CMOS
CMOS
CMOS
Características técnicas:
Valor
Parámetro VDD UNIDAD
Típico Máximo
5 45 90 ns
Tiempo de propagación In a On de nivel alto a nivel
10 20 40 ns
bajo tPHL
15 15 25 ns
.
5 40 80 ns
Tiempo de propagación In a On de nivel bajo a nivel
10 20 40 ns
alto tPLH
15 15 30 ns
.
5 60 120 ns
Tiempo de transición nivel alto a nivel bajo tTHL 10 30 60 ns
15 20 40 ns
.
5 60 120 ns
Tiempo de transición nivel bajo a nivel alto tTLH 10 30 60 ns
15 20 40 ns
Entrada Salida
In On
L H
H L
Cicuito integrado NAND CMOS HE4011
Características técnicas:
Valor
Parámetro VDD UNIDAD
Típico Máximo
5 55 110 ns
Tiempo de propagación nivel alto a nivel bajo
10 25 45 ns
tPHL
15 20 35 ns
.
5 55 110 ns
Tiempo de propagación nivel bajo a nivel alto
10 25 45 ns
tPLH
15 20 35 ns
.
5 60 120 ns
Tiempo de transición nivel alto a nivel bajo t PHL 10 30 60 ns
15 20 40 ns
.
5 60 120 ns
Tiempo de transición nivel bajo a nivel alto t PLH 10 30 60 ns
15 20 40 ns
Entradas Salida
I1 I2 O1
L L H
L H H
H L H
H H L
Cicuito integrado NOR CMOS HE4001
Características técnicas:
Valor
Parámetro VDD UNIDAD
Típico Máximo
5 65 130 ns
Tiempo de propagación nivel alto a nivel bajo
10 35 60 ns
tPHL
15 25 50 ns
.
5 40 80 ns
Tiempo de propagación nivel bajo a nivel alto
10 20 40 ns
tPLH
15 15 30 ns
.
5 75 150 ns
Tiempo de transición nivel alto a nivel bajo t PHL 10 30 60 ns
15 20 40 ns
.
5 60 110 ns
Tiempo de transicion nivel bajo a nivel alto t PLH 10 30 60 ns
15 20 40 ns
Entradas Salida
I1 I2 O1
L L H
L H L
H L L
H H L
Cicuito integrado AND CMOS HE4081
Características técnicas:
Valor
Parámetro VDD UNIDAD
Típico Máximo
5 55 110 ns
Tiempo de propagación nivel alto a nivel bajo
10 25 50 ns
tPHL
15 20 40 ns
.
5 45 90 ns
Tiempo de propagación nivel bajo a nivel alto
10 20 40 ns
tPLH
15 15 30 ns
.
5 60 120 ns
Tiempo de transición nivel alto a nivel bajo t THL 10 30 60 ns
15 20 40 ns
.
5 60 120 ns
Tiempo de transicion nivel bajo a nivel alto t TLH 10 30 60 ns
15 20 40 ns
Entradas Salida
I1 I2 O1
L L L
L H L
H L L
H H H