Dispositivos Electrónicos

6 En una configuración emisor común , la

Nombre: ___Josué_Isaí_López_Vega__________ resistencia de emisor es utilizada para:
1. Cuando los transistores se utilizan en circuitos A.
digitales, generalmente operan en el: Estabilización
A. Región activa
B.
B. Región de corte Bypass de señal de ac
.
C. Regiones de corte y saturación C.
Polarización de colector
D. Región lineal
D.
Mayor ganancia

2. Se muestran tres puntos Q diferentes en una línea

de carga de CC. El punto Q superior representa el:
A. ganancia mínima de corriente
7. La polarización por divisor de voltaje proporciona:
B. ganancia intermedia de corriente A. Un punto Q inestable
C. Ganancia máxima de corriente B. Un punto Q estable
D. Punto de corte un punto Q que varía fácilmente con los
C. cambios en la ganancia de corriente del
transistor
3. A Un transistor tiene una de 250 una corriente de
base, IB, de 20 A. La corriente de colector, IC, es un punto Q que es estable y varía
igual a: D. fácilmente con los cambios en la ganancia
de corriente del transistor
A. 500 A

B. 5 mA 8. Para que funcione correctamente el transistor, la

unión base-emisor debe polarizarse
C. 50 mA
directamente y con polarización inversa, ¿a qué
D. 5 A unión?
A. Colector-emisor

4. La razón de corriente IC/IE es menor a la unidad , se B. Base-colector

le llama :
C. Base-emisor
A. Beta
D. Colector-base
B. Theta

C. Alpha
9. Los extremos de una línea de carga dibujada en
una familia de curvas de un transistor
D. Omega determinan:
5. Con la terminal positiva en una base de un A. Saturación y corte f
transistor NPN, una lectura del óhmetro entre las
otras terminales del transistor debe ser: B. El punto de operación
A. Abierta C. La curva de potencia
B. Infinita D. El factor de amplificación
C. Baja resistencia

D. Alta resistencia
10. Si VCC = +18 V, la polarización por divisor-voltaje 14. Si los rangos de la señal de entrada es de 20– 40
el resistor R1 es 4.7 k , y R2 es 1500 , ¿qué A (microamps), con un rango de señal de
valor tiene el voltaje de polarización en base? salida de .5–1.5 mA (milliamps), ¿cual es la beta
en ac?
A. 8.70 V
A. 0.05
B. 4.35 V
B. 20
C. 2.90 V
C. 50

D. 0.7 V D. 500

15. ¿Cuál es la razón de corrientes para la beta?

11. La configuración Base-común,¿ que tipo de
ganancia proporciona? A. IC/IB

A. voltaje B. IC/IE

B. corriente C. IB/IE

C. Resistencia D. IE/IB
D. potencia 16. Una curva característica de colector muestra una
gráfica de : Corriente de emisor (IE) vs voltaje
colector
12. El punto Q en una línea de carga podría ser
utilizado para determinar: A. emisor (VCE) con (VBB) tensión de
polarización de base constante
A. VC
Corriente de colector (IC) vs voltaje
B. VCC B.colector-emisor (VCE) con (VBB) tensión de
polarización de base constante
C. VB
Corriente de colector (IC) vs voltaje colector
D. IC
C. (VC) con (VBB) tensión de polarización de
base constante

Corriente de colector (IC) vs voltaje de

D. alimentación (VCC) con (VBB) tensión de
polarización de base constante
17. Con encapsulado de transistores de baja
potencia, el terminal base suele ser el :
A. Punto terminal
13. Un transistor podría ser utilizado como un
dispositivo de conmutación o como : B. Medio
A. Resistor fijo C. extremo derecho
B. Dispositivo de ajuste D. montaje
C. rectificador

D. Resistor variable
18. Cuando un diodo de silicio tiene polarización
directa, ¿cuál es el valor en VBE para una
configuración Emisor común? 23. La mayoría de los electrones en la base de un
transistor NPN fluyen:
A. polarización divisor de voltaje
A. Fuera de la base
B. 0.4 V
B. En el colector
C. 0.7 V
C. En el emisor
D. tensión del emisor
D. En la fuente de la base

