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    Elec Fundamental1 2

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    Caleb Edwards
    Este documento describe los semiconductores extrínsecos o dopados. Introduciendo átomos de valencia diferente como el fósforo o el antimonio en silicio o germanio puro, se puede controlar la conductividad y obtener una cantidad constante de portadores a temperatura ambiente. Esto da como resultado semiconductores de tipo n con electrones en exceso o de tipo p con huecos en exceso. La unión p-n forma la base de los diodos semiconductor, que presentan diferente resistencia dependiendo de la polarización aplicada.

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    Este documento describe los semiconductores extrínsecos o dopados. Introduciendo átomos de valencia diferente como el fósforo o el antimonio en silicio o germanio puro, se puede controlar la conductividad y obtener una cantidad constante de portadores a temperatura ambiente. Esto da como resultado semiconductores de tipo n con electrones en exceso o de tipo p con huecos en exceso. La unión p-n forma la base de los diodos semiconductor, que presentan diferente resistencia dependiendo de la polarización aplicada.

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    Este documento describe los semiconductores extrínsecos o dopados. Introduciendo átomos de valencia diferente como el fósforo o el antimonio en silicio o germanio puro, se puede controlar la conductividad y obtener una cantidad constante de portadores a temperatura ambiente. Esto da como resultado semiconductores de tipo n con electrones en exceso o de tipo p con huecos en exceso. La unión p-n forma la base de los diodos semiconductor, que presentan diferente resistencia dependiendo de la polarización aplicada.

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    SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS

    Temperatura en semiconductores intrínsecos definen la concentración de e- y h+

    ℃ ↑ ↔ ( ) ↑ cuasi-exponencialmente.
    1 e- / 1012 pasa a b.c. a temperatura ambiente.

    PROBLEMA
    La conductividad en semiconductores puros es muy sensible con las variaciones de temperatura, por lo tanto

    oℎ
    son inestables.
    Conducción este determinada por un único tipo de portadores
    Conseguir una cantidad relativamente constante de portadores en un semiconductor a temperatura ambiente.
    SOLUCIÓN
    Introducir átomos de diferente valencia en proporción adecuada en el
    semiconductor. Trivalentes (3) B, Al o Pentavalentes (5) P, As, Sb al Si y Ge (4)
    purificado.
    Conductividad controlada por la concentración y naturaleza de los átomos
    añadidos o impurezas.
    SEMICONDUCTOR EXTRINSECO O DOPADO TIPO n

    indistinguibles
    e- extrínseco e- intrínseco

    Energía de
    enlace con
    el átomo de
    Sb. 0,0XX meV

    Impurezas donadoras (P, As, Sb), ceden e- a la b.c.


    Concentración de n > p o e- > h+ (tipo n) a temperatura ambiente
    SEMICONDUCTOR EXTRINSECO O DOPADO TIPO p

    Energía del
    átomo ionizado

    h+ extrínseco h+ intrínseco
    indistinguibles

    Impurezas aceptadoras (B, Al), proporciona h+ a la b.v.


    Concentración de p > n o h+ > e- (tipo p) a temperatura ambiente.
    Relación temperatura / ionización átomos

    Para Si, tipo n

    Incremento de átomos ionizados


    de impurezas

    Rango de saturación.
    • T ambiente.
    • Concentración de portadores
    (e- o h+) constante y controlable.
    • Dopaje prefija la conductividad del
    semiconductor.

    -273,15 126,85 526,85 °C


    La unión p-n, diodos semiconductores

    Caso ideal:
    ℎ
    Supone que cada lado de la unión tiene

    e
    impurezas de un solo tipo distribuidas
    uniformemente y en equilibrio termodinámico.
    Interface (unión p-n)

    Presentan diferencia en su resistencia


    dependiendo de la polaridad aplicada a
    sus extremos.
    Fotolitografía (grabar con luz la piedra)
    Salas limpias

    Sustancias químicas
    Agua desionizada Luz ultra violeta 193 nm
    Temperatura controlada

    SiO2
    Protege y aísla Revelador y calor.
    900 – 1000 °C Disolución
    Atmósferas controladas

    Capa plana y uniforme Comido selectivo.


    0,5 m. 50 – 100 chips idénticos
    Sensible a la luz

    Lista para ser dopadas


    Colocación de la
    mediante bombardeo de
    máscara.
    “impurezas”

    https://youtu.be/gBAKXvsaEiw
    La unión p-n sin polarización
    No existen cargas libres, zona de deplexión
    alta resistencia

    Temperatura ambiente

    e ℎ
    Corrientes de difusión Equilibrio
    termodinámico
    Diferencia de
    potencial

    Nivel de Fermi
    constante Id corriente de difusión Región de
    Ia corriente de arrastre carga espacial
    La unión p-n con polarización (directa o indirecta), campo eléctrico.
    Equilibrio termodinámico se modifica

    V
    Polarización directa Polarización indirecta

    P P

    Portadores ganan Portadores pierden

    Reduce ancho de la Amplía ancho de la


    región de carga espacial región de carga espacial
    V > Vumbral

    - ec- h+ ec-
    ev- - - ec ec-
    ev
    ev-
    V IS minoritarios, ˚t
    ec -

    0,7 #$
    0,3 &
    1,2 &)*+
    Disrupción o ruptura

    En polarización directa la corriente


    está limitada por el calor que puede
    disipar el diodo, producto del efecto
    Joule.
    En polarización inversa la corriente es muy pequeña,
    pero a voltajes inversos elevados se producen fenómenos
    portadores minoritarios, ˚t de Avalancha y Túnel
    DIODO

    Resistencia del diodo


    ,- . 1

    Disipación de potencia
    /- - 0-
    / á2 á2 0 á2
    Ecuación de Shockley

    Voltaje Térmico

    k = 1,38x10-23 J/K Boltzmann

    ≅ 266
    T = (273+Tn (oC)) oK
    q = 1,6x10-19 C carga e- 3
    n=2 Si, n=1 Ge
    Tn (oC)=25°C

    PIV voltaje inverso pico


    PRV voltaje de reversa pico
    Voltajes de umbral VK
    Diodo ideal, primera aproximación
    Diodo, segunda aproximación. VK (Si) = 0,7 V. VK (Ge) = 0,3 V.
    Diodo, tercera aproximación VK, Resistencia interna RD

    rprom

    - 0,7 7 0- ,-
    ,- 8 9:9;6
    Resistencia interna

    3
    <>= ?@ 7 ?A
    (efecto óhmico de la
    barrera de potencial +
    conductores metálicos)
    1
    BC
    2DEF
    G ,F
    HI → H$ 6:; K )L6)M )6$ H; +H;9)N H$6
    H → H$ 6:; K H9) +$M$ó H9) +$H$; H$6
    H → H$ 6:; K 9 MP: 9)M$ó
    Recta de carga

    S@TUV W@ X @

    S=YZY[U=U ≅ W\ X@
    Q 7 -
    0 ∗ , 7 0- ∗ ,-
    Punto quiescente ( ], 0] ) inamovible

    (Hoja de datos o datasheet)

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