en la región activa, los BJT prácticos muestran que hay cierta
dependencia de la corriente del colector con respecto a la tensión del colector, con el
resultado de que sus características 𝑖𝐶 − 𝑣𝐶𝐵 no son rectas perfectamente horizontales.
Para ver con mas claridad esta dependencia, considere el circuito mostrado en la figura
1.a) .
El transistor esta conectado en la configuración emisor común; es decir, aquí el emisor
sirve como un terminal común entre los terminales de entrada (base-emisor) y los
terminales de salida (colector-emisor).
La tensión 𝑉𝐵𝐸 se fija en algún valor deseado al ajustar la fuente de CC conectada entre la
base y el emisor. En cada valor de 𝑉𝐵𝐸 , la curva característica 𝑖𝐶 − 𝑣𝐶𝐸 se puede medir
punto por punto al variar la fuente de CC conectada entre el colector y el emisor y medir
asimismo la corriente de colector correspondiente. El resultado es la familia de curvas
características 𝑖𝐶 − 𝑣𝐶𝐸 mostradas en la figura 1.b) y conocidas como características en
emisor-común.
Figura 1 (a) Circuito conceptual para medir la característica 𝑖𝐶 − 𝑣𝐶𝐸 del BJT (b)
Característica 𝑖𝐶 − 𝑣𝐶𝐸 de un BJT practico.
Observamos que las curvas características, aunque siguen siendo líneas rectas, tienen
pendiente finita. De hecho, cuando se extrapolan, las líneas características se encuentran
en un punto del eje 𝑣𝐶𝐸 negativo, en 𝑣𝐶𝐸 = – 𝑉𝐴 . La tensión 𝑉𝐴 , un número positivo, es un
parámetro para cada BJT particular, con valores típicos en el rango de 10 V a 100 V. Este
1 Traducción del libro Sedra-Smith, Microelectronics Circuits 7th ed, sección 6.2.3
Dispositivos Electrónicos – 2021 UTN-FRA

parámetro se llama tensión de Early, en honor a J. M. Early, el ingeniero que primero

estudió este fenómeno.
A un valor dado de 𝑣𝐵𝐸 , al aumentar 𝑣𝐶𝐸 aumenta el voltaje de polarización inversa en la
juntura colector-base y, por lo tanto, aumenta el ancho de la región de agotamiento de la
juntura. Esto a su vez da como resultado una disminución en el ancho efectivo de la
base W. Recordando que 𝐼𝑆 es inversamente proporcional a W, vemos que 𝐼𝑆 aumentará
y que 𝑖𝐶 aumentará proporcionalmente. Este es el efecto Early. Por razones obvias,
también se conoce como efecto de modulación del ancho de la base.
La dependencia lineal de 𝑖𝐶 con respecto a 𝑣𝐶𝐸 se puede expresar si se supone que 𝐼𝑆

permanece constante y se incluye el factor (1 + 𝑣𝐶𝐸 ⁄𝑉𝐴) en la ecuación de 𝑖𝐶 :
𝑖𝐶 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑣𝐵𝐸 ⁄𝑉𝑇 (1 + 𝑣𝐶𝐸 ⁄𝑉𝐴 ) (1)
La pendiente no nula de la recta 𝑖𝐶 − 𝑣𝐶𝐸 indica que la resistencia de salida (𝑟𝑜 ) en el

colector no es infinita. Por el contrario, es finita y se define mediante
−1
1 𝜕𝑖𝐶
𝑟𝑜 = =[ | ]
𝑔𝑜 𝜕𝑣𝐶𝐸 𝑣
𝐵𝐸=𝑐𝑡𝑒
Con la ecuación (1) se puede demostrar que
𝑉𝐴 + 𝑉𝐶𝐸
𝑟𝑜 =
𝐼𝐶
donde 𝐼𝐶 y 𝑉𝐶𝐸 son las coordenadas del punto en el cual el BJT opera en la curva 𝑖𝐶 − 𝑣𝐶𝐸
particular (es decir, la curva obtenida para 𝑣𝐵𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 ). De otra forma, podemos escribir
𝑉𝐴
𝑟𝑜 = (2)
𝐼𝐶 ′
donde 𝐼𝐶 ′ es el valor de la corriente del colector cuando se ignora el efecto de Early; es