19. ¿Cuál es la ganancia actual para una

24. En un transistor, la corriente del colector es
configuración de base común donde IE = 4.2 mA
controlada por:
e IC = 4.0 mA?
A. Voltaje de colector
A. 16.80
B. Corriente de base
B. 1.05
C. Resistencia de colector
C. 0.20
D. Todas las anteriores
D. 0.95

25. La corriente total de emisor es:

20. Con un circuito PNP, la tensión más positiva es
probablemente: A. IE – IC
A. Tierra
B. IC + IE
B. VC
C. IB + IC
C. VBE
D. IB – IC
D. VCC
26. Si un colector común es la última etapa antes de
la carga; La (s) función (es) principal (es) de esta
etapa es:
21. Si una señal de 2 mV produce una señal de A. Proveer ganancia de voltaje
salida de 2 V , ¿cuál es la ganancia en voltaje?
B. Proveer inversión de fase
A. 0.001
Proporcionar una ruta de alta frecuencia
B. 0.004 C. para mejorar la respuesta de frecuencia.
C. 100 amortigua los amplificadores de voltaje de
la carga de baja resistencia y proporciona
D. 1000 D.
una adaptación de impedancia para la
máxima transferencia de potencia
22. El simbolo hfe es lo mismo que:

A.
B.
C. hi-fi

D.
27. Para que una configuración de C-C funcione
correctamente, la unión base-colector debe tener 32. En un circuito JFET autopolrizado, si VDD = VD,
polarización inversa, mientras que la polarización entonces ID = ________.
directa debe aplicarse a ¿qué unión?
A. colector-emisor A. 0

B. base-emisor B. no se puede determinar a partir de la

información anterior
C. colector-base
33. La resistencia de un JFET polarizada en la región
D. catodo-anodo ohmica está controlada por

A. VD.
28. La relación de entrada / salida de los
amplificadores de colector común y de base B. VGS.
común es:
C. VS.
A. 270 grados
D. VDS.
B. 180 grados

C. 90 grados

D. 0 grados 34. La alta resistencia a la entrada para un JFET se

debe a

29. Si un transistor opera en el centro de la línea de A. una capa de óxido metálico.

carga de CC, una disminución en la ganancia
B. una gran resistencia de entrada al dispositivo.
actual moverá el punto Q:
A. fuera de la línea de carga C. una capa intrínseca.

B. A ninguna parte D. la unión puerta-fuente es de sesgo inverso.

C. arriba 35. Para un JFET, el cambio en la corriente de drenaje

para un cambio dado en la tensión de puerta a fuente,
D. abajo con la constante de tensión de drenaje a fuente, es

A. Ruptura.
30. ¿Cuál es la ganancia más alta proporcionada por
una configuración C-E? B. transconductancia inversa.
A. Voltaje
C. transconductancia directa.
B. Corriente
D. auto polarización.
C. Resistencia
36. Identifique el E-MOSFET del canal p.
D. Potencia

31. ¿Cuál es la corriente de colector para una

configuración C-E con una beta de 100 y una
corriente base de 30 µA?
A. 30 A
A. a
B. .3 A
B. b
C. 3 mA
C. c
D. 3MA
D. d
37. C. FET abierto internamente en la puerta.

Consulte la figura que se muestra a continuación. ¿Cuál es D. todo lo anterior

el valor de IG?
42. Consulte la figura dada. ID 6 mA. Calcule el valor
de VDS.

A. 6 mA A. 13.2 V

B. 4 mA B. 10 V

C. 2 mA C. 6.8 V

D. 0 mA D. 0V

38. Una hoja de datos JFET especifica VGS(off) = –6 V y

IDSS = 8 mA. Encuentre el valor de ID cuando VGS = –3 V.
43. Para un JFET, el valor de VDS en el que ID se
convierte esencialmente en constante es el

A. 2 mA A. Voltaje pinch-off B.

B. 4 mA Tensión de corte.

C. 8 mA C. Tensión de ruptura.

D. ninguno de los anteriores D. voltaje ohmico.

39. Una hoja de datos JFET especifica VGS(off) = –10 V 44. El ________ tiene un canal físico entre el drenaje y
y IDSS a 8 =mA. Encuentre el valor de ID cuando VGS= –3 fuente
V.
A. D-MOSFET
A. 2 mA
B. E-MOSFET
B. 1.4 mA
C. V-MOSFET
C. 4.8 mA
45. Consulte la figura que se indica a continuación.
D. 3.92 mA Calcule el valor de VDS.

40. Identificar el E-MOSFET de canal n. A. 0V

B. 2V

A. a C. 4V

B. b D. –2 V
C. c

D. d

41. Si el VD es menor de lo esperado (normal) para un 46. Consulte la figura que se muestra a continuación.
circuito JFET auto polarizado, entonces podría ser Determine el valor de VS.
causado por un (n)

A. abierto RG.

B. cable de la puerta abierta

A. 20 V A. IDSS / 2

B. 8V B. IDSS / 3.4

C. 6V C. IDSS

D. 2V

51.

En la curva característica de drenaje de un JFET para

VGS = 0, la tensión de pinch-off es
47. Un JFET auto polarizado de canal n tiene un VD = 6
V. VGS = –3 V. Encontrar el valor de VDS.

A. por debajo del área ohmica.

A. –3 V B. entre el área ohmica y el área de corriente

constante.
B. –6 V
C. entre el área de corriente constante y la región
C. 3V
de ruptura.
D. 6V
D. por encima de la región de ruptura.
48. Consulte la figura dada. ID = 6 mA. Calcule el valor
de VDS.
52. El valor de VGS que hace ID aproximadamente
cero es el
A. –9 V
A. Voltaje pinch-off. B.
B. 9V
Tensión de corte.
C. 6V
C. Tensión de ruptura.
D. –3 V
D. voltaje ohmico.

53.

El JFET siempre se opera con la unión pn de la fuente de

49. ¿Con qué tipo(s) de voltaje(s) de puerta a fuente la puerta ________ -polarizada.
puede funcionar un MOSFET de agotamiento (DMOSFET)?

A. Cero
A. directa
B. positivo
B. inversa
C. negativo

D. cualquiera de los anteriores

54. Identificar el canal p D-MOSFET.

50. La polarización de divisor de voltaje para un
DMOSFET es ID = ________, obtenido estableciendo
VGS=0.
 58. Consulte la figura que se muestra a continuación.
Calcular el valor de VD.

A. 20 V

B. 8V
A. a
C. 6V
B. b
D. 2V
C. c
59. ¿En qué tres áreas se
D. d dividen las características de drenaje de un JFET (VGS
=0)?
55. Todos los MOSFET están sujetos a daños por descarga
electrostática (ESD).

A. Verdad A. ohmica, corriente constante, ruptura

B. falso B. pinch-off, corriente constante, avalancha
56. C. ohmica, de voltaje constante, ruptura
Identifique el D-MOSFET del canal n. 59. Un transistor tiene .............

1. Una Unión pn
A. a 2. Dos uniones pn
B. b 3. Tres uniones pn
C. c
4. Cuatro uniones pn
D. d
60. El número de regiones de agotamiento en un
57. Un MOSFET de doble puerta es transistor es ............

1. Cuatro

A. MOSFET de agotamiento B. un 2. Tres

MOSFET de enriquecimiento. 3. Uno
C. un VMOSFET. 4. Dos
D. un MOSFET de agotamiento o de enriquecimiento. 61. La base de un transistor es .............. Dopado

1. Fuertemente

2. Moderado

3. Ligeramente

4. ninguno de los anteriores

62. El elemento que tiene el mayor tamaño en un 2. Fuertemente
transistor es .................
3. Moderado
1. Colector
4. ninguno de los anteriores
2. Base

3. Emisor
10. En un transistor, la corriente base es de
4. Unión colector-base aproximadamente ... de la corriente del emisor

63. En un transistor pnp, la corriente de portadores son 1. 25%

.............
2. 20%
1. iones aceptadores
3. 35 %
2. iones donantes
4. 5%
3. electrones libres
11. En las uniones base-emisor de un transistor, se
4. Huecos encuentra ............................