decir,
𝐼𝐶 ′ = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝐵𝐸 ⁄𝑉𝑇
Rara vez es necesario incluir la dependencia de 𝑖𝐶 respecto de 𝑣𝐶𝐸 en el diseño y análisis

de polarización realizados a mano. Sin embargo, tal efecto puede incluirse fácilmente en
un software de simulación de circuitos como SPICE, el cual se utiliza para ajustar el análisis
o diseño previamente realizado a mano.
La resistencia de salida finita 𝑟𝑜 puede tener en efecto importante en la ganancia de

amplificadores a transistor.
La resistencia de salida 𝑟𝑜 se puede incluir en el modelo de circuito del transistor.2 Esto se

ilustra en la figura 2, en la que se muestran los modelos de circuito a gran señal de un
transistor npn en emisor común que opera en el modo activo.
Observe que el diodo 𝐷𝐵 modela la dependencia exponencial de 𝑖𝐵 con respecto a 𝑣𝐵𝐸

y, por lo tanto, tiene una corriente de escala 𝐼𝑆𝐵 = 𝐼𝑆 ⁄𝛽. También observe que los dos
modelos difieren solo en como se expresa la función de control del transistor; en el circuito
de la figura 2.a), la tensión 𝑣𝐵𝐸 controla la fuente de corriente de colector, mientras que en
el circuito de la figura 2.b), la corriente de la base 𝑖𝐵 es el parámetro de control para la
fuente de corriente 𝛽𝑖𝐵 . Aquí se observa que 𝛽 representa la ganancia de corriente ideal
(es decir, cuando 𝑟𝑜 no esta presente) de la configuración de emisor común, que es la razón
para su nombre, ganancia de corriente de emisor común.
Figura 2 (a) Modelos de circuito equivalente a gran señal de un BJT npn que opera en el
modo activo en la configuración de emisor común
2 Cuando se utiliza la ecuación (2) para hallar 𝑟𝑜 se suele utilizar simplemente 𝑟𝑜 = 𝑉𝐴 ⁄𝐼𝐶 donde 𝐼𝐶 es la corriente de colector
sin considerar el efecto de Early.

2. Modulación del ancho de la base

En los transistores reales → 𝐼𝐶 varía en función de la tensión de colector.
Al variar la tensión 𝑉𝐶𝐵 → varía el ancho de la zona de vaciamiento de colector ∴ varia la

longitud efectiva de la base. Esto provoca que varíe el perfil de portadores minoritarios en
la base.
Si la 𝑉𝐶𝐵 se hace más negativa → aumenta la zona de vaciamiento de la juntura CB →

disminuye la longitud de la base → aumenta el gradiente de portadores minoritarios en la
base → aumenta 𝐼𝐶
Este efecto se conoce como “modulación del ancho de la base” o “efecto Early”.
Para disminuir este efecto → el dopado del colector ≪ dopado de la base.
Ej: Para un PNP =≫ 𝑁𝑎𝐶 ≪ 𝑁𝑑𝐵
En los transistores bipolares la relación de dopado es descendiente del emisor al colector.
Ej: Para un PNP =≫ 𝑁𝑎𝐸 ≫ 𝑁𝑑𝐵 ≫ 𝑁𝑎𝐶
Esto hace que, en la práctica, el transistor NO sea simétrico. Si se intercambian los

terminales de emisor y colector =≫ sigue funcionando, pero con menor desempeño.