64. El colector de un transistor es ............. Dopado 1. polarización inversa

1. Pesadamente 2. Una amplia capa de agotamiento

2. Moderado 3. Baja resistencia

3. Ligeramente 4. Ninguno de los anteriores

4. ninguno de los anteriores

65. Un transistor es un ............... dispositivo operado 12. La impedancia de entrada de un transistor es

.............
1. Corriente
1. Alto
2. Voltaje
2. Bajo
3. tanto el voltaje como la corriente
3. muy alto
4. ninguno de los anteriores
4. casi cero

13. Los portadores mayoritarios del emisor .................

66. En un transistor npn, ................................. son los
portadores minoritarios 1. recombinar en la base

1. electrones libres 2. recombinar en el emisor

2. Huecos 3. pasar a través de la región base al colector

3. iones donantes 4. ninguno de los anteriores

4. iones aceptadores 14. La corriente IB es ............

67. El emisor de un transistor es ............. Dopado 1. corriente de electrones

1. Ligeramente 2. corriente de huecos

 3. corriente donante ion 20. En un transistor siβ = 100 y la corriente del colector es
10 mA, Entonces IE Es …………
4. corriente de iones de aceptador
1. 100 mA
15. En un transistor .................
2. 100.1 mA
1. IC = IE + IB
3. 110 mA
2. IB = IC + IE
4. ninguno de los anteriores
3. IE = IC – IB

4. IE = IC + IB

16. El valor de α de un transistor es ..........

21. La relación entreβ y α es …………..
1. más de 1
1. β = 1 / (1 – α )
2. menos de 1
2. β = (1 – α ) / α
3. 1
3. β = α / (1 – α )
4. ninguno de los anteriores
4. β = α / (1 + α )
17. IC = αIE + ………….

1. IB
22. El valor deβ para un transistor es generalmente
2. ICEO ………………..

3. ICBO 1. 1

4. βIB 2. menos de 1
18. La impedancia de salida de un transistor es 3. Entre 20 and 500
..............
4. encima 500
1. Alto
23. La configuracion de los transistores más utilizada es
2. Cero .............

3. Bajo 1.emisor común

4. muy bajo 2.base común

3.coleccionista común

19. En un tansistor, IC a 100 mA y IE a 100,2 mA. El valor 4.ninguno de los anteriores

de β es ............

1. 100 24. La impedancia de entrada de un transistor conectado

en .............. es el arreglo mas alto.
2. 50
1. emisor común
3. cerca de 1
2. colector común
4. 200
3. base común
 4. ninguno de los anteriores 4. ninguno de los anteriores

25. La impedancia de salida de un transistor conectado en 30. A medida que aumenta la temperatura de un
……………. es el arreglo más alto transistor, la resistencia del emisor de la base
......................
1. emisor común
1. Disminuye
2. colector común
2. Aumenta
3. base común
3. sigue siendo el mismo
4.ninguno de los anteriores
4.ninguno de los anteriores
26. La diferencia de fase entre los voltajes de entrada y
salida en una configuracio base común es ............. 31. La ganancia de tensión de un transistor conectado en
configuración colector común es ...........
1. 180o
1. igual a 1
2. 90o
2. más de 10
3. 270o
3. más de 100
4. 0o
4. menos de 1

32. La diferencia de fase entre los voltajes de entrada y

27. La ganancia de potencia en un transistor conectado salida de un transistor conectado en la configuracion
en ... es el arreglo más alto coletor común es ………………
1. emisor común 1. 180o
2. base común 2. 0o
3. colector común 3. 90o
4.ninguno de los anteriores
4. 270o
28. La diferencia de fase entre las tensiones de entrada y
33. IC = β IB + ………..
salida de un transistor conectado configuración
emisor común es ............. 1. ICBO 2. IC
o
1. 0
3. ICEO
o
2. 180
4. αIE
o
3. 90
34. IC = [α / (1 – α )] IB + ………….
o
4. 270
1. ICEO

2. ICBO
29. La ganancia de tensión en un transistor conectado en
.............. es el arreglo más alto 3. IC

1. base común 4. (1 – α ) IB

2. colector común 35. IC = [α / (1 – α )] IB + […….. / (1 – α )]

3. emisor común 1. ICBO

 2. ICEO emisor se denomina eficiencia de la unión del emisor. La
relación entre la corriente del colector y la corriente base
3. IC se conoce como factor de transporte.

4. IE
es decir, β * = IC / IB

36. ¿Explicar por qué un transistor de unión ordinario se

llama bipolar? 41. ¿Cuál de las corrientes de transistor es siempre la más
grande? ¿Cuál es siempre la más pequeña? ¿Qué
Debido a que la operación del transistor se lleva a cabo
mediante dos tipos de portadores de carga un transistor
corrientes están relativamente cerca en magnitud?
ordinario se denomina bipolar. La corriente del emisor IE es siempre la más grande. La
corriente de base IB es siempre la más pequeña. La
corriente de colector IC y la corriente de emisor IE tienen
37. ¿Por qué el transistor se llama dispositivo de control una magnitud relativamente cercana.
de corriente?

El voltaje, la corriente o la potencia de salida están

42. ¿Por qué los transistores de tipo silicio se utilizan más
controlados por la corriente de entrada en un
transistor. Por eso se llama dispositivo controlado actual.
a menudo que el tipo de germanio?

Debido a que el transistor de silicio tiene ICBO de

corriente de corte más pequeño, pequeñas variaciones
38. ¿Cuál es el significado de la punta de flecha en el en ICBO debido a variaciones de temperatura y alta
símbolo del transistor? temperatura de funcionamiento en comparación con las
del tipo de germanio.
La punta de la flecha siempre está marcada en el
emisor. La dirección indicaba la dirección convencional 43. ¿Por qué el colector es más grande que el emisor y la
del flujo de corriente (de emisor a base en el caso de un base?
transistor pnp y de base a emisor en el caso de un
El colector se hace físicamente más grande que el emisor
transistor npn). Generalmente, no se marca ninguna
y la base porque el colector disipa mucha energía
punta de flecha para el colector ya que su corriente de
fuga inversa es siempre opuesta a la dirección de la
corriente del emisor. 44. ¿Por qué el ancho de la región base de un transistor
se mantiene muy pequeño en comparación con otras
regiones?
39. Explique la necesidad de polarizar el transistor. La región de la base de un transistor se mantiene muy
pequeña y muy ligeramente dopada para pasar la
Para un funcionamiento normal, la unión base-emisor
mayoría de los portadores de carga inyectados al
debe tener polarización directa y la unión colector-base
colector
debe tener polarización inversa. La cantidad de
polarización requerida es significativa para el
establecimiento del punto Q operativo o que está
dictado por el modo de operación deseado. 45. ¿Por qué el emisor siempre está polarizado
directamente?

El emisor siempre está polarizado hacia adelante con la

40. ¿Qué son la "inyección de emisor de manera base para suministrar portadores de carga mayoritarios
eficiente" y el "factor de transporte base" y cómo a la base.
influyen en el funcionamiento del transistor?

La relación entre la corriente de los portadores

inyectados en la unión del emisor y la corriente total del
46. ¿Por qué collector siempre se polariza de manera búfer entre una fuente de alta impedancia y una carga
inversa? de baja impedancia. se llama búfer de voltaje. Su otro
nombre es seguidor emisor.
El colector siempre tiene polarización inversa con la
base para eliminar los portadores de carga de la unión 53. ¿Cuáles son los principales propósitos para los que se
base-colector. puede utilizar un amplificador CC.