Si la tensión base-emisor es constante, el cambio en 𝑉𝐶𝐵 es igual al cambio en 𝑉𝐶𝐸 y esto

provoca un aumento en la zona de vaciamiento de la juntura colector-base.
La tensión base-emisor es constante una vez fijada por la polarización del transistor. El
cambio en el ancho de la base ∆𝑊𝐵 es igual al cambio del ancho de la zona de depleción
y genera un aumento ∆𝐼𝐶 en la corriente de colector.
La modulación del ancho de la base produce una pendiente positiva en la característica

𝐼𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 generando una conductancia de salida.

Extrapolando en las curvas de salida del transistor BJT hacia el eje de las abscisas, se llega
a un punto de intercepción 𝑉𝐴 de todas las curvas, llamado tensión de Early, donde
𝑑𝐼𝐶 𝐼𝐶 1
= 𝑔𝑜 = =
𝑑𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐴 + 𝑉𝐶𝐸 𝑟𝑜
𝑔𝑜 ≡ conductancia de salida
𝑟𝑜 ≡ resistencia de salida
Valores típicos de 𝑉𝐴 es entre 15 V y 100 V.
Generalmente, para simplificar los cálculos manuales, se ignora este efecto en el análisis
de polarización. Sin embargo, la influencia del efecto Early, es importante en el análisis de
pequeña señal.
Para analizar la pendiente de las curvas, sabemos que:
𝑑𝐼𝐶 𝑑𝐼𝐶 𝑑𝐼𝐶 𝑑𝑊𝐵

= =
𝑑𝑉𝐶𝐸 𝑑𝑉𝐶𝐵 𝑑𝑊𝐵 𝑑𝑉𝐶𝐵
y,
𝑞𝐴𝐷𝑏 𝑝𝑏 (0) 𝑑𝐼𝐶 𝑞𝐴𝐷𝑏 𝑝𝑏 (0) |𝐼𝐶 |

|𝐼𝐶 | = =≫ = =
𝑊𝐵 𝑑𝑊𝐵 𝑊𝐵 2 𝑊𝐵
Por otro lado, podemos ver que cuando la longitud de la región tipo n de la juntura base-
colector aumenta, 𝑊𝐵 disminuye → ∆𝑙𝑛 = −∆𝑊𝐵 =≫
𝑑𝑊𝐵 𝑑𝑙𝑛 2𝜖(𝜑𝑜 − 𝑉𝐶𝐵 )

=− 𝑦 𝑙𝑛 = √ =≫
𝑑𝑉𝐶𝐵 𝑑𝑉𝐶𝐵 𝑁
𝑞𝑁𝑑 (1 + 𝑁𝑑 )
𝑎

𝑑𝑙𝑛 𝜖
− =
𝑑𝑉𝐶𝐵 √2𝑞𝑁 (1 + 𝑁𝑑 ) (𝜑 − 𝑉 )
𝑑 𝑁 𝑜 𝐶𝐵
𝑎
Reemplazando nos queda que,
𝑑𝐼𝐶 |𝐼𝐶 | 𝜖
=
𝑑𝑉𝐶𝐸 𝑊𝐵 √2𝑞𝑁 (1 + 𝑁𝑑 ) (𝜑 − 𝑉 )
𝑎
Para valores típicos de contaminación, el valor de la raíz varia muy poco ante la variación
de la polarización 𝑉𝐶𝐵 → podemos considerarla contante al igual que 𝑊𝐵 para cada
transistor.
1 1 𝜖
=
𝑉𝐴 𝑊𝐵 √2𝑞𝑁 (1 + 𝑁𝑑 ) (𝜑 − 𝑉 )
𝑎
𝑉𝐴 ≡ tensión de Early
Como 𝑉𝐴 varia poco con la polarización se la calcula para 𝑉𝐶𝐵 = 0

Figura extraída de la hoja de datos de un transistor BJT BC548, del fabricante Fairchild,
en donde se observa el efecto Early:

BASE COMUN
En las curvas características de salida en base común, el parámetro utilizado es 𝐼𝐸 , al

aumentar la polarización de la juntura de salida → aumenta el gradiente en la base →
aumenta 𝐼𝐶 .
=≫ como 𝐼𝐸 debe mantenerse constante por la condición de medición y 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶

=≫ deberá disminuir 𝑝𝑏 (0) para compensar el aumento de 𝐼𝐶 manteniendo casi constante
el gradiente en la base.
Por ello en las curvas de salida en base común, la variación de 𝐼𝐶 por modulación del
ancho de la base es muy chica o casi imperceptible.

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parámetro se llama tensión de Early, en honor a J. M. Early, el ingeniero que primero

La dependencia lineal de 𝑖𝐶 con respecto a 𝑣𝐶𝐸 se puede expresar si se supone que 𝐼𝑆

𝑖𝐶 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑣𝐵𝐸 ⁄𝑉𝑇 (1 + 𝑣𝐶𝐸 ⁄𝑉𝐴 ) (1)

La pendiente no nula de la recta 𝑖𝐶 − 𝑣𝐶𝐸 indica que la resistencia de salida (𝑟𝑜 ) en el

Con la ecuación (1) se puede demostrar que

donde 𝐼𝐶 ′ es el valor de la corriente del colector cuando se ignora el efecto de Early; es

Rara vez es necesario incluir la dependencia de 𝑖𝐶 respecto de 𝑣𝐶𝐸 en el diseño y análisis

La resistencia de salida finita 𝑟𝑜 puede tener en efecto importante en la ganancia de

La resistencia de salida 𝑟𝑜 se puede incluir en el modelo de circuito del transistor.2 Esto se

Observe que el diodo 𝐷𝐵 modela la dependencia exponencial de 𝑖𝐵 con respecto a 𝑣𝐵𝐸

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2. Modulación del ancho de la base

Al variar la tensión 𝑉𝐶𝐵 → varía el ancho de la zona de vaciamiento de colector ∴ varia la

Si la 𝑉𝐶𝐵 se hace más negativa → aumenta la zona de vaciamiento de la juntura CB →

Para disminuir este efecto → el dopado del colector ≪ dopado de la base.

Ej: Para un PNP =≫ 𝑁𝑎𝐶 ≪ 𝑁𝑑𝐵

En los transistores bipolares la relación de dopado es descendiente del emisor al colector.

Ej: Para un PNP =≫ 𝑁𝑎𝐸 ≫ 𝑁𝑑𝐵 ≫ 𝑁𝑎𝐶

Esto hace que, en la práctica, el transistor NO sea simétrico. Si se intercambian los

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Si la tensión base-emisor es constante, el cambio en 𝑉𝐶𝐵 es igual al cambio en 𝑉𝐶𝐸 y esto

La modulación del ancho de la base produce una pendiente positiva en la característica

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Valores típicos de 𝑉𝐴 es entre 15 V y 100 V.

Para analizar la pendiente de las curvas, sabemos que:

𝑑𝐼𝐶 𝑑𝐼𝐶 𝑑𝐼𝐶 𝑑𝑊𝐵

𝑞𝐴𝐷𝑏 𝑝𝑏 (0) 𝑑𝐼𝐶 𝑞𝐴𝐷𝑏 𝑝𝑏 (0) |𝐼𝐶 |

𝑑𝑊𝐵 𝑑𝑙𝑛 2𝜖(𝜑𝑜 − 𝑉𝐶𝐵 )

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Reemplazando nos queda que,

Como 𝑉𝐴 varia poco con la polarización se la calcula para 𝑉𝐶𝐵 = 0

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En las curvas características de salida en base común, el parámetro utilizado es 𝐼𝐸 , al

=≫ como 𝐼𝐸 debe mantenerse constante por la condición de medición y 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶

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