47. ¿Se puede obtener un transistor conectando diodos Debido a su alta impedancia de entrada y baja
semiconductores espalda con espalda? impedancia de salida, el circuito colector común
encuentra una amplia aplicación como amplificador de
No. Porque en el caso de dos diodos conectados uno
búfer entre una fuente de alta impedancia y una carga
tras otro, hay cuatro regiones dopadas en lugar de tres
de baja impedancia.
y no hay nada que se parezca a una región de base
delgada entre un emisor y un colector. 54.¿Qué configuración entre CE, CB, CC da la mayor
impedancia de entrada y ninguna ganancia de voltaje?

La configuración de colector común tiene la impedancia de

48. ¿Cómo se relacionan α y β?
entrada más alta y la ganancia de voltaje es menor que la
Si, α = β / (1+ β) o β = α / (1- α) unidad.

49. ¿Por qué hay un límite máximo de tensión de 55. ¿Qué entiendes por saturación inversa del colector?
alimentación del colector para un transistor? ¿En qué configuración tiene un valor mayor?

Aunque la corriente del colector es prácticamente Cuando la corriente de entrada (IE en el caso de la
independiente del voltaje de suministro del colector configuración CB e IB en el caso de la configuración CE)
sobre el rango de operación del transistor, pero si VCB es cero, la corriente del colector IC no es cero aunque es
se incrementa más allá de un cierto valor, la corriente del muy pequeña. De hecho, esta es la corriente de fuga
colector IC eventualmente aumenta rápida y inversa o la corriente de saturación inversa del colector
posiblemente destruye el dispositivo. (ICBO o simplemente ICO en configuración CB e ICEO en
configuración CE). En el caso de la configuración CE, es
50. Explicar por que ICEO >> ICBO? mucho más que en el caso de la configuración CB.

La corriente de corte del colector indicada por ICBO es 56. ¿Qué se entiende por punto de operación?
mucho mayor que ICBO. ICEO se da como:
El punto de reposo es un punto en la línea de carga de
CC que representa VCE e IC en ausencia de señal de CA
ICEO = ICBO / (1-α)
y las variaciones en VCE e IC tienen lugar alrededor de
este punto cuando se aplica la señal de CA.
Debido a que α es casi igual a la unidad (un poco menos
que la unidad), ICEO >> ICBO 57. Explicar cómo BJT se puede utilizar como
amplificador.
51. ¿Por qué la configuración CE es más popular en los
Un transistor funciona como amplificador mediante la
circuitos del amplificador?
transferencia de la corriente desde un bucle de baja
La configuración CE se utiliza principalmente porque sus impedancia a un bucle de alta impedancia.
ganancias de corriente, voltaje y potencia son bastante
altas y la relación de impedancia de salida e impedancia
de entrada es bastante moderada.

52. ¿Por qué la configuración CC se llama un buffer de

voltaje? ¿Cuál es el otro nombre?

Debido a su alta impedancia de entrada y baja

impedancia de salida, el circuito colector común
encuentra una amplia aplicación como amplificador de
 Re = Ve/le = Ve/lc =3/2 =1.5k

Rc = (Vcc-Vce-Ve)/lc = (30-10-3)/2 = 8.5k

Lb = lc/Beta = 33microA

Rb = (Vcc-Vbe-Ve)/lb = (30-3-0.7)/33microA = 796k

Ejercicio 1

Para el circuito indicado, realizar los siguientes puntos:

1.- La ganancia en corriente en BC vale 0.87 y la

corriente que circula por el emisor es de 40mA. Calcular
las corrientes de base y colector y la ganancia de
corriente en continua.
Ejercicio 2
lb=le-lc=5.2mA

Beta=lc/lb=34.8/5.2=6.7
Para el circuito indicado resolver los siguientes puntos:
2.- En el circuito de la figura, Rc=500Ω β=60 Vcc=30V
¿Cuánto valdrá la resistencia de base para que la
tensión ente colector y emisor sea 1V? VBE=0.7V 1.- En la siguiente figura Vcc = 4.5V, Hfe=100 Rc=1K y
lc = Vcc-Vce/Rc = 30-1/500 =58mA Rb=167K. Calcula todas las tensiones y corrientes que
puedas calcular.
lb = lc/Beta =58mA/60 = 0.96mA
Vb = 4.5-0.7 = 3.7 Vlb = 4.5-0.7/167k = 22ª
Rb = Vcc-Vbe/lb = 30-0.7/0.96 = 30k
lc = Beta*lb = 2.2mA Vce=Vcc-lc*Rc=4.5-2.2*1=2.3V
3.- Diseña el anterior circuito para que Ic=2mA y
VCE=10V, Vcc y Vbe es la misma Vc = Vcc-Vce =2.2V

lc = 2mA luego lb = lc/Beta = 33microA 2.-Halla las corrientes y tensiones del circuito de la figura
izquierda Rb=500k Rc = 8k β=75 Vbe=0.7V Vcc=20V
Rc = 30-10/2m = 10k
Vcc=lc*Rc+lb*Rb+Vbe=>20=8lc+500lb+0.7
Rb = 30-0.7/33microA = 887k
Como lc=lb=75lb tenemos : 20=8*75lb+500lb+0.7
4.- Igual que el ejercicio anterior, pero suponiendo una
resistencia en el emisor, con una tensión en el emisor Asi lb=(20-0.7)/(8*75+500)=17microA luego

Ve=3 Lc=75lb=1.31V
La tensión entre Vce se obtiene por la ley de ohm 2.- Dibuja la recta de carga de los puntos 2 y 3 del
ejercicio 1
Vce = Vcc-lc*Rc=20-1.31*8=9.5V

3 Diseña el mismo circuito para conseguir Vce = 15V

Ic=2mA β=75 Vbe=0.7V Vcc=20V

Dado que lb=lc/Beta=26microA

Rc= (Vcc-Vce)/lc =20-15/2=2.5k

Rb = (Vce-Vbe)/lb = (15-0.7)/26microA=550K

4 ¿Podrías diseñar el anterior circuito para poder

saturarlo?

No se puede pues no puede conseguir una diferencia

de 0.7V entre basa y emisor teniendo entre Vce una
tensión de 0.2V esto es típico en los circuitos con
realimentación en el colector

Ejercicio 4

Del circuito y la gráfica de salida realizar el siguiente punto:

1.- Señala el punto de operación del circuito en la curva

característica del transistor: Vcc=-80V Rc=10K Rb=30K
Vbb=2V

Encontrar : Vce =?, Ic = ? , β = ?

Ejercicio 3
Según el divisor de tensión Vb=15*30/(10+30)=11.25V
luego la tensión y la corriente en el emisor será:
Del circuito realizar los siguientes puntos Ve = Vb-Vbe= 11.25-0.7 =10.55V le = Ve/Re = 210mA
q´ aproximadamente es también
lc*Vce=Vcc-lc*Rc-le*Re=15-210*100-210*50
1.- Dibujar el punto de operación del circuito. Datos :  =-16.55V’ “Esta saturado”
Vcc=20V Rb=900k Rc=4k Re=2k β=70 Vbe=0.7V
Ejercicio 5

Del circuito desarrollar los siguientes puntos

Ejercicio 6
1.- Deducir las corrientes de colector, emisor, base y
tensiones colector emisor del circuito siguiente
(Vcc=15V R1=10K R2=20K Rc=1k Re=5k β=70 Vbe=0.7V
1 .- Las características eléctricas de un FET de canal n son
Vp=-5V Idss=20mA Calcular la corriente de drenador
para los siguientes valores de tensión de puerta Vgs=0,
2.- Igual que el ejercicio anterior, pero subiendo la Rc a
Vgs=-2V Vgs=-4V Vgs=-5V
10k

2.- ¿Qué tensión habría que aplicar en la puerta del

3.- Deducir las corrientes de colector, emisor, base y
transistor del ejercicio anterior para que circule una
tensiones colector emisor del circuito siguiente
corriente de 5mA?
(Circuito con divisor de tensión en la base) (Vcc=15V
R1=10K R2=30K Rc=100Ω Re=50Ω ββ=51 Vbe=0.8V) Si la Rd = 2k y Vcc=30V ¿Cual es el valor de Vds?

4.- Diseñar un amplificador como el de la figura de los 3.-.- Los parámetros de un MOS de emprobrecimiento de
ejercicios anteriores, para conseguir : Vce = 7V Ve=5V canal n son Vp=-6V Idss =10ma Halla la corriente de
Ic=2mA β=100 Vbe=0.7V drenador cuando la tensión en la puerta es de

–6V,-3V,1V, 0V,+1V, +2V, +3V

5.- Deducir las corrientes de colector, emisor, base y
tensiones colector emisor del punto 3 (Vcc=15V
R1=90K R2=30K Rc=100Ω Re=50Ω ββ=51 Vbe=0.8V 4 .- Por el transistor del ejercicio anterior circula una
corriente de drenador de 2mA calcular la tensión de
drenador-surtidor y puerta-surtidor. Rd=3K y Vcc=+20V
¿Podría circular una corriente de 10mA sin cambiar la Vgs,
6 .- Idem pero con los siguientes valores: Vcc=15V
aumentando Vcc?
R1=10Ω R2=30Ω Rc=100Ω Re=100Ω ββ=51 Vbe=0.7V
 Ejercicio 9

Grafique la recta de carga y determine VE, IC, VC.

Beta=200, RB=3k, RC=1k, RE=2k, VCC=20V, VEE=-10.7V

Ejercicio 7

Para el circuito que se muestra realice el análisis DC.

Considere VBE=0,7.
VE=0-VBE=-0.7V
Ejercicio 8 VRE=VE-VEE=-0.7V-(-10.7V)=10V
IC=VRE/RE=10V/2K=5Ma
VRC=IC*RC=5mA*1K=5V
Grafique la recta de carga y determine VB, VE, IC, VC.
VC=VCC-VRC=20V-5V=15V
Si Beta=200, R1=40k, R2=10k, RC=8k, RE=4.3k, VCC=25V
VCE=VC-VE=15V-(-0.7V)=15.7V
IC(SAT)= (VCC+|VEE|)/(RC+RE)
= 30.7V/(1K+2K) = 10.23Ma
VCE(CUTOFF) = VCC+|VEE| = 30.7V
Ejercicio 10

Del circuito mostrado calcular ID= ? , RD= ? ,VGS= ?,

considerando que Idss=13mA, Vp=-4,3v ,Id=6mA ,
VDS=6v, VDD=10v

VB = VCC*R1/(R1+R2)=5V
VE=VB-VBE, VE=4.3V
IC=VE/RE=4.3V/4.3K=1Ma
VRC=IC*RC=1mA*8K=8V
VC=VCC-VRC=25V-8V=17V
VCE=VC-VE=17V-4.3V=12.7V
IC(SAT)=VCC/(RC+RE)=25V/(8K+4.3K)= 2.03Ma
VCE(CUTOFF)=VCC=25V
Ejercicio 11
Ejercicio 13

Del circuito mostrado calcular: ID= ?, RD= ? , RS= ?

Del circuito mostrado encontrar:RD= ¿, RS= ¿, R1= ¿,
,VGS= ?, considerando lo siguiente:Idss=14,7mA, Vp=-
R2= ,ID=?, considerando : Idss=12, Vp=-4v, VDS=5v,
4,8v, ID=7,35mA, VDS=5v, VDD=10v
VDD=10v, VGS= -1,7v

Ejercicio 12

Del circuito mostrado encontrar: ID= ?, RD= ? , RS= ?

,VGS= ?, considerando: Idss=12mA, Vp=-4,8v , VDS=5v
,VDD=10v